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1、(10)申请公布号 CN 103096697 A (43)申请公布日 2013.05.08 CN 103096697 A *CN103096697A* (21)申请号 201110337311.3 (22)申请日 2011.10.31 H05K 9/00(2006.01) B32B 9/04(2006.01) B32B 15/00(2006.01) C23C 14/20(2006.01) C23C 14/16(2006.01) C23C 14/35(2006.01) (71)申请人 鸿富锦精密工业 （深圳） 有限公司 地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油 松第十工业区东环二路 2 号。
2、 申请人 鸿海精密工业股份有限公司 (72)发明人 张新倍 蒋焕梧 陈正士 徐华阳 (54) 发明名称 电磁屏蔽方法及制品 (57) 摘要 本发明提供一种电磁屏蔽方法， 其包括如下 步骤 ： 提供基体 ； 采用真空镀膜法， 以氧化铝或二 氧化硅为蒸发材料， 以氧气为补偿气体， 于基体上 形成一绝缘层， 该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝 层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铬靶为靶材， 于该绝缘层上形成一铬层 ； 采用真空镀膜法， 在 室温下， 以铜靶为靶材， 于该铬层上形成一铜层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铬靶、 不锈钢靶及 镍铬合金靶中的任意一种为靶材， 于该铜层上形 成一防护层，。
3、 所述防护层为铬层、 不锈钢层或镍铬 合金层。本发明还提供了经由上述电磁屏蔽方法 制得的制品。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (10)申请公布号 CN 103096697 A CN 103096697 A *CN103096697A* 1/1 页 2 1. 一种制品， 包括基体， 其特征在于 ： 该制品还包括依次形成于该基体上的绝缘层、 导 电层及防护层， 该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层， 该导电层包括依次形成于所述绝缘层 上的铬层及铜层， 所述防护层为。
4、铬层、 不锈钢层或镍铬合金层。 2. 如权利要求 1 所述的制品， 其特征在于 ： 该绝缘层通过化学气相沉积的方式形成。 3. 如权利要求 1 所述的制品， 其特征在于 ： 该绝缘层的厚度为 35m。 4. 如权利要求 1 所述的制品， 其特征在于 ： 所述铬层的厚度为 100200nm。 5. 如权利要求 1 所述的制品， 其特征在于 ： 所述铜层的厚度为 300500nm。 6. 如权利要求 1 所述的制品， 其特征在于 ： 所述防护层的厚度为 200300nm。 7. 如权利要求 1 所述的制品， 其特征在于 ： 该基体为印刷电路板或柔性线路板。 8. 如权利要求 7 所述的制品， 其特。
5、征在于 ： 该基体上形成有至少一电子元件， 所述绝缘 层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面， 以使电子元件被封闭于所述绝 缘层内。 9. 一种电磁屏蔽方法， 其包括如下步骤 ： 提供基体 ； 采用真空镀膜法， 以氧化铝或二氧化硅为蒸发材料， 以氧气为补偿气体， 于基体上形成 一绝缘层， 该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铬靶为靶材， 于该绝缘层上形成一铬层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铜靶为靶材， 于该铬层上形成一铜层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铬靶、 不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意一种为靶材， 于 该铜层上形成一防护层， 所述防。
6、护层为铬层、 不锈钢层或镍铬合金层。 10. 如权利要求 9 所述的电磁屏蔽方法， 其特征在于 ： 形成所述绝缘层的工艺参数为 ： 氧气的流量为 150300sccm， 蒸发电流为 48mA， 蒸镀速率为 1535k/s， 蒸镀该绝缘层的时 间为 100180min。 11. 如权利要求 9 所述的电磁屏蔽方法， 其特征在于 ： 形成铬层的方法为 ： 采用磁 控溅射法， 以氩气为反应气体， 设置氩气的流量为 100sccm180sscm， 施加于基体的偏压 为 -20-50V， 设置铬靶材的功率为 510kW ； 镀膜时间为 510min。 12. 如权利要求 9 所述的电磁屏蔽方法， 其特征。
7、在于 ： 形成铜层的方法为 ： 采用磁 控溅射法， 以氩气为反应气体， 设置氩气的流量为 100sccm180sscm， 施加于基体的偏压 为 -20-50V， 设置铜靶材的功率为 510kW ； 镀膜时间为 1015min。 13. 如权利要求 9 所述的电磁屏蔽方法， 其特征在于 ： 形成防护层的方法为 ： 采用磁 控溅射法， 以氩气为反应气体， 设置氩气的流量为 100sccm180sscm， 施加于基体的偏压 为 -20-50V， 设置铬靶、 不锈钢靶及镍铬合金靶材的功率为 510kW ； 镀膜时间为 1015min。 权 利 要 求 书 CN 103096697 A 2 1/4 页 。
8、3 电磁屏蔽方法及制品 技术领域 0001 本发明涉及一种电磁屏蔽方法及其制品。 背景技术 0002 现有技术， 通常采用金属外罩、 沉积有金属层的或结合有金属薄片的塑料复合屏 蔽罩或金属纤维复合屏蔽罩来控制电磁干扰。 然而， 上述屏蔽罩均存在以下缺点 ： 所占空间 大、 生产成本较高、 安装时难以实现屏蔽罩与印刷电路板 （PCB） 或柔性线路板 （FPC） 之间无 缝安装， 如此导致屏蔽效率低下， PCB 板或 FPC 板上的电子元件产生的热量难以散发出去， 以及使得电子元件工作性能不稳定， 甚至损坏电子元件。 0003 于PCB板或FPC板上直接沉积树脂绝缘层， 再于该绝缘层上电镀或化学镀。
9、金属层， 可实现电磁屏蔽。但是， 为了保证该树脂绝缘层与 PCB 板或 FPC 板之间有良好的结合力， 避 免绝缘层发生剥落或龟裂等现象， 对所使用的树脂的粘度值有严格的限制。而能满足上述 粘度要求的树脂只限于某些特殊的有机树脂， 这些特殊的有机树脂成分多、 结构复杂、 难以 制造。此外， 该绝缘层的厚度较大 , 因而对电子元件的散热存在不良影响。另外， 电镀或化 学镀金属层对环境的污染较大。 发明内容 0004 鉴于此， 本发明提供一种电磁屏蔽方法。 0005 另外， 本发明还提供一种经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。 0006 一种制品， 包括基体及依次形成于该基体上的的绝缘层、 导电层及防。
10、护层， 该绝缘 层为二氧化硅层或氧化铝层， 该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层， 所述 防护层为铬层、 不锈钢层或镍铬合金层。 0007 一种电磁屏蔽方法， 其包括如下步骤 ： 提供基体 ； 采用真空镀膜法， 以氧化铝或二氧化硅为蒸发材料， 以氧气为补偿气体， 于基体上形成 一绝缘层， 该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铬靶为靶材， 于该绝缘层上形成一铬层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铜靶为靶材， 于该铬层上形成一铜层 ； 采用真空镀膜法， 在室温下， 以铬靶、 不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意一种为靶材， 于 该铜层上形成一防护层， 所述防护。
11、层为铬层、 不锈钢层或镍铬合金层。 0008 通过所述方法形成的绝缘层及导电层在平面处、 凹处及折缝处沉积均匀， 且可以 做到与基体无缝结合， 可提高基体的电磁屏蔽性能。 所述防护层具有较高的硬度， 使所述制 品在组装、 使用等过程中不易被刮伤而影响其电磁屏蔽性能。 另外， 通过上述方法形成的所 述绝缘层、 导电层及防护层的膜厚较小， 可使电子元件产生的热量快速的散发出去， 提高制 品的散热性， 进而提高了电子元件性能的稳定性。 另一方面， 该绝缘层及导电层所占的空间 小， 质量轻。 此外， 以真空镀膜方法形成的绝缘层、 导电层及防护层与基体、 电子元件之间具 说 明 书 CN 1030966。
12、97 A 3 2/4 页 4 有良好的结合力， 可避免在使用过程中该绝缘层和 / 或导电层发生剥落或龟裂而降低制品 的电磁屏蔽性能。 附图说明 0009 图 1 是本发明一较佳实施例制品的剖视图。 0010 图 2 为本发明一较佳实施例真空蒸镀机的示意图。 0011 图 3 为本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。 0012 主要元件符号说明 制品10 基体11 电子元件112 绝缘层13 导电层15 铬层151 铜层153 防护层17 真空蒸镀机20 蒸镀腔21 第一真空泵22 蒸发源23 支承架25 第一气源通道27 蒸发材料29 真空镀膜机200 镀膜室210 第二真空泵230 第一靶材。
13、213 第二靶材214 第三靶材215 轨迹216 第二气源通道217 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。 具体实施方式 0013 请参阅图 1， 本发明一较佳实施方式电磁屏蔽方法主要包括如下步骤 ： 提供一基体 11， 该基体 11 可为印刷电路板或柔性线路板， 还可为手机、 数码相机及笔 记本电脑等便携式电子产品的壳体。当所述基体 11 为印刷电路板或柔性线路板时， 所述基 体 11 上形成有至少一电子元件 112。 0014 采用离子风枪 （图未示） 对所述基体 11 表面进行清洁。 0015 结合参阅图 2， 提供一真空蒸镀机 20。所述真空蒸镀机 20 包括一蒸镀腔 2。
14、1 及连 接于蒸镀腔 21 的一第一真空泵 22， 该第一真空泵 22 用以对该蒸镀腔 21 抽真空。该蒸镀 腔 21 内设置有一蒸发源 23、 一与该蒸发源 23 相对设置的支承架 25 及一第一气源通道 27。 所述基体 11 固定在所述支承架 25 上。所述蒸发源 23 用以对放置于其内的蒸发材料 29 进 行加热， 使蒸发材料 29 熔化、 蒸发或升华产生蒸气， 进而对基体 11 进行镀膜。气体经该第 一气源通道 27 进入所述蒸镀腔 21 中。其中， 所述蒸发材料 29 为二氧化硅或氧化铝。 说 明 书 CN 103096697 A 4 3/4 页 5 0016 采用真空蒸镀的方式，。
15、 在该基体11上蒸镀绝缘层13。 该绝缘层13为二氧化硅层或 氧化铝层。 将基体11固定在所述支承架25上， 将蒸镀腔21抽真空至510-3Pa810-3Pa， 该蒸镀腔 21 的温度为 3050； 以氧气为补充气体用以补充镀膜过程中二氧化硅或氧化铝 损失的氧元素， 氧气的流量为 150300sccm， 蒸发电流为 48mA， 蒸镀速率为 1535k/s， 蒸 镀该绝缘层 13 的时间为 100180min。所述绝缘层 13 的厚度为 35m。 0017 采用磁控溅射法， 于所述绝缘层 13 上形成导电层 15。所述导电层 15 包括依次形 成于所述绝缘层 13 上的铬 （Cr） 层 151 。
16、及铜 （Cu） 层 153。形成所述导电层 15 包括如下步 骤 ： 结合参阅图 3， 提供一真空镀膜机 200， 该真空镀膜机 200 包括一镀膜室 210 及连接于 镀膜室 210 的一第二真空泵 230， 第二真空泵 230 用以对镀膜室 210 抽真空。该镀膜室 210 内设有转架 ( 未图示 )、 相对设置的二第一靶材 213、 相对设置的二第二靶材 214 及相对设 置的二第三靶材 215。转架带动基体 11 沿圆形的轨迹 216 公转， 且基体 11 在沿轨迹 216 公 转时亦自转。每一第一靶材 213、 每一第二靶材 214 及每一第三靶材 215 的两端均设有第 二气源通道。
17、 217， 气体经该第二气源通道 217 进入所述镀膜室 210 中。其中， 所述第一靶材 213 为铬靶 ； 所述第二靶材 214 为铜靶 ； 所述第三靶材 215 为铬靶、 不锈钢靶及镍铬合金靶 中的任意一种。当第三靶材 215 为镍铬合金靶时， 所述第三靶材 215 中 Ni 的质量百分含量 为 5080%。 0018 采用磁控溅射法， 在所述绝缘层 13 上形成一铬层 151。形成铬层 151 的具体操作 方法及工艺参数为 ： 将所述基体 11 固定于真空镀膜机 200 的镀膜室 210 中的转架上， 将该 镀膜室210抽真空至8.010-3Pa左右， 然后向镀膜室210内通入流量约为。
18、100sccm(标准状 态毫升 / 分钟 )180sscm 的氩气 ( 纯度为 99.999%)， 并施加 -20-50V 的偏压于基体 11， 设 置第一靶材 213 的功率为 510kW ； 所述镀膜室 210 的温度为室温， 镀膜时间可为 510min。 溅射完成该铬层151后， 关闭所述第一靶材213的电源。 所述铬层151的厚度为100200nm。 0019 当所述基体 11 为印刷电路板或柔性线路板时， 所述绝缘层 13 沉积在所述电子元 件 112 的表面及基体 11 的表面， 以使电子元件 112 被封闭于所述绝缘层 13 内。 0020 采用磁控溅射法， 在所述铬层151上形。
19、成一铜层153。 形成铬层151的具体操作方 法及工艺参数为 ： 开启第二靶材 214， 设置其功率为 510kw ； 以氩气为工作气体， 氩气流量 为 100180sccm ； 溅镀时对基体 11 施加 -20-50V 的偏压， 所述镀膜室 210 的温度为室温， 镀膜时间可为 1025min。溅射完成该铜层 153 后， 关闭所述第二靶材 214 的电源。所述铜 层 153 的厚度为 300500nm。 0021 采用磁控溅射法， 在所述铜层 153 上形成一防护层 17。所述防护层 17 为铬层、 不 锈钢层或镍铬合金层。形成防护层 17 的具体操作方法及工艺参数为 ： 开启第三靶材 2。
20、15， 设置其功率为 510kw ； 以氩气为工作气体， 氩气流量为 100180sccm ； 溅镀时对基体 11 施 加 -20-50V 的偏压， 所述镀膜室 210 的温度为室温， 镀膜时间可为 1015min。溅射完成该 防护层 17 后， 关闭负偏压及第三靶材 215 的电源。所述防护层 17 的厚度为 200300nm。 0022 可以理解的， 若只需对基体 11 的部分区域进行电磁屏蔽处理时， 可采用遮蔽治具 （图未示） 对不需要电磁屏蔽的区域进行遮蔽。 0023 可以理解的， 所述绝缘层 13 还可通过真空溅镀及电弧离子镀等真空镀膜的方式 形成。 说 明 书 CN 1030966。
21、97 A 5 4/4 页 6 0024 可以理解的， 所述导电层 15 还可通过真空蒸镀及电弧离子镀等方式形成。 0025 所述电磁屏蔽方法简单快捷、 几乎没有环境污染， 且形成该绝缘层 13 的材料简 单、 易于获得。 0026 一种经由上述电磁屏蔽方法制得的制品 10 包括一基体 11、 依次形成于该基体 11 上的绝缘层 13、 导电层 15 及防护层 17。 0027 所述基体 11 为印刷电路板或柔性线路板， 还可为手机、 数码相机及笔记本电脑等 便携式电子产品的壳体。 0028 当所述基体 11 为印刷电路板或柔性线路板时， 所述基体 11 上形成有至少一电子 元件 112。所述绝。
22、缘层 13 沉积在所述电子元件 112 的表面及基体 11 的表面， 以使电子元件 112 被封闭于所述绝缘层 13 内。 0029 所述绝缘层 13 为二氧化硅层、 氧化铝层或其他绝缘层。该绝缘层 13 的厚度为 35m。 0030 所述导电层 15 包括依次形成于所述绝缘层 13 上的铬层 151 及铜层 153。该导电 层15的厚度以完全覆盖所述绝缘层为佳。 本实施例中， 所述铬层151的厚度为100200nm。 所述铜层 153 的厚度为 300500nm。 0031 所述防护层 17 为铬层、 不锈钢层或镍铬合金层。所述防护层 17 的厚度为 200300nm。 0032 所述绝缘层。
23、 13、 导电层 15 及防护层 17 均在较低的温度下沉积形成， 可避免基体 11 上的电子元件 112 因高温处理而损坏。通过所述方法形成的绝缘层 13 及导电层 15 在平 面处、 凹处及折缝处沉积均匀， 且可以做到与基体 11 无缝结合， 可提高基体 11 的电磁屏蔽 性能。 0033 所述防护层17具有较高的硬度， 使所述制品10在组装、 使用等过程中不易被刮伤 而影响其电磁屏蔽性能。另外， 通过上述方法形成的所述绝缘层 13、 导电层 15 及防护层 17 的膜厚较小， 可使电子元件112产生的热量快速的散发出去， 提高制品10的散热性， 进而提 高了电子元件 112 性能的稳定性。另一方面， 该绝缘层 13 及导电层 15 所占的空间小， 质量 轻。此外， 以真空镀膜方法形成的绝缘层 13、 导电层 15 及防护层 17 与基体 11、 电子元件 112之间具有良好的结合力， 可避免在使用过程中该绝缘层13和/或导电层15发生剥落或 龟裂而降低制品 10 的电磁屏蔽性能。 说 明 书 CN 103096697 A 6 1/3 页 7 图 1 说 明 书 附 图 CN 103096697 A 7 2/3 页 8 图 2 说 明 书 附 图 CN 103096697 A 8 3/3 页 9 图 3 说 明 书 附 图 CN 103096697 A 9 。