一种有机电致发光器件及其制备方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN201310194853.9	申请日：	2013.05.21
公开号：	CN104183727A	公开日：	2014.12.03
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 51/50申请公布日:20141203\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):H01L 51/50申请日:20130521\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L51/50; H01L51/52; H01L51/54; H01L51/56	主分类号：	H01L51/50
申请人：	海洋王照明科技股份有限公司; 深圳市海洋王照明技术有限公司; 深圳市海洋王照明工程有限公司
发明人：	周明杰; 冯小明; 陈吉星; 王平
地址：	518000 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层
优先权：
专利代理机构：	广州三环专利代理有限公司 44202	代理人：	郝传鑫;熊永强
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内容摘要

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述空穴阻挡层可以吸附从电子传输层扩散过来的碱金属离子，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以提高器件的使用寿命，本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。

权利要求书

权利要求书1. 一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层的材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为5%～10%，所述惰性氧化物为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述空穴阻挡材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑。2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层厚度为5～20nm。3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯、氟化铯、硼氢化钾、碳酸铷、氮化锂或氟化钠，所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为5%～50%。4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20nm～200nm。5. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖板为玻璃盖板。6. 一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：（1）在清洗干净后的玻璃基板上采用磁控溅射的方法制备阳极；在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层；（2）在所述发光层上真空蒸镀空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为5%～10%，所述惰性氧化物为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述空穴阻挡材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑；所述蒸镀压强为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述蒸镀速率为0.01nm/s～1nm/s；（3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，然后在阴极上覆盖封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板通过粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，得到所述有机电致发光器件。7. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴阻挡层厚度为5nm～20nm。8. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯、氟化铯、硼氢化钾、碳酸铷、氮化锂或氟化钠，所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为5%～50%。9. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20nm～200nm。10. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装盖板为玻璃盖板。

说明书

说明书一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode，以下简称OLED)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，例如采用pn掺杂传输层的工艺，可以降低器件的启动电压以提高光效，并且有利于寿命的提高。对于电子传输层的n掺杂而言，通常采用碱金属化合物进行掺杂，这是由于碱金属功函低，容易实现n掺杂效果，但是往往碱金属离子体积小，扩散能力强，在有机层中的扩散距离长，碱金属离子除了掺杂在传输层中，还有可能扩散至发光层中，直接导致激子的淬灭，影响器件的光效和寿命。为了获得长寿命，稳定的有机电致发光装置，有必要解决这一问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述空穴阻挡层中的物质对电子传输层扩散过来的碱金属离子进行吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，避免激子的淬灭，因而可以提高器件的使用寿命，本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层的材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为5%～10%，所述惰性氧化物为一氧化硅（SiO）、三氧化二锑（Sb2O3）、三氧化二铋（Bi2O3）或五氧化二钕（Nd2O5），所述空穴阻挡材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。
优选地，所述空穴阻挡层厚度为5nm～20nm。
优选地，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂（Li2CO3）、叠氮化锂（LiN3）、氟化锂（LiF）、叠氮化铯（CsN3）、碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、硼氢化钾（KBH4）、碳酸铷（Rb2CO3）、氮化锂（Li3N）或氟化钠（NaF），所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为5%～50%。
优选地，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。
优选地，所述电子传输层的厚度为20nm～200nm。
在制备完阴极后，在阴极上覆盖封装盖板进行封装，便于测试和防止水、氧对器件的侵蚀。
优选地，所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。
更优选地，所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。
优选地，所述阳极材质为铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）或镓锌氧化物（GZO），厚度为70nm～200nm。
更优选地，所述阳极为ITO，厚度为100nm。
优选地，所述空穴传输层材质为空穴传输材料或掺杂有掺杂剂的空穴传输材料；其中，
所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴（MeO-Sprio-TPD）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或1，1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），所述掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)；所述掺杂剂在空穴传输层中的质量分数为2%～30%，更优选地为5%。
优选地，所述空穴传输层厚度为40nm～100nm。
更优选地，所述空穴传输层厚度为60nm。
优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料在主体材料中的质量比为1%～10%。
优选地，所述发光层也可以采用荧光材料4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）。
优选地，所述发光层的厚度为1nm～20nm，更优选地，厚度为15nm。
优选地，所述阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm）、镱（Yb）、Mg-Al合金或Mg-Ag合金，厚度为70nm～200nm。
更优选地，所述阴极为Ag，厚度为100nm。
现有技术有机电致发光器件采用掺杂了碱金属化合物的电子传输层，电子传输层经过碱金属掺杂以后，其导电性能获得了提高，同时提高了电子的注入和传输效率，但经过掺杂后，碱金属掺杂剂容易向发光层扩散，直接导致激子的淬灭，影响器件使用寿命。
本发明在发光层与电子传输层中设置一个空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性材料和空穴阻挡材料形成的混合材料，惰性材料本身难以发生扩散，同时可以对扩散过来的碱金属离子发生吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以延长器件的使用寿命，解决了上述现有技术出现的问题。同时，空穴阻挡材料和电子传输材料属于同一类型材料，有助于电子的注入。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）在清洗干净后的玻璃基板上采用磁控溅射的方法制备阳极；在阳极层上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层；
（2）在发光层上真空蒸镀空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为5%～10%，所述惰性氧化物为SiO、Sb2O3、Bi2O3或Nd2O5，所述空穴阻挡材料为PBD、Alq3、Bphen、TPBi、BCP或TAZ；所述蒸镀压强为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述蒸镀速率为0.01nm/s～1nm/s；
（3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，然后在阴极上覆盖封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板通过粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述空穴阻挡层厚度为5nm～20nm。
优选地，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂（Li2CO3）、叠氮化锂（LiN3）、氟化锂（LiF）、叠氮化铯（CsN3）、碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、硼氢化钾（KBH4）、碳酸铷（Rb2CO3）、氮化锂（Li3N）或氟化钠（NaF），所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为5%～50%。
优选地，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。
优选地，所述电子传输层的厚度为20nm～200nm。
在制备完阴极后，在阴极上覆盖封装盖板进行封装，便于测试和防止水、氧对器件的侵蚀。
优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。
优选地，所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。
更优选地，所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
优选地，所述阳极的溅射速率为0.2nm/s～2nm/s。
优选地，所述空穴传输层、发光层、电子传输层蒸镀条件均为：蒸镀压强为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.01nm/s～1nm/s。
优选地，所述阴极的蒸镀条件均为：蒸镀压强为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.2nm/s～2nm/s。
优选地，所述清洗干燥是将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次在使用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
优选地，所述阳极材质为ITO、IZO、AZO或GZO，厚度为70nm～200nm。
更优选地，所述阳极为ITO，厚度为100nm。
优选地，所述空穴传输层材质为空穴传输材料或掺杂有掺杂剂的空穴传输材料；其中，
所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴（MeO-Sprio-TPD）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或1，1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），所述掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)；所述掺杂剂在空穴传输层中的质量分数为2%～30%，更优选地为5%。
优选地，所述空穴传输层厚度为40nm～100nm。
更优选地，所述空穴传输层厚度为60nm。
优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料在主体材料中的质量分数为1%～10%。
优选地，所述发光层也可以采用荧光材料4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）。
优选地，所述发光层的厚度为1nm～20nm，更优选地，厚度为15nm。
优选地，所述阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm），（Yb）镱，Mg-Al合金或Mg-Ag合金，厚度为70nm～200nm。
更优选地，所述阴极为Ag，厚度为100nm。
现有技术有机电致发光器件采用掺杂了碱金属化合物的电子传输层，电子传输层经过碱金属掺杂以后，其导电性能获得了提高，同时提高了电子的注入和传输效率，但经过掺杂后，碱金属掺杂剂容易向发光层扩散，直接导致激子的淬灭，影响器件的使用寿命。
本发明在发光层与电子传输层中设置一个空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性材料和空穴阻挡材料形成的混合材料，惰性材料本身难以发生扩散，同时可以对扩散过来的碱金属离子发生吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以延长器件的使用寿命，解决了上述现有技术出现的问题。同时，空穴阻挡材料和电子传输材料属于同一类型材料，有助于电子的注入。
本发明在阴极上设置了封装盖板，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀，进一步提高器件的使用寿命。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
（1）本发明空穴阻挡层材质为惰性材料和空穴阻挡材材料形成的混合材料，惰性材料本身难以发生扩散，同时可以对扩散过来的碱金属离子发生吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以提高器件的使用寿命；
（2）本发明在阴极上设置了封装盖板，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀，进一步提高器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例1有机电致发光器件的亮度与操作时间关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板1，将基板1放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；在真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板1上制备阳极2，阳极材质2为ITO，厚度为100nm；溅射速率为2nm/s。然后在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中，在阳极2上依次真空蒸镀空穴传输层3和发光层4，空穴传输层3的材质掺杂有F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP在空穴传输层中的质量分数为5%；空穴传输层3厚度为60nm；发光层4的材质为DPVBi，厚度为15nm，空穴传输层3和发光层4的蒸镀速率为0.01nm/s；
（2）在发光层4上制备空穴阻挡层5，空穴阻挡层5材质为SiO和Alq3组成的混合物，SiO在混合物中的质量分数为5%，空穴阻挡层5的厚度为5nm；在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为0.01nm/s；
（3）在空穴阻挡层5上依次真空蒸镀电子传输层6和阴极7，所述电子传输层6的材质为掺杂有Li2CO3的BCP，Li2CO3在电子传输层6中的掺杂质量分数为10%，电子传输层6的厚度为40nm；阴极7的材质为Ag，厚度为100nm；电子传输层6和阴极7均在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中制备，电子传输层6的蒸镀速率为0.01nm/s；所述阴极7的蒸镀速率为0.2nm/s。
（4）在阴极上覆盖玻璃盖板8，玻璃盖板8通过光固化聚丙烯酸树脂和玻璃基板1连接，玻璃基板1和玻璃盖板8形成封闭空间，阳极2、空穴传输层3、发光层4、空穴阻挡层5、电子传输层6和阴极7容置在该封闭空间内。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板1、阳极2、空穴传输层3、发光层4、空穴阻挡层5、电子传输层6、阴极7和玻璃盖板8。具体结构表示为：
玻璃基板/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/DPVBi/SiO:Alq3/Li2CO3:BCP/Ag/玻璃盖板，其中，斜杠“/”表示层状结构，SiO:Alq3和Li2CO3:BCP中的冒号“：”表示混合，下同。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极材质为GZO，厚度为70nm；溅射速率为0.2nm/s。然后在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜室中，在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层，空穴传输层的材质为掺杂有F4-TCNQ的NPB，F4-TCNQ在空穴传输层中的质量分数为2%；空穴传输层厚度为40nm；发光层的材质为掺杂有FIrpic的TPBi，FIrpic在TPBi中的掺杂质量分数为10%，发光层厚度为20nm，空穴传输层和发光层的蒸镀速率为1nm/s；
（2）在发光层上制备空穴阻挡层，空穴阻挡层材质为Sb2O3和TAZ组成的混合物，Sb2O3在混合物中的质量分数为10%，空穴阻挡层的厚度为10nm；在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为1nm/s；
（3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，所述电子传输层的材质为掺杂有Cs2CO3的Bphen，Cs2CO3在电子传输层中的掺杂质量分数为50%，电子传输层的厚度为100nm。阴极的材质为Al，厚度为200nm。电子传输层和阴极均在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜室中制备，电子传输层的蒸镀速率为1nm/s；所述阴极的蒸镀速率为2nm/s。
（4）在阴极上覆盖玻璃盖板，玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极容置在该封闭空间内。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。具体结构表示为：
玻璃基板/GZO/F4-TCNQ:NPB/Firpic:TPBi/Sb2O3:TAZ/Cs2CO3:Bphen/Al/玻璃盖板。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极材质为AZO，厚度为200nm；溅射速率为1nm/s。然后在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜室中，在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层，空穴传输层的材质为掺杂有F2-TCNQ的2-TNATA，F2-TCNQ在空穴传输层中的质量分数为30%；空穴传输层厚度为100nm；发光层的材质为掺杂有DCJTB的Alq3，DCJTB在Alq3中的掺杂质量分数为1%，发光层厚度为5nm，空穴传输层和发光层的蒸镀速率为0.5nm/s；
（2）在发光层上制备空穴阻挡层，空穴阻挡层材质为Nd2O5和TPBi组成的混合物，Nd2O5在混合物中的质量分数为6%，空穴阻挡层的厚度为20nm；在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为0.5nm/s；
（3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，所述电子传输层的材质为掺杂有KBH4的Alq3，KBH4在电子传输层中的掺杂质量分数为20%，电子传输层的厚度为200nm。阴极的材质为Mg-Al合金，厚度为100nm。电子传输层和阴极均在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜室中制备，电子传输层的蒸镀速率为0.5nm/s；所述阴极的蒸镀速率为1nm/s。
（4）在阴极上覆盖玻璃盖板，玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极容置在该封闭空间内。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。具体结构表示为：
玻璃基板/AZO/F2-TCNQ:2-TNATA/DCJTB:Alq3/Nd2O5:TPBi/KBH4:Alq3/Mg-Al合金/玻璃盖板。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极材质为IZO，厚度为100nm；溅射速率为0.5nm/s。然后在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中，在阳极上依次蒸镀制备空穴传输层和发光层，空穴传输层的材质掺杂有F6-TNAP的TPD，F6-TNAP在空穴传输层中的质量分数为10%；空穴传输层厚度为60nm；发光层的材质为掺杂有Ir(ppy)3的TPBi，Ir(ppy)3在TPBi中的掺杂质量分数为10%，发光层厚度为12nm，空穴传输层和发光层的蒸镀速率为0.05nm/s；
（2）在发光层上制备空穴阻挡层，空穴阻挡层材质为Bi2O3与Bphen组成的混合物，Bi2O3在混合物中的质量分数为10%，空穴阻挡层的厚度为10nm；在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为0.05nm/s；
（3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，所述电子传输层的材质为掺杂有LiN3的Bphen，LiN3在电子传输层中的掺杂质量分数为20%，电子传输层的厚度为50nm。阴极的材质为Mg-Ag合金，厚度为100nm。电子传输层和阴极均在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜室中制备，电子传输层的蒸镀速率为0.05nm/s；所述阴极的蒸镀速率为1.5nm/s。
（4）在阴极上覆盖玻璃盖板，玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极容置在该封闭空间内。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。具体结构表示为：
玻璃基板/IZO/F6-TNAP:TPD/Ir(ppy)3:TPBi/Bi2O3:Bphen/LiN3:Bphen/Mg-Ag合金/玻璃盖板。
对比实施例1
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例1与实施例1的区别在于对比实施例中空穴阻挡层的材质仅为Alq3，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基板/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/DPVBi/Alq3/Li2CO3:BCP/Ag/玻璃盖板，分别对应玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。
对比实施例2
对比实施例2与实施例2的区别在于对比实施例中空穴阻挡层的材质仅为TAZ，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基板/GZO/F4-TCNQ:NPB/Firpic:TPBi/TAZ/Cs2CO3:Bphen/Al/玻璃盖板，分别对应玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。
对比实施例3
对比实施例3与实施例3的区别在于对比实施例中空穴阻挡层的材质仅为 TPBi，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基板/AZO/F2-TCNQ:2-TNATA/DCJTB:Alq3/TPBi/KBH4:Alq3/Mg-Al合金/玻璃盖板，分别对应玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。
对比实施例4
对比实施例4与实施例4的区别在于对比实施例中空穴阻挡层的材质仅为Bphen，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基板/IZO/F6-TNAP:TPD/Ir(ppy)3:TPBi/Bphen/LiN3:Bphen/Mg-Ag合金/玻璃盖板，分别对应玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。
效果实施例
采用光纤光谱仪（美国海洋光学Ocean Optics公司，型号：USB4000），电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）、色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试有机电致发光器件的发光性能数据。
表1为实施例1～4和对比实施例1～4所制备的器件的寿命和发光效率数据；图2为实施例1与对比实施例1有机电致发光器件的操作时间与相对亮度关系图。
表1实施例1～4和对比实施例1～4制备的器件的寿命和发光效率

表1是实施例1，2，3，4和对比例1，2，3，4所制作的器件的发光性能数据。从表中可以看出，本发明提供的有机电致发光器件中的空穴阻挡层，通过控制电子传输层中的碱金属离子在有机层中向发光层中的扩散，因此避免了发光层激子的淬灭现象，器件使用寿命大大提高。相比对比实施例1，2，3，4，实施例1，2，3，4制备的有机电致发光器件的使用寿命分别提高了78%，75%，78%，69%。其中寿命数据是在起始亮度为1000cd/m2下，亮度衰减到起始亮度70%时的使用时间。
从表1中也可以看到，本发明提供的是实施例与对比例的发光效率相差不大，说明本发明空穴阻挡层的设置对光效不存在不利的影响。
图2是实施例1和对比例1器件操作时间与相对亮度关系图，纵坐标是发光亮度与初始亮度的比值，横坐标的是操作使用时间。在相对亮度为70%的时候，实施例1的使用时间达到了3200小时，而对比例则只有1800小时。说明在实施例1和对比例1制备的器件在衰减到相同亮度时，实施例的使用时间要比对比实施例长。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 104183727 A (43)申请公布日 2014.12.03 CN 104183727 A (21)申请号 201310194853.9 (22)申请日 2013.05.21 H01L 51/50(2006.01) H01L 51/52(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦 A 座 22 层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司 (72)发明人周明杰冯小明陈吉星王平。

2、(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司 44202 代理人郝传鑫熊永强 (54) 发明名称一种有机电致发光器件及其制备方法 (57) 摘要本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述空穴阻挡层可以吸附从电子传输层扩散过来的碱金属离子，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以。

3、提高器件的使用寿命，本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页说明书 9 页附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请权利要求书2页说明书9页附图1页 (10)申请公布号 CN 104183727 A CN 104183727 A 1/2 页 2 1. 一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在。

4、所述封闭空间内，所述空穴阻挡层的材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为 5% 10%，所述惰性氧化物为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述空穴阻挡材料为2- （4-联苯基） -5- （4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、 (8-羟基喹啉)-铝、 4,7-二苯基-邻菲咯啉、 1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、 2,9- 二甲基 -4,7- 联苯 -1,10- 邻二氮杂菲或 3-( 联苯 -4- 基 )-5-(4- 叔丁基苯基 )-4- 苯基 -4H-1,2,4- 三唑。 2. 如权利要求 1 。

5、所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层厚度为 5 20nm。 3. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯、氟化铯、硼氢化钾、碳酸铷、氮化锂或氟化钠，所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为 5% 50%。 4. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为 20nm 200nm。 5. 如权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖板为玻璃盖板。 6. 一。

6、种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：（1）在清洗干净后的玻璃基板上采用磁控溅射的方法制备阳极；在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层；（2）在所述发光层上真空蒸镀空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为 5% 10%，所述惰性氧化物为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述空穴阻挡材料为 2- （4- 联苯基） -5- （4- 叔丁基）苯基 -1,3,4- 噁二唑、 (8- 羟基喹啉 )- 铝、 4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉、 1,3,5- 三。

7、(1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯、 2,9- 二甲基 -4,7- 联苯 -1,10- 邻二氮杂菲或 3-( 联苯 -4- 基 )-5-(4- 叔丁基苯基 )-4- 苯基 -4H-1,2,4- 三唑；所述蒸镀压强为 110-5Pa 110-3Pa，所述蒸镀速率为 0.01nm/s 1nm/s ；（3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，然后在阴极上覆盖封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板通过粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，得到所述有机电致发光器件。 7. 如权利要求。

8、 6 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴阻挡层厚度为 5nm 20nm。 8. 如权利要求 6 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯、氟化铯、硼氢化钾、碳酸铷、氮化锂或氟化钠，所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为 5% 50%。 9. 如权利要求 6 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为 20nm 200nm。权利要求书 CN 104183727 A 2。

9、 2/2 页 3 10. 如权利要求 6 所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装盖板为玻璃盖板。权利要求书 CN 104183727 A 3 1/9 页 4 一种有机电致发光器件及其制备方法技术领域 0001 本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。背景技术 0002 有机电致发光(Organic Light Emission Diode，以下简称OLED)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信。

10、息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。 0003 到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，例如采用 pn 掺杂传输层的工艺，可以降低器件的启动电压以提高光效，并且有利于寿命的提高。对于电子传输层的 n 掺杂而言，通常采用碱金属化合物进行掺杂，这是由于碱金属功函低，容易实现 n 掺杂效果，但是往往碱金属离子体积小，扩散能力强，在有机层中的扩散距离长，碱金属离子除了掺杂在传输层中，还有可能扩散至发光层中，直接导致激子的淬灭。

11、，影响器件的光效和寿命。为了获得长寿命，稳定的有机电致发光装置，有必要解决这一问题。发明内容 0004 为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述空穴阻挡层中的物质对电子传输层扩散过来的碱金属离子进行吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，避免激子的淬灭，因而可。

12、以提高器件的使用寿命，本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。 0005 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极和封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述空穴阻挡层的材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为 5% 10%，所述惰性氧化物为一氧化硅（SiO）、三氧化二锑（Sb2O3）、三氧化二铋（Bi2O3）或五氧。

13、化二钕（Nd2O5），所述空穴阻挡材料为 2-（4- 联苯基） -5-（4- 叔丁基）苯基 -1,3,4- 噁二唑（PBD）、 (8- 羟基喹啉 )- 铝（Alq3）、 4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉（Bphen）、 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯（TPBi）、 2,9- 二甲基 -4,7- 联苯 -1,10- 邻二氮杂菲（BCP）或 3-( 联苯 -4- 基 )-5-(4- 叔丁基苯基 )-4- 苯基 -4H-1,2,4- 三唑（TAZ）。 0006 优选地，所述空穴阻挡层厚度为 5nm 20nm。 0007 优选地，。

14、所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材说明书 CN 104183727 A 4 2/9 页 5 料，所述碱金属化合物为碳酸锂（Li2CO3）、叠氮化锂（LiN3）、氟化锂（LiF）、叠氮化铯（CsN3）、碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、硼氢化钾（KBH4）、碳酸铷（Rb2CO3）、氮化锂（Li3N）或氟化钠（NaF），所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为 5% 50%。 0008 优选地，所述电子传输材料为 2-（4- 联苯基） -5-（4- 叔丁基）苯基 -1,3,4- 噁二唑（。

15、PBD）、 (8- 羟基喹啉 )- 铝（Alq3）、 4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉（Bphen）、 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯（TPBi）、 2,9- 二甲基 -4,7- 联苯 -1,10- 邻二氮杂菲（BCP）或 3-( 联苯 -4- 基 )-5-(4- 叔丁基苯基 )-4- 苯基 -4H-1,2,4- 三唑（TAZ）。 0009 优选地，所述电子传输层的厚度为 20nm 200nm。 0010 在制备完阴极后，在阴极上覆盖封装盖板进行封装，便于测试和防止水、氧对器件的侵蚀。 0011 优选地，所述封装盖板和玻。

16、璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。 0012 更优选地，所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。 0013 优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。 0014 优选地，所述阳极材质为铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）或镓锌氧化物（GZO），厚度为 70nm 200nm。 0015 更优选地，所述阳极为 ITO，厚度为 100nm。 0016 优选地，所述空穴传输层材质为空穴传输材料或掺杂有掺杂剂的空穴传输材料；其中， 0017 所述空穴传输材料为 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯。

17、-4,4- 二胺 (NPB)、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基 -N- 苯基氨基 ) 三苯胺 (m-MTDATA)、 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (3- 甲基苯基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (TPD)、 N,N,N,N - 四甲氧基苯基 )- 对二氨基联苯 (MeO-TPD)、 2,7- 双（N,N- 二（4- 甲氧基苯基）氨基） -9,9- 螺二芴（MeO-Sprio-TPD）、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺 (TCTA) 或 1， 1- 二 (4-(N， N - 二 (p- 甲苯基 ) 氨基 ) 苯基 ) 环己烷（TAPC）。

18、，所述掺杂剂为 2,3,5,6- 四氟 -7,7 ,8,8 - 四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、 1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）或2,2-(2,5-二氰基 -3,6- 二氟环己烷 -2,5- 二烯 -1,4- 二亚基 ) 二丙二腈 (F2-HCNQ) ；所述掺杂剂在空穴传输层中的质量分数为 2% 30%，更优选地为 5%。 0018 优选地，所述空穴传输层厚度为 40nm 100nm。 0019 更优选地，所述空穴传输层厚度为 60nm。 0020 优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为。

19、4-（二腈甲基） -2- 丁基 -6-（1,1,7,7- 四甲基久洛呢啶 -9- 乙烯基） -4H- 吡喃（DCJTB）、双（4,6- 二氟苯基吡啶 -N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6- 二氟苯基吡啶） - 四（1- 吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2- 甲基 - 二苯基 f,h 喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1- 苯基 - 异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2- 苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)，所述主体材料为 4,4- 二 (9- 咔唑 ) 联苯（CBP）、 8- 羟基喹啉铝。

20、（Alq3）、 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 (TPBi) 或 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (NPB)，所述客体材料在主体材料中的质量比为 1% 10%。 0021 优选地，所述发光层也可以采用荧光材料 4,4- 二 (2,2- 二苯乙烯基 )-1,1- 联苯（DPVBi）、 8- 羟基喹啉铝（Alq3）、 4,4- 双 4-( 二对甲苯基氨基 ) 苯乙烯基联苯说明书 CN 104183727 A 5 3/9 页 6 (DPAVBi) 或 5,6,11,12- 四苯基。

21、萘并萘（Rubrene）。 0022 优选地，所述发光层的厚度为 1nm 20nm，更优选地，厚度为 15nm。 0023 优选地，所述阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm）、镱（Yb）、 Mg-Al 合金或 Mg-Ag 合金，厚度为 70nm 200nm。 0024 更优选地，所述阴极为 Ag，厚度为 100nm。 0025 现有技术有机电致发光器件采用掺杂了碱金属化合物的电子传输层，电子传输层经过碱金属掺杂以后，其导电性能获得了提高，同时提高了电子的注入和传输效率，但经过掺杂后，碱金属掺杂剂容易向发光层扩散，直接导致激子的淬灭。

22、，影响器件使用寿命。 0026 本发明在发光层与电子传输层中设置一个空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性材料和空穴阻挡材料形成的混合材料，惰性材料本身难以发生扩散，同时可以对扩散过来的碱金属离子发生吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以延长器件的使用寿命，解决了上述现有技术出现的问题。同时，空穴阻挡材料和电子传输材料属于同一类型材料，有助于电子的注入。 0027 另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤： 0028 （1）在清洗干净后的玻璃基板上采用磁控溅射的方法制备阳极；在阳极层上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层。

23、； 0029 （2）在发光层上真空蒸镀空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性氧化物和空穴阻挡材料形成的混合材料，所述惰性氧化物在空穴阻挡层中的质量分数为 5% 10%，所述惰性氧化物为 SiO、 Sb2O3、 Bi2O3或 Nd2O5，所述空穴阻挡材料为 PBD、 Alq3、 Bphen、 TPBi、 BCP 或 TAZ ；所述蒸镀压强为 110-5Pa 110-3Pa，所述蒸镀速率为 0.01nm/s 1nm/s ； 0030 （3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，然后在阴极上覆盖封装盖板，所述封装盖板和玻璃基板通过粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、。

24、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，得到所述有机电致发光器件。 0031 优选地，所述空穴阻挡层厚度为 5nm 20nm。 0032 优选地，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂（Li2CO3）、叠氮化锂（LiN3）、氟化锂（LiF）、叠氮化铯（CsN3）、碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、硼氢化钾（KBH4）、碳酸铷（Rb2CO3）、氮化锂（Li3N）或氟化钠（NaF），所述碱金属化合物在电子传输层中的质量分数为 5% 5。

25、0%。 0033 优选地，所述电子传输材料为 2-（4- 联苯基） -5-（4- 叔丁基）苯基 -1,3,4- 噁二唑（PBD）、 (8- 羟基喹啉 )- 铝（Alq3）、 4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉（Bphen）、 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯（TPBi）、 2,9- 二甲基 -4,7- 联苯 -1,10- 邻二氮杂菲（BCP）或 3-( 联苯 -4- 基 )-5-(4- 叔丁基苯基 )-4- 苯基 -4H-1,2,4- 三唑（TAZ）。 0034 优选地，所述电子传输层的厚度为 20nm 200nm。 0035。

26、在制备完阴极后，在阴极上覆盖封装盖板进行封装，便于测试和防止水、氧对器件的侵蚀。 0036 优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。 0037 优选地，所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。 0038 更优选地，所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。说明书 CN 104183727 A 6 4/9 页 7 0039 优选地，所述阳极的溅射速率为 0.2nm/s 2nm/s。 0040 优选地，所述空穴传输层、发光层、电子传输层蒸镀条件均为：蒸镀压强为 110-5Pa 110-3Pa，蒸镀速率为 0.01nm/s 1nm/s。 004。

27、1 优选地，所述阴极的蒸镀条件均为：蒸镀压强为 110-5Pa 110-3Pa，蒸镀速率为 0.2nm/s 2nm/s。 0042 优选地，所述清洗干燥是将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次在使用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20 分钟，然后再用氮气吹干。 0043 优选地，所述阳极材质为 ITO、 IZO、 AZO 或 GZO，厚度为 70nm 200nm。 0044 更优选地，所述阳极为 ITO，厚度为 100nm。 0045 优选地，所述空穴传输层材质为空穴传输材料或掺杂有掺杂剂的空穴传输材料；其中， 0046 所述空穴传输材料。

28、为 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (NPB)、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基 -N- 苯基氨基 ) 三苯胺 (m-MTDATA)、 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (3- 甲基苯基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (TPD)、 N,N,N,N - 四甲氧基苯基 )- 对二氨基联苯 (MeO-TPD)、 2,7- 双（N,N- 二（4- 甲氧基苯基）氨基） -9,9- 螺二芴（MeO-Sprio-TPD）、 4,4,4- 三 ( 咔唑 -9- 基 ) 三苯胺 (TCTA) 或 1， 1- 二 (4-(N， N。

29、 - 二 (p- 甲苯基 ) 氨基 ) 苯基 ) 环己烷（TAPC），所述掺杂剂为 2,3,5,6- 四氟 -7,7 ,8,8 - 四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、 1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）或2,2-(2,5-二氰基 -3,6- 二氟环己烷 -2,5- 二烯 -1,4- 二亚基 ) 二丙二腈 (F2-HCNQ) ；所述掺杂剂在空穴传输层中的质量分数为 2% 30%，更优选地为 5%。 0047 优选地，所述空穴传输层厚度为 40nm 100nm。 0048 更优选地，所述空穴传输层厚度为 60nm。 0049 优选地，所述。

30、发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为 4-（二腈甲基） -2- 丁基 -6-（1,1,7,7- 四甲基久洛呢啶 -9- 乙烯基） -4H- 吡喃（DCJTB）、双（4,6- 二氟苯基吡啶 -N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6- 二氟苯基吡啶） - 四（1- 吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2- 甲基 - 二苯基 f,h 喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1- 苯基 - 异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2- 苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)，所述主体材料为。

31、 4,4- 二 (9- 咔唑 ) 联苯（CBP）、 8- 羟基喹啉铝（Alq3）、 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 (TPBi) 或 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺 (NPB)，所述客体材料在主体材料中的质量分数为 1% 10%。 0050 优选地，所述发光层也可以采用荧光材料 4,4- 二 (2,2- 二苯乙烯基 )-1,1- 联苯（DPVBi）、 8- 羟基喹啉铝（Alq3）、 4,4- 双 4-( 二对甲苯基氨基 ) 苯乙烯基联苯 (DPAVBi) 或 5,6,11,1。

32、2- 四苯基萘并萘（Rubrene）。 0051 优选地，所述发光层的厚度为 1nm 20nm，更优选地，厚度为 15nm。 0052 优选地，所述阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm），（Yb）镱， Mg-Al 合金或 Mg-Ag 合金，厚度为 70nm 200nm。 0053 更优选地，所述阴极为 Ag，厚度为 100nm。 0054 现有技术有机电致发光器件采用掺杂了碱金属化合物的电子传输层，电子传输层经过碱金属掺杂以后，其导电性能获得了提高，同时提高了电子的注入和传输效率，但经过说明书 CN 104183727 A 7 5/9。

33、页 8 掺杂后，碱金属掺杂剂容易向发光层扩散，直接导致激子的淬灭，影响器件的使用寿命。 0055 本发明在发光层与电子传输层中设置一个空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材质为惰性材料和空穴阻挡材料形成的混合材料，惰性材料本身难以发生扩散，同时可以对扩散过来的碱金属离子发生吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以延长器件的使用寿命，解决了上述现有技术出现的问题。同时，空穴阻挡材料和电子传输材料属于同一类型材料，有助于电子的注入。 0056 本发明在阴极上设置了封装盖板，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀，进一步提高器件的使用寿命。 0057 实施本发明实施。

34、例，具有以下有益效果： 0058 （1）本发明空穴阻挡层材质为惰性材料和空穴阻挡材材料形成的混合材料，惰性材料本身难以发生扩散，同时可以对扩散过来的碱金属离子发生吸附，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以提高器件的使用寿命； 0059 （2）本发明在阴极上设置了封装盖板，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀，进一步提高器件的使用寿命。附图说明 0060 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还。

35、可以根据这些附图获得其他的附图。 0061 图 1 是本发明有机电致发光器件的结构示意图； 0062 图 2 是本发明实施例 1 与对比实施例 1 有机电致发光器件的亮度与操作时间关系图。具体实施方式 0063 下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。 0064 实施例 1 0065 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤： 0066 （1）提供玻璃基板 1，将基板 1 放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20 分钟，然后再用氮气吹干；在真空镀膜系统中，采用。

36、磁控溅射的方法，在玻璃基板 1 上制备阳极 2，阳极材质 2 为 ITO，厚度为 100nm ；溅射速率为 2nm/s。然后在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中，在阳极 2 上依次真空蒸镀空穴传输层 3 和发光层 4，空穴传输层 3 的材质掺杂有 F6-TNAP 的 MeO-TPD， F6-TNAP 在空穴传输层中的质量分数为 5% ；空穴传输层 3 厚度为 60nm ；发光层 4 的材质为 DPVBi，厚度为 15nm，空穴传输层 3 和发光层 4 的蒸镀速率为 0.01nm/s ； 0067 （2）在发光层 4 上制备空穴阻挡层 5，空穴阻挡层 5 材质。

37、为 SiO 和 Alq3组成的混合物， SiO 在混合物中的质量分数为 5%，空穴阻挡层 5 的厚度为 5nm ；在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为 0.01nm/s ； 0068 （3）在空穴阻挡层 5 上依次真空蒸镀电子传输层 6 和阴极 7，所述电子传输层 6 的说明书 CN 104183727 A 8 6/9 页 9 材质为掺杂有 Li2CO3的 BCP， Li2CO3在电子传输层 6 中的掺杂质量分数为 10%，电子传输层 6 的厚度为 40nm ；阴极 7 的材质为 Ag，厚度为 100nm ；电子传输层 6 和阴极 7 均。

38、在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中制备，电子传输层 6 的蒸镀速率为 0.01nm/s ；所述阴极 7 的蒸镀速率为 0.2nm/s。 0069 （4）在阴极上覆盖玻璃盖板 8，玻璃盖板 8 通过光固化聚丙烯酸树脂和玻璃基板 1 连接，玻璃基板 1 和玻璃盖板 8 形成封闭空间，阳极 2、空穴传输层 3、发光层 4、空穴阻挡层 5、电子传输层 6 和阴极 7 容置在该封闭空间内。 0070 图 1 为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板 1、阳极 2、空穴传输层 3、发光层 4、空穴阻挡层。

39、 5、电子传输层 6、阴极 7 和玻璃盖板 8。具体结构表示为： 0071 玻璃基板 /ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/DPVBi/SiO:Alq3/Li2CO3:BCP/Ag/ 玻璃盖板，其中，斜杠 “/” 表示层状结构， SiO:Alq3和 Li2CO3:BCP 中的冒号 “ ： ” 表示混合，下同。 0072 实施例 2 0073 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤： 0074 （1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20 分钟，然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中，。

40、采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极材质为 GZO，厚度为 70nm ；溅射速率为 0.2nm/s。然后在真空度为 110-3Pa 的真空镀膜室中，在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层，空穴传输层的材质为掺杂有 F4-TCNQ 的 NPB， F4-TCNQ 在空穴传输层中的质量分数为 2% ；空穴传输层厚度为 40nm ；发光层的材质为掺杂有 FIrpic 的 TPBi， FIrpic 在 TPBi 中的掺杂质量分数为 10%，发光层厚度为 20nm，空穴传输层和发光层的蒸镀速率为 1nm/s ； 0075 （2）在发光层上制备空穴阻挡层，空穴阻挡层材。

41、质为 Sb2O3和 TAZ 组成的混合物， Sb2O3在混合物中的质量分数为10%，空穴阻挡层的厚度为10nm ；在真空度为110-3Pa的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为 1nm/s ； 0076 （3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，所述电子传输层的材质为掺杂有 Cs2CO3的 Bphen， Cs2CO3在电子传输层中的掺杂质量分数为 50%，电子传输层的厚度为 100nm。阴极的材质为 Al，厚度为 200nm。电子传输层和阴极均在真空度为 110-3Pa 的真空镀膜室中制备，电子传输层的蒸镀速率为 1nm/s ；所述阴极的蒸镀速率为 2nm/s。

42、。 0077 （4）在阴极上覆盖玻璃盖板，玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极容置在该封闭空间内。 0078 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。具体结构表示为： 0079 玻璃基板 /GZO/F4-TCNQ:NPB/Firpic:TPBi/Sb2O3:TAZ/Cs2CO3:Bphen/Al/ 玻璃盖板。 0080 实施例 3 0081 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下。

43、操作步骤： 0082 （1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20 分钟，然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中，说明书 CN 104183727 A 9 7/9 页 10 采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极材质为 AZO，厚度为 200nm ；溅射速率为 1nm/s。然后在真空度为 110-5Pa 的真空镀膜室中，在阳极上依次真空蒸镀空穴传输层和发光层，空穴传输层的材质为掺杂有 F2-TCNQ 的 2-TNATA， F2-TCNQ 在空穴传输层中的质量分数为 30% ；空穴传输。

44、层厚度为 100nm ；发光层的材质为掺杂有 DCJTB 的 Alq3， DCJTB 在 Alq3 中的掺杂质量分数为 1%，发光层厚度为 5nm，空穴传输层和发光层的蒸镀速率为 0.5nm/s ； 0083 （2）在发光层上制备空穴阻挡层，空穴阻挡层材质为 Nd2O5和 TPBi 组成的混合物， Nd2O5在混合物中的质量分数为 6%，空穴阻挡层的厚度为 20nm ；在真空度为 110-5Pa 的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为 0.5nm/s ； 0084 （3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，所述电子传输层的材质为掺杂有 KBH4的 Alq3， K。

45、BH4在电子传输层中的掺杂质量分数为 20%，电子传输层的厚度为 200nm。阴极的材质为Mg-Al合金，厚度为100nm。电子传输层和阴极均在真空度为110-5Pa 的真空镀膜室中制备，电子传输层的蒸镀速率为 0.5nm/s ；所述阴极的蒸镀速率为 1nm/s。 0085 （4）在阴极上覆盖玻璃盖板，玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极容置在该封闭空间内。 0086 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡。

46、层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。具体结构表示为： 0087 玻璃基板 /AZO/F2-TCNQ:2-TNATA/DCJTB:Alq3/Nd2O5:TPBi/KBH4:Alq3/Mg-Al 合金 / 玻璃盖板。 0088 实施例 4 0089 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤： 0090 （1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20 分钟，然后再用氮气吹干。在真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板上制备阳极，阳极材质为 IZO，厚度为 100nm ；溅射速率为 0.5nm。

47、/s。然后在真空度为 110-4Pa 的真空镀膜室中，在阳极上依次蒸镀制备空穴传输层和发光层，空穴传输层的材质掺杂有 F6-TNAP 的 TPD， F6-TNAP 在空穴传输层中的质量分数为10% ；空穴传输层厚度为60nm ；发光层的材质为掺杂有Ir(ppy)3的TPBi， Ir(ppy)3在TPBi 中的掺杂质量分数为 10%，发光层厚度为 12nm，空穴传输层和发光层的蒸镀速率为 0.05nm/ s ； 0091 （2）在发光层上制备空穴阻挡层，空穴阻挡层材质为Bi2O3与Bphen组成的混合物， Bi2O3在混合物中的质量分数为10%，空穴阻挡层的厚度为10nm 。

48、；在真空度为110-4Pa的真空镀膜室中进行蒸镀制备，蒸镀速率为 0.05nm/s ； 0092 （3）在空穴阻挡层上依次真空蒸镀电子传输层和阴极，所述电子传输层的材质为掺杂有 LiN3的 Bphen， LiN3在电子传输层中的掺杂质量分数为 20%，电子传输层的厚度为 50nm。阴极的材质为Mg-Ag合金，厚度为100nm。电子传输层和阴极均在真空度为110-4Pa 的真空镀膜室中制备，电子传输层的蒸镀速率为 0.05nm/s ；所述阴极的蒸镀速率为 1.5nm/ s。 0093 （4）在阴极上覆盖玻璃盖板，玻璃盖板通过光固化环氧树脂和玻璃基板连接，玻璃基板和玻璃盖板形成封闭空间，阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极说明书 CN 104183727 A 10 8/9 页 11 容置在该封闭空间内。 0094 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。具体结构表示为： 0095 玻璃基板 /IZO/F6-TNAP:TPD/Ir(ppy)3:TPBi/Bi2O3:Bphen/LiN3:Bphen/Mg-Ag 合金 / 玻璃。

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