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1、10申请公布号CN104046321A43申请公布日20140917CN104046321A21申请号201410291896322申请日20140626C09K3/1420060171申请人青岛宝泰新能源科技有限公司地址266000山东省青岛市李沧区郑佛路17号8室72发明人范向奎54发明名称一种半导体研磨剂57摘要本发明公开了一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质磷酸二氢钾17份，硫酸钾917份，聚乙烯醇1114份，二氧化硅12，酸洗剂39份，三乙胺413份，酒石酸59份，苯甲酸甲酯67份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，研磨粒子38份，双酚A型聚碳酸酯1118份，硬脂酸钙38份。
2、，分散剂1份。本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。51INTCL权利要求书1页说明书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页10申请公布号CN104046321ACN104046321A1/1页21一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质磷酸二氢钾17份，硫酸钾917份，聚乙烯醇1114份，二氧化硅12，酸洗剂39份，三乙胺413份，酒石酸59份，苯甲酸甲酯67份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，研。
3、磨粒子38份，双酚A型聚碳酸酯1118份，硬脂酸钙38份，分散剂1份。权利要求书CN104046321A1/1页3一种半导体研磨剂技术领域0001本发明涉及一种半导体研磨剂。背景技术0002在半导体芯片的加工制造过程中，随着采用嵌入式DAMASCENE工序一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序的逐步普及，对芯片中的金属导线进行化学机械研磨CMP，CHEMICALMECHANICALPLANARIZATION抛光亦变得必不可少。钨以其极好的对通孔和沟槽的填充性能、低的电子迁移和电阻以及优异的耐腐蚀性，被广泛地用于半导体芯片加工制造的工艺过程中。如作为金属触点、通孔导线和层间互。
4、连线等。传统上，钨可以采用等离子体的方法刻蚀，称作钨回蚀。不过，钨回蚀是一种成本高且会造成较大环境污染的工艺。与此相反，钨的C如1P工艺，在成本和环保两方面要好得多。尤其重要的是，采用CMP的钨抛光方法，有助于提高嵌入式工序对芯片的配线密度，进而获得更高的芯片性能。因此，在半导体制造业中，钨CMP己迅速成为一种被广泛使用的技术。发明内容0003本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体研磨剂。0004为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质磷酸二氢钾17份，硫酸钾917份，聚乙烯醇1114份，二氧化硅12，酸洗剂39份，三乙胺413份，酒石酸。
5、59份，苯甲酸甲酯67份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，研磨粒子38份，双酚A型聚碳酸酯1118份，硬脂酸钙38份，分散剂1份。0005本发明半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。具体实施方式0006实施例1一种半导体研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质磷酸二氢钾17份，硫酸钾917份，聚乙烯醇1114份，二氧化硅12，酸洗剂39份，三乙胺413份，酒石酸59份，苯甲酸甲酯67份，硫酸锌13份，硫酸镁24份，研磨粒子38份，双酚A型聚碳酸酯1118份，硬脂酸钙38份，分散剂1份。说明书CN104046321A。