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1、10申请公布号CN104169761A43申请公布日20141126CN104169761A21申请号201280068136522申请日2012112961/564,90220111130US13/485,02820120531US13/680,67620121119USG02B6/036200601G02B6/02820060171申请人康宁股份有限公司地址美国纽约州72发明人DC布克班德MJ李P坦登74专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人姬利永54发明名称低弯曲损耗光纤57摘要单模光纤的一个实施例包括渐变折射率中芯区，具有外半径R1和相对折射率1；包层区，包括I第一内包。
2、层区，具有外半径R210微米且包括最小相对折射率3，其中第二内包层区具有至少一个区，该区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔；和III外包层区，围绕第二内包层区且包括相对折射率4，其中123,310微米、和最小相对折射率3最小，以使得1最大3最小、R3R3A、且05R3AR2/R3R21，其中R3A是距光纤中心线的距离，其中3首次到达值3最小，所述沟槽区具有阿尔法分布，T，以使得05T5，且B外包层区，围绕所述沟槽区且具有相对折射率4，且3最小23最小。3如权利要求1或2所述的光纤，其特征在于，00843最小07且3最小和2之间的绝对差异小于003，沟槽区的绝对值V3A3为5微米2V3A。
3、3105微米2，所述光纤表现出小于或等于1260NM的22M光缆截止，且具有零色散波长O且1300NMO1324NM。4如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，00843最小025。5如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，02543最小055。6如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，渐变折射率中芯区包括掺杂氧化锗的氧化硅。7如权利要求中15所述的光纤，其特征在于，渐变折射率中芯区包括掺杂氟的氧化硅且基本没有氧化锗。8如权利要求1、6、或7所述的光纤，其特征在于，渐变折射率中芯区包括钾。9如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，所述第一内包层区基本没有氟和氧化锗。10。
4、如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，对于从R3延伸到至少30微米的半径的径向长度，42。11如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，在沟槽区的外半径和30微米的径向距离之间计算的外包层区的分布体积V4，等于且|V4|至少5微米2。12如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，当所述光纤缠绕在20MM半径心轴上时表现出小于075DB/匝的弯曲损耗且表现出64到85之间的MACCAB数。权利要求书CN104169761A2/2页313如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，沟槽区的宽度R3R2在3到20微米之间。14如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，当所述光纤。
5、缠绕在10MM直径心轴上时表现出小于1DB/匝的弯曲损耗。15如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，T为5T05。16如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，00142。17如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，具有壕沟体积比为03V3A3比08。18如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，所述沟槽区具有体积V3A3且5微米2V3A3105微米2。19如前述权利要求中任一项所述的光纤，其特征在于，具有小于或等于1260NM的22M光缆截止，且具有零色散波长O且1300NMO1324NM。20一种单模光纤，包括渐变折射率中芯区，具有外半径R1、具有相对折射率1、最大折。
6、射率1最大、且具有阿尔法分布，芯,具有05芯4；包层区，包括I第一内包层区，具有外半径R210微米且包括相对折射率3和最小相对折射率3最小，其中所述第二内包层区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔，其中所述第二包层区具有阿尔法分布，T，以使得05T5；和III外包层区，围绕第二内包层区且包括相对折射率4，其中1最大23最小,且3最小10微米、和最小相对折射率3最小，以使得1最大3最小、R3R3A、且05R3AR2/R3R21，其中R3A是到光纤中心线的距离，其中3首先到达值3最小，所述沟槽区具有阿尔法分布，T，以使得05T5，且0009B外包层区，围绕所述沟槽区且具有相对折射率4，且3最。
7、小10微米且包括相对折射率3和最小相对折射率3最小，其中所述第二内包层区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔，其中第二内包层区具有阿尔法分布,T，以使得05T5；III外包层区，围绕第二内包层区且包括相对折射率4，其中1最大23最小，且3最小23最小，以使得2和3最小之间的差异大于008；以及围绕这两个内包层区的外包层区。此处公开的光纤实施例优选地展示出小于或等于1260NM的22M光缆截止、在1310NM处在82到96微米之间的模场直径MFD、以及在1300和1324NM之间的零波长色散波长。在至少一些光纤实施例中，R1/R2大于或等于06、更优选地大于065，且小于或等于1。在至少一。
8、些光纤实施例中，R1/R2大于或等于075、更优选地大于08，且小于或等于1。0015根据某些其他实施例，一种单模光纤包括0016渐变折射率的掺杂氧化锗的中芯区，具有外半径R1、且在中芯区中的峰值最大相对折射率德尔塔1最大；和中芯区，具有渐变折射率阿尔法分布，具有1和3之间的芯；0017包层区，包括I第一内包层区，具有外半径45微米10微米且包括最小相对折射率德尔塔3最小，其中所述第二内包层区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔的至少一个区，其中第二内包层区具有阿尔法分布,T，05T5；和III外包层区，围绕内包层区且包括相对折射率4，其中123最小,3最小23最小，且23最小为01。此。
9、处公开的光纤优选地展示出小于或等于1260NM的22M光缆截止、在1310NM处在82到96微米之间的模场直径MFD、以及在1300和1324NM之间的零波长色散。在这些光纤中的某些实施例中，R1/R2大于或等于06，更优选在08到1之间。优选地，42001。0019申请人已经发现，使得光纤具有沟槽且沟槽具有非恒定相对折射率德尔塔有助于在较小20MM直径下都实现较好的宏弯曲性能。接下来的单模光纤实施例具有沟槽，且沟槽具有在其至少一个区中随着半径增加而减少的非恒定相对折射率德尔塔，导致与ITUG652标准兼容的低宏弯曲损耗和光学特性光学性能参数。在至少某些实施例中，第二内包层区的折射率随着半径位。
10、置增加而减少。0020在至少某些实施例中T5，其中T即，T是沟槽参数。对于某些实施例，05T5。0021现在将具体参考现有优选实施例，其示例在附图中示出。0022附图简述0023图16示出对应于此处公开的光纤的数个实施例的示意性相对折射率分布。说明书CN104169761A3/17页6具体实施方式0024将在以下详细描述中陈述附加特征和优点，这些特征和优点对于本领域的技术人员来说根据该描述将是显而易见的，或者通过实施在以下详细描述以及权利要求书和附图中描述的可认识到。0025“折射率分布”是折射率或相对折射率与光纤半径之间的关系。折射率分布的每一段的半径由简写R1,R2,R3,R4等给出，且此。
11、处互换使用大小写如，R1等效于R1。0026“相对折射率百分比”被定义为100XNI2NC2/2NI2，且如此处所使用地，NC是外包层区的折射率，除非另外指明，否则是纯二氧化硅的折射率。如本文中使用地，相对折射率以表示，而且其值以“”单位给出，除非另外指明。术语相对折射率德尔塔、德尔塔、德尔塔、德尔塔、和百分比德尔塔此处可互换地使用。在区域的折射率小于外包层的平均折射率的情况下，相对折射率百分比为负且被认为具有下陷区或下陷折射率。在区域的折射率大于外包层区的平均折射率的情况下，相对折射率百分比为正。“上掺杂剂”在这里被认为是相对于未掺杂的纯SIO2具有提高折射率的倾向的掺杂剂。“下掺杂剂”在这。
12、里被认为是相对于未掺杂的纯SIO2具有降低折射率的倾向的掺杂剂。上掺杂剂的示例包括GEO2氧化锗、AL2O3、P2O5、TIO2、CL、BR。下掺杂剂的示例包括氟、硼、和非周期性空隙。术语芯、C和芯指芯阿尔法，且此处互换地使用。对于本领域技术人员，明显地，可修改此处公开的相对折射率分布以使得整个折射率分布相对于纯氧化硅的折射率线性上升或下降，且导致所得光纤的类似光学性质。0027除非另作说明，此处将“色散现象”称为“色散”，光纤的色散是材料色散、以及波导色散的总和。零色散波长是色散具有零值的波长。色散斜率是色散相对于波长的变化率。0028在式1中，“有效面积”定义为0029AEFF2F2RDR。
13、2/F4RDR式10030其中积分上下限为0到，而F是与波导中传播的光相关联的电场的横向分量。如本文中所使用，“有效面积”或“AEFF”指的是1550NM波长下的光纤的光学有效面积，除非另作说明。0031术语“分布”指的是区域的相对折射率分布，以单位为“”的项R表示，其中R是半径，对于芯阿尔法的R遵循以下式2，0032RRO1|RRO|/R1RO芯式20033其中RO是R为最大值的点，R1是R为零的点，而R在RIRRF范围内，其中如上定义，RI是分布的起点，RF是分布的终点，而是作为实数的指数。0034使用式3和4中示出的PETERMANII方法度量模式模场直径MFD，其中分别00352WMF。
14、D式30036且0037W22F2RDR/DF/DR2RDR式40038其中积分极限是0到。0039可通过在规定的测试条件下诱发的衰减来量测光纤的抗弯性，例如通过将光纤围绕预定直径的心轴部署或缠绕，例如，围绕6MM、10MM、20MM、30MM、或类似直径心轴如，“1X10MM直径宏弯曲损耗”或“1X30MM直径宏弯曲损耗”缠绕1匝并测量每匝的衰减的增说明书CN104169761A4/17页7加。0040一类弯曲测试是横向负载微弯曲测试。在所谓的“横向负载线网”测试LLWM中，将规定长度的光纤置于两个平板之间。将70线网附连到平板之一。将已知长度的光纤夹在板之间，并且在用30牛顿的力挤压平板的。
15、同时测量参考衰减。然后，向平板施加70牛顿的力，并且以DB/M测量衰减的增大。衰减的增大是在指定波长处典型地在12001700NM范围内，如1310NM或1550NM或1625NM以DB/M为单位的光纤的横向负载衰减。0041“引脚阵列”弯曲测试用于比较光纤对弯曲的相对抵抗。为了执行这种测试，对基本没有诱导的弯曲损耗的光纤测量衰减损耗。随后绕引脚阵列编织光纤，并且再次测量衰减。由弯曲引起的损耗是两次测量的衰减之差。引脚阵列是一组十个圆柱引脚，它们被配置成单排并保持在平坦表面上的固定垂直位置。引脚间距为5MM，从中心到中心。引脚直径为067MM。在测试期间，施加足够的张力以使光纤顺应引脚表面的一。
16、部分。衰减的增大是在特定波长处典型地在12001700NM范围内，如1310NM或1550NM或1625NM以DB为单位的光纤的引脚阵列衰减。0042对给定模式而言，理论光纤截止波长或“理论光纤截止”或“理论截止”是在其之上被传导的光不能在该模式下传播的波长。数学定义可以在1990年JEUNHOMME在纽约的MARCELDEKKER出版的“SINGLEMODEFIBEROPTICS单模光纤光学”第3944页找到，其中理论光纤截止被描述为模式传播常数变成与外包层中的平面波传播常数相等时所处的波长。此理论波长适合于无直径变化的无限长的完美直光纤。0043可通过标准的2M光纤截止测试，FOTP80E。
17、IATIA45580来测量光纤截止以产生“光纤截止波长”，也称为“2M光纤截止”或“测量的截止”。执行FOTP80标准测试以使用受控的弯曲量来去除较高阶模式，或将该光纤的光谱响应对多模光纤的光谱响应进行归一化。0044通过此处使用的成缆截止波长，或“成缆截止”，我们是指在EIA445光纤测试步骤中描述的22M成缆截止，EIA445光纤测试步骤是EIATIA光纤标准的一部分，EIATIA光纤标准即是电子工业协会电信工业协会光纤标准。0045除非在本文中另作说明，针对LP01模式报告光学特性诸如色散、色散斜率等。0046申请人发现，将具有非恒定深度的偏置沟槽放在单模光纤的分布中，可同时改进在较小1。
18、0MM和较大20MM弯曲直径处的弯曲性能。如下的光纤实施例导致在较小和较大弯曲直径处的低弯曲性能且具有符合G652标准的光学特性在1310NM处在82和96微米之间的MFD、在1300和1324NM之间的零色散波长、小于或等于1260NM的光缆截止波长。0047优选地光纤10的MFD在1310NM波长处在82微米和96微米之间。例如，82微米MFD且96微米、或85微米MFD且94微米如，86微米、88微米、9微米、92微米、94微米、96微米、或在其之间。0048如图16中所示，根据某些实施例，单模光纤10包括0049渐变折射率的中芯区1或芯，具有外半径R1、具有相对折射率1、最大相对折射率。
19、1最大、且具有阿尔法分布，芯,其中05芯4；和包层区，围绕芯且包括至少一个内包层区2,3和外包层区4。第二内包层区3此处也称为沟槽、沟槽区、或壕沟具有内半径R2和外半径R3。在某些实施例中，R310微米。区域3还包括相对折射率3和最说明书CN104169761A5/17页8小相对折射率3最小，以使得其相对折射率德尔塔随着半径增加变得更负。内包层区3具有阿尔法分布,T，且优选地05T5。外包层区4，围绕内包层区且具有相对折射率4，其中1最大23最小,3最小R1。外包层区4围绕第二内包层区3且包括相对折射率德尔塔4。在这些实施例中，第一、任选的内包层区2围绕中芯区1并与中芯区1直接相邻，且包括相对。
20、折射率德尔塔百分比2。在这些实施例中，第二内包层区3围绕第一内包层区2且包括最小折射率德尔塔百分比3最小。在不包括第一内包层区2的光纤实施例例如图示于图4中，第二内包层区3即，沟槽区围绕芯区1且与芯区1直接相邻，第二内包层区3包括最小相对折射率德尔塔百分比3最小。在这些实施例中，为了建模目的，我们设R2R1、且23最大。0052第二内包层区3并不具有常数3R。优选地，3R随着半径增加而减少，且具有三角形截面。因此，在某些实施例中，这个区域的最小相对折射率3出现在RR3处即，3RR33最小。优选地，第二内包层区3包括掺杂氟的氧化硅。外包层区4围绕第二内包层区3即，沟槽且包括相对折射率德尔塔百分比。
21、4。0053图1示出具有三角形沟槽分布的光纤10的实施例的相对折射率分布3R。这个图示出随着半径增加而单调递减的第二内包层区3的相对折射率，且3R23R3。在图1的实施例中，24。然而，2并不需要与4一样如，2可大于或小于4。在某些实施例中，42。在某些实施例中，0004201。0054图2示出具有梯形沟槽分布的光纤10的实施例的相对折射率分布。在这个实施例中，第二内包层区3的相对折射率也随着半径增加而单调递减，且3R23R3。在图2的实施例中24，但是在某些实施例中2和4具有不同值如，24,或23R3且3R23R3A。如图3中所示，例如，半径R3A是从中心线径向向外地移动首次到达值3最小处的。
22、半径。在某些实施例中，R3AR3。见例如图1、2、4、和5在图3所示实施例中24，但是在某些实施例中2和4具有不同值如，24,或223最小且3最小2。第二内包层区3沟槽区的折射率和因此的相对折射率德尔塔优选地随着径向位置增加而减小。0060可用于定义沟槽形状即，第二内包层区3的折射率形状，其中R2RR3的另一个参数是参数T阿尔法T，定义了第二内包层区3中的相对折射率分布，用单位为“”的项R表达，其中R是半径，遵循式5，0061式50062其中T是沟槽阿尔法参数此处也称为阿尔法T。对于矩形沟槽，参数T的值大于100，而对于三角形沟槽，参数T的值是1。优选地T10。在光纤10的某些实施例中，参数T。
23、在05和5之间，更优选地在05和3之间，且甚至更优选地在075和2之间。0063中芯区1包括外半径R1，被定义为从1最大径向向外移动的第一径向位置，对应于其中绘制通过中芯区1的相对折射率的最大绝对斜率的切线即RR1，其中|DR/DR|为最大值穿过零德尔塔线。芯区1此处也称为芯优选地表现出最大相对折射率德尔塔百分比，1最大，在约03到05之间、更优选地在约031到048之间，例如在约031到045之间。在某些实施例中，1最大在031和043之间。在某些实施例中，1最大小于042。芯半径R1优选地在3和9微米之间，更优选地在约35到8微米之间，例如35R170微米、或45R165微米。中芯区1可包。
24、括单段、阶跃折射率分布。在某些实施例中，中芯区1表现出具有大于05且小于10且在某些实施例中小于75、小于5、或小于3的阿尔法值的阿尔法分布，。在某些优选实施例中，中芯区1表现出大于05且小于10的阿尔法，且在某些实施例中小于5、或小于3，且芯区1具有相对折射率德尔塔百分比，1最大在030到048之间如，0361044。0064在图1所示的实施例中，内包层区2围绕中芯区1且包括内半径R1和外半径R2，R1被如上定义且R2被定义为从R1径向向外移动的第一径向位置，其中相对折射率等于0033最小。在某些情况下，区域2内的相对折射率基本是平的，在其他情况下可存在梯度折射率分布，且在某些实施例中，当半。
25、径增加时，区域2的相对折射率减小。又在其他情说明书CN104169761A7/17页10况下，作为较小的分布设计或工艺变化的结果，可存在波动。在一些实施例中，第一内包层区2包含小于002WT的氟。在某些实施例中，内包层区2包括基本未掺杂氟或氧化锗的氧化硅，即，使得该区域基本没有氟和氧化锗。在某些其他实施例中，区2被掺杂小于02WT的氟。根据某些实施例，内包层区2表现出在约02到6微米之间的宽度、更优选05到5微米、甚至更优选在约1到4微米之间。优选地，5微米R29微米，更优选地6微米R28微米。芯半径R1与内包层2半径R2之间的比值优选地至少075且小于1、更优选地大于08。0065内包层区2。
26、包括相对折射率德尔塔百分比，其中R2当不等于R1时，使用式6来计算20066式60067在某些实施例中，第一内包层区2包括基本未掺杂氟或氧化锗的氧化硅，即，使得该区基本没有氟和氧化锗。内包层区3优选地包括下掺杂剂，例如氟，来提供低于区2的相对折射率德尔塔的最小相对折射率德尔塔。在图13和56所示的实施例中，第二内包层区3围绕第一内包层区2且包括内半径R2和外半径R3，R2如上定义且R3被定义为其中相对折射率分布曲线在从半径R2径向向外移动的第一径向位置处再次穿过零德尔塔线4之处。请注意在图4的实施例中，没有内包层，即内包层宽度为零R1R2，在这个情况下23最大。在某些情况下，区域3中的相对折射。
27、率即，沟槽的相对折射率可具有梯度折射率分布，在某些优选实施例中，区域3中的相对折射率在区域的内部部分中具有较浅的凹陷且在区域的外部部分中具有较深的凹陷。此外，作为较小的分布设计或工艺变化的结果，可存在波动。在某些实施例中，第二内包层区3包括氟和/或硼。内包层区3包括相对折射率德尔塔百分比3R，以及最小相对折射率德尔塔3最小。第二内包层区中的最小折射率3最小优选地小于或等于008即，43008。在某些实施例中，3最小小于或等于02。在某些实施例中，3最小小于或等于035。R4是光纤的外半径位置，且在50微米R475微米的优选范围内，更优选地R4为625微米。0068第二内包层区3的体积即，沟槽的。
28、体积定义为式7中所示，且单位为百分比德尔塔微米2微米20069式70070其中43是折射率差异43。在图15的实施例中，内包层区3的绝对体积V3A3是5微米2V3A3105微米2。在某些实施例中，更优选地，5微米2V3A375微米2。内包层区3优选地表现出宽度W3，R3R2在约5到20微米之间，更优选在5到15微米。半径R3与内包层区2半径R2的比值优选地大于13，更优选地在15和约4之间。壕沟体积比，在式8中定义如下，且单位为百分比德尔塔微米2微米20071V3A3比V3A3/3最小R32R22式80072优选地，此处的光纤具有壕沟体积比03V3A3比08。0073外包层区4围绕下陷的环形区。
29、3且包括高于内包层区3的折射率3最小的相对折说明书CN104169761A108/17页11射率德尔塔百分比4。在某些实施例中，外包层区4具有高于第一内包层区2的相对折射率，藉此形成相对于第一内包层区2的“上掺杂”的外包层区4，如通过添加上掺杂剂诸如氧化锗或氟，添加量足以增加外包层区4的相对折射率。然而，注意，必须在外包层区4中包括折射率增加的掺杂剂，在此意义上，外包层区并非严格上掺杂的。事实上，通过相对于外包层区4来下掺杂第一内包层区2，可实现在外包层区4中的提升的折射率效果。根据某些实施例，外包层区4包括比第一内包层区2更高的相对折射率，且可包括相对于第一内包层区2中的折射率，大于001的。
30、相对折射率德尔塔百分比4，且在某些实施例中大于002或003。优选地，外包层区4的较高折射率部分相比第一内包层区2或3最大至少延伸到其中将由光纤传输的光功率大于或等于所传输的光功率的90的点处，更优选延伸至其中将由光纤传输的光功率大于或等于所传输的光功率的95的点处，且最优选地延伸至其中将由光纤传输的光功率大于或等于所传输的光功率的98的点处。在很多实施例中，通过具有至少延伸至约30微米的径向点处的“上掺杂的”第三环形区域来实现这一点。因此，第三环形区域4的体积，此处被定义为在半径R3和R30在30微米处的半径之间被计算且因此在式9中被定义为0074式90075其中42是折射率差异42。007。
31、6相比第一内包层区2的体积，外包层区4在30微米内的体积V4，优选地大于5微米2、更优选地大于7微米2，且可大于10微米2。外包层区在30微米内的这个体积V4在某些实施例中小于50微米2。0077在某些实施例中，外包层区4的相对折射率4比第一内包层折射率2大001，更优选地大于002。在某些实施例中，外包层区4包括氯CL。在某些实施例中，外包层区包括氧化锗。0078芯区1整个优选地具有正的相对折射率，以及出现在R0和R3微米之间的最大相对折射率1最大。1最大优选地在030到048之间，且甚至更优选地在03到045。0079第一内包层区2优选地具有基本恒定的相对折射率分布，即，在中间区内任意两个。
32、半径处的相对折射率之间的差异小于002，且在某些优选实施例中小于001。因此，第一内包层区2的相对折射率分布优选地具有基本平的形状。在某些实施例中，外包层区4相对于纯氧化硅被上掺杂且在某些实施例中第一内包层区2相对于纯氧化硅被下掺杂。0080中芯区1可包括阿尔法分布，其中芯阿尔法，C，在15到25之间，例如1810微米，和最小相对折射率3最小，以使得1最大3最小、R3R3A且05R3AR2/R3R21，其中R3A是从光纤中心线开始3首次达到值3最小的距离。内包层区3具有阿尔法分布，T，以使得05T5。外包层区围绕内包层区且具有相对折射率4，其中3最小4。在这些实施例中，43最小之间的绝对差异为。
33、00843说明书CN104169761A1917/17页20最小07，且3最小和2之间的绝对差异大于003。第二内包层区的绝对值为5微米2V3A3105微米2，且沟槽体积比为03V3A3比08。表14的上述光纤125表现出小于或等于1400NM的22M光缆截止，且在很多实施例中小于或等于1260NM，在1310NM处在82和96微米之间的模场直径MFD，且具有零色散波长O且1300NMO1324NM。0102更特定地，优选地，此处描述的示例性光纤实施例10表现出在1550NM处的弯曲损耗，当缠绕在15MM直径心轴上时小于05DB/匝，且在某些实施例中小于025DB/匝。这些光纤还表现出在155。
34、0NM处的弯曲损耗，当缠绕在10MM直径心轴上时小于1DB/匝，且更优选地小于05DB/匝，且某些光纤最优选地小于02DB/匝。光纤表现出在1550NM处的弯曲损耗，当缠绕在15MM直径心轴上时小于025DB/匝，且某些光纤更优选地小于015DB/匝。光纤表现出在1550NM处的弯曲损耗，当缠绕在20MM直径心轴上时小于01DB/匝，且某些光纤更优选地小于003DB/匝。上述光纤中的一些当缠绕在20MM半径心轴上时小于075DB/匝的弯曲损耗且表现出64到85之间的MACCAB数。注意，MACCAB数以微米为单位的在1310NM处的MFD/以微米为单位的光缆截止。光纤还表现出在1550NM处的。
35、弯曲损耗，当缠绕在30MM直径心轴上时小于001DB/匝，且某些光纤更优选地小于0003DB/匝。这些示例中的一些在外包层区中采用氟，按重量，量大于2000PPM，且在某些情况下大于3000或甚至大于4000PPM。在某些实施例中，外包层区包括按重量，量大于2000且小于12000PPM的氯。01031550NM处的衰减光谱优选地小于021DB/KM，更优选地小于020DB/KM，甚至更优选地小于0197DB/KM。在某些优选实施例中，1550NM处的衰减光谱小于或等于0191DB/KM，甚至更优选小于或等于0189DB/KM，甚至更优选小于或等于0182DB/KM。0104因此，此处描述的光。
36、纤10的实施例提供了卓越的弯曲性能，且附加地提供在大于约1260NM的波长处适于单模操作的截止波长。0105在某些实施方式中，芯区1可包括具有所谓的中心线下降的相对折射率分布，该中心线下降会因为一种或多种光纤制造技术而出现。然而，在此处公开的任何相对折射率分布中的中心线下降是任选的。0106此处所公开的光纤10包括芯和包围芯的包层或包层或最外环形包层区。优选地，芯包括锗掺杂的氧化硅，即氧化锗掺杂的氧化硅。可在本文所公开的光纤的芯内，具体在其中心线处或其附近单独或组合地采用除锗之外的掺杂剂，以获得期望的相对折射率和密度。0107优选地，此处公开的光纤具有基于氧化硅的芯区1和包层。在优选实施例中，。
37、该包层具有约125微米的外半径2倍R4。0108特别是用OVD工艺制造时，此处公开的光纤表现出较低的PMD值。光纤的自旋也可降低此处公开的光纤的PMD值。0109应当理解的是，上述描述仅仅是示例，而且旨在提供用于理解由所附权利要求限定的光纤的本质和特征的概览。所包括的附图用于提供对优选实施例的进一步理解，且被结合到本说明书中并构成其一部分。附图示出了多个特征和实施例，并与详细说明一起用来解释其原理和操作。对本领域的技术人员显而易见的是，可在不背离随附权利要求的精神或范围的情况下对本文描述的优选实施例作出各种变型。说明书CN104169761A201/6页21图1说明书附图CN104169761A212/6页22图2说明书附图CN104169761A223/6页23图3说明书附图CN104169761A234/6页24图4说明书附图CN104169761A245/6页25图5说明书附图CN104169761A256/6页26图6说明书附图CN104169761A26。