导电元件及制造导电元件的方法、配线元件以及母盘.pdf

一种导电元件包括：基体，具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；第一层，设置在第一波形表面上；以及第二层，形成在第二波形表面上。第一层具有通过层压两个以上的层获得的层压结构；第二层具有包括第一层的一些层的单层结构或者层压结构；第一层和第二层形成导电图案部。第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面满足关系：0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8(其中，Am1是第一波形表面的振动的平均幅度，Am2是第二波形表面的振动的平均幅度，Am3是第三波形表面的振动的平均幅度，λm1是第一波形表面的平均波长，λm2是第二波形表面的平均波长，并且λm3是第三波形表面的平均波长)。

1.  一种导电元件，包括：
基板；
形状层，设置在所述基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；
第一层，设置在所述第一波形表面上；以及
第二层，设置在所述第二波形表面上，
其中，所述形状层包含能量射线固化型树脂组合物，
所述第一层具有其中层压两个以上的层的层压结构，
所述第二层具有包括所述第一层的部分层的单层结构或者层压结构，
所述第一层和所述第二层形成导电图案部，并且
所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面满足下列关系：
0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
其中，Am1是所述第一波形表面的振动的平均幅度，Am2是所述第二波形表面的振动的平均幅度，Am3是所述第三波形表面的振动的平均幅度，λm1是所述第一波形表面的平均波长，λm2是所述第二波形表面的平均波长，并且λm3是所述第三波形表面的平均波长。

2.  根据权利要求1所述的导电元件，
其中，具有预定凹凸图案的单元区域连续形成在所述形状层的表面上，而不引起凹凸形状之间的不一致，并且
所述基板对用于固化所述能量射线固化型树脂组合物的能量射线具有不透过性。

3.  根据权利要求2所述的导电元件，
其中，所述基板具有带状形状，并且
所述单元区域沿所述基板的长度方向连续形成。

4.  根据权利要求2所述的导电元件，
其中，所述凹凸形状之间的不一致指所述预定凹凸图案的周期紊乱。

5.  根据权利要求2所述的导电元件，
其中，所述凹凸形状之间的不一致指相邻单元区域之间的重叠、间隙、或者未转印部。

6.  根据权利要求2所述的导电元件，
其中，所述单元区域连接，而不引起所述能量射线固化型树脂组合物的固化度的不一致。

7.  根据权利要求6所述的导电元件，
其中，所述能量射线固化型树脂组合物的所述固化度的不一致指聚合度的差异。

8.  根据权利要求2所述的导电元件，
其中，通过在所述基板的对侧的方向上对涂布到所述基板上的所述能量射线固化型树脂组合物执行固化反应而形成所述形状层。

9.  根据权利要求2所述的导电元件，
其中，所述单元区域是通过将旋转母盘的旋转面旋转一周而形成的转印区域。

10.  根据权利要求2所述的导电元件，
其中，通过以一维方式或者二维方式布置多个凸状结构和凹状结构而形成所述凹凸图案。

11.  根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面满足下列关系，并且
所述第二波形表面的波长λ2和所述第三波形表面的波长λ3等于或者短于可见光的波长：
(Am1/λm1)＝0,0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8。

12.  根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面满足下列关系，并且
所述第一波形表面的波长λ1、所述第二波形表面的波长λ2以及所述第三波形表面的波长λ3均等于或者短于可见光的波长：
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8。

13.  根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面满足下列关系，并且
所述第二波形表面的波长λ2和所述第三波形表面的波长λ3等于或者短于100μm：
(Am1/λm1)＝0,0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8。

14.  根据权利要求1所述的导电元件，
其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面满足下列关系，且
所述第一波形表面的波长λ1、所述第二波形表面的波长λ2以及所述第三波形表面的波长λ3等于或者短于100μm：
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8。

15.  根据权利要求1所述的导电元件，进一步包括：
第三层，形成在所述第三波形表面上，
其中，所述第三层包括所述第二层的部分层，并且
所述第一层、所述第二层以及所述第三层满足下列关系：
S1>S2>S3
其中，S1是所述第一层的单元区域，S2是所述第二层的单元区域，并且S3是所述第三层的单元区域。

16.  根据权利要求15所述的导电元件，
其中，所述第一层和所述第二层分别连续形成在所述第一波形表面和所述第二波形表面上，并且
所述第三层非连续地形成在所述第三波形表面上。

17.  根据权利要求1所述的导电元件，进一步包括：
第三层，形成在所述第三波形表面上；
其中，所述第一层、所述第二层以及所述第三层满足下列关系：
d1>d2>d3
其中，d1是所述第一层的平均厚度，d2是所述第二层的平均厚度，并且d3是所述第三层的平均厚度。

18.  一种配线元件，包括：
基板；
形状层，设置在所述基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；
第一层，设置在所述第一波形表面上；以及
第二层，设置在所述第二波形表面上，
其中，所述形状层包含能量射线固化型树脂组合物，
所述第一层具有其中层压两个以上的层的层压结构，
所述第二层具有包括所述第一层的部分层的单层结构或者层压结构，
所述第一层和所述第二层形成导电图案部，并且
所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面满足下列关系：
0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
其中，Am1是所述第一波形表面的振动的平均幅度，Am2是所述第二波形表面的振动的平均幅度，Am3是所述第三波形表面的振动的平均幅度，λm1是所述第一波形表面的平均波长，λm2是所述第二波形表面的平均波长，并且λm3是所述第三波形表面的平均波长。

19.  一种制造导电元件的方法，包括：
将能量射线固化型树脂组合物涂布到基板的表面上；
在旋转母盘的旋转面被旋转并且与涂布到所述基板的所述表面的所述能量射线固化型树脂组合物紧密接触的同时，经由所述旋转面用由设置在所述旋转母盘中的能量射线源发射的能量射线照射所述能量射线固化型树脂组合物以将所述能量射线固化型树脂组合物 固化，从而在所述基板的所述表面上形成具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面的形状层；
在所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面上形成层压膜；并且
移除在所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面之中的所述第三波形表面上形成的层压膜，从而允许在所述第一波形表面上形成的层压膜保留为第一层，并且允许在所述第二波形表面上形成的层压膜的部分层保留为第二层，从而形成导电图案部，
其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面满足下列关系：
0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
其中，Am1是所述第一波形表面的振动的平均幅度，Am2是所述第二波形表面的振动的平均幅度，Am3是所述第三波形表面的振动的平均幅度，λm1是所述第一波形表面的平均波长，λm2是所述第二波形表面的平均波长，并且λm3是所述第三波形表面的平均波长。

20.  一种母盘，用于制作：
根据权利要求1至18中任一项所述的导电元件或者配线元件。

导电元件及制造导电元件的方法、配线元件以及母盘
技术领域
本技术涉及一种导电元件及制造导电元件的方法、一种配线元件以及一种母盘。具体地，本技术涉及一种具有形成在基板表面上的导电图案部的导电元件。
背景技术
至今，作为形成在由玻璃、塑料等制成的绝缘基板上的具有预定电路图案的导电层的方法，广泛使用利用照相平板技术形成电路图案的方法。在形成电路图案的方法中，通常使用步骤和重复方法或者相似方法。具体地，在形成方法中，通过按照此顺序执行的“金属层涂覆”、“抗蚀剂涂布”、“曝光”、“显影”、“移除”以及“抗蚀剂剥离”过程形成电路图案。因此，使用照相平板技术形成电路图案的方法具有低生产能力。
此处，为了实现生产能力的增强，建议使用丝网印刷形成电路图案的方法。使用丝网印刷形成电路图案的方法是一种通过经由掩模使用涂刷器将金属膏等涂布到绝缘基板上并且烘烤产物来形成具有预定电路图案的导电层的方法。使用丝网印刷形成电路图案的方法具有极高的生产能力并且由此考虑将该方法应用于各种类型的设备。例如，在专利文献1中，公开了一种使用丝网印刷形成触摸板的电极的方法。此外，在专利文献2中，公开了一种使用丝网印刷形成图像显示装置的电极的方法。
然而，丝网印刷存在的问题在于掩模比较昂贵，准确定位掩模较困难，并且掩模的孔容易堵塞。因此，除了丝网印刷，期望能够实现极高生产能力的形成电路图案的方法。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本未经审查专利申请公开第2009-266025号
专利文献2：日本未经审查专利申请公开第2005-149807号
发明内容
技术问题
因此，本技术的目标是提供一种导电元件及制造导电元件的方法、一种配线元件以及一种能够实现极高生产能力的母盘。
技术方案
为了解决上述所述问题，第一技术是导电元件，包括：
基板；
形状层，设置在基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；
第一层，设置在第一波形表面上；以及
第二层，设置在第二波形表面上，
其中，形状层包含能量射线固化型树脂组合物，
第一层具有其中层压两个以上的层的层压结构，
第二层具有包括第一层的部分层的单层结构或者层压结构，
第一层和第二层形成导电图案部，并且
第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面满足下列关系：
0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
(其中，Am1是第一波形表面的振动的平均幅度，Am2是第二波形表面的振动的平均幅度，Am3是第三波形表面的振动的平均幅度，λm1是第一波形表面的平均波长，λm2是第二波形表面的平均波长，并且λm3是第三波形表面的平均波长。)
第二技术是配线元件，包括：
基板；
形状层，设置在基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；
第一层，第一层设置在第一波形表面上；以及
第二层，第二层设置在第二波形表面上，
其中，形状层包含能量射线固化型树脂组合物，
第一层具有其中层压两个以上的层的层压结构，
第二层具有包括第一层的部分层的单层结构或者层压结构；
第一层和第二层形成导电图案部，并且
第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面满足下列关系：
0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
(其中，Am1是第一波形表面的振动的平均幅度，Am2是第二波形表面的振动的平均幅度，Am3是第三波形表面的振动的平均幅度，λm1是第一波形表面的平均波长，λm2是第二波形表面的平均波长，并且λm3是第三波形表面的平均波长。)
第三技术是制造导电元件的方法，包括：
将能量射线固化型树脂组合物涂布到基板的表面上；
在使旋转母盘的旋转面旋转并且与被涂布到基板的表面上的能量射线固化型树脂组合物紧密接触的同时，经由旋转面用由设置在旋转母盘中的能量射线源发射的能量射线照射能量射线固化型树脂组合物以将能量射线固化型树脂组合物固化，从而在基板的表面上形成具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面的形状层；
在第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面上形成层压膜；并且
移除在第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面之中的第三波形表面上形成的层压膜，从而允许在第一波形表面上形成的层压膜保留为第一层，并且允许在第二波形表面上形成的层压膜的部分层保留为第二层，从而形成导电图案部，
其中，第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面满足下列关系：
0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
(其中，Am1是第一波形表面的振动的平均幅度，Am2是第二波形表面的振动的平均幅度，Am3是第三波形表面的振动的平均幅度，λm1是第一波形表面的平均波长，λm2是第二波形表面的平均波长，并且λm3是第三波形表面的平均波长。)
在本技术中，能量射线固化型树脂组合物是一种包含能量射线固化型树脂组合物作为其主要成分的组合物。例如，作为不同于能量射线固化型树脂组合物的混合成分，可以使用诸如热固型树脂、硅树脂、有机细微颗粒、无机细微颗粒、导电聚合物、金属粉末以及颜料等各种材料。然而，混合成分不局限于此，并且根据基板、导电元件、或者配线元件的期望的特性可以使用各种材料。
此外，能量射线的不可透过性指在这个度难以固化能量射线固化型树脂组合物的不可透过性。
优选为单元区域是通过将旋转母盘的旋转面旋转一周而形成的转印区域。作为旋转母盘，优选使用辊母盘或带母盘。然而，旋转母盘不局限于此，只要其具有提供有凹凸形状的旋转面。
结构的布置优选是规则布置、不规则布置及其组合。结构的布置优选是一维布置或者二维布置。作为基板的形状，优选使用具有两个主表面的膜状或者板状形状、具有三个以上主表面的多面体形状、具有诸如球形表面或者自由形式表面等弯曲表面的弯曲表面形状、或者具有平坦表面或者球形表面的多面体形状。形状层优选形成在包括在基板中的多个主表面的至少一个上。基板优选具有至少一个平坦表面或者弯曲表面，并且形状层形成在平坦表面或者弯曲表面上。
在形状层的凹凸形状连接而不引起单元区域之间的不一致的情况下，不发生由单元区域之间的不一致引起的基板、导电元件以及配线元件的特征恶化和形状紊乱。因此，可以获得具有卓越特征和外观的导电元件或者配线元件。在凹凸形状是子波长结构等的图案的情况下，甚至可以在单元区域之间获得卓越光学特征。
在本技术中，通过使用在基板的第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面上形成的层压膜之间的状态差，移除在第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面之中的第三波形表面上形成的层压膜，而在第一波形表面上形成的层压膜保留为第一层并且在第二波形表面上形成的层压膜的部分层保留为第二层，从而形成导电图案部。
发明的效果
如上所述，根据本技术，可以实现精确并且具有高生产能力的导电元件或者配线元件。
附图说明
图1A是示出了根据本技术的第一实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图1B是沿着图1A中所示的线B-B截取的截面图。图1C是示出了第一区域、第二区域以及第三区域的布置顺序的修改例的截面图。
图2A是示出了图1B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图2B是示出了图1B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。图2C是示出了图1B中所示的第三区域的一部分的放大截面图。
图3A是示出了其中多个结构以二维方式布置的第二区域的放大立体图。图3B是示出了其中多个结构以二维方式布置的第二区域的放大平面图。
图4A是示出了其中多个结构以一维方式布置的第二区域的放大立体图。图4B是示出了其中多个结构以一维方式布置的第二区域的放大平面图。
图5A是示出了用于生产基板的辊母盘的配置实例的立体图。图5B是示出了图5A中所示的辊母盘的一部分的放大立体图。
图6A是示出了辊母盘的一部分的放大截面图。图6B是示出了第二区域的一部分的放大立体图。图6C是示出了第二区域的该部分的放大平面图。
图7是示出了辊母盘曝光装置的配置实例的示意图。
图8A至图8C是示出了制造根据本技术的第一实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
图9A至图9C是示出了制造根据本技术的第一实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
图10A至图10C是示出了制造根据本技术的第一实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
图11A是示出了根据本技术的第二实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图11B是沿着图11A中所示的线B-B截取的截面图。
图12A是示出了图11B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图12B是示出了图11B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。图12C是示出了图11B中所示的第三区域的一部分的放大截面图。
图13A是示出了用于生产基板的辊母盘的一部分的放大立体图。图13B是示出了图13A中所示的辊母盘的一部分的放大截面图。
图14A是示出了根据本技术的第三实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图14B是沿着图14A中所示的线B-B截取的截面图。图14C 是示出了图14B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图14D是示出了图14B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。
图15A是示出了用于生产基板的辊母盘的配置实例的立体图。图15B是示出了图15A中所示的辊母盘的一部分的放大立体图。
图16A是示出了辊母盘的一部分的放大截面图。图16B是示出了第二区域的一部分的放大立体图。图16C是示出了第二区域的一部分的放大平面图。
图17A至图17C是示出了制造根据本技术的第三实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
图18A至图18C是示出了制造根据本技术的第三实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
图19A至图19C是示出了制造根据本技术的第三实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
图20A是示出了根据本技术的第四实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图20B是沿着图20A中所示的线B-B截取的截面图。图20C是示出了图20B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图20D是示出了图20B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。
图21A是示出了用于生产基板的辊母盘的一部分的放大立体图。图21B是示出了图21A中所示的辊母盘的一部分的放大截面图。
图22A是示出了根据本技术的第五实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图22B是示出了根据本技术的第五实施方式的导电元件的配置实例的截面图。图22C是示出了根据本技术的第五实施方式的导电元件的第一区域的层配置的截面图。
图23A是示出了根据本技术的第六实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图22B是示出了根据本技术的第六实施方式的导电元件的配置实例的截面图。图23C是示出了根据本技术的第六实施方式的导电元件的第一区域的层配置的截面图。
图24A是示出了根据本技术的第七实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图24B是示出了图24A中所示的导电元件的一部分的放大截面图。
图25A至图25E分别是示出了设置在根据本技术的第七实施方式的导电元件中的基板的第一至第五实例的截面图。
图26是示出了根据本技术的第七实施方式的转印装置的配置的实例的示意图。
图27A至图27E是示出了制造根据本技术的第七实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
图28是示出了根据本技术的第八实施方式的转印装置的配置的实例的示意图。
图29是示出了根据本技术的第九实施方式的转印装置的配置的实例的示意图。
图30A是示出了根据本技术的第十实施方式的导电元件的配置实例的截面图。图30B是示出了根据本技术的第十实施方式的导电元件的修改例的截面图。
图31A和图31B分别是示出了设置在根据本技术的第十一实施方式的导电元件中的基板的第一实例和第二实例的截面图。
图32A是示出了根据本技术的第十二实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图32B是示出了根据本技术的第十二实施方式的导电元件的修改例的截面图。
图33A是示出了图32B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图33B是示出了图32B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。图33C是示出了图32B中所示的第三区域的一部分的放大截面图。
图34A是示出了用于生产根据实例1的透明导电片材的辊母盘的模制表面的示意图。图34B是示出了根据实例1的透明导电片材的导电/非导电性评估点的示意图。
图35是示出了通过光学显微镜观察的根据实例2-2的导电片材的表面的图像。
图36是示出了蚀刻时间与初始表面阻抗的倒数之间的关系的图表(虚拟厚度的变化)。
具体实施方式
实现本发明的最佳模式
将参考附图按照下列顺序对本技术的实施方式进行描述。
1.第一实施方式(通过使用平坦表面与两种类型的波形表面之间的差而在基板表面上形成导电图案部的实例)
2.第二实施方式(通过使用三种类型的波形表面之间的差而在基板表面上形成导电图案部的实例)
3.第三实施方式(通过使用波形表面的存在与否而在基板表面上形成导电图案部的实例)
4.第四实施方式(通过使用两种类型的波形表面之间的差而在基板表面上形成导电图案部的实例)
5.第五实施方式(通过使用波形表面的存在与否而在基板表面上形成导电图案部的实例)
6.第六实施方式(通过使用两种类型的波形表面之间的差而在基板表面上形成导电图案部的实例)
7.第七实施方式(使用具有不可透过性的基板的导电元件的实例)
8.第八实施方式(使用台阶运输基板的转印装置的实例)
9.第九实施方式(设置有环形带母盘的转印装置的实例)
10.第十实施方式(在基板的两个表面上形成导电图案部的实例)
11.第十一实施方式(使用具有不可透过性的多个结构的实例)
12.第十二实施方式(形成凹入结构的实例)
<1.第一实施方式>
【导电元件的配置】
图1A是示出了根据本技术的第一实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图1B是沿着图1A中所示的线B-B截取的截面图。图2A是示出了图1B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图2B是示出了图1B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。图2C是示出了图1B中所示的第三区域的一部分的放大截面图。在下文中，在导电元件1的主表面的平面上正交于彼此的两个方向分别被称之为X轴方向和Y轴方向，并且垂直于主表面的方向被称之为Z轴方向。
根据第一实施方式的导电元件1包括基板2，基板2包括第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃；第一层4₁，第一层4₁形成在第一区域R₁中；以及第二层4₂，第二层4₂形成在第二区域R₂中。第一层4₁连续形成 在第一区域R₁中以形成导电图案部。第二层4₂连续形成在第二区域R₂中以形成导电图案部。第一层4₁和第二层4₂可形成独立的导电图案部，或者第一层4₁和第二层4₂可形成单一的导电图案部。
例如，导电图案部是配线图案部或者电极图案部。第一层4₁具有其中层压两个以上的层的层压结构并且优选包括至少具有导电性的层。第二层4₂具有包括第一层4₁的部分层的单层结构或者层压结构并且优选包括至少具有导电性的层。此处，第一层4₁的部分层指通过从具有层压结构的第一层的最上层移除一层或者多层的层或者其中从具有层压结构的第一层的最上层的一层或者多层非连续地形成岛屿状等并且其余层连续形成的层。
例如，导电元件1是印刷电路板、图像显示元件、或者输入元件。印刷电路板的实例包括刚性板、柔性板以及刚柔性板。图像显示元件的实例包括液晶显示元件、场致发光(EL)元件(例如，有机EL元件或者无机EL元件)以及电子纸。输入元件的实例包括电容式触摸板和电阻式触摸板。
在图1B中，第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃按此顺序设置。然而，此顺序仅是一种实例，并且区域的顺序可以是根据电路或者元件等的设计的希望的顺序。例如，如图1C所示，第三区域R₃可设置在第一区域R₁与第二区域R₂之间，使得第一层4₁和第二层4₂用作独立导电图案部。即，在第一区域R₁上形成的第一层4₁可用作第一导电图案部，并且在第二区域R₂上形成的第二层4₂可用作第二导电图案部。
(第一区域和第二区域)
例如，平坦表面Sp1形成在第一区域R₁的基板表面上，并且第一层4₁连续形成在平坦表面Sp1上。例如，波形表面Sw2形成在第二区域R₂的基板表面上，并且第二层4₂连续形成在波形表面Sw2上。另一方面，例如，波形表面Sw3形成在第三区域R₃的基板表面上，并且诸如第一层4₁或者第二层4₂等的层不形成在波形表面Sw3上。因此，第三区域R3用作用于两个第一层4₁之间、两个第二层4₂之间、或者第一层4₁与第二层4₂之间绝缘的绝缘区域。另一方面，连续形成在第一区域R₁上的第一层4₁在第一区域R₁的延伸方向上具有导电性并且用作导电图案部。此外，连续形成在第二区域R₂上的第二层4₂在第二区域R₂的延伸方向上也具有 导电性并且用作导电图案部。例如，具有平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3的形状层设置在基板2的表面上。形状层包括下面即将描述的结构3₂和结构3。例如，形状层包含能量射线固化型树脂组合物。
第一表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3优选满足下列关系。
(Am1/λm1)＝0,0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
(其中，Am1是平坦表面Sp1的振动的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振动的平均幅度，Am3是波形表面Sw3的振动的平均幅度，λm1是平坦表面Sp1的平均波长，λm2是波形表面Sw2的平均波长，并且λm3是波形表面Sw3的平均波长。)
此外，如上所述，因为平坦表面Sp1可以被视为具有振动的平均幅度Am1为“0”的波形表面，所以可以定义平坦表面Sp1的振动的平均幅度Am1、平均波长λm1以及比率(Am1/λm1)。
当比率(Am3/λm3)高于1.8时，在转印波形表面Sw3时出现剥离失败并且波形表面Sw趋于损坏。
此处，如下获得波形表面Sw2的平均波长λm2和振动的平均幅度Am2。首先，导电元件1的截面被切割成包括波形表面Sw2的振动的幅度为最大化的位置，并且通过透射式电子显微镜(TEM)对截面进行拍照。接着，从拍摄的TEM照片获得波形表面Sw2的振动的波长λ2和幅度A2。在从导电元件1随机选择的10个点上重复执行该测量，并且简单取测量值的平均值(算数平均值)，从而获得波形表面Sw2的平均波长λm2和振动的平均幅度Am2。接着，通过使用平均波长λm2和振动的平均幅度Am2获得波形表面Sw2的比率(Am2/λm2)。
以与波形表面Sw2的平均波长λm2和振动的平均幅度Am2及其比率(Am2/λm2)相同的方式获得波形表面Sw3的平均波长λm3和振动的平均幅度Am3及其比率(Am3/λm3)。
例如，波形表面Sw2和Sw3是一维或者二维的波形表面。波形表面Sw2和Sw3均可以是一维或者二维的波形表面。然而，波形表面Sw2和Sw3不局限于此，并且波形表面Sw2和Sw3中的一个可以是一维波形表面并且其另一个可以是二维波形表面。
例如，在一个方向上被切割成包括其中波形表面Sw2和Sw3的振动幅度为最大化的位置的波形表面Sw2和Sw3的截面的形状是三角波形形 状、正弦波形形状、其中重复二次曲线或者二次曲线的一部分的波形形状、或者接近上述形状的形状。二次曲线可以是圆、椭圆、或者抛物线等。
波形表面Sw2的波长λ2和波形表面Sw3的波长λ3优选等于或者短于100μm，并且更优选地，在等于或者长于100nm并且等于或者短于100μm的范围内。当波长λ2和λ3短于100nm时，有波形表面Sw2和Sw3的产生变得困难的趋势。另一方面，当波长λ2和λ3长于100μm时，在压印和膜形成过程中存在出现高度差和覆盖度等问题的趋势，并且由此产生缺陷。
就减少导电元件表面上的光反射方面而言，优选为波长λ2和λ3等于或者短于旨在减少反射的光的波长带。例如，旨在减少反射的光的波长带是紫外光的波长带、可见光的波长带、或者红外光的波长带。此处，紫外光的波长带指等于或者长于10nm并且等于或者短于360nm的波长带，可见光的波长带指等于或者长于360nm并且等于或者短于830nm的波长带，并且红外光的波长带指等于或者长于830nm并且等于或者短于1mm的波长带。具体地，波长λ2和λ3优选等于或者长于100nm并且等于或者短于350nm，更优选地。等于或者长于100nm并且等于或者短于320nm，甚至更优选地，等于或者长于110nm并且等于或者短于280nm.。当波长λ2和λ3短于100nm时，存在波形表面Sw2和Sw3的产生变得困难的趋势。另一方面，当波长λ2和λ3长于350nm时，存在可见光发生衍射的趋势。
波形表面Sw2和Sw3均可以是纳米级或者微米级的波形表面。然而，波形表面Sw2和Sw3并不局限于此，并且波形表面Sw2和Sw3中的一个可以是具有纳米级的波形表面并且其另一个可以是具有微米级波长的波形表面。
第一层4₁或者第二层4₂的部分层(在下文中，称之为“第三层”)优选作为残留层完全不在第三区域R₃中。然而，只要第三层不形成导电图案部并且第三区域R₃用作绝缘区域，则第三层可以作为残留层存在。
在第三层作为残留层存在的情况下，第一层4₁、第二层4₂以及第三层优选满足下列关系。
S1>S2>S3
(其中，S1是第一层的单元区域，S2是第二层的单元区域，并且S3是第三层的单元区域。)
在满足该关系的情况下，具体地，优选第一层4₁连续形成在第一区域R₁中，第二层4₂连续形成在第二区域R₂中，并且第三层以岛屿状非连续地形成在第三区域R₃中等。
此外，在第三层作为残留层存在的情况下，第一层4₁、第二层4₂以及第三层优选满足下列关系。
d1>d2>d3
(其中，d1是第一层4₁的平均厚度，d2是第二层4₂的平均厚度，并且d3是第三层的平均厚度。)
在满足该关系的情况下，具体地，优选第三层的平均厚度小于第一层4₁和第二层4₂的平均厚度，从而不能充分展示导电性，并且第三区域R₃用作绝缘区域。
此外，如上所述，因为第三层并不用作导电图案部，所以图1B、图1C以及图2C中省去了对第三层的说明。此外，在图1A中，示出了其中第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃具有直线形状的实例。然而，第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃的形状并不局限于此并且可以是根据电路或者元件等的设计的希望的形状。
(基板)
例如，基板2是具有透明性或者不透明性的基板。例如，作为基板2的材料，可以使用诸如塑料材料的有机材料或者诸如玻璃的无机材料。
例如，作为玻璃，使用钠钙玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃、或者液晶玻璃(参照“化学手册”基本原理，PI-537，日本化学会著)。作为塑料材料，就诸如透明度、折射指数以及色散等光学性能以及诸如耐冲击性、耐热性以及耐久性等其他各种性能等方面而言，优选诸如聚甲基丙烯酸甲酯等(甲基)丙烯酸树脂、不同于甲基丙烯酸甲基的烷基(甲基)丙烯酸酯以及诸如苯乙烯等乙烯基单体共聚物；诸如聚碳酸酯和二甘醇双烯丙基碳酸酯(CR-39)等聚碳酸酯类树脂；诸如(溴化)双酚A型二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或者共聚物以及(溴化)双酚A单(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯变形单体的聚合物和共聚物等的热固型(甲基)丙烯酸树脂；聚酯，具体地，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不饱和聚酯，丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚亚安酯、环氧树脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮、环 烯烃聚合物(商标名称：ARTON、ZEONOR)、环烯烃共聚物等。此外，考虑到耐热性，还可以使用芳纶类树脂。
在塑料材料用作基板2的情况下，为了进一步改善塑料表面的表面能、涂层性能、滑动性、平坦性等，通过执行表面处理可以设置底涂层。底涂层的实例包括有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯酸变形的聚酯树脂以及聚亚安酯。此外，为了获得与底涂层的相同效果，可以对基板2的表面执行电晕放电、UV照射等。
例如，在基板2是塑料膜的情况下，通过使上述所述树脂延伸或者使用溶剂稀释树脂并且形成并干燥膜形状的产物等方法可以获得基板2。例如，基板2的厚度为约25μm至500μm。
例如，基板2的形状可采用膜形状、板形状或者块形状，但并不具体局限于这些形状。此处，限定膜形状包括片形状。
(结构)
例如，波形表面Sw2是具有布置在第二区域R₂中的多个结构3₂的凹凸表面。例如，波形表面Sw3是在第三区域R₃上具有多个结构3₃的凹凸表面。例如，结构3₂和3₃相对于基板2的表面具有凸起形状。例如，结构3₂和3₃独立于基板2被模制并且与基板2被一体化模制。在结构3₂和3₃独立于基板2被模制的情况下(根据需要)，基础层可以设置在结构3₂和3₃与基板2之间。基础层是与结构3₂和3₃一起一体化模制在结构3₂和3₃的底部表面侧上的层并且通过固化作为结构3₂和3₃的相同能量射线固化型树脂组合物而形成。基础层的厚度不受具体限制并且可根据需要进行适当的选择。
结构3₂与3₃之间的长宽比优选满足下列关系。
0<(Hm2/Pm2)<(Hm3/Pm3)≤1.8
(其中，Hm2是结构3₂的平均高度，Hm3是结构3₃的平均高度，Pm2是结构3₂的平均布置节距，并且Pm3是结构3₃的平均布置节距。)
当比率(Hm3/Pm3)高于1.8时，在转印结构3₃时剥离失败并且结构3₃趋于损坏。
此处，如下获得结构3₂的平均布置节距Pm2和平均高度Hm2。首先，导电元件1的截面被切割成包括其中结构3₂的高度为最大化的位置，并且通过透射式电子显微镜(TEM)对截面进行拍照。接着，从拍摄的TEM 照片获得结构3₂的布置节距P2和高度H2。在从导电元件1随机选择的10个点上重复执行该测量，并且简单取测量值的平均值(算数平均值)，从而获得结构3₂的平均布置节距Pm2和平均高度Hm2。接着，通过使用平均布置节距Pm2和平均高度Hm2获得结构3₂的长宽比(Hm2/Pm2)。
此外，也以与如上所述结构3₂的平均布置节距Pm2、平均高度Hm2以及长宽比(Hm2/Pm2)相同的方式获得结构3₃的平均布置节距Pm3、平均高度Hm3以及长宽比(Hm3/Pm3)。
例如，结构3₂和3₃的布置可使用一维布置或者二维布置。结构3₂和3₃均可使用一维布置或者二维布置。然而，结构3₂和3₃并不局限于此，并且结构3₂和3₃中的一个可具有一维布置并且其另一个可具有二维布置。
例如，结构3₂和3₃的布置可使用规则或者不规则布置，并且根据生产母盘的方法，优选从上述布置选择适当的布置。结构3₂和3₃均可具有规则或者不规则布置。然而，结构3₂和3₃并不局限于此，并且结构3₂和3₃中的一个可具有规则布置并且其另一个可具有不规则布置。
结构3₂的布置节距P2和结构3₃的布置节距P3优选等于或者小于100μm，更优选地，在等于或者大于100nm并且等于或者小于100μm的范围内。当布置节距小于100nm时，则存在结构3₂和3₃的产生变得困难的趋势。当布置节距P2和P3大于100μm时，则在压印和膜形成过程中可能存在出现高度差和覆盖度等问题的趋势，并且由此可能产生缺陷。
就减少导电元件表面上的光反射的方面而言，优选布置节距P2和P3等于或者小于旨在减少反射的光的波长带。例如，旨在减少反射的光的波长带是紫外光的波长带、可见光的波长带、或者红外光的波长带。此处，紫外光的波长带指等于或者长于10nm并且等于或者短于360nm的波长带，可见光的波长带指等于或者长于360nm并且等于或者短于830nm的波长带，并且红外光的波长带指等于或者长于830nm并且等于或者短于1mm的波长带。具体地，布置节距P2和P3优选等于或者大于100nm并且等于或者小于350nm，更优选地，等于或者大于100nm并且等于或者小于320nm，甚至更优选地，等于或者大于110nm并且等于或者小于280nm。当布置节距P2和P3小于100nm时，则存在结构3₂和3₃的产生变得困难的趋势。另一方面，当布置节距P2和P3大于350nm时，则存在可见光发生衍射的趋势。
结构3₂和3₃均可以纳米级或者微米级布置布置节距。然而，结构3₂和3₃并不局限于此，并且结构3₂和3₃中的一个可以纳米级布置布置节距并且其另一个可以微米级布置布置节距。
在下文中，将参考图3A至图4B详细描述其中多个结构3₂以一维方式布置或者二维方式布置的第二区域R₂。此外，其中多个结构3₃以一维方式布置或者二维方式布置的第三区域R₃与第二区域R₂相同，除了结构3₃的长宽比不同于结构3₂的长宽比，因此，将省去对第三区域R₃的详细描述。
图3A是示出了其中多个结构以二维方式布置的第二区域的放大立体图。图3B是示出了其中多个结构以二维方式布置的第二区域的放大平面图。例如，多个结构3₂以二维方式布置在第二区域R₂中的多行轨迹T上，从而形成二维波形表面Sw2。作为轨迹T的形状，可以使用直线形状、弧形状等，并且具有该形状的轨迹T还可以蜿曲meander(蜿蜒wobble)。例如，布置在多行轨迹T上的多个结构3₂可具有预定的规则布置图案。规则布置图案的实例包括诸如四方晶格或者六方晶格等晶格图案，并且晶格图案还可以扭曲。结构3₂的高度可相对于基板2的表面规则或者不规则的变化。此外，结构3₂可以随机布置。
优选结构3₂具有相对于基板2的表面倾斜的倾斜表面。结构3₂的具体形状的实例包括圆锥形状、柱状形状、针形状、半球形状、半椭圆形状以及多边形形状。然而，具体形状并不局限于此并且可采用其他形状。圆锥形状的实例包括具有尖锐顶点部分的圆锥形状、具有平坦顶点部分的圆锥形状以及其中顶点部分具有凸起或者凹入弯曲表面的圆锥形状。然而，圆锥形状并不局限于这些形状。此外，圆锥形状的圆锥表面可以凹入或者凸起地弯曲。在使用下面即将描述的辊母盘曝光装置生产辊母盘的情况下(见图7)，作为结构3₂的形状，优选其中顶点部分具有凸起弯曲表面的椭圆锥面形状或者具有采用平坦顶点部分并且其形成底部表面的椭圆形状的主轴方向与轨迹T的延伸方向对齐的切去顶端的椭圆锥面形状。
图4A是示出了其中多个结构以一维方式布置的第二区域的放大立体图。图4B是示出了其中多个结构以一维方式布置的第二区域的放大平面图。例如，多个结构3₂以一维方式布置在第二区域R₂中的多行轨迹T上 以遵循轨迹T，从而形成一维波形表面Sw2。作为轨迹T的形状，可以使用直线形状、弧形状等，并且具有该形状的轨迹T还可以婉曲(蜿蜒)。
例如，结构3₂是在一个方向上延伸的柱状体，并且例如，其截面形状可采用三角形形状，其中顶点部分具有曲率R的三角形形状、多边形形状、半圆形形状、半椭圆形状、或者抛物线形状，但并不局限于这些形状。结构3₂的具体形状的实例包括透镜形状和棱镜形状。然而，具体形状并不局限于这些形状。结构3₂的高度可以变化为指向轨迹方向的方向。此外，结构3₂可以在轨迹方向上间断。
(第一层和第二层)
例如，如图2A所示，第一层4₁包括形成在第一区域R₁上的导电层4a、形成在导电层4a上的第一功能层4b以及形成在第一功能层4b上的第二功能层4c。粘附层可以设置在第一层4₁中包括的层之间(根据需要)。
例如，如图2B所示，第二层4₂包括导电层4a。在第二层4₂包括两个以上的层的情况下，粘附层可设置在第二层4₂中包括的各层之间(根据需要)。
优选第二层4₂形成在第二区域R₂中以遵循波形表面Sw2的表面形状，从而并不阻碍波形表面Sw2的抗反射效果，因此，波形表面Sw2和第二层4₂的表面形状彼此相似。这是因为通过抑制由第二层4₂的形成引起的折射指数分布的变化可以保持卓越的抗反射特征和/或透射特征。在第三层作为残留层存在于第三区域R₃中的情况下，优选第三层形成在第三区域R₃中以遵循波形表面Sw3的表面形状，从而并不阻碍波形表面Sw3的抗反射效果，因此，波形表面Sw3和第三层的表面形状彼此相似。
例如，作为导电层4a，可以使用金属层、透明导电层、金属氧化物层、或者过渡金属化合物层。然而，导电层4a并不局限于这些层。作为第一功能层4b的材料，优选至少不同于导电层4a和第二功能层4c的材料，并且更优选在移除过程中具有不同于导电层4a和第二功能层4c的溶解速率的材料。作为第二功能层4c的材料，优选至少不同于导电层4a和第一功能层4b的材料，并且更优选在移除过程中具有不同于导电层4a和第一功能层4b的溶解速率的材料。
例如，作为透明导电层，可以使用无机透明导电层。无机透明导电层优选包含作为其主要成分的透明氧化物半导体。例如，作为透明氧化物半 导体，可以使用诸如SnO₂、InO₂、ZnO、或者CdO等二元化合物、包含为二元化合物的组成元素的Sn、In、Zn以及Cd中的至少一种元素的三元化合物、或者多元素(复合)氧化物。透明氧化物半导体的具体实例的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZO(Al₂O₃-ZnO))、SZO、掺氟氧化锡(FTO)、二氧化锡(SnO₂)、掺镓氧化锌(GZO)以及氧化铟锌(IZO(In₂O₃-ZnO))。具体地，就增强可靠性、减少电阻率等方面而言，优选氧化铟锡(ITO)。就增强导电性方面而言，无机透明导电层中包括的材料优选具有不定形和多晶结构的混合态。例如，作为金属层的材料，可以使用选自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu以及Nd组成的组中的至少一种类型。
第一功能层4b优选具有至少不同于导电层4a的溶液溶解度。作为第一功能层4b的材料，优选使用不同于导电层4a的材料。具体地，金属优选用作第一功能层4b的材料，并且例如作为金属，可以使用选自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu以及Nd组成的组中的至少一种类型。
例如，作为第一功能层4b的材料，可以使用介电材料或者透明导电材料。具体地，优选使用选自于由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物以及过渡金属化合物组成的组中的至少一种类型，例如，可以使用选自于由氧化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种类型。氧化物的实例包括包含选自于由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg组成的组中的一种或者多种类型的元素的氧化物。氮化物的实例包括包含选自于由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al,Nb、Mo、Ti、W、Ta以及Zn组成的组中的一种或者多种类型的元素的氮化物。硫化物的实例包括硫化锌。碳化物的实例包括包含选自于由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta以及W组成的组中的一种或者多种类型的元素的碳化物。氟化物的实例包括包含选自于由Si、Al、Mg、Ca以及La组成的组中的一种或者多种类型的元素的氟化物。例如，作为过渡金属化合物，可以使用包含选自于由Al、AlTi、AlCu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、Ti、W、Au、Pt、Pd、Ni、Nb以及Cr组成的组中的一种或者多种类似的化合物。包含两种以上类型的上述所述材料的化合物的实例包括ZnS-SiO₂、SiO₂-Cr₂O₃-ZrO₂、In₂O₃-CeO₂、In₂O₃-Ga₂O₃、Sn₂O₃-Ta₂O₅以及TiO₂-SiO₂。
第一功能层4b优选包括具有不定形和多晶结构的混合态的层和具有多晶态的层中的至少一种类型。
第二功能层4c是用于保护导电层4a和第一功能层4b的一层。第二功能层4c优选具有至少不同于导电层4a和第一功能层4b的溶液的溶解度。作为第二功能层4c的材料，优选使用不同于导电层4a和第一功能层4b的材料或者不同于第一功能层4b的材料。具体地，金属材料优选用作第二功能层4c的材料，例如，作为金属材料，可以使用选自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu以及Nd组成的组中的至少一种类型。
例如，作为第二功能层4c的材料，可以使用介电材料或者透明导电材料。具体地，优选使用选自于由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物以及过渡金属化合物组成的组中的至少一种类型，例如，可以使用选自于由氧化物和过渡金属化合物组成的组中的至少一种类型。氧化物的实例包括包含选自于由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg组成的组中的一种或者多种类型的元素的氧化物。氮化物的实例包括包含选自于由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta以及Zn组成的组中的一种或者多种类型的元素的氮化物。硫化物的实例包括硫化锌。碳化物的实例包括包含选自于由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta以及W组成的组中的一种或者多种类型的元素的碳化物。氟化物的实例包括包含选自于由Si、Al、Mg、Ca以及La组成的组中的一种或者多种类型的元素的氟化物。例如，作为过渡金属化合物，可以使用包含选自于由Al、AlTi、AlCu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、Ti、W、Au、Pt、Pd、Ni,Nb以及Cr组成的组中的一种或者多种类型的化合物。包含两种以上类型的上述所述材料的化合物的实例包括ZnS-SiO₂、SiO₂-Cr₂O₃-ZrO₂、In₂O₃-CeO₂、In₂O₃-Ga₂O₃、Sn₂O₃-Ta₂O₅以及TiO₂-SiO₂。
第二功能层4c优选包括具有不定形和多晶结构的混合态的层和具有多晶态的层中的至少一种类型，但并不局限于此。
粘附层是用于增强各层之间粘附力的层。例如，作为粘附层，可以使用金属层、氧化物层、过渡金属化合物层等。然而，粘附层并不局限于此。
优选第一区域R₁中的层压膜4的表面阻抗等于或者小于5000Ω/□。当表面阻抗高于5000Ω/□时，阻抗过度增加，因此，层压膜4趋于不用作电极。
【辊母盘的配置】
图5A是示出了用于生产基板的辊母盘的配置实例的立体图。图5B是示出了图5A中所示的辊母盘的一部分的放大立体图。辊母盘11是用于生产导电元件或者配线元件的母盘。更具体地，辊母盘11是用于在上述所述基板表面上模制平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3的母盘。例如，辊母盘11具有柱状形状或者圆柱形状，并且第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃设置在柱状表面或者圆柱表面上。例如，辊母盘11的材料可使用玻璃，但并不特别局限于才材料。图5A和图5B中所示的第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃的形状和布置顺序是实例并且并不局限于此。根据导电图案部的希望形状，可以适当选择形状和布置顺序。
图6A是示出了辊母盘的一部分的放大截面图。图6B是示出了第二区域的一部分的放大立体图。图6C是示出了第二区域的一部分的放大平面图。此外，第三区域R₃与第二区域R₂相同，除了第三区域R₃的波形表面Sw3的比率(Am/λm)(Am是波形表面的振动的平均幅度，并且λm是波形表面的平均波长)高于第二区域的波形表面Sw2的比率(Am/λm)，因此，将省去其有关说明。
辊母盘11的第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃分别对应于基板2的第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃。即，形成在辊母盘11的第一区域R₁上的平坦表面Sp1用于在基板2的第一区域R₁上形成平坦表面Sp1。形成在辊母盘11的第二区域R₂上的波形表面Sw2用于在基板2的第二区域R₂上形成波形表面Sw2。形成在辊母盘11的第三区域R₃上的波形表面Sw3用于在基板2的第三区域R₃上形成波形表面Sw3。具体地，辊母盘11的波形表面Sw2和Sw3分别具有如上所述基板2的波形表面Sw2和Sw3的凹凸形状的倒置形状。即，辊母盘11的结构12₂和结构12₃分别具有如上所述基板2的表面的结构3₂和结构3₃的凹凸形状的倒置形状。
【曝光装置的配置】
图7是示出了辊母盘光装置的配置实例的示意图。在下文中，将参考图7描述辊母盘曝光装置的配置。例如，辊母盘曝光装置可以被配置为基本具有光盘记录装置。
例如，激光源21是用于使在作为记录介质的辊母盘11的表面上形成膜的抗蚀剂曝光并且使具有λ＝266nm的波长的记录激光14振荡的光源。从激光源21发射的激光14作为平行射束直线传播并且进入电光调制器(EOM)22。通过电光调制器22发射的激光14被镜23反射并且导向至调制光学系统25。
镜23由偏振分束器配置并且具有反射一种偏振光成分并且传输其他偏振光成分的功能。由光电二极管24感测通过镜23传输的偏振光成分并且基于感测的光信号来控制电光调制器22，从而执行激光14的相位调制。
在调制光学系统25中，通过聚光透镜26将激光14聚在由玻璃(SiO₂)等制成的声光调制器(AOM)27上。通过声光调制器27使激光14经过强度调制以使其分叉并且通过透镜28大致转化成平行射束。从调制光学系统25发射的激光14被镜31反射并且导向至水平且平行移动的光学平台32。
移动的光学平台32包括射束扩展器33和物镜34。被导向移动光学平台32的激光14通过射束扩展器33成形为所希望的射束形状并且随后被致使为经由物镜34照射辊母盘11上的抗蚀剂层。辊母盘11放置在连接至轴电机35的转台36上。然后，在辊母盘11旋转的同时，使激光14在辊母盘11的高度方向上移动并且致使激光14间歇性地照射抗蚀剂层，从而对抗蚀剂层执行曝光处理。形成的潜像具有大致的椭圆形状(在圆周方向上具有主轴)。通过移动光学平台32在箭头R方向上的移动执行激光14的移动。
例如，曝光装置包括控制机构37，控制机构37用于形成对应于抗蚀剂层上的预定一维图案或者二维图案的潜像。控制机构37包括格式器29和驱动器30。格式器29包括极性反向部，并且极性反向部控制激光14对抗蚀剂层的照射时间。驱动器30从极性反向部接收输出并且控制声光调制器27。
在辊母盘曝光装置中，极性反向格式器信号和记录设备的旋转控制器被同步化以产生信号并且通过声光调制器27对各个轨迹执行强度调制， 使得二维图案空间连接。通过以恒定的角速度(CAV)、适当的调制频率以及适当的传动节距执行适当转数的图案化可以记录诸如四角形晶格图案或者六角形晶格图案等预定的二维图案。
【制造导电元件的方法】
在下文中，将参考图8A至图10C描述制造根据本技术的第一实施方式的导电元件1的方法的实例。此外，考虑到生产率，优选在转印处理之后通过卷对卷处理执行该制造方法中的部分或者全部处理。
(抗蚀剂形成处理)
首先，如图8A所示，制备具有柱状形状或者圆柱形状的辊母盘11。例如，辊母盘11是玻璃母盘。随后，如图8B所示，抗蚀剂层13形成在辊母盘11的表面上。例如，作为抗蚀剂层13的材料，可以使用有机抗蚀剂和无机抗蚀剂中的任一种。例如，作为有机抗蚀剂，可以使用酚醛树脂抗蚀剂(novolac resist)或者化学放大抗蚀剂。此外，例如，作为无机抗蚀剂，可以使用金属化合物。
(曝光处理)
接着，如图8C所示，通过使用如上所述的辊母盘曝光装置，在辊母盘11旋转的同时，使用激光(曝光射束)14照射抗蚀剂层13。此时，在激光14在辊母盘11的高度方向(平行于具有柱状形状或者圆柱形状的辊母盘11的中心轴的方向)上移动时照射激光14。此处，潜像形成在第二区域R₂和第三区域R₃中用作曝光部分，同时潜像并不形成在第一区域R₁中用作非曝光部分。例如，在等于或者小于可见光波长的节距形成根据激光14的路径的潜像15。
例如，潜像15被布置成在辊母盘表面上形成多行轨迹并且形成预定的一维图案或者二维图案。例如，潜像15具有在轨迹的延伸方向上延伸的拉长矩形形状或者主轴方向位于轨迹的延伸方向上的椭圆形状。
(显影处理)
接着，例如，如图9A所示，在辊母盘11旋转的同时将显影液滴在抗蚀剂层13上，使得抗蚀剂层13经过显影处理。如示，在抗蚀剂层13由正型抗蚀剂形成的情况下，与非曝光部分相比较，通过激光14进行曝光的曝光部分相对于显影液具有提高的溶解速率。因此，对应于潜像(曝光部分)15的图案形成在抗蚀剂层13上。因此，多个开口形成在第二区域 R₂和第三区域R₃的抗蚀剂层13上，同时开口并不形成在第一区域R₁的抗蚀剂层13上，并且第一区域R₁的整体保持处于覆盖有抗蚀剂层13的状态。即，仅在第二区域R₂和第三区域R₃中具有开口图案的掩模形成在辊母盘表面上。作为开口图案，可以使用任意一维图案和二维图案，并且还可使用其组合。
(蚀刻处理)
接着，辊母盘11的表面经过使用抗蚀剂层13形成在辊母盘11上的图案(抗蚀剂图案)作为掩模的辊蚀刻处理。因此，如图9B所示，经由开口对辊母盘表面上的第二区域R₂和第三区域R₃进行蚀刻，从而形成凹入结构12₂和12₃。例如，结构12₂和12₃具有在轨迹的延伸方向上延伸的柱状形状或者椭圆锥面形状或者其中主轴方向位于轨迹延伸方向上的切去顶端的椭圆锥面形状。另一方面，因为整个第一区域R₁覆盖有抗蚀剂层13，所以不对辊母盘表面上的第一区域R₁进行蚀刻并且保留平坦板状的辊母盘表面。例如，作为蚀刻方法，可以执行干蚀刻。按照这种方式，获得辊母盘11。
(转印处理)
接着，例如，如图9C所示，辊母盘11和对其涂布转印材料16的诸如膜的基板2彼此紧密接触，使用诸如紫外线等能量射线照射转印材料16以进行固化，之后，剥离与固化转印材料16一体的基板2。因此，如图10A所示，获得具有平坦表面Sp1形成在其中的第一区域R₁的基板2、具有波形表面Sw2形成在其中的第二区域R₂以及波形表面Sw3形成在其中的第三区域R₃。
例如，作为转印材料16，可以使用能量射线固化型树脂组合物。能量射线固化型树脂组合物是通过利用能量射线进行照射而被固化的树脂组合物。能量射线指诸如电子射线、紫外线、红外线、激光束、可见射线、离子照射(X-射线、α-射线、β-射线、γ-射线等)、微波、或者高频波等触发自由基聚合、阳离子聚合以及阴离子聚合的能量射线。能量射线固化型树脂组合物可以根据需要与所使用的另一树脂混合并且还可与诸如所使用的热固型树脂的另一固化树脂混合。能量射线固化型树脂组合物还可以是有机-无机混合材料。此外，可以混合所使用的两种以上类型的能 量射线固化型树脂组合物。作为能量射线固化型树脂组合物，优选使用通过紫外线进行固化的紫外线固化型树脂。
例如，紫外线固化型材料由单官能单体、双官能单体、多官能单体等制成，具体地，包括单一类型或者多种类型的下列材料的混合物。
单官能单体的实例包括羧酸(丙烯酸)、羟基基团(2-丙烯酸羟乙酯、2-丙烯酸羟丙酯以及4-丙烯酸羟丁酯)、烷基基团、脂环族基团(丙烯酸酸异丁酯,叔-丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸异冰片酯以及丙烯酸环己酯)以及其他官能单体(2-丙烯酸甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氢呋喃丙烯酸甲酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧乙基丙烯酸酯、N,N-丙烯酸二甲胺基乙酯、N,N-二甲胺基丙基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡硌烷酮、2-(全氟辛基)丙烯酸乙酯、3-全氟己基-2-丙烯酸羟丙酯、3-全氟辛基-2-丙烯酸羟丙酯、2-(全氟癸基)丙烯酸乙酯、2-(全氟-3-甲基丁基)丙烯酸乙酯、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2,4,6-三溴苯酚)丙烯酸乙酯以及2-丙烯酸乙基己酯)。
双官能单体的实例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷己二烯醚以及聚氨酯丙烯酸酯。
多官能单体的实例包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五和六丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯。
引发剂的实例包括2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、1-羟基-环己基苯酮以及2-羟基-2-甲基-1-苯丙烷-1-酮。
例如，作为填充物，可以使用无机细微颗粒和有机细微颗粒中的任一种。无机细微颗粒的实例包括诸如SiO₂、TiO₂、ZrO₂、SnO₂以及Al₂O₃等金属氧化物细微颗粒。
功能添加剂的实例包括匀染剂、表面调整剂以及防起泡剂。基板2的材料的实例包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚物、聚碳酸酯、苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二乙酸纤维素、三乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、聚酯、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、环烯烃聚合物、环烯烃共聚物、聚乙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、氟树脂、酚醛树脂、 甲基丙烯酸树脂、尼龙、聚缩醛、酚醛树脂、环氧树脂、三聚氰胺甲醛树脂、聚氯乙烯、聚乙烯缩醛、聚醚酮以及聚亚安酯。根据应用可以适当选择其他材料，例如，还可以使用玻璃材料、金属材料以及金属化合物材料(例如，陶瓷、磁体以及半导体)。玻璃材料的实例包括钠钙玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃以及液晶玻璃。
对基板2进行模制的方法不受具体限制，并且例如，可以使用注塑模制、挤压、或者浇注。根据需要，可以对基板表面等执行诸如电晕处理等表面处理。
(层压膜形成处理)
接着，如图10B所示，通过将两个以上的层层压在基板表面的第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃中形成层压膜4。具体地，例如，按照此顺序将导电层、第一功能层以及第二功能层层压在基板的第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃中，从而形成层压膜4。例如，作为形成层压膜4的方法，可以使用诸如热CVD、等离子体CVD、或者光学CVD等CVD方法(化学气相沉积：使用化学反应从气相使薄膜沉积的技术)、诸如真空沉积、等离子体辅助化学气相沉积、溅射或者离子电镀等PVD方法(物理气相沉积：通过在真空中物理蒸发的材料的浓缩物而在基板上形成薄膜的技术)。此外，在对基板2进行加热时可以形成层压膜4。
(退火处理)
接着，根据需要，对层压膜4执行退火处理。因此，例如，层压膜4或者诸如层压膜4中包括的无机透明导电层的层具有不定形和多晶结构的混合态。
(层压膜移除处理)
接着，如图10C所示，对具有形成在其中的层压膜4的基板表面执行蚀刻处理。因此，在从第三区域R₃移除层压膜4时，层压膜4作为第一层4₁保留在第一区域R₁中，并且层压膜4的部分层作为第二层4₂保留在第二区域R₂中。具体地，例如，在从第三区域R₃移除导电层以及第一功能层和第二功能层时，导电层以及第一功能层和第二功能层作为第一层4₁保留在第一区域R₁中，并且导电层作为第二层4₂保留在第二区域R₂中。因此，当在第一区域R₁中形成的第一层4₁和在第二区域R₂中形成的第二层4₂用作导电图案部时，第三区域R₃用作导电图案部之间绝缘区域。作 为移除处理，可以使用干蚀刻或者湿蚀刻，或者还可以使用两者的组合。作为干蚀刻，可以使用等离子体蚀刻或者反应离子蚀刻(RIE)。例如，作为湿蚀刻，可以使用硫酸、氢氯化物、硝酸以及氯化铁中的一种或者多种类型。此外，草酸、磷酸、醋酸以及硝酸的混合酸、或者硝酸铈铵的水溶液可用作蚀刻剂。
此处，移除装置(1)从第三区域R₃完全移除层压膜4，(2)在第三区域R₃不能展示导电性的程度内形成非连续状态(例如，岛屿状状态)的层压膜4，或者(3)使层压膜4变薄以具有第三区域R₃不能展示导电性的厚度。
具体地，通过使用形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3上的层压膜4之间的状态等差异，优选充分移除形成在波形表面Sw3上的层压膜4，而形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4保持连续连接。因此，导电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3之中的平坦表面Sp1和波形表面Sw2上。
此外，优选通过使用形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3上的层压膜4之间的状态等差异，移除形成在波形表面Sw3上的层压膜4以处于非连续的岛屿状，而形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4保持连续连接。因此，导电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3之中的平坦表面Sp1和波形表面Sw2上。
此外，优选通过使用形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3上的层压膜4之间的状态等差异，移除形成在波形表面Sw3上的层压膜4以具有大大小于形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4的厚度的厚度。因此，导电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3之中的平坦表面Sp1和波形表面Sw2上。
(清洁处理)
接着，根据需要，对经过移除处理的基板表面进行清洁。
如此，获得所需的导电元件1。
在第一实施方式中，通过将两个以上的层层压在具有平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3的基板表面上形成层压膜4。此外，通过使用形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3上的层压膜之间的状态等差异，移除形成在平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3的波形表面之中 的波形表面Sw3上的层压膜4，而形成在平坦表面Sp1上的层压膜4保留为第一层4₁，并且形成在波形表面Sw2上的层压膜4的部分层保留为第二层4₂，从而形成导电图案部。因此，可以实现精确并且具有高生产能力的导电元件。
<2.第二实施方式>
【导电元件的配置】
图11A是示出了根据本技术的第二实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图11B是沿着图11A中所示的线B-B截取的截面图。图12A是示出了图11B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图12B是示出了图11B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。图12C是示出了图11B中所示的第三区域的一部分的放大截面图。根据第二实施方式的导电元件1与第一实施方式中的导电元件1的不同在于第一区域具有波形表面Sw1。例如，具有波形表面Sw1、波形表面Sw2以及波形表面Sw3的形状层设置在基板2的表面上。形状层包括后面即将描述的结构3₁、结构3₂以及结构3。
(第一区域)
例如，波形表面Sw1形成在第一区域R₁的基板表面上，并且第一层4₁连续形成在波形表面Sw1上。波形表面Sw1与波形表面Sw2相同，除了波形表面Sw1的比率(Am/λm)(λm是波形表面的平均波长并且Am是波形表面的振动的平均幅度)小于波形表面Sw2的比率(Am/λm)。具体地，波形表面Sw1、Sw2以及Sw3优选满足下列关系。
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8
(其中，Am1是波形表面Sw1的振动的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振动的平均幅度，Am3是波形表面Sw3的振动的平均幅度，λm1是波形表面Sw1的平均波长，λm2是波形表面Sw2的平均波长，并且λm3是波形表面Sw3的平均波长。)
当比率(Am3/λm3)高于1.8时，在转印波形表面Sw3时发生剥离失败并且波形表面Sw趋于损坏。
此处，以与第一实施方式中波形表面Sw2和Sw3相同的方式测量波形表面Sw1的平均波长λm1、振动的平均幅度Am1以及比率(Am1/λm1)。
波形表面Sw1、Sw2以及Sw3的截面的形状在一个方向上被切割成包括其中波形表面Sw1、Sw2以及Sw3的振动幅度为最大化的位置，例如，波形表面Sw1、Sw2以及Sw3的截面的形状是三角形波形形状、正弦波形形状、其中重复二次曲线或者二次曲线的一部分的波形形状、或者近似上述形状的形状。二次曲线可以是圆曲线、椭圆曲线、或者抛物曲线等。
波形表面Sw1的波长λ1、波形表面Sw2的波长λ2以及波形表面Sw3的波长λ3优选等于或者短于100μm，更优选地，在等于或者长于100nm并且等于或者短于100μm的范围内。当波长λ1、λ2以及λ3短于100nm时，则存在波长λ1以及波形表面Sw2和Sw3的产生变得困难的趋势。另一方面，当波长λ1、λ2以及λ3长于100μm时，则存在在压印和膜形成过程中可能出现高度差和覆盖度等问题的趋势，并且由此可能产生缺陷。
就减少导电元件表面上的光反射的方面而言，优选波长λ1、λ2以及λ3等于或者短于旨在减少反射的光的波长带。例如，旨在减少反射的光的波长带是紫外光的波长带、可见光的波长带、或者红外光的波长带。
可以独立选择波形表面Sw1、Sw2以及Sw3的形状、波长以及振动幅度。具体地，例如，波形表面Sw1、Sw2以及Sw3可独立采用一维或者二维波形表面。而且，波形表面Sw1、Sw2以及Sw3的波长和振动幅度可独立采用纳米级或者微米级的波长和振动幅度。
(结构)
例如，波形表面Sw1是具有布置在第一区域R₁上的多个结构3₁的凹凸表面。结构3₁与结构3₂相同，除了结构3₁的比率(Hm/Pm)(Hm是结构的平均布置节距并且Pm是结构的平均高度)小于结构3₂的比率(Hm/Pm)。具体地，结构3₁、3₂以及3₃优选满足下列关系。
0<(Hm1/Pm1)<(Hm2/Pm2)<(Hm3/Pm3)≤1.8
(其中，Hm1是结构3₁的平均高度，Hm2是结构3₂的平均高度、Hm3是结构3₃的平均高度，Pm1是结构3₁的平均布置节距、Pm2是结构3₂的平均布置节距，并且Pm3是结构3₃的平均布置节距。)
当比率(Hm3/Pm3)高于1.8时，在转印结构3₃时发生剥离失败并且结构3₃趋于损坏。
此处，以与第一实施方式中结构3₂和3₃相同的方式测量结构3₁的平均布置节距Pm1、平均高度Hm1以及比率(Hm1/Pm1)。
(第一层)
优选第一层4₁形成在第一区域R₁中以遵循波形表面Sw1的表面形状，从而并不阻碍结构3₁的抗反射效果，因此，波形表面Sw1和第一层4₁的表面形状彼此相似。这是因为通过抑制由第一层4₁的形成引起的折射指数分布变化可以保留卓越的抗反射特征和/或透射特征。
【辊母盘的配置】
图13A是示出了用于生产基板2的辊母盘的一部分的放大立体图。图13B是示出了图13A中所示的辊母盘的一部分的放大截面图。根据第二实施方式的辊母盘11与第一实施方式的不同在于第一区域R₁中包括波形表面Sw1。
例如，通过将凹入结构12₁以等于或者小于可见光的波长的节距布置形成辊母盘11的波形表面Sw1。辊母盘11的波形表面Sw1具有基板2的波形表面Sw1的凹凸形状的倒置形状。
【制造导电元件的方法】
根据第二实施方式制造导电元件的方法与第一实施方式中的方法的不同在于通过使用波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之间的差异(例如，比率(Am/λm)的差)改变行程在第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃中的层压膜4的移除速率而形成导电图案部。
在第二实施方式的层压膜移除处理中，通过对具有形成在其上的层压膜4的基板表面执行移除处理而从第三区域R₃中移除层压膜4，同时，层压膜4保留在第一区域R₁和第二区域R₂中。因此，导电图案部可以选择性地形成在波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之中的波形表面Sw1和Sw2上。
具体地，优选通过使用形成在波形表面Sw1、Sw2以及Sw3上的层压膜4之间的状态等差异，充分移除形成在波形表面Sw3上的层压膜4，同时形成在波形表面Sw1和Sw2上的层压膜4保持连续连接。因此，导电图案部可以选择性地形成在波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之中的波形表面Sw1和Sw2上。
此外，优选通过使用形成在波形表面Sw1、Sw2以及Sw3上的层压膜4之间的状态等差异，移除形成在波形表面Sw3上的层压膜4以处于非 连续的岛屿状，而形成在波形表面Sw1和Sw2上的层压膜4保持连续连接。因此，导电图案部可选择性地形成在波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之中的波形表面Sw1和Sw2上。
此外，优选通过使用形成在波形表面Sw1、Sw2以及Sw3上的层压膜4之间的状态等差异，移除形成在波形表面Sw3上的层压膜4以具有大大小于形成在波形表面Sw1和Sw2上的层压膜4的厚度的厚度。因此，导电图案部可以选择性地形成在波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之中的波形表面Sw1和Sw2上。
在第二实施方式中，因为波形表面Sw1、Sw2以及Sw3分别形成在第一区域R₁、第二区域R₂以及第三区域R₃的全部区域上，所以可以增强导电元件1的抗反射特征。在此配置中，优选用作导电图案部的第一层4₁和第二层4₂具有分别遵循波形表面Sw1和Sw2的形状。因此，可以抑制卓越抗反射特征和/或透射特征的效果下降。
经过调制(例如，振幅调制和/或频率调制)的波形表面Sw1、Sw2以及Sw3形成在基板表面上，并且层压膜4形成在基板表面上，从而根据形成在基板表面上的波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之间的调制差改变层压膜4的状态。因此，根据基板2的波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之间的调制差可以改变层压膜4对移除溶液的溶解度。即，通过使用基板2的波形表面Sw1、Sw2以及Sw3之间的调制差，所希望的导电图案部可以形成在基板表面上。
在基板表面的波形表面Sw1、Sw2以及Sw3分别由纳米结构3₁、3₂以及3₃形成的情况下，可以增强能见度和光学特征。在光学特征不恶化的情况下，可以实现期望的电阻。
<3.第三实施方式>
【导电元件的配置】
图14A是示出了根据本技术的第三实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图14B是沿着图14A中所示的线B-B截取的截面图。图14C是示出了图14B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图14D是示出了图14B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。在下文中，在导电元件1的主表面的平面上正交于彼此的两个方向分别被称之为X轴方向和Y轴方向，并且垂直于主表面的方向被称之为Z轴方向。
根据第三实施方式的导电元件1包括基板2，基板2具有交替形成的第一区域R₁和第二区域R₂；和层压膜4，层压膜4形成在第一区域R₁和第二区域R₂之中的第一区域R₁中。层压膜4连续形成在第一区域R₁中以形成导电图案部。例如，导电图案部是配线图案部或者电极图案部。层压膜4是其中层压两个以上的层并且优选包括至少导电层4a的层压膜。
例如，导电元件1是印刷电路板或者图像显示元件。印刷电路板的实例包括刚性板、柔性板以及刚柔性板。图像显示元件的实例包括液晶显示元件和场致发光(EL)元件(例如，有机EL元件或者无机EL元件)。
(第一区域和第二区域)
例如，平坦表面Sp1形成在第一区域R₁的基板表面上，并且层压膜4连续形成在平坦表面Sp1上。另一方面，例如，波形表面Sw2形成在第二区域R₂的基板表面上，并且层压膜4不形成在波形表面Sw2上。因此，第二区域R₂用作用于在相邻第一区域R₁中形成的层压膜4之间绝缘的绝缘区域。另一方面，在第一区域R₁的延伸方向上连续形成在第一区域R₁上的层压膜4具有导电性并且用作导电图案部。例如，具有平坦表面Sp1和波形表面Sw2的形状层设置在基板2的表面上。后面将描述形状层包括结构3。
平坦表面Sp1和波形表面Sw2优选满足下列关系。
(Am1/λm1)＝0,0<(Am2/λm2)≤1.8
(其中，Am1是平坦表面Sp1的振动的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振动的平均幅度，λm1是平坦表面Sp1的平均波长，并且λm2是波形表面Sw2的平均波长。)
此外，如上所述，因为平坦表面Sp1可以被视为具有“0”振动的平均幅度Am1的波形表面，所以可以定义平坦表面Sp1的振动的平均幅度Am1、平均波长λm1以及比率(Am1/λm1)。
当比率(Am2/λm2)高于1.8时，在转印波形表面Sw2时发生剥离失败并且波形表面Sw2趋于损坏。
此处，如下获得波形表面Sw2的比率(Am2/λm2)。首先，导电元件1的截面被切割成包括其中波形表面Sw2的振动幅度为最大化的位置，并且通过透射式电子显微镜(TEM)对该截面进行拍照。接着，从拍摄的TEM照片获得波形表面Sw2的振动的波长λ2和幅度A2。在从导电元件1 随机选择的10个点上重复执行该测量，并且简单取测量值的平均值(算数平均值)，从而获得波形表面Sw2的平均波长λm2和振动的平均幅度Am2。接着，通过使用平均波长λm2和振动的平均幅度Am2获得波形表面Sw2的比率(Am2/λm2)。
例如，波形表面Sw2是具有等于或者短于可见光波长的波长的一维或者二维波形表面，具体地，波形表面Sw2是具有以一维方式或者二维方式以等于或者短于可见光波长的布置节距布置的多个结构3的凹凸表面。
例如，波形表面Sw2的截面的形状在一个方向上被切割成包括其中波形表面Sw2的振动幅度为最大化的位置，波形表面Sw2的截面的形状是三角形波形形状、正弦波形形状、其中重复二次曲线或者二次曲线的一部分的波形形状、或者近似上述形状的形状。二次曲线可以是圆曲线、椭圆曲线、抛物曲线等。
波形表面Sw2的平均波长λm2优选在等于或者长于100nm的范围内。当平均波长λm2短于100nm时，则存在波形表面Sw2的产生变得困难的趋势。
此外，波形表面Sw2的平均波长λm2优选在等于或者短于100μm的范围内。当平均波长λm2长于100μm时，则存在在压印和膜形成过程中可能出现高度差和覆盖度等问题的趋势，并且由此可能产生缺陷。
优选层压膜4或者其一部分作为残留膜完全不在第二区域R₂中。然而，只要第二区域R₂用作绝缘区域，则层压膜4可以作为残留膜存在。在层压膜4作为残留膜存在于第二区域R₂中的情况下，在第一区域R₁中形成的层压膜4和在第二区域R₂中形成的残留膜优选满足下列关系。
S1>S2
(其中，S1是层压膜的面积，并且S2是残留膜的面积。)
在满足该关系的情况下，优选层压膜4连续形成在第一区域R₁中，而残留膜非连续地形成在第二区域R₂中呈岛屿状等。
而且，在残留膜存在于第二区域R₂中的情况下，在第一区域R₁中形成的层压膜4和在第二区域R₂中形成的残留膜优选满足下列关系。
d1>d2
(其中，d1是层压膜的厚度，并且d2是残留膜的厚度。)
在满足该关系的情况下，优选残留膜的厚度小于层压膜4的厚度，从而不能充分展示导电性，并且第二区域R₂用作绝缘区域。
此外，如上所述，因为残留膜并不用作导电图案部，所以图14B和图14D中省去了对残留膜的说明。在图14A中，示出了其中连续形成在第一区域R₁中的层压膜4的实例，即，导电图案部具有直线形状。然而，导电图案部的形状并不局限于此并且根据电路或者元件等的设计可以是期望的形状。
在下文中，将顺次描述导电元件1中包括的基板2、结构3以及层压膜4。
(基板)
基板2与上述所述第一实施方式中的基板相同。
(结构)
例如，波形表面Sw2是具有布置在第二区域R₂上的多个结构3的凹凸表面。例如，结构3相对于基板2的表面具有凸起形状。例如，结构3独立于基板2被模制或者与基板2一起一体化模制。在结构3独立于基板2被模制的情况下(根据需要)，基础层可设置在结构3与基板2之间。结构3的底部表面侧上的基础层是与结构3被一体化模制的层并且通过固化与结构3相同的能量射线固化型树脂组合物而形成。基础层的厚度不受具体限制并且可根据需要进行适当选择。
结构3的长宽比(Hm/Pm)优选满足下列关系。
0<(Hm/Pm)≤1.8
(其中，Hm是结构3的平均高度，并且Pm是结构3的平均布置节距。)
当比率(Hm/Pm)高于1.8时，在转印结构3时发生剥离失败并且结构3趋于损坏。
(层压膜)
例如，层压膜4包括形成在第一区域R₁上的导电层4a和形成在导电层4a上的功能层4b。优选层压膜4由具有不同移除速率的材料制成，具体地，层压膜具有不同的移除速率。例如，作为导电层4a，可以使用金属层、透明导电层、金属氧化物层、或者过渡金属化合物层。然而，导电层4a并不局限于此。作为功能层4b的材料，优选至少不同于导电层4a的材料，并且更优选在移除处理中具有不同溶解速率的材料。
例如，作为透明导电层，可以使用无机透明导电层。无机透明导电层优选包含透明氧化物半导体作为其主要成分。例如，作为透明氧化物半导体，可以使用诸如SnO₂、InO₂、ZnO、或者CdO等二元化合物、包含二元化合物的组成元素的Sn、In、Zn以及Cd之中至少一种元素的三元化合物、或者多元素(复合)氧化物。透明氧化物半导体的具体实例的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZO(Al₂O₃-ZnO))、SZO、掺氟氧化锡(FTO)、二氧化锡(SnO₂)、掺镓氧化锌(GZO)以及氧化铟锌(IZO(In₂O₃-ZnO))。具体地，就增强可靠性、减少电阻系数等方面而言，优选氧化铟锡(ITO)。就增强导电性方面而言，无机透明导电层中包括的材料优选具有不定形和多晶结构的混合态。
例如，作为金属层的材料，可以使用选自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti以及Cu组成的组中的至少一种类型。
作为功能层4b，优选具有至少不同于导电层4a的溶解度或者蚀刻剂蚀刻速率的功能层，例如，也优选其中功能层4b与诸如SiO₂、过渡金属化合物等金属氧化物层形成多晶体的状态或者具有不同结晶状态以增强对抗蚀剂的抵抗力的膜。功能层4b优选包括不定形和多晶结构混合态的层与多晶结构一层中的至少一种类型。此外，作为功能层4b，只要其具有不同于导电层4a的溶解速率，则还可以使用金属，并且只要其不同于导电层4a，则可以使用包含选自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti以及Cu组成的组中的至少一种类型的材料。
优选第一区域R₁中的层压膜4的表面阻抗等于或者小于5000Ω/□。当表面阻抗高于5000Ω/□时，阻抗过度增加，因此，层压膜4通常不趋于用作电极。
【辊母盘的配置】
图15A是示出了用于生产基板的辊母盘的配置实例的立体图。图15B是示出了图15A中所示的辊母盘的一部分的放大立体图。辊母盘11是用于在上述所述基板表面上模制结构3的辊母盘。例如，辊母盘11具有柱状形状或者圆柱形状，并且多个第一区域R₁和第二区域R₂交替设置在柱状表面或者圆柱表面上。在图15A和图15B中，示出了其中第一区域R₁和第二区域R₂沿着圆周方向形成环状的情况。然而，第一区域R₁和第二区域R₂的形状并不局限于此实例并且可根据导电图案部的期望形状进行 适当地选择，即，第二区域中形成的层压膜4的形状。例如，辊母盘11的材料可使用玻璃，但并不特别局限于这种材料。
图16A是示出了辊母盘的一部分的放大截面图。图16B是示出了第二区域的一部分的放大立体图。图16C是示出了第二区域的一部分的放大平面图。例如，在辊母盘11的第二区域R₂中，以等于或者短于可见光波长的节距布置凹入部分的多个结构12，而第一区域R₁不具有凹入部分的结构12，而是形成平坦的表面形状。
辊母盘11的第一区域R₁和第二区域R₂分别对应于基板2的第一区域R₁和第二区域R₂。即，形成在辊母盘11的第一区域R₁上的平坦表面Sp1是用于形成在基板2的第一区域R₁上的平坦表面Sp1。形成在辊母盘11的第二区域R₂上的波形表面Sw2是用于形成在基板2的第二区域R₂上的波形表面Sw2。具体地，辊母盘11的波形表面Sw2具有如上所述基板2的表面的波形表面Sw2的凹凸形状的倒置形状。即，辊母盘11的结构12具有如上所述基板2的表面的结构3的凹凸形状的倒置形状。
【制造导电元件的方法】
在下文中，将参考图17至图19描述制造根据本技术的第三实施方式的导电元件1的方法的实例。
(抗蚀剂形成处理)
首先，如图17A所示，制备具有柱状形状或者圆柱形状的辊母盘11。例如，辊母盘11是玻璃母盘。随后，如图17B所示，抗蚀剂层13形成在辊母盘11的表面上。例如，作为抗蚀剂层13的材料，可以使用有机抗蚀剂和无机抗蚀剂中的任一种。例如，作为有机抗蚀剂，可以使用酚醛树脂抗蚀剂或者化学放大抗蚀剂。而且，例如，作为无机抗蚀剂，可以使用包含一种类型或者两种或多种类型的金属化合物。
(曝光处理)
接着，如图17C所示，通过使用上述所述辊母盘曝光装置，在辊母盘11旋转的同时使用激光(曝光射束)14照射抗蚀剂层13。此时，在激光14在辊母盘11的高度方向(平行于具有柱状形状或者圆柱形状的辊母盘11的中心轴的方向)上移动时照射激光14。此处，潜像仅形成在对应于配线图案之间的绝缘区域的第二区域R₂上以用作曝光部分，而对应于导 电图案部的第一区域R₁不曝光以用作非曝光部分。例如，以等于或者短于可见光波长的节距形成根据激光14的路径的潜像15。
例如，潜像15被布置成在辊母盘表面上形成多行轨迹并且形成诸如四角形潜像或者六角形潜像等二维图案。例如，潜像15具有其中主轴方向位于轨迹延伸方向上的椭圆形状。
(显影处理)
接着，例如，如图18A所示，在辊母盘11旋转的同时将显影液滴落在抗蚀剂层13上，使得抗蚀剂层13经过显影处理。如示，在抗蚀剂层13由正型抗蚀剂形成的情况下，与非曝光部分的溶解速率相比较，通过激光14进行曝光的曝光部分相对于显影液具有增加的溶解速率。因此，对应于潜像(曝光部分)15的图案形成在抗蚀剂层13上。因此，具有诸如四角形潜像或者六角形潜像等预定二维图案的开口形成在第二区域R₂的抗蚀剂层13上，而开口并不形成在第一区域R₁的抗蚀剂层13上，并且第一区域R₁的全部保持处于覆盖有抗蚀剂层13的状态。即，仅在第二区域R₂中具有开口图案的掩模形成在辊母盘表面上。
(蚀刻处理)
接着，使用形成在辊母盘11上的抗蚀剂层13的图案(抗蚀剂图案)作为掩模，使辊母盘11的表面经过滚压蚀刻处理。因此，如图18B所示，经由开口对辊母盘表面上的第二区域R₂进行蚀刻，因此，具有其中主轴方向位于轨迹延伸方向上的椭圆锥面形状或者切去顶端的椭圆锥面形状的结构(凹入部分)12形成在第二区域R₂上。另一方面，因为第一区域R₁的全部覆盖有抗蚀剂层13，所以不对辊母盘表面上的第一区域R₁进行蚀刻，并且保留平坦的板状辊母盘表面。例如，作为蚀刻方法，可以执行干蚀刻。
(转印处理)
接着，例如，如图18C所示，辊母盘11和诸如对其涂布转印材料16的膜的基板2彼此紧密接触，使用诸如紫外线等能量射线照射转印材料16以进行固化，之后，剥离与固化转印材料16一体化的基板2。因此，如图19A所示，获得具有形成在其中的平坦表面Sp1的第一区域R₁和具有形成在其中的波形表面Sw2的第二区域R₂的基板2。
(层压膜形成处理)
接着，如图19B所示，通过将两个以上的层层压在基板表面的第一区域R₁和第二区域R₂中形成层压膜4。具体地，例如，按照此顺序将导电层4a和功能层4b层压在基板表面的第一区域R₁和第二区域R₂中，从而形成层压膜4。例如，作为形成层压膜4的方法，可以使用诸如热CVD、等离子体CVD、或者光学CVD等CVD方法(化学气相沉积：使用化学反应从气相使薄膜沉积的技术)、诸如真空沉积、等离子体辅助气相沉积、溅射或者离子电镀等PVD方法(物理气相沉积：通过在真空中物理蒸发的材料的浓缩物而在基板上形成薄膜的技术)。此外，在对基板2进行加热时可以形成层压膜4。
(退火处理)
接着，根据需要，对层压膜4执行退火处理。因此，例如，层压膜4或者层压膜4中包括的无机透明导电层具有不定形和多晶结构的混合态。
(层压膜移除处理)
接着，如图19C所示，对具有形成在其中的层压膜4的基板表面执行蚀刻处理。因此，当从第二区域R₂移除层压膜4时，层压膜4保留在第一区域R₁中。具体地，例如，当从第二区域R₂移除导电层4a和功能层4b时，导电层4a和功能层4b保留在第一区域R₁中。因此，当形成在第一区域R₁中的层压膜4用作导电图案部时，第二区域R₂用作导电图案部之间的绝缘区域。作为蚀刻处理，可以使用湿蚀刻或者干蚀刻，或者还可以使用两者的组合。例如，作为用于湿蚀刻的抗蚀剂，可以使用硫酸、氢氯化物、硝酸以及氯化铁中的一种或者多种类型。此外，可以使用草酸、磷酸、醋酸以及硝酸的混合酸、或者硝酸铈铵的水溶液作为抗蚀剂。作为干蚀刻，可以使用等离子蚀刻或者反应离子蚀刻(RIE)。
此处，移除装置(1)从第二区域R₂完全移除层压膜4，(2)在第二区域R₂不展示导电性的程度内形成非连续状态(例如，岛屿状状态)的层压膜4，或者(3)使层压膜4变薄以具有第二区域R₂不能展示导电性的厚度。
具体地，优选通过使用形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4之间的膜质量、相态等的差异，充分移除形成在波形表面Sw2上的层压膜4，而形成在平坦表面Sp1上的层压膜4保持连续连接。因此，导 电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1与波形表面Sw2之中的平坦表面Sp1上。
此外，优选通过使用形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4之间的膜质量、相态等的差异，移除形成在波形表面Sw2上的层压膜4以处于非连续的岛屿状，而形成在平坦表面Sp1上的层压膜4保持连续连接。因此，导电图案部可选择性地形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2之中的平坦表面Sp1上。
此外，优选通过使用形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4之间的膜质量、相态等的差异，使形成在波形表面Sw2上的层压膜4变薄以具有大大小于形成在平坦表面Sp1上的层压膜4的厚度的厚度。因此，导电图案部可以选择性地形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2之中的平坦表面Sp1上。
(清洁处理)
接着，根据需要，对经过蚀刻处理的基板表面进行清洁。
由此获得所需的导电元件1。
在第三实施方式中，通过将两个以上的层层压在具有平坦表面Sp1和波形表面Sw2的基板表面上形成层压膜4。此外，通过使用形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2上的层压膜4之间的状态等的差异，移除形成在平坦表面Sp1和波形表面Sw2的波形表面之中的波形表面Sw2上的层压膜4，而保留形成在平坦表面Sp1上的层压膜4，从而形成导电图案部。因此，可以实现精确并且具有高生产能力的导电元件1。
<4.第四实施方式>
【导电元件的配置】
图20A是示出了根据本技术的第四实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图20B是沿着图20A中所示的线B-B截取的截面图。图20C是示出了图20B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图20D是示出了图20B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。根据第四实施方式的导电元件1与第三实施方式的导电元件的不同在于通过使用在第一区域R₁中形成的第一波形表面Sw1与在第二区域R₂中形成的第二波形表面Sw2之间的差异(例如，振动的平均幅度差)来改变第一区域R₁和第二区域R₂中形成的层压膜4的蚀刻速率而形成配线图案等。
(第一区域和第二区域)
第一波形表面Sw1形成在第一区域R₁的基板表面上，并且层压膜4连续形成在第一波形表面Sw1上。另一方面，例如，第二波形表面Sw2形成在第二区域R₂的基板表面上，并且层压膜4不形成在第二波形表面Sw2上。例如，第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2是具有等于或者短于可见光波长的波长的波形表面。因此，第二区域R₂用作用于在相邻第一区域R₁中形成的层压膜4之间绝缘的绝缘区域。另一方面，在第一区域R₁的延伸方向上连续形成在第一区域R₁上的层压膜4具有导电性并且用作导电图案部。例如，具有第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2的形状层设置在基板2的表面上。如下所述，形状层包括结构3₁和3₂。
波形表面Sw1的平均波长λm1和波形表面Sw2的平均波长λm2优选在等于或者短于100μm的范围内。当平均波长λm1和λm2长于100μm时，则存在在压印和膜形成过程中可能出现高度差和覆盖度等问题的趋势，并且由此可能产生缺陷。
优选形成在第一区域R₁中的层压膜4以遵循第一结构3₁的表面形状，从而并不阻碍第一结构3₁的抗反射效果，因此，第一结构3₁和层压膜4的表面形状彼此相似。这是因为通过抑制由层压膜4的形成引起的折射指数分布的变化可以保留卓越的抗反射特征和/或透射特征。层压膜4中包括的材料优选具有不定形和多晶结构的混合态。这是因为即使在第一结构3₁的高度较低的情况下，也可使层压膜4形成不阻碍第一结构3₁的抗反射效果的厚度。即，这是因为层压膜4可以保留遵循第一结构3₁的形状的形状。
优选第二波形表面Sw2的振动的平均幅度Am2与平均波长λm2的比率(Am2/λm2)高于第一波形表面Sw1的振动的平均幅度Am1与平均波长λm1的比率(Am1/λm1)。这是因为出于上述原因可以实现光学特征和电选择性。具体地，比率(Am1/λm1)和比率(Am2/λm2)优选满足下列关系。
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≤1.8
(其中，Am1是波形表面Sw1的振动的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振动的平均幅度，λm1是波形表面Sw1的平均波长，并且λm2是波形表面Sw2的平均波长。)
当比率(Am2/λm2)高于1.8时，在转印波形表面Sw2时发生剥离失败并且波形表面Sw2趋于损坏。
此处，以与第三实施方式中的波形表面Sw2的相同方式测量波形表面Sw1的比率(Am1/λm1)。
可以独立选择波形表面Sw1和Sw2的形状、波长以及振动幅度。具体地，例如，波形表面Sw1和Sw2可独立采用一维或者二维波形表面。而且，波形表面Sw1和Sw2的波长和振动幅度可独立采用纳米级或者微米级的波长和振动幅度。
优选层压膜4的一部分作为残留膜完全不在第二区域R₂中。然而，只要第二区域R₂用作绝缘区域，则层压膜4的一部分可以作为残留膜存在。在这种情况下，优选形成在第一区域R₁中的层压膜4的面积大于形成在第二区域R₂中的层压膜4或者其该部分的面积。具体地，优选层压膜4连续形成在第一区域R₁中，而层压膜4或者其该部分非连续地形成在第二区域R₂中呈岛屿状等。而且，形成在第二区域R₂中的层压膜4或者其该部分的厚度可以小于形成在第一区域R₁中的层压膜4的厚度，从而不能充分展示导电性，并且第二区域R₂可用作绝缘区域。
(结构)
例如，第一波形表面Sw1是具有以等于或者短于可见光波长的布置节距形成的多个第一结构3₁的凹凸表面。例如，第二波形表面Sw2是以等于或者短于可见光波长的布置节距形成的多个第一结构3₁的凹凸表面。优选第一结构3₁的平均长宽比(Hm1/Pm1)高于第二结构3₂的平均长宽比(Hm2/Pm2)。具体地，第一结构3₁和第二结构3₂满足下列关系。
0<(Hm1/Pm1)<(Hm2/Pm2)≤1.8
(其中，Hm1是第一结构3₁的平均高度，Hm2是第二结构3₂的平均高度，Pm1是第一结构3₁的平均布置节距，并且Pm2是第二结构3₂的平均布置节距。)
当比率(Hm2/Pm2)高于1.8时，在转印第二表面3₂时发生剥离失败并且第二结构3₂趋于损坏。
以与第三实施方式中的结构3的长宽比(Hm/Pm)相同的方式测量第一结构3₁的长宽比(Hm1/Pm1)和第二结构3₂的长宽比(Hm2/Pm2)。
第一结构3₁和第二结构3₂可以与第三实施方式中的结构3相同，但上述特征除外。此外，第一结构3₁和第二结构3₂的布置图案、形状等不一定必须相同，并且这两种类型的结构可采用不同的布置图案、形状等。
【辊母盘的配置】
图21A是示出了用于生产基板2的辊母盘的一部分的放大立体图。图21B是示出了图21A中所示的辊母盘的一部分的放大截面图。根据第四实施方式的辊母盘11与第三实施方式的不同在于在辊母盘11中，第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2分别设置在第一区域R₁和第二区域R₂中。
例如，通过将凹入的第一结构12₁以等于或者小于可见光波长的节距布置形成辊母盘11的第一波形表面Sw1。例如，通过将凹入的第二结构12₂以等于或者小于可见光波长的节距布置形成辊母盘11的第二波形表面Sw2。辊母盘11的第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2分别具有基板2的第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2的凹凸形状的倒置形状。
辊母盘11的第一区域R₁和第二区域R₂分别对应于基板2的第一区域R₁和第二区域R₂。即，形成在辊母盘11的第一区域R₁上的凹入结构12₁是用于形成在基板2的第一区域R₁上形成的凸起结构3₁。形成在辊母盘11的第二区域R₂上的凹入结构12₂用于形成在基板2的第二区域R₂上形成的凸起结构3₂。第二结构12₂的长宽比优选高于第一结构12₁的长宽比。
【制造导电元件的方法】
在第四实施方式的蚀刻处理中，在具有形成在其中的层压膜4的基板表面上执行蚀刻处理，并且由此从第二区域R₂移除层压膜4，而层压膜4保留在第一区域R₁中。具体地，优选通过使用形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2上的层压膜4之间的膜质量、相态等的差异，充分移除形成在第二波形表面Sw2上的层压膜4，而形成在第一波形表面Sw1上的层压膜4保持连续连接。因此，导电图案部可以选择性地形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2之中的第一波形表面Sw1上。
此外，优选通过使用形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2上的层压膜4之间的膜质量、相态等的差异，移除形成在第二波形表面Sw2上的层压膜4以处于非连续的岛屿状，而形成在第一波形表面Sw1上的层压膜4保持连续连接。因此，导电图案部可以选择性地形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2之中的第一波形表面Sw1上。
此外，优选通过使用形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2上的层压膜4之间的膜质量、相态等的差异，使形成在第二波形表面Sw2上的层压膜4变薄以具有大大小于形成在第一波形表面Sw1上的层压膜4的厚度的厚度。因此，导电图案部可以选择性地形成在第一波形表面Sw1和第二波形表面Sw2之中的第一波形表面Sw1上。
在第四实施方式中，因为结构3₁和3₂分别形成在第一区域R₁和第二区域R₂上，所以可以增强导电元件1的抗反射特征。在此配置中，优选用作导电图案部的第一区域R₁的层压膜4具有遵循形成在第一区域R₁中的结构3₁的形状的形状。因此，可以抑制卓越的抗反射特征和/或透射特征的效果下降。
经过调制(例如，振幅调制和/或频率调制)的波形表面形成在基板表面上，并且层压板4形成在基板表面上，从而根据基板2的波形表面之间的调制差改变层压膜4的状态。因此，根据基板2的波形表面之间的调制差可以改变层压膜4对抗蚀剂的溶解度。即，通过使用基板2的波形表面之间的调制差，所期望的导电图案部可以形成在基板表面上。
在基板表面的波形表面形成纳米结构的情况下，可以增强能见度和光学特征。在不使光学特征恶化的情况下，可以实现所期望的电阻。
在其中由导电层制成的配线形成在基板表面上的现有信息输入设备(例如，数字电阻式触摸面板或者电容式触摸面板)中，导电层和基础材料具有不同的反射率，因此，配线是可见的并且显示质量趋于恶化。与此相比较，在根据本技术的实施方式的信息输入设备中，无论层压膜4是否存在，都可以实现低反射率和高透射率。因此，可以抑制配线可见。
<5.第五实施方式>
【导电光学元件的配置】
图22A是示出了根据本技术的第五实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图22B是示出了根据本技术的第五实施方式的导电元件的配置实例的截面图。图22C是示出了根据本技术的第五实施方式的导电元件的第一区域的层配置的截面图。在下文中，在导电元件1的电路形成表面的平面上正交于彼此的两个方向分别被称为X轴方向和Y轴方向，并且垂直于电路形成表面的方向被称为Z轴方向。
根据第五实施方式的导电元件1包括具有交替形成的第一区域R₁和第二区域R₂的基板2，并且连续形成的导电层4m在第一区域R₁和第二区域R₂之中的第一区域R₁中形成配线图案部(导电图案部)。例如，导电层4m是具有导电性的单层膜。此处，描述了其中配线图案部形成在作为导电图案部的实例的第一区域R₁中的情况。然而，导电图案部并不局限于配线图案部并且可具有导电性的各种图案，例如，可以形成为电极图案部。
如图22C所示，就减少表面阻抗方面而言，优选邻近于导电层4m形成的金属层5进一步形成在第一区域R₁的基板表面上。例如，导电元件1是印刷电路板、图像显示元件、或者输入元件。印刷电路板的实例包括刚性板、柔性板以及刚柔性板。图像显示元件的实例包括液晶显示元件和场致发光(EL)元件(例如，有机EL元件或者无机EL元件)。
(第一区域R₁和第二区域R₂)
例如，具有等于或者短于可见光波长的波长的波形表面Sw2形成在第二区域R₂的基板表面上，并且导电层4m不形成在波形表面Sw2上或者导电层4m非连续地形成在波形表面Sw2上。例如，波形表面Sw2是具有以等于或者短于可见光波长的布置节距形成的多个结构3的凹凸表面。另一方面，例如，平坦表面Sp1形成在第一区域R1的基板表面上，并且导电层4m连续形成在平坦表面Sp1上。因此，第二区域R₂用作用于形成在相邻第一区域R₁中的导电层4m之间绝缘的绝缘区域。另一方面，在第一区域R1的延伸方向上连续形成在第一区域R₁上的导电层4m具有导电性并且用作配线图案部(导电图案部)。
平坦表面Sp1和波形表面Sw2优选满足下列关系。
(Am1/λm1)＝0,0<(Am2/λm2)≤1.8
(其中，Am1是平坦表面Sp1的振动的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振动的平均幅度，λm1是平坦表面Sp1的平均波长，并且λm2是波形表面Sw2的平均波长。)
此外，如上所述，因为平坦表面Sp1可以被视为具有“0”振动的平均幅度Am1的波形表面，所以可以定义平坦表面Sp1的振动的平均幅度Am1、平均波长λm1以及比率(Am1/λm1)。
当比率(Am2/λm2)高于1.8时，在转印波形表面Sw2时发生剥离失败并且波形表面Sw2趋于损坏。
例如，波形表面Sw2是具有等于或者短于可见光波长的波长的一维或者二维波形表面，具体地，波形表面Sw2是具有以一维方式或者二维方式以等于或者短于可见光波长的布置节距布置的多个结构3的凹凸表面。
波形表面Sw2的平均波长λm2优选在等于或者长于100nm的范围内。当平均波长λm2短于100nm时，则存在波形表面Sw2的产生变得困难的趋势。
此外，波形表面Sw2的平均波长λm2优选在等于或者短于100μm的范围内。当平均波长λm2长于100μm时，则存在在压印和膜形成过程中可能出现高度差和覆盖度等问题的趋势，并且由此可能产生缺陷。
优选导电层4m完全不在第二区域R₂中。然而，只要第二区域R₂用作绝缘区域，则导电层4m可以存在。在这种情况下，优选形成在第一区域R₁中的导电层4m的面积大于形成在第二区域R₂中的导电层4m的面积。具体地，优选导电层4m连续形成在第一区域R₁中，而导电层4m非连续地形成在第二区域R₂中呈岛屿状等。而且，形成在第二区域R₂中的导电层4m的厚度可小于形成在第一区域R₁中的导电层4m的厚度，从而不能充分展示导电性，并且第二区域R₂可用作绝缘区域。
更具体地，优选导电层4m或者其一部分作为残留膜完全不在第二区域R₂中。然而，只要第二区域R₂用作绝缘区域，则导电层4m可以作为残留膜存在。在导电层4m作为残留膜存在于第二区域R₂中的情况下，形成在第一区域R₁中的导电层4m和形成在第二区域R₂中的残留膜优选满足下列关系。
S1>S2
(其中，S1是导电层的面积，并且S2是残留膜的面积。)
在满足该关系的情况下，优选导电层4m连续形成在第一区域R₁中，而残留膜非连续地形成在第二区域R₂中呈岛屿状等。
而且，在残留膜存在于第二区域R₂中的情况下，形成在第一区域R₁中的导电层4m和形成在第二区域R₂中的残留膜优选满足下列关系。
d1>d2
(其中，d1是导电层的厚度，并且d2是残留膜的厚度。)
在满足该关系的情况下，优选残留膜的厚度小于导电层4m的厚度，从而不能充分展示导电性，并且第二区域R₂用作绝缘区域。
在图22A中，示出了其中导电层4m连续形成在第一区域R₁中的实例，即，配线具有直线形状。然而，配线形状并不局限于此并且根据电路设计等可以是所期望的形状。而且，在导电层4m非连续地形成在第二区域R₂中的情况下，导电层4m并不用作配线。因此，省去了对导电层4m的说明。即，省去了对残留膜的说明。
例如，波形表面Sw2的截面的形状在一个方向上被切割成包括其中波形表面Sw2的振动幅度为最大化的位置，波形表面Sw2的截面的形状是三角形波形形状、正弦波形形状、其中重复二次曲线或者二次曲线的一部分的波形形状、或者近似上述形状的形状。二次曲线可以是圆曲线、椭圆曲线、抛物曲线等。
优选波形表面Sw2的振动的平均幅度Am2与平均波长λm2的比率(Am2/λm2)等于或者小于1.8。当比率(Am2/λm2)高于1.8时，在转印结构时发生剥离失败并且结构趋于损坏。
此处，如下获得波形表面Sw2的平均波长λm2和振动的平均幅度Am2。首先，导电元件1在一个方向上被切割成包括其中导电层4m的波形表面Sw2的振动幅度为最大化的位置，并且通过透射式电子显微镜(TEM)对切割表面进行拍照。接着，从所拍摄的TEM照片获得波形表面Sw2的振动的波长λ2和幅度A2。在从导电元件1随机选择的10个点上重复执行该测量，并且简单取测量值的平均值(算数平均值)，从而获得波形表面Sw2的平均波长λm2和振动的平均幅度Am2。接着，通过使用平均波长λm2和振动的平均幅度Am2获得波形表面Sw2的比率(Am2/λm2)。
在下文中，将顺次描述导电元件1中包括的基板2、结构3、导电层4m以及金属层5。
(基板)
基板2与上述所述第一实施方式中的基板相同。
(结构)
例如，多个结构3作为凸起部布置在第二区域R₂中的基板2的表面上。因此，波形表面Sw2形成在第二区域R₂中的基板2的表面上。例如， 结构3独立于基板2被模制或者与基板2一体化模制。在结构3独立于基板2被模制的情况下，根据需要，基础层可以设置在结构3与基板2之间。基础层是在结构3的底部表面侧上的与结构3一体化模制的层，并且通过将相同的能量射线固化型树脂组合物固化成结构3而形成。基础层的厚度不受具体限制并且可根据需要进行适当的选择。
结构3的长宽比(Hm/Pm)优选满足下列关系。
0<(Hm/Pm)≤1.8
(其中，Hm是结构3的平均高度，并且Pm是结构3的平均布置节距。)
当比率(Hm/Pm)高于1.8时，在转印结构3时发生剥离失败并且结构3趋于损坏。
(导电层)
例如，导电层4m是透明导电层。例如，透明导电层是无机透明导电膜。例如，导电层4m是单层膜。
无机透明导电膜优选包含透明氧化物半导体作为其主要成分。例如，作为透明氧化物半导体，可以使用诸如SnO₂、InO₂、ZnO、或者CdO等二元化合物、包含二元化合物的组成元素的Sn、In、Zn以及Cd之中的至少一种元素的三元化合物、或者多元素(复合)氧化物。透明氧化物半导体的具体实例的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZO(Al₂O₃-ZnO))、SZO、掺氟氧化锡(FTO)、二氧化锡(SnO₂)、掺镓氧化锌(GZO)以及氧化铟锌(IZO(In₂O₃-ZnO))。具体地，就增强可靠性、减少电阻系数等方面而言，优选氧化铟锡(ITO)。无就增强导电性方面而言，机透明导电膜中包括的材料优选具有不定形和多晶结构的混合态。
作为导电层4m中包括的材料可以包括金属膜。例如，作为金属膜的材料，可以使用选自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti以及Cu组成的组中的至少一种类型。而且，导电层4m可包含选自于由导电聚合物、金属纳米颗粒以及碳纳米管组成的组中的至少一种类型作为其主要成分。
优选第一区域R₁中的导电层4m的表面阻抗等于或者小于5000Ω/□。当表面阻抗高于5000Ω/□时，阻抗过度增加，因此，导电层4m趋于不用作电极。
<6.第六实施方式>
【导电元件的配置】
图23A是示出了根据本技术的第六实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图23B是示出了根据本技术的第六实施方式的导电元件的配置实例的截面图。图23C是示出了根据本技术的第六实施方式的导电元件的第一区域的层配置的截面图。根据第六实施方式的导电元件1与第五实施方式的导电元件的不同在于通过使用形成在第一区域R₁中的第一波形表面Sw1与形成在第二区域R₂中的第二波形表面Sw2之间的差异(例如，振动的平均幅度之间的差)来改变形成在第一区域R₁和第二区域R₂中的导电层4m的蚀刻速率而形成配线图案部等。
(第一区域和第二区域)
例如，具有等于或者短于可见光波长的波长的第二波形表面Sw2形成在第二区域R₂的基板表面上，并且导电层4m不形成在第二波形表面Sw2上或者导电层4m非连续地形成在第二波形表面Sw2上。形成在第二区域R₂中的导电层4m的厚度可小于形成在第一区域R₁中的导电层4m的厚度，从而不能充分展示导电性，并且第二区域R₂可用作绝缘区域。例如，具有等于或者短于可见光波长的波长的第一波形表面Sw1形成在第一区域R₁的基板表面上，并且导电层4m连续形成在第二波形表面Sw1上。因此，第二区域R₂用作用于形成在相邻第一区域R₁中的导电层4m之间绝缘的绝缘区域。另一方面，在第一区域R₁的延伸方向上连续形成在第一区域R₁上的导电层4m具有导电性并且用作配线图案部(导电图案部)。
例如，第一波形表面Sw1是具有以等于或者短于可见光波长的布置节距形成的多个第一结构31的凹凸表面。例如，第二波形表面Sw2是具有以等于或者短于可见光波长的布置节距形成的多个第二结构3₂的凹凸表面。此外，如图23C所示，就减少表面阻抗方面而言，优选金属层5进一步形成在基板表面上。
优选导电层4m形成在第一区域R₁中以遵循第一结构3₁的表面形状，从而并不阻碍第一结构3₁的抗反射效果，因此，第一结构3₁和导电层4m 的表面形状彼此相似。这是因为通过抑制由导电层4m引起的折射指数分布的变化可以保留卓越的抗反射特征和/或透射特征。导电层4m中包括的材料优选具有不定形和多晶结构的混合态。这是因为即使在第一结构3₁的高度较低的情况下，也可以使导电层4m形成并不阻碍第一结构3₁的抗反射效果的厚度。即，这是因为即使在第一结构3₁的高度较低的情况下，导电层4m也可以保留遵循第一结构3₁的形状的形状。
优选第二波形表面Sw2的振动的平均幅度Am2与平均波长λm2的比率(Am2/λm2)高于第一波形表面Sw1的振动的平均幅度Am1与平均波长λm1的比率(Am1/λm1)。这是因为出于上述原因可以实现光学特征和电选择性。优选第二波形表面Sw2的振动的平均幅度Am2与平均波长λm2的比率(Am2/λm2)等于或者小于1.8。当比率(Am2/λm2)高于1.8时，在转印第二结构3₂时发生剥离失败并且第二结构3₂趋于损坏。优选第二波形表面的振动的平均幅度Am2高于第一波形表面的振动的平均幅度Am1。
此外，第一波形表面Sw1的平均波长λm1和波形表面Sw2的平均波长λm2优选等于或者长于100nm。当平均波长λm1和λm2短于100nm时，则存在波形表面Sw2的产生变得困难的趋势。第一波形表面Sw1的平均波长λm1和波形表面Sw2的平均波长λm2优选在等于或者短于100μm的范围内。当平均波长λm1和λm2长于100μm时，则存在在压印和膜形成过程中可能产生高度差和覆盖度等问题的趋势，并且由此可能产生缺陷。
第二结构3₂的平均长宽比优选高于第一结构3₁的平均长宽比。优选第一结构3₁的平均布置节距Pm1、平均高度Hm1以及平均长宽比(Hm1/Pm1)分别与第一波形表面Sw1的平均波长λm1、振动的平均幅度Am1、比率(Am1/λm1)相同。优选第二结构3₂的平均布置节距Pm2、平均高度Hm2以及平均长宽比(Hm2/Pm2)分别与第二波形表面Sw2的平均波长λm2、振动的平均幅度Am2以及比率(Am2/λm2)相同。
具体地，优选第二波形表面Sw2的振动的平均幅度Am2与平均波长λm2的比率(Am2/λm2)高于第一波形表面Sw1的振动的平均幅度Am1与平均波长λm1的比率(Am1/λm1)。这是因为出于上述原因可以实现光 学特征和电选择性。具体地，比率(Am1/λm1)和比率(Am2/λm2)优选满足下列关系。
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≤1.8
(其中，Am1是波形表面Sw1的振动的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振动的平均幅度，λm1是波形表面Sw1的平均波长，并且λm2是波形表面Sw2的平均波长。)
当比率(Am2/λm2)高于1.8时，在转印波形表面Sw2时发生剥离失败并且波形表面Sw2趋于损坏。
此处，以与第一实施方式中的波形表面Sw2相同的方式测量波形表面Sw1的比率(Am1/λm1)。
可以独立选择波形表面Sw1和Sw2的形状、波长以及振动幅度。具体地，例如，波形表面Sw1和Sw2可独立采用一维或者二维波形表面。而且，波形表面Sw1和Sw2的波长和振动幅度可独立采用纳米级或者微米级的波长和振动幅度。
优选导电层4m的一部分作为残留膜完全不在第二区域R₂中。然而，只要第二区域R₂用作绝缘区域，则导电层4m的该部分可以作为残留膜存在。在这种情况下，优选形成在第一区域R₁中的导电层4m的面积大于形成在第二区域R₂中的导电层4m或者其该部分的面积。具体地，优选导电层4m连续形成在第一区域R₁中，而导电层4m或者其该部分非连续地形成在第二区域R₂中呈岛屿状等。而且，形成在第二区域R₂中的导电层4m或者其该部分的厚度可小于形成在第一区域R₁中的导电层4m的厚度，从而不能充分展示导电性，并且第二区域R₂可用作绝缘区域。
(结构)
例如，如同形成在第二区域R₂中的第二结构3₂，形成在第一区域R₁中的第一结构3₁形成诸如六角形晶格图案、准六角形晶格图案、四角形晶格图案、或者准四角形晶格图案等规则的晶格图案。此外，如上所述，第一结构3₁可以随机布置。此外，第一区域R₁和第二区域R₂中的第一结构3₁和第二结构3₂的布置图案不一定相同并且两个区域中的结构可采用不同的布置图案。
例如，第一波形表面Sw1是具有以等于或者短于可见光波长的布置节距形成的多个第一结构3₁的凹凸表面。例如，第二波形表面Sw2是具有 以等于或者短于可见光波长的布置节距形成的多个第二结构3₂的凹凸表面。优选第二结构3₂的平均长宽比(Hm2/Pm2)高于第一结构3₁的平均长宽比(Hm1/Pm1)。具体地，第一结构3₁和第二结构3₂优选满足下列关系。
0<(Hm1/Pm1)<(Hm2/Pm2)≤1.8
(其中，Hm1是第一结构3₁的平均高度，Hm2是第二结构3₂的平均高度，Pm1是第一结构3₁的平均布置节距，并且Pm2是第二结构3₂的平均布置节距。)
当比率(Hm2/Pm2)高于1.8时，在转印第二结构3₂时发生剥离失败并且第二结构3₂趋于损坏。
此处，以与第一实施方式中的长宽比(Hm/Pm)相同的方式测量第一结构3₁的长宽比(Hm1/Pm1)和第二结构3₂的长宽比(Hm2/Pm2)。
第一结构3₁和第二结构3₂可以与第五实施方式中的结构3相同，但上述特征除外。此外，第一结构3₁和第二结构3₂的布置图案、形状等可能不一定相同并且这两种类型的结构可采用不同的布置图案、形状等。
<7.第七实施方式>
【导电元件的配置】
图24A是示出了根据本技术的第七实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图24B是示出了图24A中所示的导电元件的一部分的放大截面图。如图24B所示，导电元件10包括基板2；形状层6，形状层6具有设置在基板2的表面上的平坦表面Sp1、波形表面Sw2以及波形表面Sw3；第一层4₁，第一层4₁设置在平坦表面Sp1上；以及第二层4₂，第二层4₂设置在波形表面Sw2上。在下文中，其中形成形状层6的第一表面被适当地称为前表面，并且其对侧上的第二表面被适当地称为后表面。
导电元件10具有带状形状并且卷绕成辊形状以用作母盘。导电元件10优选具有柔性。这是因为由于带状导电元件被辊压成辊形状以用作母盘，所以出于此原因增强可运输性和可操纵性。带状导电元件10具有重复设置的多个导电元件1，并且通过对带状导电元件10的预定区段进行冲压，获得多个导电元件1。例如，导电元件1是诸如印刷电路板等配线元件并且适当地用于各种类型的电子设备中。
例如，如图24A所示，导电元件10具有一个或者多个周期的转印区域(单元区域)T_E。此处，一个周期的转印区域T_E是通过将后面所描述的辊母盘旋转一周而转印的一个区域。即，一个周期的转印区域T_E的长度对应于辊母盘的圆周表面的长度。在相邻两个转印区域T_E之间的边界部分中，优选形状层6的凹凸形状之间不存在不一致并且两个转印区域T_E无缝连接。这是因为出于上述原因获得具有卓越特征和外观的导电元件10。此处，不一致指诸如结构3₂和结构3₃的凹凸形状等实际配置是不连续的。不一致的具体实例的实例包括转印区域T_E中包括的预定凹凸图案的周期紊乱以及相邻单元区域之间的重叠、间隙以及未转印部。
(基板)
基板2的材料不受具体限制并且可以进行适当的选择。例如，也可以使用塑料材料、玻璃材料、金属材料以及金属化合物材料(例如，陶瓷、磁体以及半导体)。塑料材料的实例包括三乙酰纤维素、聚乙烯醇、环烯烃聚合物、环烯烃共聚物、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、甲基丙烯酸树脂、尼龙、聚缩醛、氟树脂、酚醛树脂、聚亚安酯、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、密胺树脂、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚酰胺亚胺以及甲基丙烯酸甲酯(共)聚物。玻璃材料的实例包括钠钙玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃以及液晶玻璃。金属材料和金属化合物材料的实例包括硅、氧化硅、蓝宝石、氟化钙、氟化镁、氟化钡、氟化锂、硒化锌以及溴化钾。
例如，基板2的形状可采用片形状、板形状、或者块形状，但不特别局限于这些形状。此处，定义片形状包括膜形状。优选基板2具有作为整体的带状形状并且转印区域T_E作为单元区域连续形成在基板2的长度方向上。例如，作为基板2的前表面和后表面的形状，可以使用平坦表面和弯曲表面中的任一种。前表面和后表面均可以是平坦表面或者弯曲表面，或者前表面和后表面中的一个可以是平坦表面并且另一个可以是弯曲表面。
基板2对能量射线具有不可透过性以用于固化形成形状层6的能量射线固化型树脂组合物。在本说明书中，能量射线指用于固化形成形状层6 的能量射线固化型树脂组合物的能量射线。例如，通过印刷、涂覆、真空膜形成等，装饰层或者功能层可以形成在基板2的表面上。
基板2具有单层结构或者层压结构。此处，层压结构是其中层压两个以上的层的层压结构，并且层压结构中的至少一个层是对能量射线具有不可透过性的非透射层。形状层压结构的方法的实例包括一种通过熔融、表面处理等而直接使各个层粘合的方法和一种经由诸如粘附层或者粘层等粘合层使各个层粘合的方法。然而，该方法不受具体的限制。粘合层可包含诸如吸收能量射线的颜料等材料。此外，在基板2具有层压结构的情况下，可以将对能量射线具有不可透过性的非透射层和对能量射线具有可透过性的透射层进行组合。而且，在基板2包括两个或者多个非透射层的情况下，各层具有不同的吸收性能。
例如，作为透射层的材料，可以使用诸如丙烯酸树脂涂覆材料等透明有机膜、透明金属膜、无机膜、金属化合物膜、或者其层压体。然而，该材料不受具体限制。例如，作为非透射层的材料，可以使用诸如包含颜料的丙烯酸树脂涂覆材料的有机膜、金属膜、金属化合物膜、或者其层压体。然而，该材料不受具体限制。例如，作为颜料，可以使用诸如碳黑的具有光吸收性能的材料。
图25A至图25E是分别示出了基板的第一实例至第五实例的截面图。
(第一实例)
如图25A所示，基板2具有单层结构，并且整个基板是对能量射线具有不可透过性的非透射层。
(第二实例)
如图25B所示，基板2具有双层结构并且包括对能量射线具有不可透过性的非透射层2a和对能量射线具有可透过性的透射层2b。非透射层2a设置在后表面侧上，并且透射层2b设置在前表面侧上。
(第三实例)
如图25C所示，基板2具有双层结构并且包括对能量射线具有不可透过性的非透射层2a和对能量射线具有可透过性的透射层2b。非透射层2a设置在前表面侧上，并且透射层2b设置在后表面侧上。
(第四实例)
如图25D所示，基板2具有三层结构，并且包括对能量射线具有可透过性的透射层2b和形成在透射层2b的两个主表面上并且对能量射线具有不可透过性的非透射层2a,2a。一个非透射层2a设置在后表面侧上，并且另一个非透射层2a设置在前表面侧上。
(第五实例)
如图25E所示，基板2具有三层结构，并且包括对能量射线具有不可透过性的非透射层2a和形成在非透射层2a的两个主表面上并且对能量射线具有可透过性的透射层2b,2b。一个透射层2b设置在后表面侧上，并且另一个透射层2b设置在前表面侧上。
(形状层)
形状层6具有这样一种表面，即，具有预定凹凸图案的转印区域T_E连续形成在这种表面上。例如，形状层6是其中多个结构3₂和结构3₃以二维方式布置在其中的层(根据需要)并且可包括介于结构3₂和3₃与基板2之间的基础层8。基础层8是在结构3₂和3₃的底部表面侧上与结构3₂和3₃被一体化模制的层并且通过固化与结构3₂和3₃的相同能量射线固化型树脂组合物而形成。基础层8的厚度不受具体限制并且可根据需要进行适当选择。例如，多个结构3₂和结构3₃被布置成在基板2的表面上形成多行轨迹T。例如，被布置成形成多行轨迹T的多个结构3₂和结构3₃可形成诸如四角形晶格图案或者六角形晶格图案等预定的规则布置图案。结构3₂和3₃的高度可在基板2的表面上规则或者不规则地变化。
优选底涂层设置在基板2与形状层6之间以改进其间的粘附层。例如，作为底涂层，可以使用丙烯酸类表面处理剂或者硅烷偶联剂。
通过固化能量射线固化型树脂组合物形成形状层6。优选通过对被涂布到基板2上的能量射线固化型树脂组合物执行诸如聚合等固化反应而在基板2对侧的方向上形成形状层6。这是因为出于上述原因对能量射线具有不可透过性的基板可用作基板2。优选在不引起能量射线固化型树脂组合物的固化度的不一致的情况下连接转印区域T_E。例如，能量射线固化型树脂组合物的固化度的不一致是聚合度的差异。
能量射线固化型树脂组合物是通过使用能量射线进行照射而固化的树脂组合物。能量射线指诸如电子射线、紫外线、红外线、激光束、可见射线、电离辐射(X-射线、α-射线、β-射线、γ-射线等)、微波、或者 高频波等触发自由基(radical)、阳离子以及阴离子聚合的能量射线。能量射线固化型树脂组合物可以与根据需要所使用的另一树脂混合并且还可以与诸如所使用的热固型树脂等另一固化树脂混合。能量射线固化型树脂组合物还可以是有机-无机混合材料。此外，可以混合所使用的两种以上类型的能量射线固化型树脂组合物。作为能量射线固化型树脂组合物，优选使用通过紫外线进行固化的紫外射线固化型树脂。例如，作为紫外射线固化型树脂，可以使用丙烯酸类、甲基丙烯酸类、或者环氧类紫外射线固化型树脂。
此外，作为形状层6的材料，除上述所述能量射线固化型树脂组合物之外，可以使用在进行烘烤之后能够获得无机膜的材料(例如，具有耐热性的和全氢聚硅氮烷)、硅酮类树脂材料等。
而且，能量射线固化型树脂组合物可根据需要包含填充物、功能添加剂、溶剂、无机材料、颜料、抗静电剂、增感染料等。例如，作为填充物，可以使用无机细微颗粒和有机细微颗粒中的任一种。无机细微颗粒的实例包括诸如SiO₂、TiO₂、ZrO₂、SnO₂以及Al₂O₃等金属氧化物细微颗粒。功能添加剂的实例包括匀染剂、表面调整剂、吸附剂以及防起泡剂。
【转印装置的配置】
图26是示出了根据本技术的第七实施方式的转印装置的配置的实例的示意图。转印装置包括辊母盘11、基板供应辊111、卷绕辊112、导向辊113和114、轧辊115、剥离辊116、涂布设备117以及能量射线源110。
基板供应辊111被设置成使得具有片形状等的基板2围绕基板供应辊111卷绕成辊形状并且经由导向辊113连续馈给基板2。卷绕辊112被设置成使得具有通过转印装置将均匀形状转印至其上的形状层6的基板2围绕卷绕辊112卷绕。导向辊113和114设置在转印装置的运输路径上以传输带状基板2。轧辊115被设置成使得从基板供应辊111馈给并且将能量射线固化型树脂组合物涂布给其的基板2夹持在轧辊115与辊母盘11之间。辊母盘11具有用于形成形状层6的转印表面并且其中包括单个或者多个能量射线源110。后面将描述辊母盘11的细节。剥离辊116被设置成使得通过固化能量射线固化型树脂组合物而获得的形状层6被从辊母盘11的转印表面剥离。
基板供应辊111、卷绕辊112、导向辊113和114、轧辊115以及剥离辊116的材料不受具体限制，并且可根据期望的辊特征适当地选择所使用的诸如不锈金属、橡胶、硅树脂等。例如，作为涂布设备117，可以使用具有诸如涂覆机等涂布单元的设备。例如，作为涂覆机，考虑到所涂布的能量射线固化型树脂组合物的性能，可以适当使用诸如凹版式涂覆机、线锭、或者模式涂覆机等涂覆机。
【辊母盘的配置】
例如，辊母盘11是具有圆柱形状的母盘并且包括形成在前表面上的转印表面Sp和形成在前表面对侧上的内部上的内圆周表面的后表面Si。例如，在辊母盘11中，柱状中空部由后表面Si形成，并且中空部中可包括单一或者多个能量射线源110。例如，多个凹入或者凸起结构形成在转印表面Sp上，并且通过将结构形状转印至被涂布到基板2上的能量射线固化型树脂组合物，形状层6形成在基板2的表面上。即，具有基板2的形状层6的凹凸形状的倒置形状的图案形成在转印表面Sp上。
辊母盘11被配置成对通过能量射线源110发射的能量射线具有可透过性，从而使得通过能量射线源110发射并且入射到后表面Si上的能量射线穿过转印表面Sp。通过穿过转印表面Sp的能量射线对被涂布到基板2上的能量射线固化型树脂组合物118进行固化。只要该材料对能量射线具有可透过性，则辊母盘11的材料不受具体限制。作为对紫外线具有可透过性的材料，优选使用玻璃、石英、透明树脂、有机-无机混合材料等。透明树脂的实例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯(PC)。有机-无机混合材料的实例包括聚二甲硅氧烷(PDMS)。具有透明度的金属膜、金属化合物膜、或者有机膜可以形成在辊母盘11的转印表面Sp和后表面Si的至少一个上。
单个或者多个能量射线源110被支撑在辊母盘11的中空部中，从而朝向被涂布在基板2上的能量射线固化型树脂组合物118发射能量射线。在辊母盘11包括多个能量射线源110的情况下，能量射线源110优选被布置成形成一行或者两行或多行。能量射线源可以是发射诸如电子射线、紫外线、红外线、激光束、可见光学、电离辐射(X-射线、α-射线、β-射线、γ-射线等)、微波、或者高频波等能量射线的能量射线源并且不受具体限制。例如，作为能量射线源的形式，可以使用点光源或者线性光源。 然而，该形式不特别局限于此，并且还可以使用点光源和线性光源的组合。在点光源用作能量射线源的情况下，多个点光源被优选布置成直线形状以形成线性光源。线性光源被优选布置成平行于辊母盘11的旋转轴。发射紫外线的能量射线源的实例包括低压汞灯、高压汞灯、短弧放电灯、紫外射线发射式二极管、半导体激光器、荧光灯、有机场致发光设备、无机场致发光设备、发光二极管以及光纤。然而，能量射线源不特别局限于此。而且，裂缝可进一步设置在辊母盘11中，因此，通过能量射线源110发射能量射线经由裂缝照射能量射线固化型树脂组合物118。此时，通过吸收能量射线产生的热可对能量射线固化型树脂组合物118进行固化。
在第七实施方式中，不同于上述所述配置的配置与第一实施方式中的配置相同。
【制造导电元件的方法】
图27A至图27E是示出了制造根据本技术的第七实施方式的导电元件的方法的实例的过程图。
首先，以与如上所述的第一实施方式相同的方式执行从“抗蚀剂形成处理”至“蚀刻处理”的各个处理，从而生产图27A中所示的辊母盘11。
(射线源布置处理)
接着，如图27B所示，单个或者多个能量射线源110被布置在辊母盘11的容纳空间内(中空部)。优选能量射线源110被布置成平行于辊母盘11的宽度方向Dw或者旋转轴1的轴向方向。
(底涂层形成处理)
接着，根据需要，在将能量射线固化型树脂组合物118涂布到其上的基板2的表面上执行诸如电晕处理、等离子处理、火焰处理、UV处理、臭氧处理、或者喷砂处理等表面处理。接着，将表面处理剂涂布到基板2的表面上并且根据需要进行干燥和/或固化，从而在基板2的表面上形成底涂层。例如，作为表面处理剂，可以使用通过使用乙酸丁酯、或者硅烷偶联剂对丙烯酸类表面处理剂等进行稀释获得的处理溶液。
(转印处理)
接着，如图27C所示，能量射线固化型树脂组合物118被涂布或者印刷在长的基板2上或者辊母盘11上。例如，应用方法不受具体限制，可以对基板或者母盘使用制陶、旋涂法、凹版涂覆法、模涂覆法、棒涂覆法 等。例如，作为印刷方法，可以使用凸版印刷法、胶版印刷法、凹版印刷法、凹雕印刷法、橡胶板印刷法、或者丝网印刷法。接着，根据需要，可以执行诸如溶剂移除或者预烘烤等加热处理。
接着，如图27D所示，在辊母盘11旋转的同时，转印表面Sp与能量射线固化型树脂组合物118紧密接触，并且允许通过辊母盘11中的能量射线源110发射的能量射线从辊母盘11的转印表面Sp的一侧照射能量射线固化型树脂组合物118。因此，能量射线固化型树脂组合物118被固化，从而形成形状层6。具体地，能量射线固化型树脂组合物118的固化反应从辊母盘11的转印表面Sp侧朝向基板2的表面侧顺次进行，并且所涂布或者印刷的能量射线固化型树脂组合物118的全部被固化，从而形成形状层6。例如，通过调整辊母盘11针对基板2的表面的压力可以选择是否存在基础层8或者基础层8的厚度。接着，形成在基板2上的形状层6从辊母盘11的转印表面Sp剥离。因此，如图27E所示，形状层6形成在基板2的表面上。在转印处理中，按照上述所述方式，在带状基板2的长度方向用作辊母盘11的旋转方向时转印凹凸形状。之后，还可以执行诸如预固化等处理。
此处，将详细描述使用图26中所示的转印装置的转印处理。
首先，从基板供应辊111馈给长基板2，并且所馈给的基板2穿过涂布设备117下方。接着，通过基板2穿过涂布设备117下方的涂布设备117涂布能量射线固化型树脂组合物118。接着，将能量射线固化型树脂组合物118涂布给其的基板2经由导向辊113被运输到辊母盘11。
接着，被运输的基板2夹持在辊母盘11与轧辊115之间，从而不使气泡透过在基板2与能量射线固化型树脂组合物118之间。之后，基板2被沿着辊母盘11的转印表面Sp运输，而能量射线固化型树脂组合物118与辊母盘11的转印表面Sp紧密接触，并且使通过单个或者多个能量射线源110发射的能量射线经由辊母盘11的转印表面Sp照射能量射线固化型树脂组合物118。因此，能量射线固化型树脂组合物118被固化，从而形成形状层6。接着，形状层6通过剥离辊116从辊母盘11的转印表面Sp剥离，从而获得具有形成在其中的形状层6的长基板2。接着，所获得的基板2经由导向辊114被运输给卷绕辊112，并且长基板2围绕卷绕辊112卷绕。因此，获得长基板2围绕其卷绕的母盘。
接着，以与如上所述第一实施方式相同的方式执行从“层压膜形成处理”至“清洁处理”的各个处理，从而获得图24A中所示的带状导电元件10。接着，根据需要，通过将带状导电元件10冲压成预定形状，获得导电元件1。
此处，在“转印处理”中可不使基板2卷绕，并且还可以连续执行按照辊到辊方式的自“层压膜形成处理”至“清洁处理”的各种处理。
此外，根据如上所述第二至第五实施方式并且根据下面即将描述的第十和第十一实施方式的导电元件可采用第七实施方式中的基板2的配置。当采用该配置时，作为制造导电元件的方法，优选使用第七实施方式中制造导电元件的方法。
<8.第八实施方式>
图28是示出了根据本技术的第八实施方式的转印装置的配置的实例的示意图。转印装置包括辊母盘11、涂布设备117以及运输台阶121。在第八实施方式中，与第七实施方式中类似的元件以类似参考标号表示，并且将省去其相关描述。运输台阶121被配置为在箭头a的方向上运输放置在运输台阶121栅的基板2。
接着，将描述具有如上配置的转印装置的操作的实例。
首先，通过基板2穿过涂布设备117下方的涂布设备117涂布能量射线固化型树脂组合物118。接着，将能量射线固化型树脂组合物118涂布给其的基板2被运输到辊母盘11。接着，能量射线固化型树脂组合物118被运输且与辊母盘11的转印表面Sp紧密接触，并且使通过设置在辊母盘11中的单个或者多个能量射线源110发射的能量射线经由辊母盘11的转印表面Sp照射能量射线固化型树脂组合物118。因此，能量射线固化型树脂组合物118被固化，从而形成形状层6。接着，通过在箭头a的方向上运输运输台阶，形状层6从辊母盘11的转印表面Sp剥离。因此，获得具有形成在其中的形状层6并且较长的基板2。接着，根据需要，按照如上所述方式获得所期望的基板2。
<9.第九实施方式>
图29是示出了根据本技术的第九实施方式的转印装置的配置的实例的示意图。转印装置包括辊131、132、134以及135、作为带母盘的压花带133、平带136、单个或者多个能量射线源110、以及涂布设备117。在 第九实施方式中，与第七实施方式中类似的元件以类似参考标号表示，并且将省去其相关描述。
例如，压花带133是带母盘的实例、具有环形形状、并且具有以一维方式布置在外圆周表面上的多个结构。压花带133对能量射线具有可透过性。平带136具有环形形状并且其外圆周表面是平坦表面。基板2的厚度周围的间隙形成在压花带133与平带136之间，因此，将能量射线固化型树脂组合物118涂布给其的基板2可以在各个带之间传送。
辊131和132被设置成彼此分离，并且压花带133的内圆周表面由辊131和132支撑，因此，压花带133保持伸长的椭圆形状。通过使设置在压花带133内部上的辊131和132旋转，压花带133旋转。
辊134和辊135被设置成分别与辊131和辊132相对。平带136的内圆周表面由辊134和135支撑，因此，平带136保持伸长的椭圆形状。通过使设置在平带136内部上的辊134和135旋转，平带136旋转。
单个或者多个能量射线源110设置在压花带133的内部上。单个或者多个能量射线源110保持朝向在压花板133与平带136之间传送的基板2发射能量射线。优选诸如线性光源等能量射线源110被设置成平行于压花带133的宽度方向。只要其设置在由压花带133的内圆周表面形成的空间内，则所设置的能量射线源110的位置不受具体限制。例如，能量射线源110可以设置在辊131和辊132的至少一个的内部中。在这种情况下，优选辊131和辊132由对能量射线具有可透过性的材料形成。
接着，将描述具有如上配置的转印装置的操作的实例。
首先，通过穿过涂布设备117下方的基板2上的涂布设备117涂布能量射线固化型树脂组合物118。接着，将能量射线固化型树脂组合物118涂布给其的基板2从辊131和134的一侧被运输到旋转的压花带133与平带136之间的间隙内。因此，压花带133的转印表面开始与能量射线固化型树脂组合物118紧密接触。接着，在保持紧密接触状态的同时，使通过能量射线源110发射的能量射线经由压花带133照射能量射线固化型树脂组合物118。因此，能量射线固化型树脂组合物118被固化，从而在基板2上形成形状层6。接着，压花带133从形状层6剥离。因此，获得所期望的基板2。
<10.第十实施方式>
图30A是示出了根据本技术的第十实施方式的导电元件的配置实例的截面图。根据第十实施方式的导电元件1与第一实施方式的不同在于平坦表面Sp1、波形表面Sw2以及波形表面Sw3形成在基板2的各个主表面上并且导电图案部形成在基板的各个表面上。在图30A中，基板的两个主表面上的平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3的位置、面积、形状以及布置顺序相同。然而，基板的两个主表面上的平坦表面Sp1以及波形表面Sw2和Sw3的位置、面积、形状以及布置顺序并不局限于上述实例并且可根据电路和元件的设计被设置成所期望的位置、面积、形状以及布置顺序。
此外，如图30B所示，通孔形成在基板2的平坦表面Sp1中，并且诸如导电油墨等导电材料7被埋入通孔中，因此，诸如形成在基板2的两个表面上的电路等导电图案部电连接至彼此。通孔并不局限于平坦表面Sp1并且还可设置在波形表面Sw2中。在基板2的两个主表面上的平坦表面Sp1和波形表面Sw2被设置成彼此相对的情况下，通过通孔透过平坦表面Sp1和波形表面Sw2，因此，形成在基板2的两个表面上的导电图案部电连接至彼此。
例如，如下可以生产具有上述配置的基板2。首先，在运输带状基板2的同时，将能量射线固化型树脂组合物涂布给其两个表面。接着，设置在基板2的两个表面上的旋转母盘(例如，辊母盘或者带母盘)的转印表面与能量射线固化型树脂组合物紧密接触，并且使来自旋转母盘中的能量射线源的能量射线照射能量射线固化型树脂组合物。因此，能量射线固化型树脂组合物被固化，从而在基板2的两个表面上形成形状层6。此外，两个旋转母盘可以被设置成彼此相对且基板2插入在两个旋转母盘之间，因此，其形状被转印至能量射线固化型树脂组合物中，而基板2夹持在两个母盘之间。
在第十实施方式中，因为导电图案部形成在基板2的两个表面上，所以可将不同于第一实施方式的大量电路安装在导电元件1中。
<11.第十一实施方式>
图31A是示出了设置在根据本技术的第十一实施方式中的导电元件中的基板的第一实例的截面图。图31B是示出了设置在根据本技术的第十一实施方式的导电元件中的基板的第二实例的截面图。根据第十一实施方 式的导电元件1与根据第一或者第十实施方式的导电元件1的不同在于形状层6对能量射线具有不可透过性。例如，通过将能量射线固化型树脂组合物添加到诸如吸收能量射线的颜料等材料中可以形成具有该不可透过性的结构3。
第十一实施方式与第一或者第十实施方式相同，但上述特征除外。
<12.第十二实施方式>
图32A是示出了根据本技术的第十二实施方式的导电元件的配置实例的平面图。图32B是沿着图32A中所示的线B-B截取的截面图。图33A是示出了图32B中所示的第一区域的一部分的放大截面图。图33B是示出了图32B中所示的第二区域的一部分的放大截面图。图33C是示出了图32B中所示的第三区域的一部分的放大截面图。根据第十二实施方式的导电元件1与第一实施方式中的导电元件1的不同在于结构3₁和结构3₂相对于基板2的表面凹入。此外，在结构3₁和结构3₂之中，其中一个可以凹入，而其另一个凸起。在第二区域R₂和第三区域R₃中，可以混合具有凹入形状和凸起形状的结构3₁和3₂。
第十二实施方式与第一实施方式相同，但上述特征除外。
在第十二实施方式中，将第一实施方式中的凸起结构3₂和3₃的形状倒置成凹入形状，并且由此可以获得与第一实施方式相同的效果。
【实例】
在下文中，将根据实例详细描述本技术，但是，本技术并不仅局限于实例。
在下列实例、比较例以及参考例中，通过四端阻抗测量设备测量导电片的表面阻抗。此外，探针头针的直径为R100μm，并且针的节距为1μm。
(实例1)
(转印处理)
首先，如图34A所示，制备其中平坦表面区域(第一区域)R₁和纳米结构形成区域(第二区域)R₂在模制表面上形成条纹图案的辊母盘。接着，将多个UV光源布置在辊母盘的中空部中。
接着，通过使用乙酸丁酯对硅烷偶联剂进行稀释来制备表面处理溶液。接着，通过已制备的表面处理溶液来处理由聚酰亚胺制成的薄片的表面，从而形成底涂层。
接着，将紫外射线固化型树脂涂布到设置有底涂层的薄片的表面上。接着，在使辊母盘旋转的同时，将其转印表面带至与对其涂布紫外射线固化型树脂的薄片紧密接触，并且通过100mJ/cm²功率的紫外线从辊母盘的转印表面侧照射紫外射线固化型树脂以进行固化和剥离。因此，获得其中多个凸起纳米结构形成在薄片的表面上的纳米结构形成区域(第二区域)R₂中并且平坦表面形成在平坦表面区域(第一区域)R₁中的光学片。结构的布置节距为250nm，结构的高度为200nm，结构的形状为切去顶端的锥面形状，并且结构的布置为六角形晶格布置。
(膜形成处理)
接着，通过溅射方法使ITO层形成在光学片的模制表面上。到达真空度为0.00015Pa，膜形成过程中的真空度为0.24Pa，并且在膜形成过程中引入Ar气体和O₂气体，使得其混合比为Ar:O₂＝200:13。此外，对膜形成条件进行调整，从而使得平板的膜厚度变为30nm。此外，平板的膜厚度变成与结构的顶点部分的膜厚度大致相同。
(退火处理)
接着，在150℃的大气下，对具有形成在其中的ITO层的光学片执行退火30分钟。因此，加速了多晶体在ITO层中的形成。接着，为了检查加速的状态，通过X-射线衍射(XRD)测量ITO层，并且确认In₂O₃的峰值。
(移除处理)
接着，将经过退火处理的光学片浸入到具有PH约为3的溶液中20秒。
(清洁处理)
接着，使用纯水清洁经过移除处理的光学片。
因此，获得目标透明导电片。
(导电性/非导性电评估)
关于根据如上所述获得的实例1的透明导电片的表面，使用测试仪从图34B中所示的各个方面对导电性和非导电性进行评估。表1中示出了评估结果。
表1示出了根据实例1的透明导电片的评估结果。
【表1】