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1、10申请公布号CN104046328A43申请公布日20140917CN104046328A21申请号201410296810622申请日20140628C09K3/1420060171申请人青岛宝泰新能源科技有限公司地址266000山东省青岛市李沧区郑佛路17号8室72发明人范向奎54发明名称一种半导体集成电路研磨剂57摘要本发明公开了一种半导体集成电路研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份,水杨酸盐417份,EDTA813份,除油剂38份,除油粉712份,表调剂1115份,硫酸钾810份,无水硫酸钠1016份,硝酸钾516份,亚硝酸钠715份,亚硫酸钠24份,硬脂酸钙。
2、13份,硬脂酸410份,聚丙烯酯59份。本发明的有益效果是腐蚀速度低,研磨效果好,对半导体损伤小。51INTCL权利要求书1页说明书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页10申请公布号CN104046328ACN104046328A1/1页21一种半导体集成电路研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份,水杨酸盐417份,EDTA813份,除油剂38份,除油粉712份,表调剂1115份,硫酸钾810份,无水硫酸钠1016份,硝酸钾516份,亚硝酸钠715份,亚硫酸钠24份,硬脂酸钙13份,硬脂酸410份,聚丙烯酯59份。权利要求书CN10。
3、4046328A1/1页3一种半导体集成电路研磨剂技术领域0001本发明涉及一种半导体集成电路研磨剂。背景技术0002近年来,伴随着半导体集成电路以下记作LSI的高集成化,高性能化,开发了新型的细微加工技术,化学研磨法就是其中一种,特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化,金属栓塞形成、埋入布线形成中频繁地应用。发明内容0003本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体集成电路研磨剂。0004为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是一种半导体集成电路研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份,水杨酸盐417份,EDTA813份,除油剂38份,除油粉712份,表调剂1115份,硫酸钾810份,无水硫酸钠1016份,硝酸钾516份,亚硝酸钠715份,亚硫酸钠24份,硬脂酸钙13份,硬脂酸410份,聚丙烯酯59份。0005本发明的有益效果是腐蚀速度低,研磨效果好,对半导体损伤小。具体实施方式0006实施例1一种半导体集成电路研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质硫氰酸盐2123份,水杨酸盐417份,EDTA813份,除油剂38份,除油粉712份,表调剂1115份,硫酸钾810份,无水硫酸钠1016份,硝酸钾516份,亚硝酸钠715份,亚硫酸钠24份,硬脂酸钙13份,硬脂酸410份,聚丙烯酯59份。说明书CN104046328A。