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1、(10)申请公布号 CN 103021803 A(43)申请公布日 2013.04.03CN103021803A*CN103021803A*(21)申请号 201110288823.5(22)申请日 2011.09.26H01L 21/02(2006.01)H01L 21/312(2006.01)G03F 7/00(2006.01)G03F 9/00(2006.01)(71)申请人上海华虹NEC电子有限公司地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号(72)发明人苏波(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司 31211代理人张骥(54) 发明名称保护厚金属层光刻对准标记的方法(5。
2、7) 摘要本发明公开了一种保护厚金属层光刻对准标记的方法，包括以下步骤：第一步，在介质层的表面形成光刻对准标记；第二步，在介质层的表面涂布光刻胶；第三步，对涂布有光刻胶的晶片进行曝光、显影，保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，去除其它区域覆盖的光刻胶；第四步，在晶片表面沉积厚金属层；第五步，剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的厚金属层。本发明采用光刻胶剥离工艺保护厚金属层光刻对准标记，使对准标记完全不受厚金属层工艺的影响，能够从根本上解决厚金属层光刻对准的问题。本发明能够使厚金属层覆盖后，光刻对准标记仍保持原来的形貌，使光刻对准过程容易实现，提高了光刻对准的精度。(51。
3、)Int.Cl.权利要求书1页 说明书2页 附图2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 2 页1/1页21.一种保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在介质层的表面形成光刻对准标记；第二步，在介质层的表面涂布光刻胶；第三步，对涂布有光刻胶的晶片进行曝光、显影，保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，去除其它区域覆盖的光刻胶；第四步，在晶片表面沉积厚金属层；第五步，剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的厚金属层。2.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第二步。
4、所涂布的光刻胶的厚度大于待沉积的厚金属层的厚度。3.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第二步所涂布的光刻胶的厚度大于1um。4.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第二步涂布光刻胶之前，对晶片表面进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角。5.根据权利要求1或4所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第三步之后，通过酸性或有机溶剂进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角。6.根据权利要求1所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述第五步剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层的方法为采用有机。
5、溶剂浸泡。7.根据权利要求6所述的保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，所述有机溶剂是苯类、酮类、醚类或醇类的一种或者几种的混合物。权 利 要 求 书CN 103021803 A1/2页3保护厚金属层光刻对准标记的方法技术领域0001 本发明涉及一种光学光刻工艺，具体涉及一种保护厚金属层光刻对准标记的方法。背景技术0002 在半导体制造工艺中，应用于大电流与高电压场合的芯片，通常需要在芯片制造过程中使用厚度大于1um的厚金属层，比如DMOS工艺、AOS分立器件、IGBT等工艺中都有厚金属层的应用。0003 在光刻工艺过程中，由于金属层是不透光的，对准信号波形是来源于入射光在金属表面不同落。
6、差形成反射的差异。但是在采用厚金属工艺时，厚金属层覆盖在前层留下的光刻对准标记上时，对准标记几乎完全被填平，严重影响对准标记的形貌，造成对准信号很微弱；同时由于厚金属需要较长的成膜时间和温度，晶粒一般较为粗大，杂波信号会干扰光刻机的对准识别，最终导致在光刻对准时发生困难。0004 为此，需要通过改善金属层的质量和光刻对准标记的尺寸来优化，从中找出一些可以用条件。但是，这些方法的效果都很不明显，优化空间也十分有限。一旦有工艺变动，又需要重新进行实验评估，无法实现规模化生产。发明内容0005 本发明所要解决的技术问题是提供一种保护厚金属层光刻对准标记的方法，它可以解决厚金属层光刻的对准问题。000。
7、6 为解决上述技术问题，本发明保护厚金属层光刻对准标记的方法的技术解决方案为，包括以下步骤：0007 第一步，在介质层的表面形成光刻对准标记；0008 第二步，在介质层的表面涂布光刻胶；所涂布的光刻胶的厚度大于待沉积的厚金属层的厚度。0009 所涂布的光刻胶的厚度大于1um。0010 所述第二步涂布光刻胶之前，对晶片表面进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角。0011 第三步，对涂布有光刻胶的晶片进行曝光、显影，保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，去除其它区域覆盖的光刻胶；0012 所述第三步之后，通过酸性或有机溶剂进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角。0013 第四步，在晶片表面沉积厚金属。
8、层；0014 第五步，剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的厚金属层。0015 所述第五步剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层的方法为采用有机溶剂浸泡。说 明 书CN 103021803 A2/2页40016 所述有机溶剂是苯类、酮类、醚类或醇类的一种或者几种的混合物。0017 本发明可以达到的技术效果是：0018 本发明采用光刻胶剥离工艺保护厚金属层光刻对准标记，使对准标记完全不受厚金属层工艺的影响，能够从根本上解决厚金属层光刻对准的问题。0019 本发明能够使厚金属层覆盖后，光刻对准标记仍保持原来的形貌，使光刻对准过程容易实现，提高了光刻对准的精。
9、度。附图说明0020 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：0021 图1至图5是本发明保护厚金属层光刻对准标记的方法的过程示意图。具体实施方式0022 本发明保护厚金属层光刻对准标记的方法，包括以下步骤：0023 第一步，在介质层(即衬底)的表面形成光刻对准标记，如图1所示；0024 第二步，在介质层的表面涂布光刻胶，光刻胶的厚度大于待沉积的厚金属层的厚度，如图2所示；0025 在光刻胶涂布前，可以对晶片表面进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角；0026 第三步，对涂布有光刻胶的晶片进行曝光、显影，保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，去除其它区域覆盖的光刻胶，如图3所示；。
10、0027 在曝光、显影后可以通过酸性或有机溶剂进行处理，使光刻胶的边界区域形成倒角；0028 第四步，在晶片表面沉积厚金属层，如图4所示；0029 第五步，剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的厚金属层，如图5所示；0030 剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层的方法为采用有机溶剂浸泡；有机溶剂可以是苯类、酮类、醚类或醇类的一种或者几种的混合物。0031 本发明通过光刻胶剥离方法，在厚金属层沉积后，将对准标记区域的光刻胶及覆盖其上的厚金属层一起去除。这样在厚金属层覆盖后，光刻对准标记仍保持原来的形貌，使光刻对准过程容易实现，提高了光刻对准精度。说 明 书CN 103021803 A1/2页5图1图2图3图4说 明 书 附 图CN 103021803 A2/2页6图5说 明 书 附 图CN 103021803 A。