《一种高稳定碳晶粉及其制备方法.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《一种高稳定碳晶粉及其制备方法.pdf(5页珍藏版)》请在专利查询网上搜索。
1、10申请公布号CN104150464A43申请公布日20141119CN104150464A21申请号201410389857722申请日20140808C01B31/0220060171申请人苏州宏久航空防热材料科技有限公司地址215400江苏省苏州市太仓市城厢镇人民南路162号72发明人陈照峰吴操54发明名称一种高稳定碳晶粉及其制备方法57摘要本发明旨在提供一种高稳定碳晶粉及其制备方法,其特征在于所述高稳定碳晶粉包含功052石墨烯和碳纳米管、29助剂和89975的炭材料。其中助剂包括分散剂、光引发剂、增稠剂、热引发剂、流平剂、稳定剂、消泡剂、紫外吸收剂;碳材料包括石墨、炭黑、煅烧石油焦、石。
2、墨纤维、炭纤维;石墨、炭黑、煅烧石油焦的粒径大于300NM,小于50M,石墨纤维、炭纤维直径大于300NM,小于60M,长度不大于600M。制备的碳晶电热材料发热均匀、使用寿命也得到了极大的提高。51INTCL权利要求书1页说明书3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页10申请公布号CN104150464ACN104150464A1/1页21一种高稳定碳晶粉,其特征在于包含052石墨烯和碳纳米管、29助剂和89975的碳材料。2根据权利要求1所述的高稳定碳晶粉,其特征在于所述助剂包括分散剂、光引发剂、增稠剂、热引发剂、流平剂、杀菌剂、稳定剂、消泡剂、紫外吸收。
3、剂。3根据权利要求1所述的高稳定碳晶粉,其特征在于所述碳材料包括石墨、炭黑、煅烧石油焦、石墨纤维、炭纤维;其中石墨、炭黑、煅烧石油焦的粒径大于300NM,小于50M;石墨纤维、炭纤维直径大于300NM,小于60M,长度不大于600M。4一种高稳定碳晶粉的制备方法,其特征在于包括下述顺序的步骤1将1份质量的氧化石墨烯溶解在水溶液中用碳酸钠调节PH为9,超声处理1545MIN,在2000RPM条件下离心1545MIN,并用510份质量的硼氢化钠在6080条件下部分还原052H,滤掉杂质,然后将用蒸馏水将母液的PH调节至7;2向上述液体中滴加12份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌48H,超。
4、声处理1545MIN,然后再次添加12份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌48H,添加碳酸钠将PH调节为10,形成部分还原的磺化石墨烯;3向部分还原的磺化石墨烯添加2540份质量5060的肼,在90120下反应1830H,4将磺化石墨烯溶液超声处理,在2000RPM条件下离心过滤杂质;5按个组分的重量配比取碳材料、助剂、碳纳米管混合研磨,并加入磺化石墨烯溶液调节到适当的粘度和石墨烯的量,超声处理1040MIN;6用三辊机充分分散均匀,制成粘稠状悬浮液体,在100300条件下烘干110H得到高稳定碳晶粉。权利要求书CN104150464A1/3页3一种高稳定碳晶粉及其制备方法技术领域00。
5、01本发明涉及一种碳晶粉及其制备方法,特别是涉及一种高稳定碳晶粉及其制备方法。背景技术0002随着经济的快速发展,现代社会对采暖的品质越来越高,而在采暖的工艺当中最关键的一步就对导电浆料的研发。导电碳材料与银导电材料相比,成本低廉、性价比高、性能稳定,所以得到了及广泛的应用。石墨烯是目前世界上电阻率最小的材料,高导电性、碳材料本质的稳定性以及纳米片层结构等特点都决定了石墨烯可作为优质导电功能单元制备石墨烯碳晶发热材料,但是由于石墨烯本身的憎水性,使得简单的将石墨烯混合在碳晶粉中的工艺会导致碳晶粉制备成的碳浆中的石墨烯难以均匀分散,这就使得所制备的碳晶发热材料的电热稳定性以及使用性能都不稳定。0。
6、003公开号为CN103903675A的专利提供了一种高稳定性导电浆料及其制备方法,本方法所通过加入稳定剂,提高了导电浆料的稳定性,延长导电浆料的使用及储存寿命。但是由于浆料中将银导电功能单元,所以该方法制备的导电浆料价格较高,且高温下银易被氧化,因此产品使用寿命较短。0004公开号为CN103834235A的专利提供了一种导电石墨烯碳浆油墨及其制备方法,本方法解决单纯石墨烯油墨成本高昂以及传统碳浆导电性低技术问题,该导电油墨在降低了单纯石墨烯油墨成本的前提下,导电性相对于传统碳浆明显提高,但是此工艺没能很好的解决石墨烯在浆料中的分散均匀性的,因此产品的发热均匀性能较差,易出现局部过热等现象,。
7、导致使用寿命降低。0005本专利通过将石墨烯功能化处理,并通过炭材料结构的控制使得制备的碳晶粉具有优良的稳定性。由于用含有功能化石墨烯的碳晶粉在制备成的碳浆中具有良好的分散稳定性,因而其制备成的碳晶电热材料发热均匀、使用寿命等性能也得到了极大的提高。发明内容0006本发明旨在提供一种高稳定碳晶粉及其制备方法,其特征在于所述高稳定碳晶粉包含功052石墨烯和碳纳米管、29助剂和89975的炭材料。其中助剂包括分散剂、光引发剂、增稠剂、热引发剂、流平剂、杀菌剂、稳定剂、消泡剂、紫外吸收剂;碳材料包括石墨、炭黑、煅烧石油焦、石墨纤维、炭纤维;石墨、炭黑、煅烧石油焦的粒径大于300NM,小于50M,石墨。
8、纤维、炭纤维直径大于300NM,小于60M,长度不大于600M。0007高稳定碳晶粉的制备方法为00081将1份质量的氧化石墨烯溶解在水溶液中用碳酸钠调节PH为9,超声处理1545MIN,在2000RPM条件下离心1545MIN,并用510份质量的硼氢化钠在6080条件下部分还原052H,滤掉杂质,然后将用蒸馏水将母液的PH调节至7;00092向上述液体中滴加12份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌说明书CN104150464A2/3页448H,超声处理1545MIN,然后再次添加12份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌48H,添加碳酸钠将PH调节为10,形成部分还原的磺化石墨。
9、烯;00103向部分还原的磺化石墨烯中添加2540份质量5060的肼,在100条件下反应1830H;00114将磺化石墨烯溶液超声处理,在2000RPM条件下离心过滤杂质;00125按个组分的重量配比取碳材料、助剂、碳纳米管混合研磨,并加入磺化石墨烯溶液调节到适当的粘度和石墨烯的量,超声处理1040MIN;00136用三辊机充分分散均匀,制成粘稠状悬浮液体,在100300条件下烘干110H得到高稳定碳晶粉。具体实施方式0014下面结合具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请。
10、所附权利要求所限定。0015实施例10016一种高稳定碳晶粉,包含功05石墨烯和碳纳米管、3助剂和965的炭材料。其中助剂包括分散剂、流平剂、杀菌剂、稳定剂、消泡剂、紫外吸收剂;碳材料包括石墨、炭黑、煅烧石油焦、石墨纤维、炭纤维中,石墨、炭黑、煅烧石油焦的粒径大于300NM,小于50M,石墨纤维、炭纤维直径大于300NM,小于60M,长度不大于600M。0017高稳定碳晶粉的制备方法为00181将1份质量的氧化石墨烯溶解在水溶液中用碳酸钠调节PH为9,超声处理30MIN,在2000RPM条件下离心30MIN,并用6份质量的硼氢化钠在70条件下部分还原1H,滤掉杂质,然后将用蒸馏水将母液的PH调。
11、节至7;00192向上述液体中滴加12份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌6H,超声处理30MIN,然后再次添加12份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌6H,添加碳酸钠将PH调节为10,形成部分还原的磺化石墨烯;00203向部分还原的磺化石墨烯中添加32份质量5060的肼,在100条件下反应24H;00214将磺化石墨烯溶液超声处理,在2000RPM条件下离心过滤杂质;00225按个组分的重量配比取碳材料、助剂、碳纳米管混合研磨,并加入磺化石墨烯溶液调节到适当的粘度和石墨烯的量,超声处理20MIN;00236用三辊机充分分散均匀,制成粘稠状悬浮液体,在150条件下烘干4H得到高。
12、稳定碳晶粉。0024实施例20025一种高稳定碳晶粉包含功07能化石墨烯、4助剂和953的炭材料。助剂包括分散剂、流平剂、杀菌剂、紫外吸收剂中的一种或者几种;碳材料包括石墨、炭黑、煅烧石油焦、石墨纤维、炭纤维,石墨、炭黑、煅烧石油焦的粒径大于300NM,小于50M,石墨纤维、炭纤维直径大于300NM,小于60M,长度不大于600M。0026高稳定碳晶粉的制备方法为说明书CN104150464A3/3页500271将1份质量的氧化石墨烯溶解在水溶液中用碳酸钠调节PH为9,超声处理35MIN,在2000RPM条件下离心36MIN,并用7份质量的硼氢化钠在72条件下部分还原11H,滤掉杂质,然后将用。
13、蒸馏水将母液的PH调节至7;00282向上述液体中滴加13份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌7H,超声处理35MIN,然后再次添加13份质量的对苯磺酸基重氮四氟硼酸盐,室温下搅拌5H,添加碳酸钠将PH调节为10,形成部分还原的磺化石墨烯;00293向部分还原的磺化石墨烯中添加36份质量5060的肼,在100条件下反应27H;00304将磺化石墨烯溶液超声处理,在2000RPM条件下离心过滤杂质;00315按个组分的重量配比取碳材料、助剂、碳纳米管混合研磨,并加入磺化石墨烯溶液调节到适当的粘度和石墨烯的量,超声处理40MIN;00326用三辊机充分分散均匀,制成粘稠状悬浮液体,在300条件下烘干10H得到高稳定碳晶粉。0033上述仅为本发明的两个具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护的范围的行为。但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何形式的简单修改、等同变化与改型,仍属于本发明技术方案的保护范围。说明书CN104150464A。