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1、(10)申请公布号 CN 104183726 A (43)申请公布日 2014.12.03 CN 104183726 A (21)申请号 201310194852.4 (22)申请日 2013.05.21 H01L 51/50(2006.01) H01L 51/52(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (71)申请人 海洋王照明科技股份有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道 海王大厦 A 座 22 层 申请人 深圳市海洋王照明技术有限公司 深圳市海洋王照明工程有限公司 (72)发明人 周明杰 冯小明 陈吉星 王平 。
2、(74)专利代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫 熊永强 (54) 发明名称 一种有机电致发光器件及其制备方法 (57) 摘要 本发明公开了一种有机电致发光器件, 包括 依次层叠的玻璃基板、 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和封装盖板, 所述 封装盖板和玻璃基板形成封闭空间, 所述阳极、 空 穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极 容置在所述封闭空间内, 所述空穴阻挡层可以阻 挡空穴向电子传输层的传输, 还可以阻挡电子传 输层中碱金属离子向发光层的扩散, 从而提高载 流子传输效率, 有利于获得高效的发光效率, 本发 明还。
3、公开了该有机电致发光器件的制备方法。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 9 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书9页 附图1页 (10)申请公布号 CN 104183726 A CN 104183726 A 1/1 页 2 1. 一种有机电致发光器件, 其特征在于, 包括依次层叠的玻璃基板、 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和封装盖板, 所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空 间, 所述阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极容置在所述封闭空间内, 所述空穴阻挡层。
4、材质为硫化锌、 硒化锌或碲化锌。 2. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件, 其特征在于, 所述空穴阻挡层的厚度为 5nm 30nm。 3. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件, 其特征在于, 所述电子传输层的材质为碱 金属化合物和电子传输材料形成的混合材料, 所述碱金属化合物为碳酸锂、 叠氮化锂、 氟化 锂、 叠氮化铯、 碳酸铯、 氟化铯、 硼氢化钾、 碳酸铷、 氮化锂或氟化钠, 所述碱金属化合物在电 子传输层中的质量分数为 5% 50%。 4. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件, 其特征在于, 所述电子传输层的厚度为 20nm 200nm。 5. 如权利要求 1 所述的有机电。
5、致发光器件, 其特征在于, 所述封装盖板为玻璃盖板。 6. 一种有机电致发光器件的制备方法, 其特征在于, 包括以下操作步骤 : (1) 在清洗干净后的玻璃基板上采用磁控溅射的方法制备阳极 ; 在阳极上依次真空蒸 镀空穴传输层和发光层 ; (2) 在发光层上真空蒸镀空穴阻挡层, 所述空穴阻挡层材质为硫化锌、 硒化锌或碲化 锌 ; 所述蒸镀压强为 110-5Pa 110-3Pa, 蒸镀速率为 0.2nm/s 2nm/s ; (3) 在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极, 然后在阴极上覆盖封装盖板, 所 述封装盖板和玻璃基板通过粘合剂连接形成封闭空间, 将所述阳极、 空穴传输层、 发光层、 。
6、空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极容置在所述封闭空间内, 得到所述有机电致发光器件。 7. 如权利要求 6 所述的有机电致发光器件的制备方法, 其特征在于, 所述空穴阻挡层 厚度为 5nm 30nm。 8. 如权利要求 6 所述的有机电致发光器件的制备方法, 其特征在于, 所述电子传输层 的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料, 所述碱金属化合物为碳酸锂、 叠 氮化锂、 氟化锂、 叠氮化铯、 碳酸铯、 氟化铯、 硼氢化钾、 碳酸铷、 氮化锂或氟化钠, 所述碱金 属化合物在电子传输层中的质量分数为 5% 50%。 9. 如权利要求 6 所述的有机电致发光器件的制备方法, 其特征在于, 所。
7、述电子传输层 的厚度为 20nm 200nm。 10. 如权利要求 6 所述的有机电致发光器件的制备方法, 其特征在于, 所述封装盖板为 玻璃盖板。 权 利 要 求 书 CN 104183726 A 2 1/9 页 3 一种有机电致发光器件及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及有机电致发光领域, 特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。 背景技术 0002 有机电致发光(Organic Light Emission Diode, 以下简称OLED), 具有亮度高、 材 料选择范围宽、 驱动电压低、 全固化主动发光等特性, 同时拥有高清晰、 广视角, 以及响应速 度快等优势, 是一种极具。
8、潜力的显示技术和光源, 符合信息时代移动通信和信息显示的发 展趋势, 以及绿色照明技术的要求, 是目前国内外众多研究者的关注重点。 0003 到目前为止, 尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件 结构设计, 已使器件性能的各项指标得到了很大的提升, 例如采用 PN 掺杂传输层的工艺, 可以降低器件的启动电压以提高光效, 并且有利于寿命的提高。对于电子传输层的 N 掺杂 而言, 通常采用碱金属化合物进行掺杂, 这是由于碱金属功函低, 容易实现 n 掺杂效果, 但 是往往碱金属离子体积小, 扩散能力强, 在有机层中的扩散距离长, 碱金属离子除了掺杂在 传输层中, 还有可能扩散至。
9、发光层中, 直接导致激子的淬灭, 影响器件的光效和寿命。为了 获得长寿命, 稳定的有机电致发光装置, 有必要解决这一问题。 0004 为此, 科研工作者开发了一系列材料作为阻挡层, 例如 BAlq, Alq3, TPBi, 这些阻挡 层具有良好的成膜性, 但是其热稳定性能一般, 可用于阻挡碱金属离子的扩散。 但阻挡层还 有另一个重要作用是, 其介于发光层和电子传输层之间, 需要阻挡空穴传输到达电子传输 层, 从而避免引起无辐射发光的激子复合。对于这个阻挡作用, 需要材料具有较低的 HOMO (已占有电子的能级的最高轨道) 能级, 并且还需要具有较高的电子迁移率, 才能有利于电 子的传输, 提高。
10、光效和使用寿命。 而现有的阻挡层空穴的阻挡能力较差, 因此需要一层既可 以阻挡空穴又可以阻挡碱金属离子的空穴阻挡层。 发明内容 0005 为解决上述技术问题, 本发明提供了一种有机电致发光器件, 包括依次层叠的玻 璃基板、 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和封装盖板, 所述封装盖 板和玻璃基板形成封闭空间, 所述阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴 极容置在所述封闭空间内, 所述空穴阻挡层材质为硫化锌、 硒化锌或碲化锌, 所述空穴阻挡 层吸附电子传输层扩散过来的碱金属离子, 使碱金属离子不再向发光层扩散, 避免激子的 淬灭, 同时阻挡空。
11、穴传输到电子传输层, 从而避免引起无辐射发光的激子复合。 因而可以提 高器件的使用寿命, 本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。 0006 第一方面, 本发明提供了一种有机电致发光器件, 包括依次层叠的玻璃基板、 阳 极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和封装盖板, 所述封装盖板和玻璃 基板形成封闭空间, 所述阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极容置在 所述封闭空间内, 所述空穴阻挡层材质为硫化锌 (ZnS) 、 硒化锌 (ZnSe) 或碲化锌 ZnTe) 。 0007 优选地, 所述空穴阻挡层厚度为 5nm 30nm。 说 明 书 。
12、CN 104183726 A 3 2/9 页 4 0008 优选地, 所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材 料, 所述碱金属化合物为碳酸锂 (Li2CO3) 、 叠氮化锂 (LiN3) 、 氟化锂 (LiF) 、 叠氮化铯 (CsN3) 、 碳酸铯 (Cs2CO3) 、 氟化铯 (CsF) 、 硼氢化钾 (KBH4) 、 碳酸铷 (Rb2CO3) 、 氮化锂 (Li3N) 或氟化钠 (NaF) , 所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为 5% 50%。 0009 优选地, 所述电子传输材料为 2-(4- 联苯基) -5-(4- 叔丁基) 苯基 -1,3,4- 噁 二。
13、唑 (PBD) 、 (8- 羟基喹啉 )- 铝 (Alq3) 、 4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉 (Bphen) 、 1,3,5- 三 (1- 苯 基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 (TPBi) 、 2,9- 二甲基 -4,7- 联苯 -1,10- 邻二氮杂菲 (BCP) 或 3-( 联苯 -4- 基 )-5-(4- 叔丁基苯基 )-4- 苯基 -4H-1,2,4- 三唑 (TAZ) 。 0010 优选地, 所述电子传输层的厚度为 20nm 200nm。 0011 在制备完阴极后, 在阴极上覆盖封装盖板进行封装, 便于测试和防止水、 氧对器件 的侵蚀。 0012 优选地, 所述封装盖。
14、板为玻璃盖板。 0013 优选地, 所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。 0014 更优选地, 所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。 0015 优选地, 所述阳极材质为铟锡氧化物 (ITO) 、 铟锌氧化物 (IZO) 、 铝锌氧化物 (AZO) 或镓锌氧化物 (GZO) , 厚度为 70nm 200nm。 0016 更优选地, 所述阳极为 ITO, 厚度为 100nm。 0017 为了提高光效, 本发明空穴传输材料采用掺杂结构的空穴传输层。 0018 优选地, 所述空穴传输层材质为掺杂有掺杂剂的空穴传输材料 ; 其中, 0019 所述空穴传输材料为 N,。
15、N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二 胺 (NPB)、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基 -N- 苯基氨基 ) 三苯胺 (m-MTDATA)、 N,N- 二苯 基 -N,N- 二 (3- 甲基苯基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (TPD)、 N,N,N,N - 四甲氧基苯 基 )- 对二氨基联苯 (MeO-TPD)、 2,7- 双 (N,N- 二 (4- 甲氧基苯基)氨基) -9,9- 螺二芴 (MeO-Sprio-TPD) 、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺 (TCTA) 或 1, 1- 二 (4-(N, N - 二。
16、 (p- 甲苯基 ) 氨基 ) 苯基 ) 环己烷 (TAPC) , 所述掺杂剂为 2,3,5,6- 四氟 -7,7 ,8,8 - 四氰 醌-二甲烷 (F4-TCNQ) 、 1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌 (F6-TNAP) 或2,2-(2,5-二 氰基 -3,6- 二氟环己烷 -2,5- 二烯 -1,4- 二亚基 ) 二丙二腈 (F2-HCNQ) ; 所述掺杂剂在空 穴传输层中的质量分数为 2% 30%, 更优选地为 5%。 0020 优选地, 所述空穴传输层的厚度为 40nm 100nm。 0021 优选地, 所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料, 所述客 。
17、体材料为 4-(二腈甲基) -2- 丁基 -6-(1,1,7,7- 四甲基久洛呢啶 -9- 乙烯基) -4H- 吡 喃 (DCJTB) 、 双 (4,6- 二氟苯基吡啶 -N,C2) 吡啶甲酰合铱 (FIrpic) 、 双 (4,6- 二氟苯基吡 啶) - 四 (1- 吡唑基)硼酸合铱 (FIr6) 、 二 (2- 甲基 - 二苯基 f,h 喹喔啉) (乙酰丙酮) 合铱 (Ir(MDQ)2(acac)) 、 三 (1- 苯基 - 异喹啉)合铱 (Ir(piq)3)或三 (2- 苯基吡啶)合 铱 (Ir(ppy)3), 所述主体材料为 4,4- 二 (9- 咔唑 ) 联苯 (CBP) 、 8- 。
18、羟基喹啉铝 (Alq3) 、 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 (TPBi) 或 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘 基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (NPB), 所述客体材料在主体材料中的质量比为 1% 10%。 0022 优选地, 所述发光层也可以采用荧光材料 4,4- 二 (2,2- 二苯乙烯基 )-1,1- 联 苯 (DPVBi) 、 8- 羟基喹啉铝 (Alq3) 、 4,4- 双 4-( 二对甲苯基氨基 ) 苯乙烯基 联苯 说 明 书 CN 104183726 A 4 3/9 页 5 (DPAVBi) 或 5,6,11,12。
19、- 四苯基萘并萘 (Rubrene) 。 0023 优选地, 所述发光层的厚度为 1nm 20nm, 更优选地, 厚度为 15nm。 0024 优选地, 所述阴极的材质为银 (Ag) 、 铝 (Al) 、 钐 (Sm) 、 镱 (Yb) 、 Mg-Al 合金或 Mg-Ag 合金, 厚度为 70nm 200nm。 0025 更优选地, 所述阴极为 Ag, 厚度为 100nm。 0026 本发明空穴阻挡层材质为 ZnS、 ZnSe 或 ZnTe, 导带能级依次为 ZnS(-3.3eV), ZnSe(-3.7eV), ZnTe(-3.5eV), 价 带 能 级 依 次 为 ZnS(-6.9eV), 。
20、ZnSe(-6.3eV), ZnTe(-5.9eV) , 电子传输材料的 LUMO 能级为 -2.7eV (-3.3) eV, 电子传输材料的 HOMO 能 级为 -5.8 (-6.4eV) ; 空穴阻挡层材质的价带能级低于电子传输型材料的 HOMO(已占有 电子的能级的最高轨道) 能级的数值, 因此可以进行空穴阻挡, 减少空穴和电子在电子传输 层中形成无辐射发光的复合几率。 空穴阻挡层材质的导带能级低于电子传输型材料的LUMO (未占有电子的能级的最低轨道) 能级, 因此电子可以从电子传输层中的 LUMO 能级跳跃至空 穴阻挡层中的导带中。空穴阻挡层采用真空热蒸镀的方法制备, 制备得到的薄膜。
21、的密度较 高, 热稳定性能较高, 对碱金属离子的阻挡作用也有显著效果, 延长了器件的使用寿命。 0027 另一方面, 本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法, 包括以下操作步 骤 : 0028 (1) 在清洗干净后的玻璃基板上采用磁控溅射的方法制备阳极 ; 在阳极层上依次 真空蒸镀空穴传输层和发光层 ; 0029 (2) 在发光层上真空蒸镀空穴阻挡层, 所述空穴阻挡层材质为硫化锌、 硒化锌或碲 化锌 ; 所述蒸镀压强为 110-5Pa 110-3Pa, 蒸镀速率为 0.2nm/s 2nm/s ; 0030 (3) 在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极, 然后在阴极上覆盖封装盖 板, 。
22、所述封装盖板和玻璃基板通过粘合剂连接形成封闭空间, 将所述阳极、 空穴传输层、 发 光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极容置在所述封闭空间内, 得到所述有机电致发光器件。 0031 优选地, 所述空穴阻挡层厚度为 5nm 30nm。 0032 优选地, 所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材 料, 所述碱金属化合物为碳酸锂 (Li2CO3) 、 叠氮化锂 (LiN3) 、 氟化锂 (LiF) 、 叠氮化铯 (CsN3) 、 碳酸铯 (Cs2CO3) 、 氟化铯 (CsF) 、 硼氢化钾 (KBH4) 、 碳酸铷 (Rb2CO3) 、 氮化锂 (Li3N) 或氟化钠 (。
23、NaF) , 所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为 5% 50%。 0033 优选地, 所述电子传输材料为 2-(4- 联苯基) -5-(4- 叔丁基) 苯基 -1,3,4- 噁 二唑 (PBD) 、 (8- 羟基喹啉 )- 铝 (Alq3) 、 4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉 (Bphen) 、 1,3,5- 三 (1- 苯 基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 (TPBi) 、 2,9- 二甲基 -4,7- 联苯 -1,10- 邻二氮杂菲 (BCP) 或 3-( 联苯 -4- 基 )-5-(4- 叔丁基苯基 )-4- 苯基 -4H-1,2,4- 三唑 (TAZ) 。 0034 。
24、优选地, 所述电子传输层的厚度为 20nm 200nm。 0035 在制备完阴极后, 在阴极上覆盖封装盖板进行封装, 便于测试和防止水、 氧对器件 的侵蚀。 0036 优选地, 所述封装盖板为玻璃盖板。 0037 优选地, 所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。 0038 更优选地, 所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。 0039 优选地, 所述阳极的溅射速度为 0.2nm/s 2nm/s。 说 明 书 CN 104183726 A 5 4/9 页 6 0040 优选地, 所述空穴传输层、 发光层、 电子传输层蒸镀条件均为 : 蒸镀压强为 110-5Pa 1。
25、10-3Pa, 蒸镀速率为 0.01nm/s 1nm/s。 0041 优选地, 所述阴极的蒸镀条件均为 : 蒸镀压强为 110-5Pa 110-3Pa, 蒸镀速率 为 0.2nm/s 2nm/s。 0042 优选地, 所述清洗干燥是将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清 洗, 清洗干净后依次在使用异丙醇、 丙酮在超声波中处理 20 分钟, 然后再用氮气吹干。 0043 优选地, 所述阳极材质为 ITO、 IZO、 AZO 或 GZO, 厚度为 70nm 200nm。 0044 更优选地, 所述阳极为 ITO, 厚度为 100nm。 0045 为了提高光效, 本发明空穴传输材料采用掺杂结。
26、构的空穴传输层。 0046 优选地, 所述空穴传输层材质为掺杂有掺杂剂的空穴传输材料 ; 其中, 0047 所述空穴传输材料为 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二 胺 (NPB)、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基 -N- 苯基氨基 ) 三苯胺 (m-MTDATA)、 N,N- 二苯 基 -N,N- 二 (3- 甲基苯基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (TPD)、 N,N,N,N - 四甲氧基苯 基 )- 对二氨基联苯 (MeO-TPD)、 2,7- 双 (N,N- 二 (4- 甲氧基苯基)氨基) -9,9- 螺二芴 (MeO-Sp。
27、rio-TPD) 、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺 (TCTA) 或 TAPC(1, 1- 二 (4-(N, N-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷) , 所述掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7 ,8,8 -四氰 醌-二甲烷 (F4-TCNQ) 、 1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌 (F6-TNAP) 或2,2-(2,5-二 氰基 -3,6- 二氟环己烷 -2,5- 二烯 -1,4- 二亚基 ) 二丙二腈 (F2-HCNQ) ; 所述掺杂剂在空 穴传输层中的质量分数为 2% 30%, 更优选地为 5%。 0048 优选地, 所述空穴传输层厚度为 40nm 。
28、100nm。 0049 更优选地, 所述空穴传输层厚度为 60nm。 0050 优选地, 所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料, 所述客 体材料为 4-(二腈甲基) -2- 丁基 -6-(1,1,7,7- 四甲基久洛呢啶 -9- 乙烯基) -4H- 吡 喃 (DCJTB) 、 双 (4,6- 二氟苯基吡啶 -N,C2) 吡啶甲酰合铱 (FIrpic) 、 双 (4,6- 二氟苯基吡 啶) - 四 (1- 吡唑基)硼酸合铱 (FIr6) 、 二 (2- 甲基 - 二苯基 f,h 喹喔啉) (乙酰丙酮) 合铱 (Ir(MDQ)2(acac)) 、 三 (1- 苯基 - 异喹啉)合。
29、铱 (Ir(piq)3)或三 (2- 苯基吡啶)合 铱 (Ir(ppy)3), 所述主体材料为 4,4- 二 (9- 咔唑 ) 联苯 (CBP) 、 8- 羟基喹啉铝 (Alq3) 、 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 (TPBi) 或 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘 基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (NPB), 所述客体材料在主体材料中的质量分数为 1% 10%。 0051 优选地, 所述发光层也可以采用荧光材料 4,4- 二 (2,2- 二苯乙烯基 )-1,1- 联 苯 (DPVBi) 、 8- 羟基喹啉铝 (Alq3) 、 4。
30、,4- 双 4-( 二对甲苯基氨基 ) 苯乙烯基 联苯 (DPAVBi) 或 5,6,11,12- 四苯基萘并萘 (Rubrene) 。 0052 优选地, 所述发光层的厚度为 1nm 20nm, 更优选地, 厚度为 15nm。 0053 优选地, 所述阴极的材质为银 (Ag) 、 铝 (Al) 、 钐 (Sm) ,(Yb) 镱, Mg-Al 合金或 Mg-Ag 合金, 厚度为 70nm 200nm。 0054 更优选地, 所述阴极为 Ag, 厚度为 100nm。 0055 本发明空穴阻挡层材质为 ZnS、 ZnSe 或 ZnTe, 导带能级依次为 ZnS(-3.3eV), ZnSe(-3.7。
31、eV), ZnTe(-3.5eV), 价 带 能 级 依 次 为 ZnS(-6.9eV), ZnSe(-6.3eV), ZnTe(-5.9eV)。电子传输材料的 LUMO 能级为 -2.7eV (-3.3) eV, 电子传输材料的 HOMO 说 明 书 CN 104183726 A 6 5/9 页 7 能级为 -5.8eV (-6.4) eV ; 空穴阻挡层材质的价带能级低于电子传输型材料的 HOMO(已 占有电子的能级的最高轨道) 能级的数值, 因此可以进行空穴阻挡, 减少空穴和电子在电子 传输层中形成无辐射发光的复合几率。 空穴阻挡层材质的导带能级低于电子传输型材料的 LUMO(未占有电子。
32、的能级的最低轨道) 能级, 因此电子可以从电子传输层中的 LUMO 能级跳 跃至空穴阻挡层中的导带中。空穴阻挡层采用真空热蒸镀的方法制备, 制备得到的薄膜的 密度较高, 热稳定性能较高, 对碱金属离子的阻挡作用也有显著效果, 延长了器件的使用寿 命。 0056 实施本发明实施例, 具有以下有益效果 : 0057 (1) 本发明空穴阻挡层材质为 ZnS、 ZnSe 或 ZnTe, 可以阻挡空穴向电子传输层的传 输, 还可以阻挡电子传输层中的碱金属离子向发光层的扩散, 提高材料的电导率, 从而提高 载流子传输效率, 有利于获得高效的发光器件 ; 同时本发明空穴阻挡层制备方法简单, 制备 出来的空穴。
33、阻挡层薄膜热稳定性高 ; 0058 (2) 本发明在阴极上设置了封装盖板, 可以更好地阻挡外界水、 氧对器件的侵蚀, 进一步提高器件的使用寿命。 附图说明 0059 为了更清楚地说明本发明的技术方案, 下面将对实施方式中所需要使用的附图作 简单地介绍, 显而易见地, 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式, 对于本领域普 通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动的前提下, 还可以根据这些附图获得其他的附图。 0060 图 1 是本发明有机电致发光器件的结构示意图 ; 0061 图 2 是本发明实施例 1 与对比实施例 1 有机电致发光器件的亮度与操作时间关系 图。 具体实施方式 0062 下面。
34、将结合本发明实施方式中的附图, 对本发明实施方式中的技术方案进行清 楚、 完整地描述。 0063 实施例 1 0064 一种有机电致发光器件的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0065 (1) 提供玻璃基板 1, 将基板 1 放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗, 清洗 干净后依次用异丙醇, 丙酮在超声波中处理 20 分钟, 然后再用氮气吹干 ; 在真空镀膜系统 中, 采用磁控溅射的方法, 在玻璃基板 1 上制备阳极 2, 阳极材质 2 为 ITO, 厚度为 100nm ; 溅 射速率为 2nm/s。然后在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中, 在阳极 2 上依次真空蒸镀空 穴传输层 3。
35、 和发光层 4, 空穴传输层 3 的材质为掺杂有 F6-TNAP 的 MeO-TPD, F6-TNAP 在空 穴传输层中的质量分数为 5% ; 空穴传输层 3 厚度为 60nm ; 发光层 4 的材质为 DPVBi, 厚度为 10nm, 空穴传输层 3 和发光层 4 的蒸镀速度为 0.01nm/s ; 0066 (2) 在发光层 4 上制备空穴阻挡层 5, 空穴阻挡层 5 材质为 ZnS, 空穴阻挡层 5 的厚 度为 5nm ; 在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中进行蒸镀制备, 蒸镀速度为 0.2nm/s ; 0067 (3) 在空穴阻挡层 5 上依次真空蒸镀电子传输层 6 和阴极 7。
36、, 所述电子传输层 6 的 材质为掺杂有 Li2CO3的 BCP, Li2CO3在电子传输层 6 中的掺杂质量分数为 10%, 电子传输层 说 明 书 CN 104183726 A 7 6/9 页 8 6 的厚度为 40nm ; 阴极 7 的材质为 Ag, 厚度为 100nm ; 电子传输层 6 和阴极 7 均在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中制备, 电子传输层 6 的蒸镀速度为 0.01nm/s ; 所述阴极 7 的蒸镀 速度为 0.2nm/s。 0068 (4) 在阴极上覆盖玻璃盖板 8, 玻璃盖板 8 通过光固化聚丙烯酸树脂和玻璃基板 1 连接, 玻璃基板 1 和玻璃盖板 8 形。
37、成封闭空间, 阳极 2、 空穴传输层 3、 发光层 4、 空穴阻挡层 5、 电子传输层 6 和阴极 7 容置在该封闭空间内。 0069 图 1 为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图, 本实施例制备的有机电 致发光器件, 包括依次层叠的玻璃基板 1、 阳极 2、 空穴传输层 3、 发光层 4、 空穴阻挡层 5、 电 子传输层 6、 阴极 7 和玻璃盖板 8。具体结构表示为 : 0070 玻璃基板 /ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/DPVBi/ZnS/Li2CO3:BCP/Ag/ 玻璃盖板, 其中, 斜 杠 “/” 表示层状结构, Li2CO3:BCP 中的冒号 “ : ” 表示混。
38、合, 下同。 0071 实施例 2 0072 一种有机电致发光器件的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0073 (1) 提供玻璃基板, 将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗, 清洗干净 后依次用异丙醇, 丙酮在超声波中处理 20 分钟, 然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中, 采用磁控溅射的方法, 在玻璃基板上制备阳极, 阳极材质为 GZO, 厚度为 70nm ; 溅射速率为 0.2nm/s。然后在真空度为 110-3Pa 的真空镀膜室中, 在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层 和发光层, 空穴传输层的材质为掺杂有 F4-TCNQ 的 NPB, F4-TCNQ 在空穴传输层中的质量分 数为 2。
39、% ; 空穴传输层厚度为 40nm ; 发光层的材质为掺杂有 FIrpic 的 TPBi, FIrpic 在 TPBi 中的掺杂质量分数为 10%, 发光层厚度为 20nm, 空穴传输层和发光层的蒸镀速度为 1nm/s ; 0074 (2) 在发光层上制备空穴阻挡层, 空穴阻挡层材质为 ZnS, 空穴阻挡层的厚度为 10nm ; 在真空度为 110-3Pa 的真空镀膜室中进行蒸镀制备, 蒸镀速度为 2nm/s ; 0075 (3) 在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极, 所述电子传输层的材质为 掺杂有 Cs2CO3的 Bphen, Cs2CO3在电子传输层中的掺杂质量分数为 50%, 电。
40、子传输层的厚度 为 100nm。阴极的材质为 Al, 厚度为 200nm。电子传输层和阴极均在真空度为 110-3Pa 的 真空镀膜室中制备, 电子传输层的蒸镀速度为 1nm/s ; 所述阴极的蒸镀速度为 2nm/s。 0076 (4) 在阴极上覆盖玻璃盖板, 玻璃盖板通过光固化聚丙烯酸树脂和玻璃基板连接, 玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间, 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层和 阴极容置在该封闭空间内。 0077 本实施例制备的有机电致发光器件, 包括依次层叠的玻璃基板、 阳极、 空穴传输 层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和玻璃盖板。具体结构表示为 : 0。
41、078 玻璃基板 /GZO/F4-TCNQ:NPB/Firpic:TPBi/ZnS/Cs2CO3:Bphen/Al/ 玻璃盖板。实 施例 3 0079 一种有机电致发光器件的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0080 (1) 提供玻璃基板, 将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗, 清洗干净 后依次用异丙醇, 丙酮在超声波中处理 20 分钟, 然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中, 采用磁控溅射的方法, 在玻璃基板上制备阳极, 阳极材质为 AZO, 厚度为 200nm ; 溅射速率为 1nm/s。然后在真空度为 110-5Pa 的真空镀膜室中, 在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层和 发光层, 。
42、空穴传输层的材质为掺杂有 F2-TCNQ 的 2-TNATA, F2-TCNQ 在空穴传输层中的质量 说 明 书 CN 104183726 A 8 7/9 页 9 分数为 30% ; 空穴传输层厚度为 100nm ; 发光层的材质为掺杂有 DCJTB 的 Alq3, DCJTB 在 Alq3 中的掺杂质量分数为 1%, 发光层厚度为 5nm, 空穴传输层和发光层的蒸镀速度为 0.5nm/s ; 0081 (2) 在发光层上制备空穴阻挡层, 空穴阻挡层材质为 ZnTe, 空穴阻挡层的厚度为 20nm ; 在真空度为 110-5Pa 的真空镀膜室中进行蒸镀制备, 蒸镀速度为 1nm/s ; 008。
43、2 (3) 在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极, 所述电子传输层的材质 为掺杂有 KBH4的 Alq3, KBH4在电子传输层中的掺杂质量分数为 20%, 电子传输层的厚度为 200nm。 阴极的材质为Mg-Al合金, 厚度为100nm。 电子传输层和阴极均在真空度为110-5Pa 的真空镀膜室中制备, 电子传输层的蒸镀速度为 0.5nm/s ; 所述阴极的蒸镀速度为 1nm/s。 0083 (4) 在阴极上覆盖玻璃盖板, 玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接, 玻璃 基板和玻璃盖板形成封闭空间, 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层和阴极 容置在该封闭空间内。。
44、 0084 本实施例制备的有机电致发光器件, 包括依次层叠的玻璃基板、 阳极层、 空穴传输 层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和玻璃盖板。具体结构表示为 : 0085 玻璃基板 /AZO/F2-TCNQ:2-TNATA/DCJTB:Alq3/ZnTe/KBH4:Alq3/Mg-Al 合金 / 玻璃 盖板。 0086 实施例 4 0087 一种有机电致发光器件的制备方法, 包括以下操作步骤 : 0088 (1) 提供玻璃基板, 将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗, 清洗干净 后依次用异丙醇, 丙酮在超声波中处理 20 分钟, 然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中, 采用磁控。
45、溅射的方法, 在玻璃基板上制备阳极, 阳极材质为 IZO, 厚度为 100nm ; 溅射速率为 0.5nm/s。然后在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中, 在阳极上依次蒸镀制备空穴传输层 和发光层, 空穴传输层的材质掺杂有 F6-TNAP 的 TPD, F6-TNAP 在空穴传输层中的质量分数 为10% ; 空穴传输层厚度为60nm ; 发光层的材质为掺杂有Ir(ppy)3的TPBi, Ir(ppy)3在TPBi 中的掺杂质量分数为 10%, 发光层厚度为 12nm, 空穴传输层和发光层的蒸镀速度为 0.05nm/ s ; 0089 (2) 在发光层上制备空穴阻挡层, 空穴阻挡层材质为 。
46、ZnSe, 空穴阻挡层的厚度为 30nm ; 在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中进行蒸镀制备, 蒸镀速度为 1.5nm/s ; 0090 (3) 在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极, 所述电子传输层的材质为 掺杂有 LiN3的 TPBi, LiN3在电子传输层中的掺杂质量分数为 20%, 电子传输层的厚度为 50nm。 阴极的材质为Mg-Ag合金, 厚度为100nm。 电子传输层和阴极均在真空度为110-4Pa 的真空镀膜室中制备, 电子传输层的蒸镀速度为 0.05nm/s ; 所述阴极的蒸镀速度为 1.5nm/ s。 0091 (4) 在阴极上覆盖玻璃盖板, 玻璃盖板通过光固。
47、化环氧树脂和玻璃基板连接, 玻璃 基板和玻璃盖板形成封闭空间, 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层和阴极 容置在该封闭空间内。 0092 本实施例制备的有机电致发光器件, 包括依次层叠的玻璃基板、 阳极、 空穴传输 层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和玻璃盖板。具体结构表示为 : 0093 玻璃基板 /IZO/F6-TNAP:TPD/Ir(ppy)3:TPBi/ZnSe/LiN3:TPBi/Mg-Ag 合金 / 玻璃 盖板。 说 明 书 CN 104183726 A 9 8/9 页 10 0094 对比实施例 1 0095 为体现为本发明的创造性, 本发明还。
48、设置了对比实施例, 对比实施例 1 与实施例 1 的区别在于对比实施例中空穴阻挡层的材质为 Alq3, 对比实施例有机电致发光器件的具体 结构为 : 玻璃基板 /ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/DPVBi/Alq3/Li2CO3:BCP/Ag/ 玻璃盖板, 分别对 应玻璃基板、 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 阴极和玻璃盖板。 0096 对比实施例 2 0097 对比实施例 2 与实施例 2 的区别在于对比实施例中空穴阻挡层的材质为 BAlq3, 对比实施例有机电致发光器件的具体结构为 : 玻璃基板 /GZO/F4-TCNQ:NPB/Firpic:TPBi/ BAlq3/Cs2CO3:Bphen/Al/ 玻璃盖板, 分别对应玻璃基板、 阳极、 空穴传输层、 发光层、 空穴阻 挡层、 电子传输层、 阴极和玻璃盖板。 0098 对比实施例 3 0099 对比实施例 3 与实施例 3 的区别在于对比实施例中空穴阻挡层的材质为 Alq3, 对 比实施例有机电致发光器件的具体结构为 : 玻璃基板 /AZO/F2-TCNQ:2-TNATA/DCJTB:Alq3/ Alq3/KBH4:Alq3/Mg-Al 合金 / 玻璃盖板, 分别对应玻璃基板、。