清洗方法、器件制造方法、曝光装置、以及器件制造系统.pdf

清洗方法包括：将清洗用的第1液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；回收供给到接液构件的第1液体；在用第1液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收供给到接液构件的第2液体；以及执行使回收的第2液体中包含的第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。

权利要求书一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，其特征在于，包括：
将清洗用的第1液体供给到所述接液构件来对所述接液构件进行清洗；
回收供给到所述接液构件的所述第1液体；
在用所述第1液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
回收供给到所述接液构件的所述第2液体；以及
执行使所述回收的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，
还包括：针对所述回收的第2液体，直至所述第1液体的浓度达到所述规定浓度为止，执行第1处理，并且在通过所述第1处理而所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下之后，执行与所述第1处理不同的第2处理。
根据权利要求1或者2所述的清洗方法，其特征在于，
所述第2液体的供给和回收并行地执行，
所述成为规定浓度以下的处理与所述第2液体的供给以及回收并行地执行。
根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，
在所述成为规定浓度以下的处理后也继续执行所述第2液体的供给和回收的并行动作。
根据权利要求1~4中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第2液体的供给和回收并行地执行，
所述成为规定浓度以下的处理包括：将所述第2液体的供给和回收的并行动作执行规定期间。
根据权利要求1~5中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第2液体的回收中，还包括：从第1排出口排出所述第2液体，并且接着从所述第1排出口的排出，从与所述第1排出口不同的第2排出口排出所述第2液体，
从所述第2排出口排出的第2液体中包含的第1液体的浓度是所述规定浓度以下。
根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，
检测所述回收的第2液体中包含的所述第1液体的浓度，根据所述检测结果，从所述第1排出口的排出动作切换为所述第2排出口的排出动作。
根据权利要求6或者7所述的清洗方法，其特征在于，
直至所述第1液体的浓度达到所述规定浓度为止，从所述第1排出口排出所述回收的第2液体，在所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下之后，从所述第2排出口排出所述回收的第2液体。
根据权利要求1~8中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述成为规定浓度以下的处理包括：设定在所述第1液体的供给停止之后并且所述第2液体的供给开始之前停止向所述接液构件的液体供给的停止期间。
根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，
所述停止期间被设定为比直到所述第1液体开始汽化为止的时间长。
根据权利要求9或者10所述的清洗方法，其特征在于，
在所述停止期间之后开始所述第2液体的供给，所述停止期间持续到在刚刚开始所述供给之后回收的所述第2液体中的所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下为止。
一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置内的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，其特征在于，包括：
将清洗用的第1液体供给到所述接液构件来对所述接液构件进行清洗；
在用所述第1液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件并且进行回收；以及
在所述第2液体的回收中，从第1排出口排出所述第2液体，并且接着从所述第1排出口的排出，从与所述第1排出口不同的第2排出口排出所述第2液体。
根据权利要求6~8、12中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体包含规定物质，
在所述第2液体的回收中，与从所述第1排出口排出时相比，在从所述第2排出口排出时，所述排出的第2液体中包含的所述规定物质的浓度低。
根据权利要求6~8、12、13中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体包含规定物质，
从所述第2排出口排出的第2液体中包含的所述规定物质的浓度比供给到所述接液构件的所述第1液体中包含的所述规定物质的浓度低。
根据权利要求6~8、12~14中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
将从所述第1排出口排出的第2液体收容到第1收容构件；以及
将从所述第2排出口排出的第2液体收容到与所述第1收容构件不同的第2收容构件。
根据权利要求6~8、12~15中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
对从所述第1排出口排出的第2液体执行第1处理；以及
对从所述第2排出口排出的第2液体执行与所述第1处理不同的第2处理。
根据权利要求6~8、12~16中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
回收所述供给的第1液体；以及
从所述第1排出口排出所述回收的第1液体。
根据权利要求1~17中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对所述供给的第2液体提供振动，并且在所述供给动作的途中变更所述第2液体的振动条件。
一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置内的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，其特征在于，包括：
将清洗用的第1液体供给到所述接液构件来对所述接液构件进行清洗；
在用所述第1液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件并且进行回收；
对在所述第2液体的回收动作的第1期间回收的第2液体执行第1处理；以及
对在所述第1期间之后的、所述第2液体的回收动作的第2期间回收的第2液体执行与所述第1处理不同的第2处理。
根据权利要求19所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1期间比所述第2期间短。
根据权利要求19或者20所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体包含规定物质，
在所述第2液体的回收动作的执行中，与所述第1期间中的回收时相比，在所述第2期间中的回收时，所述回收的第2液体中包含的所述规定物质的浓度低。
根据权利要求19~21中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第1期间、第2期间中的至少所述第1期间中，对供给到所述接液构件的第2液体提供振动。
根据权利要求22所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第2期间中，对供给到所述接液构件的第2液体，以与所述第1期间不同的条件提供振动。
根据权利要求22或者23所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第2期间中，对供给到所述接液构件的第2液体提供振动，并且在所述第2期间的途中变更振动条件。
根据权利要求2、16、19~24中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
回收所述供给的第1液体；以及
处理所述回收的第1液体，
所述第1处理与所述第1液体的处理相同。
根据权利要求2、16、19~25中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
回收所述供给的第1液体；以及
处理所述回收的第1液体，
所述第2处理与所述第1液体的处理不同。
根据权利要求2、16、19~26中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第2处理的工序数比所述第1处理少。
根据权利要求27所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1处理、第2处理中的至少一方包括：废弃所述排出的第2液体。
根据权利要求2、16、19~28中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1处理、第2处理分别包括：废弃所述排出的第2液体，
在所述第1处理和所述第2处理中，直至废弃所述排出的第2液体为止的工序不同，所述第2处理的工序比所述第1处理少。
根据权利要求1~29中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述接液构件的清洗动作中，与所述第1液体的供给并行地对其进行回收。
根据权利要求1~30中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
针对所述第2液体并行地进行所述供给和所述回收。
根据权利要求1~31中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
还包括：对供给到所述接液构件的第1液体提供振动。
根据权利要求1~32中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由至少一部分与所述曝光液体和/或所述第2液体的供给流路不同的供给流路，将所述第1液体供给到所述接液构件。
根据权利要求33所述的清洗方法，其特征在于，
还包括：在所述第1液体的供给停止之后，排出残留在所述供给流路中的第1液体。
根据权利要求34所述的清洗方法，其特征在于，
对所述供给流路进行减压或者加压而排出所述残留的第1液体。
根据权利要求33~35中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
还包括：在所述曝光液体和/或所述第2液体的供给停止之后，排出残留在所述供给流路中的所述曝光液体和/或所述第2液体。
根据权利要求1~36中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由与所述曝光液体和/或所述第2液体不同的供给口向所述接液构件供给所述第1液体。
根据权利要求1~37中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由浸液构件进行所述曝光液体的供给和回收，所述浸液构件包围所述曝光光的射出面与所述曝光液体相接的光学构件而设置，且用于在比所述基板小的局部区域内保持所述曝光液体，
在与所述浸液构件相向地配置了物体的状态下，分别供给所述第1液体、第2液体，
所述接液构件包含所述浸液构件和所述物体中的至少一方。
根据权利要求38所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第1液体、第2液体中的至少一方，从所述浸液构件和所述物体的一侧进行所述供给，从所述浸液构件和所述物体的另一侧进行所述回收。
根据权利要求38所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第1液体、第2液体中的至少一方，从所述浸液构件和所述物体的一侧进行所述供给和所述回收这双方。
根据权利要求38~40中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第1液体，经由所述浸液构件进行所述供给。
根据权利要求38~41中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第2液体，经由所述浸液构件进行所述供给。
根据权利要求1~42中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第2液体，经由与所述曝光液体相同的供给口进行所述供给。
根据权利要求1~43中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体是酸性液体。
根据权利要求44所述的清洗方法，其特征在于，
所述酸性液体包含过氧化氢。
根据权利要求1~45中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体是水溶液，所述第2液体是水。
根据权利要求1~46中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体是碱性液体，
所述清洗方法还包括：在所述第2液体的回收动作之后，为了对所述接液构件进行清洗而供给酸性液体。
根据权利要求1~46中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
还包括：为了对所述接液构件进行清洗而将与所述第1、第2液体不同的第3液体供给到所述接液构件，并且回收所述供给的第3液体。
根据权利要求48所述的清洗方法，其特征在于，
在用所述第3液体对所述接液构件进行清洗之后，开始向所述接液构件供给所述第1液体，
所述清洗方法还包括：执行使所述回收的所述第1液体中包含的所述第3液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
根据权利要求49所述的清洗方法，其特征在于，
在所述成为规定浓度以下的处理中，将与所述第1液体、第3液体不同的第4液体供给到所述接液构件，并且回收所述供给的第4液体。
根据权利要求48所述的清洗方法，其特征在于，包括：
在用所述第3液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1液体、第3液体不同的第4液体供给到所述接液构件并且进行回收；以及
在所述第4液体的回收中，从第3排出口排出所述第4液体，并且接着从所述第3排出口的排出，从与所述第3排出口不同的第4排出口排出所述第4液体。
根据权利要求48所述的清洗方法，其特征在于，包括：
在用所述第3液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1液体、第3液体不同的第4液体供给到所述接液构件并且进行回收；
对在所述第4液体的回收动作的第3期间回收的液体执行第3处理；以及
在所述第3期间之后的、所述第4液体的回收动作的第4期间中，对回收的第4液体执行与所述第3处理不同的第4处理。
根据权利要求50~52中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
直至向所述接液构件开始供给所述第1液体为止，执行所述第4液体的供给和回收的并行动作。
根据权利要求48~53中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由至少一部分与所述第1液体相同的供给流路，将所述第3液体供给到所述接液构件。
根据权利要求48~54中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第3液体，经由与所述第1液体相同的供给口进行所述供给。
根据权利要求50~55中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由至少一部分与所述曝光液体和/或所述第2液体的供给流路相同的供给流路，将所述第4液体供给到所述接液构件。
根据权利要求50~56中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第4液体，经由与所述曝光液体和/或所述第2液体相同的供给口进行所述供给。
根据权利要求48~57中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第3液体是碱性液体。
根据权利要求58所述的清洗方法，其特征在于，
所述碱性液体包含四甲基氢氧化铵。
根据权利要求50~59中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第3液体是水溶液，所述第4液体是水。
根据权利要求50~60中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第3液体和所述第4液体包含相同种类的液体。
根据权利要求1~61中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体和所述第2液体包含相同种类的液体。
根据权利要求61或者62所述的清洗方法，其特征在于，
所述相同种类的液体是水。
根据权利要求48~59中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第3液体能够去除所述接液构件中存在的异物。
根据权利要求64所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体能够去除残留在所述接液构件中的所述第3液体。
一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，其特征在于，包括：
将第1清洗液体供给到所述接液构件来对所述接液构件进行清洗；
回收供给到所述接液构件的所述第1清洗液体并从第1排出口排出；
在用所述第1清洗液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1清洗液体不同的第2清洗液体供给到所述接液构件来对所述接液构件进行清洗；
回收供给到所述接液构件的所述第2清洗液体并从第2排出口排出；以及
在所述第1清洗液体的供给停止之后并且所述第2清洗液体的供给开始之前，将与所述第1清洗液体、第2清洗液体不同的冲洗液体供给到所述接液构件，并且回收所述供给的冲洗液体，以抑制所述第1清洗液体从所述第2排出口排出。
根据权利要求66所述的清洗方法，其特征在于，
直至开始供给所述第2清洗液体为止，执行所述冲洗液体的供给和回收的并行动作。
根据权利要求66或者67所述的清洗方法，其特征在于，
在所述冲洗液体的供给和回收中，从所述第1排出口排出所述回收的冲洗液体。
根据权利要求66~68中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1清洗液体包含碱性液体。
根据权利要求69所述的清洗方法，其特征在于，
所述碱性液体包含四甲基氢氧化铵。
根据权利要求66~70中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第2清洗液体包含酸性液体。
根据权利要求71所述的清洗方法，其特征在于，
所述酸性液体包含过氧化氢。
根据权利要求69~72中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述碱性液体、酸性液体中的至少一方是水溶液。
根据权利要求66~73中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述冲洗液体是水。
根据权利要求66~74中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第1清洗液体和所述冲洗液体中，包含相同种类的液体。
根据权利要求75所述的清洗方法，其特征在于，
所述相同种类的液体是水。
根据权利要求66~76中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1排出口与所述第2排出口不同。
根据权利要求1~77中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述接液构件的表面被非晶碳所覆盖。
根据权利要求78所述的清洗方法，其特征在于，
所述非晶碳是四面体非晶碳。
一种器件制造方法，其特征在于，包括：
使用权利要求1~79中的任意一项所述的清洗方法对所述接液构件进行清洗；
经由所述曝光液体对基板进行曝光；以及
使曝光的所述基板显影。
一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，其特征在于，具备：
接液构件，与曝光液体接触；
第1供给口，将清洗用的第1液体供给到所述接液构件；
第1回收口，回收供给到所述接液构件的所述第1液体；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；以及
第2回收口，回收供给到所述接液构件的所述第2液体，
所述曝光装置执行使从所述第2回收口回收的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，其特征在于，具备：
接液构件，与曝光液体接触；
第1供给口，将清洗用的第1液体供给到所述接液构件；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；以及
回收口，在从所述第2供给口供给所述第2液体时回收所述第2液体，
在所述第2液体的回收中，从第1排出口排出所述第2液体，并且接着从所述第1排出口的排出，从与所述第1排出口不同的第2排出口排出所述第2液体。
一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，其特征在于，具备：
接液构件，与曝光液体接触；
第1供给口，将清洗用的第1液体供给到所述接液构件；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
回收口，在从所述第2供给口供给所述第2液体时回收所述第2液体，
对在所述第2液体的回收动作的第1期间回收的第2液体执行第1处理，
对在所述第1期间之后的、所述第2液体的回收动作的第2期间回收的第2液体执行与所述第1处理不同的第2处理。
一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，其特征在于，具备：
接液构件，与曝光液体接触；
第1供给口，将第1清洗液体供给到所述接液构件；
第1回收口，回收供给到所述接液构件的所述第1清洗液体；
第2供给口，在所述第1清洗液体的供给之后，将与所述第1清洗液体不同的第2清洗液体供给到所述接液构件；
第2回收口，回收供给到所述接液构件的所述第2清洗液体；
第3供给口，在所述第1清洗液体的供给停止之后并且所述第2清洗液体的供给开始之前，将与所述第1清洗液体、第2清洗液体不同的冲洗液体供给到所述接液构件，以抑制所述第1清洗液体从排出从所述第2回收口回收的所述第2清洗液体的排出口排出；以及
第3回收口，回收供给到所述接液构件的所述冲洗液体。
一种器件制造方法，其特征在于，包括：
使用权利要求81~84中的任意一项所述的曝光装置对基板进行曝光；以及
使曝光的所述基板显影。
一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，其特征在于，具备：
第1供给口，向与曝光液体接触的所述曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；
第1回收口，回收供给到所述接液构件的所述第1液体；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
第2回收口，回收供给到所述接液构件的所述第2液体；以及
处理装置，执行使从所述第2回收口回收的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
根据权利要求86所述的器件制造系统，其特征在于，
所述处理装置针对所述回收的第2液体，直至所述第1液体的浓度达到所述规定浓度为止，执行第1处理，并且在通过所述第1处理而所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下之后，执行与所述第1处理不同的第2处理。
根据权利要求86或者87所述的器件制造系统，其特征在于，
所述第2液体的供给和回收并行地执行，
与所述第2液体的供给以及回收并行地执行所述成为规定浓度以下的处理。
根据权利要求86~88中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，
所述第2液体的供给和回收并行地执行，
所述成为规定浓度以下的处理包括：将所述第2液体的供给和回收的并行动作执行规定期间。
根据权利要求86~89中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，
所述成为规定浓度以下的处理包括：设定在所述第1液体的供给停止之后并且所述第2液体的供给开始之前停止向所述接液构件供给液体的停止期间。
根据权利要求86~90中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，具备：
第1排出口，能够排出所述回收的所述第2液体；以及
第2排出口，与所述第1排出口不同，能够排出所述回收的所述第2液体，
在所述第2液体的回收中，从所述第1排出口排出所述第2液体，并且接着从所述第1排出口的排出，从所述第2排出口排出所述第2液体。
一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，其特征在于，具备：
第1供给口，向与曝光液体接触的所述曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
回收口，在从所述第2供给口供给所述第2液体时回收所述第2液体；
第1排出口，能够排出从所述回收口回收的所述第2液体；以及
第2排出口，与所述第1排出口不同，能够排出从所述回收口回收的所述第2液体，
在所述第2液体的回收中，从所述第1排出口排出所述第2液体，并且接着从所述第1排出口的排出，从所述第2排出口排出所述第2液体。
根据权利要求86~92中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，
具备对所述供给的第2液体给予振动的振动给予装置，
在所述供给动作的途中变更所述第2液体的振动条件。
根据权利要求86~93中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，具备：
第1处理装置，对在所述第2液体的回收动作的第1期间回收的第2液体执行第1处理；以及
第2处理装置，对在所述第1期间之后的、所述第2液体的回收动作的第2期间回收的第2液体执行与所述第1处理不同的第2处理。
一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，其特征在于，具备：
第1供给口，向与曝光液体接触的所述曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
回收口，在从所述第2供给口供给所述第2液体时回收所述第2液体；
第1处理装置，对在所述第2液体的回收动作的第1期间回收的第2液体执行第1处理；以及
第2处理装置，对在所述第1期间之后的、所述第2液体的回收动作的第2期间回收的第2液体执行与所述第1处理不同的第2处理。
根据权利要求94或者95所述的器件制造系统，其特征在于，
所述第1期间比所述第2期间短。
根据权利要求86~96中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，
在所述接液构件的清洗动作中，与所述第1液体的供给并行地对其进行回收。
根据权利要求86~97中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，
针对所述第2液体，并行地进行所述供给和所述回收。
根据权利要求86~98中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，
经由浸液构件进行所述曝光液体的供给和回收，所述浸液构件包围所述曝光光的射出面与所述曝光液体相接的光学构件而设置，且用于在比所述基板小的局部区域内保持所述曝光液体，
在与所述浸液构件相向地配置了物体的状态下，分别供给所述第1液体、第2液体，
所述接液构件包含所述浸液构件和所述物体中的至少一方。
一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，其特征在于，具备：
第1供给口，向与曝光液体接触的所述曝光装置内的接液构件供给第1清洗液体；
第1回收口，回收供给到所述接液构件的所述第1清洗液体；
第2供给口，在所述第1清洗液体的供给之后，将与所述第1清洗液体不同的第2清洗液体供给到所述接液构件；
第2回收口，回收供给到所述接液构件的所述第2清洗液体；
第3供给口，在所述第1清洗液体的供给停止之后并且所述第2清洗液体的供给开始之前，将与所述第1清洗液体、第2清洗液体不同的冲洗液体供给到所述接液构件，以抑制所述第1清洗液体从排出从所述第2回收口回收的所述第2清洗液体的排出口排出；以及
第3回收口，回收供给到所述接液构件的所述冲洗液体。
根据权利要求100所述的器件制造系统，其特征在于，
直至开始供给所述第2清洗液体为止，执行所述冲洗液体的供给和回收的并行动作。
一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，其特征在于，包括：
将清洗用的第1液体供给到所述接液构件来对所述接液构件进行清洗；
回收供给到所述接液构件的所述第1液体；
在用所述第1液体对所述接液构件进行清洗之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
回收供给到所述接液构件的所述第2液体；以及
直至所述第1液体的浓度成为规定浓度以下为止，将所述回收的所述第2液体收容到第1收容构件。
根据权利要求102所述的清洗方法，其特征在于，
直至所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下为止，继续向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体。
根据权利要求102或者103所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度达到所述规定浓度之后，也继续向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体。
根据权利要求102~104中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度达到所述规定浓度之前，停止向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体。
根据权利要求105所述的清洗方法，其特征在于，
直至停止向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体之后所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下为止，继续向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体。
根据权利要求105或者106所述的清洗方法，其特征在于，
经由回收流路向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体，
在所述回收流路内的所述回收的第2液体中包含的所述第1液体的浓度达到了规定值以下之后，停止向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体。
根据权利要求107所述的清洗方法，其特征在于，
所述规定值比所述规定浓度低。
根据权利要求105~108中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在停止向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体之后，也继续所述第2液体的回收。
根据权利要求105~109中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在停止向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体之后，将回收的所述第2液体收容到与所述第1收容构件不同的第2收容构件。
根据权利要求105~110中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在停止向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体之后，废弃回收的所述第2液体。
根据权利要求105~108中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
通过停止所述第2液体的供给和回收，来停止向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体。
根据权利要求102~112中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第2液体的供给和回收中，向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体。
根据权利要求102~113中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第1收容构件中，在收容所述回收的所述第2液体之前，收容有所述第2液体。
根据权利要求102~114中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
为了使所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下，将与所述第1液体不同的规定液体送出到所述第1收容构件。
根据权利要求115所述的清洗方法，其特征在于，
所述规定液体的成分与所述第2液体的成分相同。
根据权利要求115或者116所述的清洗方法，其特征在于，
所述规定液体是所述第2液体。
根据权利要求115~117中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
不经由所述接液构件而将所述规定液体送出到所述第1收容构件。
根据权利要求115~118中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在停止向所述第1收容构件送出所述回收的所述第2液体的状态下，向所述第1收容构件送出所述规定液体。
根据权利要求115~119中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
直至所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下为止，继续向所述第1收容构件送出所述规定液体。
根据权利要求115~120中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第1收容构件中，在收容所述回收的所述第2液体之前，收容有所述规定液体。
根据权利要求102~121中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由回收流路向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体，
在所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度达到了所述规定浓度之后，所述回收流路内的所述回收的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度低于所述规定浓度。
根据权利要求102~122中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对所述第2液体执行的处理包括：
第1处理，对包含比所述规定浓度多的所述第1液体的第2液体执行；以及
与所述第1处理不同的第2处理，对包含所述规定浓度以下的所述第1液体的第2液体执行，
在所述第1收容构件中收容的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下之后，对所述第1收容构件中收容的所述第2液体执行所述第2处理。
根据权利要求123所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
回收所述供给的第1液体；以及
处理所述回收的第1液体，
所述第1处理与所述第1液体的处理相同。
根据权利要求123或者124所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
回收所述供给的第1液体；以及
处理所述回收的第1液体，
所述第2处理与所述第1液体的处理不同。
根据权利要求123~125中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第2处理的工序数比所述第1处理少。
根据权利要求126所述的清洗方法，其特征在于，
所述第2处理包括：废弃所述第1收容构件中收容的第2液体。
根据权利要求102~127中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由至少一部分与所述曝光液体和/或所述第2液体的供给流路不同的供给流路，将所述第1液体供给到所述接液构件。
根据权利要求128所述的清洗方法，其特征在于，
还包括：在所述第1液体的供给停止之后，去除残留在所述供给流路中的第1液体。
根据权利要求128所述的清洗方法，其特征在于，
对所述供给流路进行减压或者加压而去除残留在所述供给流路中的第1液体。
根据权利要求128~130中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述曝光液体和/或所述第2液体的供给停止之后，去除残留在所述供给流路中的所述曝光液体和/或所述第2液体。
根据权利要求102~131中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由与所述曝光液体和/或所述第2液体不同的供给口向所述接液构件供给所述第1液体。
根据权利要求102~132中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
经由浸液构件进行所述曝光液体的供给和回收，所述浸液构件包围所述曝光光的射出面与所述曝光液体相接的光学构件而设置，且用于在比所述基板小的局部区域内保持所述曝光液体，
在与所述浸液构件相向地配置了物体的状态下，分别供给所述第1液体、第2液体，
所述接液构件包含所述浸液构件和所述物体中的至少一方。
根据权利要求133所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第1液体、第2液体中的至少一方，从所述浸液构件和所述物体的一侧进行所述供给，从所述浸液构件和所述物体的另一侧进行所述回收。
根据权利要求133所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第1液体、第2液体中的至少一方，从所述浸液构件和所述物体的一侧进行所述供给和所述回收这双方。
根据权利要求133~135中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第1液体，经由所述浸液构件进行所述供给。
根据权利要求133~136中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第2液体，经由所述浸液构件进行所述供给。
根据权利要求102~137中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
对于所述第2液体，经由与所述曝光液体相同的供给口进行所述供给。
根据权利要求102~138中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体是酸性液体。
根据权利要求139所述的清洗方法，其特征在于，
所述酸性液体包含过氧化氢。
根据权利要求102~140中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体是水溶液，所述第2液体是水。
根据权利要求102~138中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1液体是碱性液体，所述第2液体是酸性液体。
根据权利要求102~141中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
还包括：为了对所述接液构件进行清洗而将与所述第1液体、第2液体不同的第3液体供给到所述接液构件，并且回收所述供给的第3液体。
根据权利要求143所述的清洗方法，其特征在于，包括：
在用所述第3液体对所述接液构件进行了清洗之后，将与所述第3液体不同的第4液体供给到所述接液构件；
回收供给到所述接液构件的所述第4液体；以及
直至所述第3液体的浓度成为规定浓度以下为止，将所述回收的第4液体收容到第3收容构件。
根据权利要求144所述的清洗方法，其特征在于，
所述第1收容构件和所述第3收容构件不同。
根据权利要求143~145中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第3液体是碱性液体。
根据权利要求146所述的清洗方法，其特征在于，
所述碱性液体包含四甲基氢氧化铵。
根据权利要求143~147中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述第3液体是水溶液，所述第4液体是水。
根据权利要求102~148中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第1液体和所述第2液体中，包含相同种类的液体。
根据权利要求143~148中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
在所述第3液体和所述第4液体中，包含相同种类的液体。
根据权利要求149或者150所述的清洗方法，其特征在于，
所述相同种类的液体是水。
根据权利要求102~151中的任意一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述接液构件的表面被非晶碳所覆盖。
根据权利要求152所述的清洗方法，其特征在于，
所述非晶碳是四面体非晶碳。
一种器件制造方法，其特征在于，包括：
使用权利要求102~153中的任意一项所述的清洗方法对所述接液构件进行清洗；
经由所述曝光液体对基板进行曝光；以及
使曝光的所述基板显影。
一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，其特征在于，具备：
接液构件，与曝光液体接触；
第1供给口，将清洗用的第1液体供给到所述接液构件；
第1回收口，回收供给到所述接液构件的所述第1液体；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
第2回收口，回收供给到所述接液构件的所述第2液体，
直至所述第1液体的浓度成为规定浓度以下为止，将从所述第2回收口回收的所述第2液体收容到第1收容构件。
一种器件制造方法，其特征在于，包括：
使用权利要求155所述的曝光装置对基板进行曝光；以及
使曝光的所述基板显影。
一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，其特征在于，具备：
第1供给口，向与曝光液体接触的所述曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；
第1回收口，回收供给到所述接液构件的所述第1液体；
第2供给口，在所述第1液体的供给之后，将与所述第1液体不同的第2液体供给到所述接液构件；
第2回收口，回收供给到所述接液构件的所述第2液体；
第1收容构件，收容从所述第2回收口回收的所述第2液体；以及
控制装置，直至所述第1收容构件中的所述第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为规定浓度以下为止，将所述第2液体收容到所述第1收容构件。
根据权利要求157所述的器件制造系统，其特征在于，
直至所述第1收容构件中收容的第2液体中包含的所述第1液体的浓度成为所述规定浓度以下为止，继续向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体。
根据权利要求157或者158所述的器件制造系统，其特征在于，
在所述第1收容构件中收容的第2液体中包含的所述第1液体的浓度达到所述规定浓度之后，也继续向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体。
根据权利要求157~159中的任意一项所述的器件制造系统，其特征在于，
在所述第2液体的供给和回收中，向所述第1收容构件送出所述回收的第2液体。

说明书清洗方法、器件制造方法、曝光装置、以及器件制造系统
技术领域
本发明涉及清洗方法、器件制造方法、曝光装置、以及器件制造系统。
本申请根据在2010年4月2日申请的美国专利临时申请第61/320,451号、以及第61/320,469号、以及在2011年4月1日申请的美国申请主张优先权，并在此援用其内容。
背景技术
在半导体器件、电子器件等微型器件的制造工序中，使用经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的浸液曝光装置。在浸液曝光装置中，与曝光液体接触的接液构件有可能被污染。因此，提出了例如下述专利文献公开那样的使用清洗用的液体对接液构件进行清洗的技术。
专利文献1：美国专利申请公开第2008/0273181号
专利文献2：美国专利申请公开第2009/0195761号
发明内容
例如，在清洗中使用的液体（废液）的处理中需要时间的情况、或者处理烦杂的情况下，包括曝光装置的器件制造系统的运转率有可能降低、或其处理的成本有可能增大。因此，期望提出能够顺利地执行该处理的技术。
本发明的方式的目的在于提供一种能够良好地清洗接液构件，能够顺利地执行清洗中使用的液体的处理的清洗方法、器件制造方法、曝光装置、以及器件制造系统。
根据本发明的第1方式，提供一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，包括：将清洗用的第1液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；回收供给到接液构件的第1液体；在用第1液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收供给到接液构件的第2液体；以及执行使回收的第2液体中包含的第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
根据本发明的第2方式，提供一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置内的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，包括：将清洗用的第1液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；在用第1液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件并且进行回收；以及在第2液体的回收中，从第1排出口排出第2液体，并且接着从第1排出口的排出，从与第1排出口不同的第2排出口排出第2液体。
根据本发明的第3方式，提供一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置内的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，包括：将清洗用的第1液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；在用第1液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件并且进行回收；对在第2液体的回收动作的第1期间回收的第2液体执行第1处理；以及对在第1期间之后的、第2液体的回收动作的第2期间回收的第2液体执行与第1处理不同的第2处理。
根据本发明的第4方式，提供一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，包括：将第1清洗液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；回收供给到接液构件的第1清洗液体并从第1排出口排出；在用第1清洗液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1清洗液体不同的第2清洗液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；回收供给到接液构件的第2清洗液体并从第2排出口排出；以及在第1清洗液体的供给停止之后并且第2清洗液体的供给开始之前，将与第1、第2清洗液体不同的冲洗液体供给到接液构件，并且回收供给的冲洗液体，以抑制第1清洗液体从第2排出口排出。
根据本发明的第5方式，提供一种器件制造方法，包括：使用第1~第4中的任意一个方式所述的清洗方法对接液构件进行清洗；经由曝光液体对基板进行曝光；以及使曝光的基板显影。
根据本发明的第6方式，提供一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，具备：接液构件，与曝光液体接触；第1供给口，将清洗用的第1液体供给到接液构件；第1回收口，回收供给到接液构件的第1液体；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；以及第2回收口，回收供给到接液构件的第2液体，所述曝光装置执行使从第2回收口回收的第2液体中包含的第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
根据本发明的第7方式，提供一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，具备：接液构件，与曝光液体接触；第1供给口，将清洗用的第1液体供给到接液构件；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；以及回收口，在从第2供给口供给第2液体时回收第2液体，在第2液体的回收中，从第1排出口排出第2液体，并且接着从第1排出口的排出而从与第1排出口不同的第2排出口排出第2液体。
根据本发明的第8方式，提供一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，具备：接液构件，与曝光液体接触；第1供给口，将清洗用的第1液体供给到接液构件；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收口，在从第2供给口供给第2液体时回收第2液体，所述曝光装置对在第2液体的回收动作的第1期间回收的第2液体执行第1处理，对在第1期间之后的、第2液体的回收动作的第2期间回收的第2液体执行与第1处理不同的第2处理。
根据本发明的第9方式，提供一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，具备：接液构件，与曝光液体接触；第1供给口，将第1清洗液体供给到接液构件；第1回收口，回收供给到接液构件的第1清洗液体；第2供给口，在第1清洗液体的供给之后，将与第1清洗液体不同的第2清洗液体供给到接液构件；第2回收口，回收供给到接液构件的第2清洗液体；第3供给口，在第1清洗液体的供给停止之后并且第2清洗液体的供给开始之前，将与第1、第2清洗液体不同的冲洗液体供给到接液构件，以抑制第1清洗液体从排出从第2回收口回收的第2清洗液体的排出口排出；以及第3回收口，回收供给到接液构件的冲洗液体。
根据本发明的第10方式，提供一种器件制造方法，包括：使用第6~第9中的任意一个方式所述的曝光装置对基板进行曝光；以及使曝光的基板显影。
根据本发明的第11方式，提供一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，具备：第1供给口，向与曝光液体接触的曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；第1回收口，回收供给到接液构件的第1液体；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；第2回收口，回收供给到接液构件的第2液体；以及处理装置，执行使从第2回收口回收的第2液体中包含的第1液体的浓度成为规定浓度以下的处理。
根据本发明的第12方式，提供一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，具备：第1供给口，向与曝光液体接触的曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收口，在从第2供给口供给第2液体时回收第2液体；第1排出口，能够排出从回收口回收的第2液体；以及第2排出口，与第1排出口不同，能够排出从回收口回收的第2液体，在第2液体的回收中，从第1排出口排出第2液体，并且接着从第1排出口的排出而从第2排出口排出第2液体。
根据本发明的第13方式，提供一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，具备：第1供给口，向与曝光液体接触的曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收口，在从第2供给口供给第2液体时回收第2液体；第1处理装置，对在第2液体的回收动作的第1期间回收的第2液体执行第1处理；以及第2处理装置，对在第1期间之后的、第2液体的回收动作的第2期间回收的第2液体执行与第1处理不同的第2处理。
根据本发明的第14方式，提供一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，具备：第1供给口，向与曝光液体接触的曝光装置内的接液构件供给第1清洗液体；第1回收口，回收供给到接液构件的第1清洗液体；第2供给口，在第1清洗液体的供给之后，将与第1清洗液体不同的第2清洗液体供给到接液构件；第2回收口，回收供给到接液构件的第2清洗液体；第3供给口，在第1清洗液体的供给停止之后并且第2清洗液体的供给开始之前，将与第1、第2清洗液体不同的冲洗液体供给到接液构件，以抑制第1清洗液体从排出从第2回收口回收的第2清洗液体的排出口排出；以及第3回收口，回收供给到接液构件的冲洗液体。
根据本发明的第15方式，提供一种清洗方法，是经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置的、与曝光液体接触的接液构件的清洗方法，包括：将清洗用的第1液体供给到接液构件而对接液构件进行清洗；回收供给到接液构件的第1液体；在用第1液体对接液构件进行了清洗之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；回收供给到接液构件的第2液体；以及直至第1液体的浓度成为规定浓度以下为止，将回收的第2液体收容到第1收容构件。
根据本发明的第16方式，提供一种器件制造方法，包括：使用第1方式的清洗方法对接液构件进行清洗；经由曝光液体对基板进行曝光；以及使曝光的基板显影。
根据本发明的第17方式，提供一种曝光装置，经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光，具备：接液构件，与曝光液体接触；第1供给口，将清洗用的第1液体供给到接液构件；第1回收口，回收供给到接液构件的第1液体；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；第2回收口，回收供给到接液构件的第2液体，所述曝光装置直至第1液体的浓度成为规定浓度以下为止，将从第2回收口回收的第2液体收容到第1收容构件。
根据本发明的第18方式，提供一种器件制造方法，包括：使用第3方式的曝光装置对基板进行曝光；以及使曝光的基板显影。
根据本发明的第19方式，提供一种器件制造系统，包括经由曝光液体用曝光光对基板进行曝光的曝光装置，具备：第1供给口，向与曝光液体接触的曝光装置内的接液构件供给清洗用的第1液体；第1回收口，回收供给到接液构件的第1液体；第2供给口，在第1液体的供给之后，将与第1液体不同的第2液体供给到接液构件；第2回收口，回收供给到接液构件的第2液体；第1收容构件，收容从第2回收口回收的第2液体；以及控制装置，直至第1收容构件中的第2液体中包含的第1液体的浓度成为规定浓度以下为止，将第2液体收容到第1收容构件。
根据本发明的方式，能够良好地清洗接液构件，能够顺利地执行清洗中使用的液体的处理。
附图说明
图1是示出第1实施方式的器件制造系统的一个例子的图。
图2是示出第1实施方式的曝光装置的一个例子的概略结构图。
图3是示出第1实施方式的浸液构件的一个例子的图。
图4是示出第1实施方式的浸液构件的一个例子的图。
图5是示出第1实施方式的浸液构件的一个例子的图。
图6是示出第1实施方式的浸液构件的一个例子的图。
图7是示出第1实施方式的液体系统的一个例子的图。
图8是示出第1实施方式的曝光处理的一个例子的图。
图9是示出第1实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图10是示出第1实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图11是示出第1实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图12是示出第1实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图13是示出第1实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图14是示出第1实施方式的清洗方法的一个例子的流程图。
图15是示出第1实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图16是示出第2实施方式的清洗方法的一个例子的示意图。
图17是示出第2实施方式的清洗方法的一个例子的示意图。
图18是示出第3实施方式的清洗装置的一个例子的图。
图19是示出第3实施方式的清洗装置的一个例子的图。
图20是示出第3实施方式的液体系统的一个例子的图。
图21是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图22是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图23是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图24是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图25是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图26是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图27是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图28是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的流程图。
图29是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图30是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图31是示出第3实施方式的清洗方法的一个例子的图。
图32是示出器件制造方法的一个例子的流程图。
（符号说明）
2：基板载台；3：测量载台；7：浸液构件；8：控制装置；19：多孔构件；20：回收口；21：第1供给口；22：第2供给口；31：第1排出口；32：第2排出口；33：第3排出口；40：检测装置；41：第1收容构件；42：第2收容构件；43：第3收容构件；50：超声波发生装置；64：供给口；65：回收口；67：吸引口；100：液体系统；600：清洗装置；DP：虚设基板；EL：曝光光；EX：曝光装置；LC1：第1清洗液体；LC2：第2清洗液体；LH：冲洗液体；LQ：曝光液体；LS：浸液空间；LSh：浸液空间；LT1：浸液空间；LT2：浸液空间；P：基板；SYS：器件制造系统。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式，但本发明不限于此。在以下的说明中，设定XYZ正交坐标系，并参照该XYZ正交坐标系来说明各部的位置关系。将水平面内的规定方向设为X轴方向，将在水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向，将与X轴方向以及Y轴方向分别正交的方向（即铅直方向）设为Z轴方向。另外，将绕X轴、Y轴、以及Z轴的旋转（倾斜）方向分别设为θX、θY、以及θZ方向。
<第1实施方式>
说明第1实施方式。图1是示出第1实施方式的器件制造系统SYS的一个例子的示意图。器件制造系统SYS具备多个装置。在本实施方式中，器件制造系统SYS具备：曝光装置EX，用曝光光EL对感光性的基板P进行曝光；涂布显影装置CD，包括在基板P的基材上形成感光膜的成膜装置以及使曝光后的基板P显影的显影装置；液体系统100，能够供给为了制造器件而使用的液体；主控制器MC，控制这些多个装置；以及通信系统CM，能够在多个装置之间进行通信。通信系统CM能够通信与器件的制造相关的各种信息。另外，器件制造系统SYS也可以具备蚀刻装置、以及CMP装置等。器件制造系统SYS设置于工厂FA。另外，器件制造系统SYS也可以具备多个曝光装置EX。
图2是示出本实施方式的曝光装置EX的一个例子的概略结构图。本实施方式的曝光装置EX是经由曝光液体LQ用曝光光EL对基板P进行曝光的浸液曝光装置。在本实施方式中，以使曝光光EL的光路的至少一部分被曝光液体LQ所充满的方式，形成浸液空间LS。浸液空间是用液体充满的部分（空间、区域）。经由浸液空间LS的曝光液体LQ用曝光光EL对基板P进行曝光。在本实施方式中，作为曝光液体LQ，使用水（纯水）。
另外，本实施方式的曝光装置EX是例如美国专利第6897963号说明书、以及欧州专利申请公开第1713113号说明书等公开那样的具备基板载台和测量载台的曝光装置。
在图2中，曝光装置EX具备：掩模载台1，保持掩模M并能够移动；基板载台2，保持基板P并能够移动；测量载台3，不保持基板P，而搭载测量曝光光EL的测量构件C（测量器）并能够移动；照明系统IL，用曝光光EL对掩模M进行照明；投影光学系统PL，将用曝光光EL照明的掩模M的图案的像投影到基板P；浸液构件7，能够形成浸液空间LS以使从投影光学系统PL射出的曝光光EL的光路K被曝光液体LQ充满；以及控制装置8，控制曝光装置EX整体的动作。
掩模M包括形成有向基板P投影的器件图案的标线片（reticule）。掩模M包括透射型掩模，该透射型掩模具有例如玻璃板等透明板和在该透明板上使用铬等遮光材料而形成的图案。另外，作为掩模M，也可以使用反射型掩模。
基板P是用于制造器件的基板。在基板P中，能够形成器件图案。基板P包括例如半导体晶片等基材、和在该基材上形成的感光膜。感光膜是感光材料（光致抗蚀剂）的膜。另外，基板P除了包括感光膜以外也可以包括其他膜。例如，基板P也可以包括反射防止膜，也可以包括保护感光膜的保护膜（顶涂层膜）。
照明系统IL向规定的照明区域IR照射曝光光EL。照明区域IR包含从照明系统IL射出的曝光光EL能够照射的位置。在本实施方式中，作为从照明系统IL射出的曝光光EL，使用ArF准分子激光。另外，作为曝光光EL，也可以使用例如KrF准分子激光。
掩模载台1能够在基座构件9的导引面9G上进行移动。掩模载台1具有可释放地保持掩模M的保持部1H。掩模载台1能够使保持部1H所保持的掩模M移动到从照明系统IL射出的曝光光EL能够照射的位置。
投影光学系统PL向规定的投影区域PR照射曝光光EL。投影光学系统PL具有朝向投影光学系统PL的像面射出曝光光EL的射出面13。投影光学系统PL的多个光学元件中的、最接近投影光学系统PL的像面的终端光学元件12具有射出面13。投影区域PR包括从射出面13射出的曝光光EL能够照射的位置。投影光学系统PL向配置在投影区域PR的基板P的至少一部分，以规定的投影倍率投影掩模M的图案的像。在本实施方式中，从射出面13射出的曝光光EL在－Z方向上行进。另外，在本实施方式中，终端光学元件12的光轴与Z轴平行。
基板载台2以及测量载台3能够在基座构件10的导引面10G上进行移动。基板载台2具有可释放地保持基板P的基板保持部11。基板载台2能够使基板保持部11所保持的基板P移动到从投影光学系统PL射出的曝光光EL能够照射的位置。测量载台3具有可释放地保持测量构件C的保持部3H。测量载台3能够使保持部3H所保持的测量构件C移动到从投影光学系统PL射出的曝光光EL能够照射的位置。
在本实施方式中，基板载台2具有例如美国专利申请公开第2007/0177125号说明书、以及美国专利申请公开第2008/0049209号说明书等公开那样的、配置于基板保持部11的周围的至少一部分并可释放地保持平板构件T的保持部TH。平板构件T配置于基板保持部11所保持的基板P的周围。
在本实施方式中，搭载在测量载台3的测量构件C也可以是例如美国专利申请公开第2002/0041377号说明书等中公开那样的构成空间像测量系统的一部分的构件，也可以是美国专利第4465368号说明书等中公开那样的构成照度不均测量系统的一部分的构件，也可以是美国专利第5493403号说明书等中公开那样的基准构件，也可以是美国专利申请公开第2002/0061469号说明书等中公开那样的构成照射量测量系统的一部分的构件，也可以是欧州专利第1079223号说明书等中公开那样的构成波面像差测量系统的一部分的构件。
掩模载台1能够通过驱动系统4的工作而移动。驱动系统4包括平面马达，该平面马达具有：配置于掩模载台1的动子4A、和配置于基座构件9的定子4C。掩模载台1通过驱动系统4的工作，在导引面9G上，在X轴、Y轴、Z轴、θX、θY、以及θZ方向这6个方向上能够进行移动。基板载台2以及测量载台3分别通过驱动系统5的工作而能够进行移动。驱动系统5包括平面马达，该平面马达具有：配置于基板载台2的动子5A、配置于测量载台3的动子5B、以及配置于基座构件10的定子5C。基板载台2以及测量载台3分别通过驱动系统5的工作，在导引面10G上，在X轴、Y轴、Z轴、θX、θY、以及θZ方向这6个方向上能够进行移动。另外，平面马达的一个例子被公开于例如美国专利第6452292号说明书。
通过干涉仪系统6测量掩模载台1、基板载台2、以及测量载台3的位置。在执行基板P的曝光处理时、或者执行规定的测量处理时，控制装置8根据干涉仪系统6的测量结果使驱动系统4、5工作，执行掩模载台1（掩模M）、基板载台2（基板P）、以及测量载台3（测量构件C）的位置控制。
在本实施方式中，基板载台2的上表面2F、以及测量载台3的上表面3F分别针对曝光液体LQ呈疏液性。在本实施方式中，上表面2F包括平板构件T的上表面。上表面2F、3F是朝向+Z方向的面，能够与终端光学元件12以及浸液构件7相向。在本实施方式中，上表面2F、3F是用包含氟的材料的膜形成的。
浸液构件7能够形成浸液空间LS以使从射出面13射出的曝光光EL的光路K被曝光液体LQ充满。浸液构件7配置于终端光学元件12的附近。在本实施方式中，浸液构件7是环状的构件，是包围终端光学元件12而设置的。
浸液构件7具有从终端光学元件12射出的曝光光EL能够照射的位置（投影区域PR）处配置的物体能够相向的下表面14。在本实施方式中，能够配置于投影区域PR的物体包括能够在投影光学系统PL的像面侧（终端光学元件12的射出面13侧）移动的物体。在本实施方式中，该物体包括基板载台2、保持在基板载台2的基板P、后述虚设基板DP、测量载台3、以及搭载在测量载台3的测量构件C的至少一个。例如在曝光基板P时，基板P的表面的至少一部分与射出面13以及下表面14相向。终端光学元件12以及浸液构件7能够在与配置在投影区域PR的物体之间保持曝光液体LQ。射出面13以及下表面14的至少一部分与曝光液体LQ相接。通过在一方侧的射出面13以及下表面14与另一方侧的物体的表面（上表面）之间保持曝光液体LQ而形成浸液空间LS，以使终端光学元件12与物体之间的曝光光EL的光路K被曝光液体LQ充满。
在本实施方式中，在向基板P照射曝光光EL时，以包括投影区域PR的基板P的表面的一部分的区域被曝光液体LQ覆盖的方式形成浸液空间LS。浸液构件7在比基板P小的局部区域内保持曝光液体LQ。曝光液体LQ的界面（弯液面、边缘）LGq的至少一部分形成于浸液构件7的下表面14与基板P的表面之间。即，本实施方式的曝光装置EX采用局部浸液方式。
图3是示出本实施方式的浸液构件7的一个例子的与YZ平面平行的剖面图，图4是与XZ平面平行的剖面图。图5是从上侧（+Z侧）观察了本实施方式的浸液构件7的图，图6是从下侧（－Z侧）观察了本实施方式的浸液构件7的图。
另外，图3以及图4示出了在与终端光学元件12以及浸液构件7相向的位置配置了基板P的情况，但如上所述，也可以配置例如基板载台2以及测量载台3等其他物体。
浸液构件7具有：平板部15，配置于从射出面13射出的曝光光EL的光路K的周围；以及主体部16，至少一部分配置于终端光学元件12的周围。平板部15具有：基板P的表面能够相向的下表面15B；以及朝向下表面15B的相反方向的上表面15A。上表面15A的至少一部分与射出面13相向。
浸液构件7具有从射出面13射出的曝光光EL能够通过的开口（通路）7K。开口7K形成于平板部15。开口7K形成为连接上表面15A和下表面15B。下表面15B配置于开口7K的下端的周围。上表面15A配置于开口7K的上端的周围。从射出面13射出的曝光光EL能够通过开口7K照射到基板P。
另外，浸液构件7具备：第1供给口21，能够供给曝光液体LQ；以及回收口20，能够回收曝光液体LQ。至少在曝光基板P时，第1供给口21供给曝光液体LQ，回收口20回收从第1供给口21供给的曝光液体LQ的至少一部分。在基板P的曝光中，以与浸液构件7相向地配置了基板P的状态，从第1供给口21供给曝光液体LQ。
另外，浸液构件7具有与第1供给口21不同的第2供给口22。第2供给口22能够供给与曝光液体LQ不同的液体。如后所述，在本实施方式中，第2供给口22能够供给用于对曝光装置EX内的构件的至少一部分进行清洗的清洗液体LC。
另外，浸液构件7具有：第1内部流路21R，与第1供给口21连结；第2内部流路22R，与第2供给口22连结；以及第3内部流路20R，与回收口20连结。第1内部流路21R、第2内部流路22R、以及第3内部流路20R分别形成于浸液构件7的内部。第1供给口21形成于第1内部流路21R的一端。第2供给口22形成于第2内部流路22R的一端。回收口20形成于第3内部流路20R的一端。
在本实施方式中，第1供给口21被配置为在曝光光EL的光路K的附近面向该光路K。在本实施方式中，配置了多个第1供给口21。在本实施方式中，配置了2个第1供给口21。在本实施方式中，相对光路K在+Y侧以及－Y侧分别配置了第1供给口21。在本实施方式中，第1供给口21向射出面13与上表面15A之间的空间SP1供给曝光液体LQ。从第1供给口21供给的曝光液体LQ在流过空间SP1之后，经由开口7K，流入下表面15B（下表面14）与基板P的表面（物体的上表面）之间的空间SP2。
第2供给口22被配置为在曝光光EL的光路K的附近面向该光路K。在本实施方式中，配置了多个第2供给口22。在本实施方式中，配置了2个第2供给口22。在本实施方式中，相对光路K在+X侧以及－X侧分别配置了第2供给口22。在本实施方式中，第2供给口22能够向空间SP1供给清洗液体LC。向空间SP1供给的清洗液体LC经由开口7K流向空间SP2。
另外，第1供给口21的数量能够任意规定。另外，相对光路K的第1供给口21的位置能够任意规定。同样地，第2供给口22的数量、以及相对光路K的第2供给口22的位置能够任意规定。例如，第1供给口21以及第2供给口22的至少一方也可以配置1个、或者3个以上。另外，第1供给口21也可以相对光路K配置于+X侧以及－X侧的至少一方，第2供给口22也可以相对光路K配置于+Y侧以及－Y侧的至少一方。另外，第1供给口21的Z方向的位置和第2供给口22的Z方向的位置也可以不同。
回收口20能够回收基板P（物体）上的曝光液体LQ的至少一部分。回收口20配置于基板P的表面能够相向的浸液构件7的规定位置。在本实施方式中，回收口20配置于下表面15B（开口7K）的周围的至少一部分。在本实施方式中，回收口20在XY平面内是环状，配置于下表面15B的周围。另外，也可以以包围下表面15B的方式，按照规定间隔配置多个回收口20。
在本实施方式中，在回收口20配置多孔构件19。多孔构件19具有多个孔（openings（开口）或者pores（微孔））。在本实施方式中，多孔构件19是平板状的构件。在本实施方式中，多孔构件19具有：基板P的表面能够相向的下表面19B、和朝向下表面19B的相反方向的上表面19A。多孔构件19的孔19H形成为连接上表面19A和下表面19B。在本实施方式中，在平板部15的下表面15B的周围，配置有多孔构件19的下表面19B。
在本实施方式中，基板P的表面（物体的上表面）能够相向的浸液构件7的下表面14包括：平板部15的下表面15B、以及多孔构件19的下表面19B。
另外，在回收口20中也可以配置网状过滤器，该网状过滤器是网眼状地形成了多个小孔的多孔构件。另外，在回收口20也可以不配置多孔构件19。
在本实施方式中，空间SP2的曝光液体LQ（物体上的曝光液体LQ）经由多孔构件19的孔19H被回收。在基板P的曝光中回收基板P上的曝光液体LQ时，控制装置8调整为下表面19B面对的空间SP2的压力和上表面19A面对的空间（第3内部流路20R）的压力不同（产生差压）。由此，基板P上的曝光液体LQ经由多孔构件19的孔19H被回收。
在本实施方式中，控制装置8通过在基板P的曝光中与从第1供给口21的曝光液体LQ的供给动作并行地执行从回收口20的曝光液体LQ的回收动作，从而在一方侧的终端光学元件12以及浸液构件7与另一方侧的基板P（物体）之间用曝光液体LQ形成浸液空间LS。
浸液构件7的至少一部分由包含金属的材料形成。在本实施方式中，浸液构件7的至少一部分由包含钛的材料形成。包含钛的材料包含钛以及钛合金的至少一种。在本实施方式中，平板部15以及主体部16由包含钛的材料形成。另外，在本实施方式中，多孔构件19也由包含钛的材料形成。另外，浸液构件7的至少一部分也可以包含例如不锈钢、镁等与钛不同的材料。另外，浸液构件7的至少一部分也可以由包含陶瓷的材料形成。
另外，浸液构件7的表面的至少一部分也可以由非晶碳形成。非晶碳包含四面体非晶碳。例如，在将平板部15的上表面15A以及下表面15B的至少一部分由非晶碳形成的情况下，形成用包含钛的材料形成的平板部15（基材），并形成非晶碳膜以使该基材的表面的至少一部分被非晶碳膜覆盖。由此，上表面15A以及下表面15B的至少一部分由非晶碳形成。另外，多孔构件19的上表面19A、下表面19B、以及孔19H的内面的至少一部分也可以由非晶碳形成。能够使用CVD法或者PVD法，在基材上形成（成膜）非晶碳膜。
另外，浸液构件7的表面的至少一部分也可以由氧化膜形成。作为氧化膜，也可以是氧化钛。多孔构件19的上表面19A、下表面19B、以及孔19H的内面的至少一部分也可以由氧化膜形成。
另外，作为浸液构件7，能够使用例如美国专利申请公开第2007/0132976号说明书、欧州专利申请公开第1768170号说明书公开那样的浸液构件（喷嘴构件）。
图7是示出本实施方式的液体系统100的一个例子的图。另外，在以下的说明中参照的图7~图13中，为简化说明，将浸液构件7的一部分用与YZ平面平行的剖面图示出，一部分用与XZ平面平行的剖面图示出。具体而言，在图7~图13中，相对虚线的左侧是与YZ平面平行的剖面图，相对虚线的右侧是与XZ平面平行的剖面图。即，图7~图13所示的浸液构件7相当于图5的A－A线剖面图。在图7~图13中，在相对虚线的左侧示出了第1供给口21，在相对虚线的右侧示出了第2供给口22。
在本实施方式中，第1供给口21、第2供给口22、以及回收口20的至少一个与液体系统100连接。在本实施方式中，液体系统100能够供给曝光液体LQ。第1供给口21能够将来自液体系统100的曝光液体LQ供给到空间SP1。另外，液体系统100能够供给清洗液体LC。第2供给口22能够将来自液体系统100的清洗液体LC供给到空间SP1。
另外，液体系统100能够回收从回收口20回收的曝光液体LQ。例如，在基板P的曝光中从回收口20回收的曝光液体LQ被送到液体系统100。另外，在本实施方式中，回收口20能够回收清洗液体LC。从回收口20回收的清洗液体LC被送到液体系统100。
在本实施方式中，液体系统100能够向浸液构件7的第1内部流路21R供给曝光液体LQ。供给到第1内部流路21R的曝光液体LQ经由该第1内部流路21R被送到第1供给口21。第1供给口21将来自第1内部流路21R的曝光液体LQ供给到空间SP1。
另外，液体系统100能够向浸液构件7的第2内部流路22R供给清洗液体LC。供给到第2内部流路22R的清洗液体LC经由该第2内部流路22R被送到第2供给口22。第2供给口22将来自第2内部流路22R的清洗液体LC供给到空间SP1。另外，从回收口20回收的液体（曝光液体LQ以及清洗液体LC的至少一方）流入到浸液构件7的第3内部流路20R。液体系统100经由第3内部流路20R回收从回收口20回收的液体。
另外，如参照图1说明那样，在本实施方式中，器件制造系统SYS具备液体系统100。另外，在本实施方式中，液体系统100是相对曝光装置EX的外部装置（与曝光装置EX不同的装置）。另外，液体系统100的至少一部分也可以是相对器件制造系统SYS的外部装置。另外，液体系统100的至少一部分可以是工厂FA的设备，也可以是液体系统100的全部是工厂FA的设备。另外，曝光装置EX也可以具有液体系统100的一部分，也可以具有液体系统100的全部。另外，如上所述，在器件制造系统SYS具备多个曝光装置EX的情况下，液体系统100也可以能够向多个曝光装置EX供给液体，也可以能够从多个曝光装置EX回收液体。
在本实施方式中，液体系统100具备：第1流路形成构件23T，具有向第1供给口21供给的曝光液体LQ流过的第1流路23R；第2流路形成构件24T，具有向第2供给口22供给的清洗液体LC流过的第2流路24R；以及第3流路形成构件25T，具有从回收口20回收的液体（曝光液体LQ以及清洗液体LC中的至少一方）流过的第3流路25R。在本实施方式中，第1、第2、第3流路形成构件23T、24T、25T的各个是管构件。
在本实施方式中，第1流路23R的一端与第1内部流路21R连接。第2流路24R的一端与第2内部流路22R连接。第3流路25R的一端与第3内部流路20R连接。流经第1流路23R的曝光液体LQ经由第1内部流路21R被送到第1供给口21。流经第2流路24R的清洗液体LC经由第2内部流路22R被送到第2供给口22。从回收口20回收并流经第3内部流路20R的液体被送到第3流路25R。
在本实施方式中，液体系统100具备：第1排出口31，排出从回收口20回收的液体；第2排出口32，与第1排出口31不同；以及第3排出口33，与第1、第2排出口31、32不同。在本实施方式中，从回收口20回收并经由第3内部流路20R送到第3流路25R的液体在流过该第3流路25R之后，被送到第1排出口31、第2排出口32、以及第3排出口33中的至少一个。
另外，在本实施方式中，设为液体系统100具有第1排出口31、第2排出口32、以及第3排出口33，但曝光装置EX也可以具有第1排出口31、第2排出口32、以及第3排出口33中的至少一个。换言之，第1排出口31、第2排出口32、以及第3排出口33中的至少一个既可以是曝光装置EX的构成要素，也可以是相对曝光装置EX的外部装置的构成要素。
在本实施方式中，第3流路25R的一端与第3内部流路20R连接，另一端与包括阀机构的流路切换机构30连接。另外，液体系统100具备与流路切换机构30连接的流路形成构件31T、32T、33T。流路形成构件31T具有第1排出流路31R。流路形成构件32T具有第2排出流路32R。流路形成构件33T具有第3排出流路33R。第1、第2、第3排出流路31R、32R、33R的各个的一端与流路切换机构30连接。第1排出口31配置于第1排出流路31R的另一端。第2排出口32配置于第2排出流路32R的另一端。第3排出口33配置于第3排出流路33R的另一端。
流路切换机构30切换流路，以使从回收口20回收并流经第3流路25R的液体被送到第1排出流路31R（第1排出口31）、第2排出流路32R（第2排出口32）、以及第3排出流路33R（第3排出口33）中的至少一个。在本实施方式中，流路切换机构30在将来自第3流路25R的液体向第1排出口31供给时，能够调整流路以避免供给到第2、第3排出口32、33。另外，流路切换机构30在将来自第3流路25R的液体向第2排出口32供给时，能够调整流路以避免供给到第1、第3排出口31、33。另外，流路切换机构30在将来自第3流路25R的液体向第3排出口33供给时，能够调整流路以避免供给到第1、第2排出口31、32。
在本实施方式中，液体系统100具备：第1收容构件41，能够收容从第1排出口31排出的液体；第2收容构件42，能够收容从第2排出口32排出的液体；以及第3收容构件43，能够收容从第3排出口33排出的液体。在本实施方式中，第1、第2、第3收容构件41、42、43的各个是罐。
在本实施方式中，第1流路23的另一端与能够供给曝光液体LQ的供给源LQS连接。供给源LQS也可以由液体系统100具备，也可以是设置了曝光装置EX（器件制造系统SYS）的工厂FA的设备。另外，也可以是曝光装置EX具备供给源LQS。
在本实施方式中，在第1流路23R的一部分，配置了包括阀机构的流路切换机构34。另外，在本实施方式中，对于流路切换机构34，连接了由第4流路形成构件26T形成的第4流路26R的一端。
从供给源LQS供给的曝光液体LQ流经第1流路23R和第4流路26R中的至少一方。流路切换机构34切换流路，以使流经第1流路23R的曝光液体LQ被送到第1供给口21（第1流路23R）以及第4流路26R中的至少一方。在本实施方式中，流路切换机构34在将来自供给源LQS的曝光液体LQ向第1供给口21（第1流路23R）供给时，能够调整流路以避免曝光液体LQ被供给到第4流路26R。另外，流路切换机构34在将来自供给源LQS的曝光液体LQ向第4流路26R供给时，能够调整流路以避免曝光液体LQ被供给到第1供给口21（第1流路23R）。
另外，在本实施方式中，液体系统100具备稀释装置35。第4流路26R的另一端与稀释装置35连接。
另外，在本实施方式中，液体系统100具备能够供给清洗液体LC的清洗液体供给装置36。在本实施方式中，作为清洗液体LC，使用第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2。在本实施方式中，液体系统100具备：能够供给第1清洗液体LC1的第1清洗液体供给装置36A、和能够供给第2清洗液体LC2的第2清洗液体供给装置36B。
在本实施方式中，第2流路24R的另一端与第1清洗液体供给装置36A连接。在本实施方式中，在第2流路24R的一部分中，配置了包括阀机构的流路切换机构38。另外，在本实施方式中，对于流路切换机构38，连接了由第5流路形成构件27T形成的第5流路27R的一端。
在本实施方式中，第5流路27R的另一端与稀释装置35连接。另外，在本实施方式中，稀释装置35和第2清洗液体供给装置36B经由由第6流路形成构件28T形成的第6流路28R而连接。
第2清洗液体供给装置36B能够经由第6流路28R，将第2清洗液体LC2供给到稀释装置35。另外，流经第4流路26R的曝光液体LQ被送到稀释装置35。
在本实施方式中，稀释装置35用曝光液体LQ来稀释第2清洗液体LC2。用稀释装置35稀释并从该稀释装置35供给的第2清洗液体LC2流经第5流路27R。流经第5流路27R的第2清洗液体LQ2被送到流路切换机构38。
流路切换机构38切换流路，以使来自第1清洗液体供给装置36A的第1清洗液体LC1、以及来自第2清洗液体供给装置36B（稀释装置35）的第2清洗液体LC2的至少一方经由第2流路24R送到第2供给口22。
在本实施方式中，流路切换机构38在将来自第1清洗液体供给装置36A的第1清洗液体LC1向第2供给口22供给时，能够调整流路以避免第2清洗液体LC2被供给到第2供给口22。另外，流路切换机构38在将来自第2清洗液体供给装置36B（稀释装置35）的第2清洗液体LC2向第2供给口22供给时，能够调整流路以避免第1清洗液体LC1被供给到第2供给口22。
在本实施方式中，第5流路27R能够与第1收容构件41、第2收容构件42、以及第3收容构件43中的至少一个连接。在本实施方式中，在第5流路27R的一部分中，配置了包括阀机构的流路切换机构39。
另外，在本实施方式中，液体系统100具备检测从回收口20回收的液体的特性（例如，性质以及成分的至少一方）的检测装置40。在本实施方式中，检测装置40测量从回收口20回收并流经第3流路25R的液体。
在本实施方式中，液体的特性包括液体的电导率。在本实施方式中，检测装置40包括电导率计。检测装置40检测液体的电导率。检测装置40的检测结果也可以输出到例如控制装置8。控制装置8能够根据该检测装置40的检测结果，求出液体的特性。另外，也可以设为将检测装置40的检测结果输出到主控制器MC，该主控制器MC求出液体的特性。
另外，也可以检测通过了流路切换机构38的液体的特性。在该情况下，也可以在第1、第2、第3排出流路31R、32R、33R的各个中设置检测装置，也可以在第1、第2、第3排出流路31R、32R、33R的一部分中设置检测装置。在该情况下，也可以与检测装置40并用，也可以省略检测装置40。
另外，在本实施方式中，液体系统100具备吸引装置45，该吸引装置45包括降低第3内部流路20R的压力的真空系统等。吸引装置45与例如第3流路25R连接。吸引装置45通过降低第3流路25R以及与该第3流路35R连接的第3内部流路20R的压力而调整为下表面19B面对的空间SP2的压力和上表面19A面对的空间（第3内部流路20R）的压力不同（产生差压），由此能够从回收口20（多孔构件19的孔19H）回收存在于空间SP2的液体。如上所述，从第1排出口31、第2排出口32、以及第3排出口33中的至少一个排出口排出从回收口20回收的液体。例如，利用重力，从第1排出口31、第2排出口32、以及第3排出口33中的至少一个排出口排出从回收口20流入第3流路25R的液体。另外，也可以将第1收容构件41、第2收容构件42、第3收容构件43中的至少一个连接到真空系统，并收容（吸引）从回收口20流入第3流路25R的液体。
接下来，说明使用本实施方式的曝光装置EX对基板P进行曝光的方法的一个例子。
控制装置8为了将曝光前的基板P搬入（加载）到基板载台2，使基板载台2移动到基板交换位置。基板交换位置是从浸液构件7（投影区域PR）离开的位置，是能够执行基板P的交换处理的位置。基板P的交换处理包括以下处理中的至少一方：使用规定的搬送装置（未图示）而将保持于基板载台2（基板保持部11）的曝光后的基板P从基板载台2搬出（卸载）的处理；以及将曝光前的基板P搬入（加载）到基板载台2（基板保持部11）的处理。控制装置8使基板载台2移动到基板交换位置，来执行基板P的交换处理。
在基板载台2离开浸液构件7的期间的至少一部分中，控制装置8将测量载台3配置到与终端光学元件12以及浸液构件7相向的位置，在终端光学元件12以及浸液构件7与测量载台3之间保持曝光液体LQ来形成浸液空间LS。
另外，在基板载台2离开浸液构件7的期间的至少一部分中，也可以根据需要执行使用测量载台3的测量处理。在执行使用测量载台3的测量处理时，控制装置8使终端光学元件12以及浸液构件7和测量载台3相向，并形成浸液空间LS以使终端光学元件12与测量构件C之间的曝光光EL的光路K被曝光液体LQ充满。控制装置8经由投影光学系统PL以及曝光液体LQ，向保持于测量载台3的测量构件C（测量器）照射曝光光EL，执行曝光光EL的测量处理。也可以使该测量处理的结果反映于之后执行的基板P的曝光处理中。另外，也可以不执行测量处理。
曝光前的基板P被加载到基板载台2，在使用测量载台3的测量处理结束之后，控制装置8使基板载台2移动到投影区域PR，在终端光学元件12以及浸液构件7与基板载台2（基板P）之间形成浸液空间LS。
图8是示出在终端光学元件12以及浸液构件7与基板P之间用曝光液体LQ形成了浸液空间LS的状态的图。从供给源LQS供给的曝光液体LQ经由第1流路23R以及第1内部流路21R，被供给到第1供给口21。第1供给口21将曝光液体LQ供给到空间SP1（光路K）。供给到空间SP1的曝光液体LQ经由开口7K流入到空间SP2。另外，与从第1供给口21的曝光液体LQ的供给动作并行地，执行从回收口20的曝光液体LQ的回收动作。由此，在终端光学元件12以及浸液构件7与基板P（基板载台2）之间由曝光液体LQ形成浸液空间LS。
回收口20回收空间SP2的曝光液体LQ。从回收口20回收的曝光液体LQ流经第3内部流路20R以及第3流路25R。
在本实施方式中，通过流路切换机构30调整流路，以使从回收口20回收的曝光液体LQ从第1排出口31排出。从第1排出口31排出的曝光液体LQ被供给到第1收容构件41。
在终端光学元件12以及浸液构件7与基板载台2（基板P）之间形成了浸液空间LS之后，控制装置8开始基板P的曝光处理。在执行基板P的曝光处理时，终端光学元件12以及浸液构件7和基板P相向，并形成浸液空间LS，以使终端光学元件12与基板P之间的曝光光EL的光路K被曝光液体LQ充满。
照明系统IL用曝光光EL对掩模M进行照明。来自该掩模M的曝光光EL经由投影光学系统PL以及从第1供给口21供给的曝光液体LQ被照射到基板P。由此，用从终端光学元件12射出的曝光光EL对基板P进行曝光。掩模M的图案的像被投影到基板P。
本实施方式的曝光装置EX是在使掩模M和基板P在规定的扫描方向上同步移动的同时将掩模M的图案的像投影到基板P的扫描型曝光装置（所谓扫描步进曝光装置）。在本实施方式中，将基板P的扫描方向（同步移动方向）设为Y轴方向，将掩模M的扫描方向（同步移动方向）也设为Y轴方向。控制装置8使基板P相对投影光学系统PL的投影区域PR在Y轴方向上移动，并且与该基板P向Y轴方向的移动同步地，相对照明系统IL的照明区域IR使掩模M在Y轴方向上移动，并且经由投影光学系统PL和基板P上的浸液空间LS的曝光液体LQ向基板P照射曝光光EL。
在基板P的曝光处理结束之后，控制装置8使基板载台2移动到基板交换位置。测量载台3配置为例如与终端光学元件12以及浸液构件7相向。从移动到基板交换位置的基板载台2搬出曝光后的基板P，将曝光前的基板P搬入到基板载台2。
以下，控制装置8反复上述处理，对多个基板P依次进行曝光。
另外，在本实施方式中，在包括基板P的交换处理、使用测量载台3的测量处理、以及基板P的曝光处理的曝光顺序（exposuresequence）的至少一部分的期间中，向终端光学元件12以及浸液构件7与和该终端光学元件12以及浸液构件7相向地配置的物体（基板P、基板载台2、以及测量载台3的至少一个）之间从第1供给口21供给曝光液体LQ，并且从回收口20回收从第1供给口21供给的曝光液体LQ的至少一部分。从第1排出口31排出在曝光顺序中从回收口20回收的曝光液体LQ。
在本实施方式中，在曝光顺序的期间中，不从清洗液体供给装置36供给清洗液体LC。即，在曝光顺序的期间中，从第2供给口22的液体供给被停止。在曝光顺序中，执行从第1供给口21的曝光液体LQ供给，停止从第2供给口22的液体供给。
但是，在基板P的曝光中，从基板P发生（溶出）的物质（例如感光材料等有机物）有可能作为异物（污染物、微粒）而混入到浸液空间LS的曝光液体LQ中。另外，不仅是从基板P发生的物质，而且例如在空中浮游的异物也有可能混入到浸液空间LS的曝光液体LQ。如上所述，在基板P的交换处理、使用测量载台3的测量处理、以及包括基板P的曝光处理的曝光顺序的至少一部分的期间中，浸液空间LS的曝光液体LQ与终端光学元件12、浸液构件7、基板载台2、以及测量载台3的至少一部分接触。
因此，如果异物混入到浸液空间LS的曝光液体LQ中，则异物有可能附着于终端光学元件12的射出面13、浸液构件7的下表面14、回收口20中配置的多孔构件19、基板载台2的上表面2F、以及测量载台3的上表面3F的至少一部分。虽然不限于此，但如果放置异物附着于与曝光液体LQ接触的曝光装置EX内的接液构件的表面（液体接触面）的状态，则该异物有可能在曝光中附着到基板P、或者从第1供给口21供给的曝光液体LQ有可能被污染。另外，如果终端光学元件12的射出面13、浸液构件7的下表面14、基板载台2的上表面2F、以及测量载台3的上表面3F的至少一个被污染，则例如还有可能无法良好地形成浸液空间LS。其结果，有可能发生曝光不良。
因此，在本实施方式中，控制装置8在规定的定时（timing），在曝光顺序的期间、和/或曝光顺序以外的期间中，执行与浸液空间LS的曝光液体LQ接触的曝光装置EX内的接液构件的清洗处理。另外，也可以执行不与曝光液体LQ接触的构件、和/或与曝光液体LQ接触的构件的不与曝光液体LQ接触的部分的清洗处理。
以下，以主要对与曝光液体LQ接触的曝光装置EX内的接液构件中的、浸液构件7进行清洗的情况为例子而进行说明。
图9~图13是示出本实施方式的清洗顺序的一个例子的示意图。图14是示出本实施方式的清洗顺序的一个例子的流程图。本实施方式的清洗顺序包括：向基板载台2搬入虚设基板DP的处理（步骤SA1）；将第1清洗液体LC1供给到浸液构件7而对该浸液构件7进行清洗的处理（步骤SA2）；将冲洗液体LH供给到浸液构件7的处理（步骤SA3）；将第2清洗液体LC2供给到浸液构件7而对该浸液构件7进行清洗的处理（步骤SA4）；将冲洗液体LH供给到浸液构件7的处理（步骤SA5）；进而将冲洗液体LH供给到浸液构件7的处理（步骤SA6）；以及从基板载台2搬出虚设基板DP的处理（步骤SA7）。
在以下的说明中，将使用第1清洗液体LC1的清洗处理（SA2）适当地称为第1清洗处理，将使用第2清洗液体LC2的清洗处理（SA4）适当地称为第2清洗处理。
另外，在以下的说明中，将向使用清洗液体LC（LC1、LC2）而清洗的浸液构件7等构件供给冲洗液体LH的处理适当地称为冲洗处理。冲洗处理包括将冲洗液体LH供给到构件而冲洗该构件来去除残留在该构件中的清洗液体LC（LC1、LC2）的处理。另外，在以下的说明中，将在第1清洗处理后执行的冲洗处理（SA3）适当地称为第1冲洗处理，将在第2清洗处理后执行的冲洗处理（SA5）适当地称为第2冲洗处理，将在第2冲洗处理后执行的冲洗处理（SA6）适当地称为第3冲洗处理。
作为第1清洗液体LC1，也可以使用碱性液体。即，作为第1清洗液体LC1，也可以使用包含规定物质的碱性溶液。例如，在第1清洗液体LC1中，作为规定物质，也可以包含四甲基氢氧化铵（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）。另外，作为第1清洗液体LC1，也可以使用碱性水溶液。
作为第2清洗液体LC2，也可以使用酸性液体。即，作为第2清洗液体LC2，也可以使用包含规定物质的酸性溶液。例如，在第2清洗液体LC2中，作为规定物质也可以包含过氧化氢。另外，作为第2清洗液体LC2，也可以使用酸性水溶液。
另外，第1清洗液体LC1和冲洗液体LH也可以包含相同种类的液体。另外，第2清洗液体LC2和冲洗液体LH也可以包含相同种类的液体。
在本实施方式中，作为第1清洗液体LC1，使用碱性水溶液。作为第2清洗液体LC2，使用过氧化氢水溶液。作为冲洗液体LH，使用曝光液体LQ。即，在本实施方式中，冲洗液体LH是水（纯水）。在本实施方式中，在第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH的各个中，作为相同种类的液体，包含水。
在本实施方式中，作为第1清洗液体LC1，使用四甲基氢氧化铵（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液。作为第2清洗液体LC2，使用过氧化氢水溶液（过氧化氢水）。
另外，作为用作第1清洗液体LC1的碱性溶液，不仅可以使用四甲基氢氧化铵，而且也可以使用氢氧化钠、氢氧化钾等无机碱的溶液、三甲基氢氧化（2－羟乙基）铵等有机碱的溶液。另外，作为第1清洗液体LC1，也可以使用氨水。
另外，第2清洗液体LC2也可以包含缓冲氢氟酸溶液。另外，第2清洗液体LC2也可以是包含缓冲氢氟酸以及过氧化氢的溶液。缓冲氢氟酸是氢氟酸和氟化铵的混合物。其混合比率在换算为40wt%氟化铵溶液/50wt%氢氟酸的体积比时也可以是5~2000。另外，缓冲氢氟酸与过氧化氢的混合比率在换算为过氧化氢/氢氟酸的重量比时也可以是0.8~55。作为第2清洗液体LC2，也可以使用包含臭氧的臭氧液体。当然，也可以是包含过氧化氢和臭氧的溶液。
另外，第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2中的至少一方也可以包含酒精。例如，第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2的至少一方也可以包含乙醇、异丙醇（IPA）、以及戊醇中的至少一个。
另外，第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2的各个中包含的相同种类的液体也可以是例如酒精。
在本实施方式中，在浸液构件7的清洗顺序的至少一部分中，在与浸液构件7相向的位置配置虚设基板DP。在本实施方式中，在虚设基板DP中，不能形成器件图案。即，在虚设基板DP中，不会形成感光膜。虚设基板DP是比基板P难以放出异物的基板。另外，虚设基板DP也可以具有在虚设基板DP的表面捕捉异物的功能。在该情况下，虚设基板DP优选难以放出捕捉（附着）在虚设基板DP的表面的异物。另外，在本实施方式中，虚设基板DP的外形以及大小与基板P的外形以及大小大致相同。基板保持部11能够保持虚设基板DP。在本实施方式中，在保持于基板载台2（基板保持部11）的虚设基板DP和浸液构件7相向的状态下，执行浸液构件7的清洗顺序的至少一部分。即，以与浸液构件7相向地配置了虚设基板DP的状态，分别供给第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH。虚设基板DP的外形以及大小的至少一方也可以与基板P不同。例如，也可以使虚设基板的大小小于基板P。另外，在浸液构件7的清洗顺序的至少一部分中，也可以不在基板保持部11中保持虚设基板DP。例如，也可以从基板保持部11释放虚设基板DP，通过与基板保持部11不同的支撑机构支撑虚设基板DP，维持浸液构件7和虚设基板DP相向的状态。在该情况下，也可以在从基板保持部11释放了虚设基板DP之后，使基板保持部11（基板载台2）从浸液构件7之下离开。
另外，第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个，既可以以与浸液构件7相向地配置了基板载台2的上表面2F以及测量载台3的上表面3F中的至少一方的状态进行供给，也可以以配置了与虚设基板DP、基板载台2、以及测量载台3不同的物体的状态进行供给。
在浸液构件7的清洗中，虚设基板DP的表面的至少一部分与浸液构件7的下表面14相向。在浸液构件7的清洗中，液体（第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个）与虚设基板DP的表面的至少一部分接触。
在本实施方式中，虚设基板DP的表面相对冲洗液体LH是疏液性。另外，在本实施方式中，虚设基板DP的表面相对第1、第2清洗液体LC1、LC2也是疏液性。在本实施方式中，虚设基板DP包括：包含硅晶片那样的半导体晶片的基材、和在该基材上形成的疏液性的膜。虚设基板DP的表面的至少一部分包括该疏液性的膜。在以下的说明中，将形成虚设基板DP的表面的至少一部分的疏液性的膜适当地称为疏液膜。
疏液膜也可以由包含氟的材料形成。例如，疏液膜也可以由包含氟的树脂形成。例如，疏液膜也可以由可熔性聚四氟乙烯（PFA）、以及聚四氟乙烯（PTFE）、特富龙（注册商标）等形成。另外，疏液膜也可以是例如通过CVD法形成的碳氮化硅（SiCN）膜。
另外，疏液膜不限于包含氟的树脂。疏液膜只要相对第1、第2清洗液体LC1、LC2、以及冲洗液体LH具有耐受性，并且具有在与浸液构件7之间能够良好地形成这些液体的浸液空间的表面（疏液性）即可。在本实施方式中，虚设基板DP的表面中的第1液体LC1的接触角、以及第2液体LC2的接触角是80度以上、90度以上、100度以上、110以上、或者120度以上。
另外，在基材与疏液膜之间，也可以形成其他膜（例如，提高基材与疏液膜的粘合性的膜）。
控制装置8执行将虚设基板DP搬入（加载）到基板载台2的处理（步骤SA1）。控制装置8为了将虚设基板DP搬入到基板载台2（基板保持部11），使该基板载台2移动到基板交换位置。另外，在基板保持部11中保持了基板P的情况下，在执行了将该基板P从基板载台2搬出的处理之后，执行将虚设基板DP搬入到基板保持部11的处理。
在向基板载台2搬入了虚设基板DP之后，控制装置8使基板载台2移动，以使保持在基板载台2中的虚设基板DP配置于与终端光学元件12以及浸液构件7相向的位置。
控制装置8开始第1清洗处理（步骤SA2）。在本实施方式中，在终端光学元件12以及浸液构件7与物体（基板载台2、测量载台3、以及虚设基板DP等）之间的浸液空间LS的曝光液体LQ被全部回收之后，开始第1清洗处理。
在本实施方式中，在为了搬入虚设基板DP而在基板交换位置配置了基板载台2的状态下，在与终端光学元件12以及浸液构件7相向的位置配置测量载台3。控制装置8为了将形成在终端光学元件12以及浸液构件7与测量载台3之间的浸液空间LS的曝光液体LQ全部回收，在停止从第1供给口21供给曝光液体LQ的状态下，将从回收口20（多孔构件19的孔19H）的曝光液体LQ的回收执行规定时间。由此，终端光学元件12以及浸液构件7与测量载台3之间的曝光液体LQ被实质上全部回收。另外，在将浸液空间LS的曝光液体LQ全部回收的情况下，在与终端光学元件12以及浸液构件7相向的位置也可以配置与测量载台3不同的物体。例如，也可以在终端光学元件12以及浸液构件7与被搬入基板载台2的虚设基板DP（或者基板载台2）之间保持了曝光液体LQ的状态下，停止从第1供给口21供给曝光液体LQ，并且将从回收口20的曝光液体LQ回收执行规定时间。
另外，为了将曝光液体LQ全部回收，不仅执行从回收口20的回收动作，而且也可以从第2供给口22回收曝光液体LQ。即，也可以使第2供给口22作为曝光液体LQ的回收口发挥功能。通过将第2供给口22连接到真空系统，能够从第2供给口22回收曝光液体LQ。另外，为了将曝光液体LQ全部回收，也可以执行从第2供给口22的回收动作，而不执行从回收口20的回收动作。另外，也可以将第1供给口21连接到真空系统，从第1供给口21回收曝光液体LQ。
另外，也可以在从第1供给口21的曝光液体LQ的供给停止之后，在执行第1清洗处理时，去除残留在第1内部流路21R中的曝光液体LQ。例如，也可以在曝光液体LQ的供给停止之后，对第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方进行减压，来去除残留在该第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方中的曝光液体LQ。例如，为了对第1内部流路21R进行减压，也可以对第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方连接真空系统（吸引装置），并吸引（减压）第1内部流路21R。由此，残留在第1内部流路21R中的曝光液体LQ被吸引到真空系统，从第1内部流路21R排出曝光液体LQ。另外，也可以对第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方进行加压，来去除残留在该第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方中的曝光液体LQ。例如，为了对第1内部流路21R进行加压，也可以对第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方连接气体供给装置，对第1内部流路21R供给气体来对该第1内部流路21R进行加压。由此，残留在第1内部流路21R中的曝光液体LQ从第1供给口21排出，从第1内部流路21R排出曝光液体LQ。另外，例如，也可以通过规定的流路连接第1内部流路21R和第1清洗液体供给装置36A，将从第1清洗液体供给装置36A送出的第1清洗液体LC1供给到第1内部流路21R，从该第1内部流路21R排出曝光液体LQ。另外，也可以在第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方残留了曝光液体LQ的状态下，开始清洗处理。
曝光液体LQ被全部回收，在终端光学元件12以及浸液构件7和虚设基板DP相向的状态下，控制装置8开始第1清洗处理。控制装置8为了通过第1清洗液体LC1对浸液构件7进行清洗，开始供给第1清洗液体LC1。
图9是示出执行了第1清洗处理的状态的一个例子的图。控制装置8开始从第2供给口22供给第1清洗液体LC1。控制装置8在停止从第1供给口21供给曝光液体LQ的状态下，从第2供给口22对空间SP1供给第1清洗液体LC1。
在第1清洗处理中，与从第2供给口22的第1清洗液体LC1的供给并行地，执行从回收口20的第1清洗液体LC1的回收。由此，在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间，由第1清洗液体LC1形成浸液空间LT1。
在第1清洗处理中，从第1清洗液体供给装置36A送出第1清洗液体LC1。另外，第1清洗液体供给装置36A也可以是工厂FA的设备。从第1清洗液体供给装置36A供给的第1清洗液体LC1经由第2流路24R以及第2内部流路22R而被供给到第2供给口22。第2供给口22将第1清洗液体LC1供给到空间SP1。供给到空间SP1的第1清洗液体LC1经由开口7K流入空间SP2。第1清洗液体LC1与包括下表面14的浸液构件7的表面的至少一部分接触。通过第1清洗液体LC1清洗浸液构件7的表面。
第1清洗液体LC1包含碱，能够去除浸液构件7的表面（下表面14等）中存在的包含有机物的异物。因此，通过以与浸液构件7接触的方式供给第1清洗液体LC1，从而去除附着在浸液构件7的异物。
回收口20回收从第2供给口22供给到浸液构件7的表面的至少一部分的第1清洗液体LC1。回收口20回收空间SP2的第1清洗液体LC1。将从浸液构件7的表面去除的异物与第1清洗液体LC1一起从回收口20回收。
从回收口20回收的第1清洗液体LC1流经第3内部流路20R以及第3流路25R。在本实施方式中，通过流路切换机构30调整流路，以使从回收口20回收的第1清洗液体LC1从第2排出口32排出。由此，供给到浸液构件7并从回收口20回收的第1清洗液体LC1从第2排出口32排出。从第2排出口32排出的第1清洗液体LC1被供给到第2收容构件42。
如上所述，在本实施方式中，在曝光液体LQ被全部回收之后，由第1清洗液体LC1形成浸液空间LT1。由此，在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间由曝光液体LQ稀释第1清洗液体LC1的现象被抑制。从第1清洗液体供给装置36A送出并从第2供给口22供给到浸液构件（接液构件）7的表面的第1清洗液体LC1中包含的碱的浓度被调整为适合于清洗的浓度。通过抑制在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间由曝光液体LQ稀释第1清洗液体LC1，从而能够用包含适合于清洗的浓度的碱的第1清洗液体LC1对浸液构件7进行清洗。
在本实施方式中，在第1清洗处理中，停止从第1供给口21供给曝光液体LQ。在该情况下，也可以在第1内部流路21R中充满曝光液体LQ。通过在第1内部流路21R中充满了曝光液体LQ的状态下，由第1清洗液体LC1形成浸液空间LT1，从而能够抑制第1清洗液体LC1浸入第1内部流路21R、第1流路23R等。另外，第1清洗液体LC1也可以从第1供给口21进入第1内部流路21R。
在从第2供给口22供给第1清洗液体LC1规定时间之后，控制装置8使从第2供给口22的第1清洗液体LC1的供给停止。由此，第1清洗处理（步骤SA2）结束。
在第1清洗处理结束之后，第1冲洗处理开始（步骤SA3）。在本实施方式中，在浸液空间LT1的第1清洗液体LC1被全部回收之后，第1冲洗处理开始。控制装置8在停止从第2供给口22供给第1清洗液体LC1的状态下，将从回收口20（多孔构件19的孔19H）的第1清洗液体LC1的回收执行规定时间。由此，终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间的第1清洗液体LC1被大致全部回收。
另外，为了将第1清洗液体LC1全部回收，不仅执行从回收口20的回收动作，而且也可以从第2供给口22回收第1清洗液体LC1。通过将第2供给口22连接到真空系统，能够从第2供给口22回收第1清洗液体LC1。另外，为了将第1清洗液体LC1全部回收，也可以执行从第2供给口22的回收动作，而不执行从回收口20的回收动作。另外，也可以将第1供给口21连接到真空系统，从第1供给口21回收第1清洗液体LC1。
另外，也可以在停止第1清洗液体LC1的供给之后，在执行第1冲洗处理时，去除残留在第2内部流路22R中的第1清洗液体LC1。例如，也可以在停止第1清洗液体LC1的供给之后，对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方进行减压，来去除残留在该第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方中的第1清洗液体LC1。例如，为了对第2内部流路22R进行减压，也可以对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方连接真空系统（吸引装置），吸引（减压）第2内部流路22R。由此，残留在第2内部流路22R中的第1清洗液体LC1被真空系统所吸引，从第2内部流路22R排出第1清洗液体LC1。另外，也可以对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方进行加压，来去除残留在该第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方中的第1清洗液体LC1。例如，为了对第2内部流路22R进行加压，也可以对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方连接气体供给装置，向第2内部流路22R供给气体来对该第2内部流路22R进行加压。由此，残留在第2内部流路22R中的第1清洗液体LC1从第2供给口22排出，从第2内部流路22R排出第1清洗液体LC1。另外，例如，也可以通过规定的流路连接第2内部流路22R和供给源LQS，将从供给源LQS送出的曝光液体LQ供给到第2内部流路22R，从该第2内部流路22R排出第1清洗液体LC1。另外，也可以从第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方去除（排出）第1清洗液体LC1。例如，也可以向第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方，供给从供给源LQS送出的曝光液体LQ。
图10是示出执行了第1冲洗处理的状态的一个例子的图。在第1冲洗处理中，也与浸液构件7相向地配置了虚设基板DP。
控制装置8为了用冲洗液体LH对浸液构件7进行冲洗，开始供给冲洗液体LH。另外，也可以在形成了第1清洗液体LC1的浸液空间LT1的状态下，开始供给冲洗液体LH。
控制装置8开始从第1供给口21供给冲洗液体LH。控制装置8在使从第2供给口22的清洗液体LC供给停止了的状态下，从第1供给口21对空间SP1供给冲洗液体LH。如上所述，在本实施方式中，作为冲洗液体LH，使用曝光液体LQ。
在第1冲洗处理中，与从第1供给口21的冲洗液体LH（曝光液体LQ）供给并行地，执行从回收口20的液体（包括第1清洗液体LC1以及冲洗液体LH中的至少一方）回收。由此，在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间由冲洗液体LH形成浸液空间LSh。
如图10所示，在冲洗处理中，从供给源LQS送出冲洗液体LH（曝光液体LQ）。从供给源LQS供给的冲洗液体LH经由第1流路23R以及第1内部流路21R被供给到第1供给口21。第1供给口21将冲洗液体LH供给到空间SP1。供给到空间SP1的冲洗液体LH经由开口7K流入空间SP2。冲洗液体LH与包括下表面14的浸液构件7的表面的至少一部分接触。通过冲洗液体LH对浸液构件7的表面进行冲洗。
冲洗液体LH能够去除残留在浸液构件7的表面中的第1清洗液体LC1。通过从第1供给口21供给的冲洗液体LH与浸液构件7接触，能够去除残留在该浸液构件7中的第1清洗液体LC1。在本实施方式中，冲洗液体LH是纯水，第1清洗液体LC1是碱水溶液。因此，冲洗液体LH能够去除残留在浸液构件7中的第1清洗液体LC1。另外，从第1供给口21供给的冲洗液体LH与浸液构件7接触，所以能够通过冲洗液体LH去除附着在浸液构件7的异物。
回收口20回收从第1供给口21供给到浸液构件7的表面的至少一部分的冲洗液体LH。回收口20回收空间SP2的冲洗液体LH。与冲洗液体LH一起，从回收口20回收从浸液构件7的表面去除的第1清洗液体LC1。
在本实施方式中，在第1冲洗处理中，还执行从第2供给口22的液体回收。第2供给口22能够与真空系统连接，能够作为液体的回收口发挥功能。即，在本实施方式中，与从第1供给口21的冲洗液体LH供给并行地，执行从回收口20以及第2供给口22的液体回收。通过从第2供给口22回收液体，残留在第2内部流路22R以及第2流路24R等中的第1清洗液体LC1被去除。通过冲洗液体LH对第2内部流路22R以及第2流路24R等进行冲洗。
从回收口20回收的冲洗液体LH流入第3内部流路20R以及第3流路25R。从第2供给口22回收的冲洗液体LH流入第2内部流路22R以及第2流路24R。
在本实施方式中，通过流路切换机构30调整流路，以使从回收口20回收的冲洗液体LH从第2排出口32排出。由此，供给到浸液构件7并从回收口20回收的冲洗液体LH从第2排出口32排出。从第2排出口32排出的冲洗液体LH被供给到第2收容构件42。
这样，在本实施方式中，在冲洗液体LH的供给以及回收中，从第2排出口32排出从回收口20回收的冲洗液体LH。
另外，从第2供给口22回收的冲洗液体LH经由第2内部流路22R、第2流路24R、以及第5流路27R被送到流路切换机构39。通过流路切换机构39调整流路，以使从第2供给口22回收的冲洗液体LH被送到第2收容构件42。
控制装置8将从第1供给口21的冲洗液体LH的供给、和从回收口20以及第2供给口22的冲洗液体LH的回收执行规定期间。
另外，在第1冲洗处理中，也可以从第1、第2供给口21、22供给冲洗液体LH，并且从回收口20回收该供给的冲洗液体LH。
另外，在第1冲洗处理中，也可以在与从第1供给口21的冲洗液体LH供给一起，进行了从回收口20以及第2供给口22的回收之后，停止从第2供给口22的回收，与从第1供给口21的冲洗液体LH供给一起，进行从回收口20的回收。另外，在第1冲洗处理中，也可以不进行从第2供给口22的回收。
在本实施方式中，在第1冲洗处理中，通过检测装置40检测从回收口20回收的冲洗液体LH的特性。检测装置40检测从回收口20回收并流经第3流路25R的冲洗液体LH的特性。在本实施方式中，检测装置40检测从回收口20回收的冲洗液体LH的电导率。检测装置40的检测结果输出到控制装置8。控制装置8根据检测装置40的检测结果求出包含在回收的冲洗液体LH中的碱（四甲基氢氧化铵）的浓度，直至该浓度成为预先规定的容许值以下为止，继续第1冲洗处理（冲洗液体LH的供给和回收）。例如，直至从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的碱的浓度成为1%以下为止，继续第1冲洗处理。
根据检测装置40的检测结果，确认了从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的碱的浓度成为容许值以下之后，第1冲洗处理（步骤SA3）结束。
在第1冲洗处理结束之后，控制装置8开始第2清洗处理（步骤SA4）。控制装置8为了用第2清洗液体LC2对浸液构件7进行清洗，开始供给第2清洗液体LC2。
另外，在本实施方式中，直至开始针对浸液构件7供给第2清洗液体LC2为止，执行从第1供给口21供给冲洗液体LH和从回收口20回收冲洗液体LH的并行动作。即，在停止供给冲洗液体LH之后，在形成了冲洗液体LH的浸液空间LSh的状态下，开始供给第2清洗液体LC2。
另外，也可以在停止供给冲洗液体LH之后，终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间的浸液空间LSh的冲洗液体LH被全部回收之后，开始第2清洗处理（第2清洗液体LC2的供给）。
另外，也可以在停止供给冲洗液体LH之后，在执行第2清洗处理时，去除残留在第1内部流路21R中的冲洗液体LH。例如，也可以在停止供给冲洗液体LH之后，对第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方进行减压或者加压，来去除残留在该第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方中的冲洗液体LH。
图11是示出执行了第2清洗处理的状态的一个例子的图。控制装置8开始从第2供给口22供给第2清洗液体LC2。控制装置8在停止从第1供给口21供给冲洗液体LH的状态下，从第2供给口22对空间SP1供给第2清洗液体LC2。以与浸液构件7相向地配置了虚设基板DP的状态，供给第2清洗液体LC2。
在第2清洗处理中，与从第2供给口22的第2清洗液体LC2的供给并行地，执行从回收口20的第2清洗液体LC2的回收。由此，在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间由第2清洗液体LC2形成浸液空间LT2。
在第2清洗处理中，从第2清洗液体供给装置36B送出第2清洗液体LC2。另外，第2清洗液体供给装置36B也可以是工厂FA的设备。从第2清洗液体供给装置36B供给的第2清洗液体LC2经由第6流路28R被供给到稀释装置35。
在本实施方式中，通过流路切换机构34调整流路，以使来自供给源LQS的曝光液体LQ经由第4流路26R被供给到稀释装置35。稀释装置35用来自第4流路26R的曝光液体LQ来稀释来自第2清洗液体供给装置36B的第2清洗液体LC2。
作为一个例子，在本实施方式中，从第2清洗液体供给装置36B送出的第2清洗液体LC2是过氧化氢的浓度为30%的水溶液。稀释装置35用曝光液体（水）LQ来稀释第2清洗液体LC2，生成过氧化氢的浓度为5%的水溶液。第2清洗液体LC2中包含的过氧化氢的浓度被调整为适合于清洗的规定浓度。稀释装置35将过氧化氢的浓度为5%的水溶液作为第2清洗液体LC2送出到第5流路27R。另外，送出到第5流路27R的第2清洗液体LC2中包含的过氧化氢的浓度也可以不是5%，例如，也可以是10%以上、15%以上、或者20%以上。
另外，例如也可以根据第2清洗液体LC2所流经的第5流路27R（第5流路形成构件27T）的内面、第2流路24R（第2流路形成构件24T）的内面、以及第2内部流路22R（浸液构件7）的内面的状态，适当地调整第2清洗液体LC2中包含的过氧化氢的浓度。例如，也可以根据这些流路的内面针对过氧化氢的耐受性，调整过氧化氢的浓度。另外，也可以根据虚设基板DP的表面针对过氧化氢的耐受性，调整过氧化氢的浓度。另外，在将第2清洗液体LC2供给到基板载台2的情况下，也可以根据基板载台2的上表面2F针对过氧化氢的耐受性，调整过氧化氢的浓度。另外，在将第2清洗液体LC2供给到测量载台3的情况下，也可以根据测量载台3的上表面3F针对过氧化氢的耐受性，调整过氧化氢的浓度。
另外，也可以在稀释装置35与供给源LQS之间设置逆流防止装置，以避免第2清洗液体LC2从稀释装置35送出到供给源LQS。例如，也可以在第4流路26R中设置逆流防止装置。
另外，作为第2清洗液体LC2的稀释中使用的液体，也可以使用从与供给源LQS不同的供给装置供给的液体（纯水）。即，作为第2清洗液体LC2的稀释中使用的液体，也可以使用与曝光液体LQ不同的液体。另外，作为第2清洗液体LC2的稀释中使用的液体，也可以使用水以外的液体。
另外，也可以不稀释从第2清洗液体供给装置36B送出的第2清洗液体LC2。另外，也可以省略稀释装置35。
另外，在本实施方式中，使用稀释装置35来稀释了第2清洗液体LC2，但被稀释的液体不限于此。例如，也可以在第1清洗供给装置36A与流路切换机构38之间设置稀释装置35，用曝光液体LQ来稀释来自第1清洗供给装置36A的第1清洗液体LC1。
来自稀释装置35的第2清洗液体LC2经由第5流路27R、第2流路24R、以及第2内部流路22R，供给到第2供给口22。第2供给口22将第2清洗液体LC2供给到空间SP1。供给到空间SP1的第2清洗液体LC2经由开口7K流入空间SP2。第2清洗液体LC2与包括下表面14的浸液构件7的表面的至少一部分接触。通过第2清洗液体LC2对浸液构件7的表面进行清洗。
第2清洗液体LC2包含过氧化氢，能够去除未能通过第1清洗处理从浸液构件7的表面等完全去除的异物。另外，第2清洗液体LC2能够去除残留在浸液构件7的表面等中的第1清洗液体LC1。例如，第2清洗液体LC2能够去除未能通过第1冲洗处理从浸液构件7的表面完全去除的第1清洗液体LC1。因此，通过以与浸液构件7接触的方式供给第2清洗液体LC2，附着在浸液构件7上的异物以及第1清洗液体LC1被去除。另外，第2清洗液体LC2能够去除未能通过第1冲洗处理从浸液构件7的表面等完全去除的异物。
回收口20回收从第2供给口22供给到浸液构件7的表面的至少一部分的第2清洗液体LC2。回收口20回收空间SP2的第2清洗液体LC2。与第2清洗液体LC2一起，从回收口20回收从浸液构件7的表面去除的异物等。
从回收口20回收的第2清洗液体LC2流经第3内部流路20R以及第3流路25R。在本实施方式中，通过流路切换机构30调整流路，以使从第3排出口33排出从回收口20回收的第2清洗液体LC2。由此，供给到浸液构件7并从回收口20回收的第2清洗液体LC2从第3排出口33排出。从第3排出口33排出的第2清洗液体LC2被供给到第3收容构件43。
在本实施方式中，在第2清洗处理中，停止从第1供给口21供给冲洗液体LH。在该情况下，也可以在第1内部流路21R充满冲洗液体LH。通过在第1内部流路21R中充满了冲洗液体LH的状态下，用第2清洗液体LC2形成浸液空间LT2，从而能够抑制第2清洗液体LC2浸入第1内部流路21R、第1流路23R等。另外，第2清洗液体LC2也可以从第1供给口21进入第1内部流路21R等。
在从第2供给口22供给第2清洗液体LC2规定时间之后，控制装置8使从第2供给口22的第2清洗液体LC2的供给停止。由此，第2清洗处理（步骤SA4）结束。
如上所述，在本实施方式中，在第1清洗处理中的第1清洗液体LC1的供给停止之后，并且在第2清洗处理中的第2清洗液体LC2的供给开始之前，在第1冲洗处理中将冲洗液体LH供给到浸液构件7，并且从回收口20回收该供给的冲洗液体LH。因此，能够降低在第2清洗处理中从回收口20回收的第2清洗液体LC2中包含的第1清洗液体LC1的浓度。
另外，在本实施方式中，在第1清洗处理中从回收口20回收的第1清洗液体LC1从第2排出口32排出，在第2清洗处理中从回收口20回收的第2清洗液体LC2从第3排出口33排出。通过在第1清洗处理与第2清洗处理之间执行第1冲洗处理，从而在第2清洗处理中抑制从第3排出口33排出第1清洗液体LC1。由于执行第1冲洗处理以使在第2清洗处理中抑制从第3排出口33排出第1清洗液体LC1，所以能够降低例如从第3排出口33排出的第2清洗液体LC2中包含的第1清洗液体LC1的浓度。
在从第3排出口33排出的第2清洗液体LC2中包含的第1清洗液体LC1的浓度高的情况下，存在如下可能性：在该第2清洗液体LC2的处理（废液处理）中需要时间、或者该处理变得烦杂。在本实施方式中，执行第1冲洗处理，以使在第2清洗处理中从回收口20回收的第2清洗液体LC2中包含的第1清洗液体LC1的浓度成为不对废液处理造成影响的规定浓度以下，所以能够顺利地执行该废液处理。即，能够比较容易地进行第3收容构件43中收容的液体的废弃处理。
另外，如上所述，在本实施方式中，从第1清洗液体供给装置36A送出的第1清洗液体LC1、和从第2清洗液体供给装置36B送出的第2清洗液体LC2经由至少一部分相同的供给流路被供给到浸液构件7。即，如图9以及图11所示，在本实施方式中，第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2的各个至少经由第2流路24R以及第2内部流路22R被供给到浸液构件7。另外，经由第2供给口22分别供给第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2。
在停止从第2供给口22供给第2清洗液体LC2，并第2清洗处理结束之后，开始第2冲洗处理（步骤SA5）。在本实施方式中，在浸液空间LT2的第2清洗液体LC2被全部回收之后，开始第2冲洗处理。控制装置8在使从第2供给口22的第2清洗液体LC2的供给停止了的状态下，将从回收口20（多孔构件19的孔19H）的第2清洗液体LC2的回收执行规定时间。由此，终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间的第2清洗液体LC2被全部回收。
另外，为了将第2清洗液体LC2大致全部回收，不仅执行从回收口20的回收动作，而且也可以从第2供给口22回收第2清洗液体LC2。另外，也可以代替从回收口20的回收动作，而执行从第2供给口22的回收动作。另外，也可以从第1供给口21回收第2清洗液体LC2。
另外，也可以在停止供给第2清洗液体LC2之后，在执行第2冲洗处理时，去除残留在第2内部流路22R中的第2清洗液体LC2。例如，也可以在停止供给第2清洗液体LC2之后，对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方进行减压，来去除残留在该第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方中的第2清洗液体LC2。例如，为了对第2内部流路22R进行减压，也可以对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方连接真空系统（吸引装置），并吸引（减压）第2内部流路22R。由此，残留在第2内部流路22R中的第2清洗液体LC2被真空系统所吸引，从第2内部流路22R排出第2清洗液体LC2。另外，也可以对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方进行加压，来去除残留在该第2内部流路22R以及第2流路24R的至少一方中的第2清洗液体LC2。例如，为了对第2内部流路22R进行加压，也可以对第2内部流路22R以及第2流路24R中的至少一方连接气体供给装置，向第2内部流路22R供给气体来对该第2内部流路22R进行加压。由此，残留在第2内部流路22R中的第2清洗液体LC2从第2供给口22排出，从第2内部流路22R排出第2清洗液体LC2。另外，例如，也可以通过规定的流路连接第2内部流路22R和供给源LQS，将从供给源LQS送出的曝光液体LQ供给到第2内部流路22R，从该第2内部流路22R排出第2清洗液体LC2。另外，也可以从第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方去除（排出）第2清洗液体LC2。例如，也可以向第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方，供给从供给源LQS送出的曝光液体LQ。
图12是示出执行了第2冲洗处理的状态的一个例子的图。在第2冲洗处理中，也与浸液构件7相向地配置了虚设基板DP。
控制装置8为了用冲洗液体LH冲洗浸液构件7，开始供给冲洗液体LH。另外，也可以以形成了第2清洗液体LC2的浸液空间LT2的状态，开始供给冲洗液体LH。
控制装置8开始从第1供给口21供给冲洗液体LH。控制装置8在使从第2供给口22的清洗液体LC供给停止了的状态下，从第1供给口21对空间SP1供给冲洗液体LH。如上所述，在本实施方式中，作为冲洗液体LH，使用曝光液体LQ。
在第2冲洗处理中，与从第1供给口21的冲洗液体LH（曝光液体LQ）的供给并行地，执行从回收口20的液体（包括第2清洗液体LC2以及冲洗液体LH中的至少一方）回收。由此，在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间由冲洗液体LH形成浸液空间LSh。
如图12所示，在冲洗处理中，从供给源LQS送出冲洗液体LH（曝光液体LQ）。从供给源LQS供给的冲洗液体LH经由第1流路23R以及第1内部流路21R，被供给到第1供给口21。第1供给口21将冲洗液体LH供给到空间SP1。供给到空间SP1的冲洗液体LH经由开口7K流入空间SP2。冲洗液体LH与包括下表面14的浸液构件7的表面的至少一部分接触。通过冲洗液体LH对浸液构件7的表面进行冲洗。
冲洗液体LH能够去除残留在浸液构件7的表面的第2清洗液体LC2。通过从第1供给口21供给的冲洗液体LH与浸液构件7接触，能够去除残留在该浸液构件7中的第2清洗液体LC2。在本实施方式中，冲洗液体LH是纯水，第2清洗液体LC2是过氧化氢水溶液。因此，冲洗液体LH能够去除残留在浸液构件7中的第2清洗液体LC2。
回收口20回收从第1供给口21供给到浸液构件7的表面的至少一部分的冲洗液体LH。回收口20回收空间SP2的冲洗液体LH。从浸液构件7的表面去除的第2清洗液体LC2与冲洗液体LH一起从回收口20回收。
在本实施方式中，在第2冲洗处理中，执行从第2供给口22的液体回收。第2供给口22能够连接到真空系统，能够作为液体的回收口发挥功能。即，在本实施方式中，与从第1供给口21的冲洗液体LH的供给并行地，执行从回收口20以及第2供给口22的液体回收。通过从第2供给口22回收液体，残留在第2内部流路22R以及第2流路24R等中的第2清洗液体LC2被去除。用冲洗液体LH对第2内部流路22R以及第2流路24R等进行冲洗。
从回收口20回收的冲洗液体LH流经第3内部流路20R以及第3流路25R。从第2供给口22回收的冲洗液体LH流经第2内部流路22R以及第2流路24R。
在本实施方式中，通过流路切换机构30调整流路，以使从回收口20回收的冲洗液体LH从第3排出口33排出。由此，供给到浸液构件7并从回收口20回收的冲洗液体LH从第3排出口33排出。从第3排出口33排出的冲洗液体LH被供给到第3收容构件43。
这样，在本实施方式中，在冲洗液体LH的供给以及回收中，从回收口20回收的冲洗液体LH从第3排出口33排出。
另外，从第2供给口22回收的冲洗液体LH经由第2内部流路22R、第2流路24R、以及第5流路27R，送到流路切换机构39。通过流路切换机构39调整流路，以使从第2供给口22回收的冲洗液体LH被送到第3收容构件43。
控制装置8将从第1供给口21的冲洗液体LH的供给、和从回收口20以及第2供给口22的冲洗液体LH的回收执行规定期间。
另外，也可以在第2冲洗处理中，从第1、第2供给口21、22供给冲洗液体LH，并且从回收口20回收该供给的冲洗液体LH。
另外，也可以在第2冲洗处理中，在从第1供给口21供给冲洗液体LH并且进行从回收口20以及第2供给口22的回收之后，停止从第2供给口22回收，从第1供给口21供给冲洗液体LH并且进行从回收口20的回收。另外，也可以在第2冲洗处理中，不进行从第2供给口22的回收。
在本实施方式中，执行从第1供给口21供给冲洗液体LH和从回收口20回收冲洗液体LH的并行动作，以使从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为预先规定的规定浓度以下。
在本实施方式中，在第2冲洗处理中，通过检测装置40检测从回收口20回收的冲洗液体LH的特性。在本实施方式中，检测装置40检测从回收口20回收并流经第3流路25R的冲洗液体LH的电导率。检测装置40的检测结果输出到控制装置8。在本实施方式中，控制装置8根据检测装置40的检测结果，求出从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度，进而求出冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度。控制装置8直至至少从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下为止，将从第1供给口21供给冲洗液体LH和从回收口20回收冲洗液体LH的并行动作执行规定期间。在本实施方式中，直至至少回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度成为预先规定的容许值以下为止，继续第2冲洗处理（冲洗液体LH的供给和回收）。例如，直至从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度成为1%以下为止，继续第2冲洗处理。在从回收口20回收冲洗液体LH时，该回收到的冲洗液体LH从第3排出口33排出。
如上所述，在本实施方式中，第2冲洗处理包括从第3排出口33排出从回收口20回收的冲洗液体LH的处理。在本实施方式中，在第2冲洗处理之后，执行第3冲洗处理（步骤SA6）。
图13是示出执行了第3冲洗处理的状态的一个例子的图。如图13所示，在本实施方式中，第3冲洗处理包括从第1排出口31排出从回收口20回收的冲洗液体LH的处理。
在本实施方式中，直至至少冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度为止，执行包括如下动作的第2冲洗处理：从第1供给口21的冲洗液体LH的供给动作、从回收口20的冲洗液体LH的回收动作、以及该回收到的冲洗液体LH从第3排出口33的排出动作。即，直至回收到的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度为止，针对回收的冲洗液体LH，执行从第3排出口33排出该冲洗液体LH的处理。从第3排出口33排出的冲洗液体LH被收容到第3收容构件43。在本实施方式中，直至该冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下为止，将从回收口20回收的冲洗液体LH收容到第3收容构件43。
在所回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，控制装置8执行从第1供给口21供给冲洗液体LH和从回收口20回收冲洗液体LH的并行动作，并且控制流路切换机构30来调整流路，以使从回收口20回收的冲洗液体LH从第1排出口31排出。即，控制装置8根据检测装置40的检测结果，求出所回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度，并根据该浓度，控制流路切换机构30，从第3排出口33的排出动作切换为第1排出口31的排出动作。
在本实施方式中，控制装置8直至所回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度为止，从第3排出口33排出所回收的冲洗液体LH，在该第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，从第1排出口31排出回收的冲洗液体LH。
在所回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，控制装置8也执行从第1供给口21供给冲洗液体LH和从回收口20（第2供给口22）回收冲洗液体LH的并行动作。在所回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度之后，针对所回收的冲洗液体LH，执行从第1排出口31排出该冲洗液体LH的处理。
这样，在本实施方式中，第2冲洗处理和第3冲洗处理连续地执行。在第2冲洗处理中，在从回收口20回收冲洗液体LH时，从第3排出口33排出该冲洗液体LH，在该回收中控制流路切换机构30，接着从该第3排出口33的排出，在第3冲洗处理中，从第1排出口31排出冲洗液体LH。从第1排出口31排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度是规定浓度以下。另外，也可以在使从第1供给口21的冲洗液体LH供给、和从回收口20的冲洗液体LH回收的至少一方停止之后，通过流路切换机构30从第3排出口33的排出切换为第1排出口31的排出之后，作为第3冲洗处理，再次开始从第1供给口21供给冲洗液体LH、和从回收口20回收冲洗液体LH的并行动作。
在冲洗液体LH的回收中，从第1排出口31排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度低于从第3排出口33排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度。另外，从第1排出口31排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度低于从第2供给口22向浸液构件7供给的第2清洗液体LC2中包含的过氧化氢的浓度。
在本实施方式中，在执行第2清洗处理后的第2冲洗处理的第1期间从回收口20回收的冲洗液体LH从第3排出口33排出，在执行第2冲洗处理后的第3冲洗处理的第2期间从回收口20回收的冲洗液体LH从第1排出口31排出。相比于第2冲洗处理（第1期间）中的回收时，在第3冲洗处理（第2期间）中的回收时，所回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度更低。由此，在第3冲洗处理中从第1排出口31的第2清洗液体LC2的排出被抑制。由于执行第2冲洗处理以使在第3冲洗处理中抑制从第1排出口31的第2清洗液体LC2的排出，所以能够降低例如从第1排出口31排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2（过氧化氢）的浓度。另外，能够降低例如第1收容构件41的冲洗液体LH（曝光液体LQ）中包含的第2清洗液体LC2的浓度。
在从第1排出口31排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度高的情况下，存在如下可能性：在该冲洗液体LH的处理（废液处理）中需要时间、或者该处理变得烦杂。在本实施方式中，执行第2冲洗处理，以使在第3冲洗处理中从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为不对废液处理造成影响的规定浓度以下，所以能够顺利地执行该废液处理。
在本实施方式中，针对在第2冲洗处理中从第3排出口33排出的冲洗液体LH执行第1处理，针对在第3冲洗处理中从第1排出口31排出的冲洗液体LH执行与第1处理不同的第2处理。如上所述，从第3排出口33排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度高，从第1排出口31排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度低。
在本实施方式中，针对在第2冲洗处理中从第3排出口33排出的冲洗液体LH的处理（第1处理）与针对在第2清洗处理中从第3排出口33排出的第2清洗液体LC2的处理相同。
在本实施方式中，对在第2清洗处理中从第3排出口33排出的第2清洗液体LC2进行废弃处理，对从第3排出口33排出的冲洗液体LH也进行废弃处理。即，在本实施方式中，第1处理包括废弃从第3排出口33排出的冲洗液体LH的处理。
另一方面，对于在第3冲洗处理中从第1排出口31排出的冲洗液体LH，也可以不废弃而再利用。即，第2处理包括再利用的处理。例如，也可以将在第3冲洗处理中从第1排出口31排出的冲洗液体LH再利用为曝光液体LQ，也可以用于驱动系统4、5的温度调整。
另外，第2处理也可以是废弃从第1排出口31排出的冲洗液体LH的处理。在第1、第2处理分别是废弃所排出的冲洗液体LH的处理的情况下，在第1处理和第2处理中，直至废弃所排出的冲洗液体LH为止的工序也可以不同。例如，第2处理的工序也可以少于第1处理。
例如，过氧化氢的浓度低的冲洗液体LH在从第1排出口31排出之后，可以原样地废弃。另一方面，过氧化氢的浓度高的冲洗液体LH在从第3排出口33排出之后，有可能无法原样地废弃。同样地，在第2清洗处理中从第3排出口33排出的第2清洗液体LC2也有可能无法原样地废弃。在废弃时，有可能需要例如用规定的液体（例如水）来稀释过氧化氢的浓度高的冲洗液体LH的处理、使用催化剂来降低过氧化氢的浓度的处理等工序。同样地，在废弃第2清洗液体LC2时，也有可能需要规定数的工序。另外，在废弃时，即使在需要针对从第1排出口31排出的冲洗液体LH的处理的情况下，也存在如下可能性：针对从第1排出口31排出的冲洗液体LH的处理的工序数少于针对从第3排出口33排出的冲洗液体LH的处理也可以。
另外，在本实施方式中，从第1排出口31排出的冲洗液体LH被收容到第1收容构件41，从第3排出口33排出的冲洗液体LH被收容到第3收容构件43。在本实施方式中，在第3收容构件43中，收容在第3冲洗处理中从第3排出口33排出的冲洗液体LH、和在第2清洗处理中从第3排出口33排出的第2清洗液体LC2。在第1收容构件41中，收容在曝光处理中从第1排出口31排出的曝光液体LQ、和在第3冲洗处理中从第1排出口31排出的冲洗液体LH。在本实施方式中，收容在第1收容构件41中的液体中包含的过氧化氢的浓度低。因此，在废弃时，针对收容在第1收容构件41中的液体的处理简单也可以。
在本实施方式中，在第2冲洗处理和第3冲洗处理中，分开了排出所回收的冲洗液体LH的排出口，所以能够充分降低在第3冲洗处理中从第1排出口31排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度。因此，能够顺利地执行该冲洗液体LH的处理。
另外，在本实施方式中，也可以将执行第2冲洗处理的第1期间设为比执行第3冲洗处理的第2期间短。即使第1期间短，也能够充分去除在第2清洗处理中残留在浸液构件7中的第2清洗液体LC2。另外，通过延长第2期间，能够增大例如从第1排出口31排出并在第1收容构件41中收容的冲洗液体LH的量。由此，收容在第1收容构件41中的液体中包含的过氧化氢的浓度被降低。
在第3冲洗处理结束之后，控制装置8执行从基板载台2搬出（卸载）虚设基板DP的处理（步骤SA7）。控制装置8为了从基板载台2（基板保持部11）搬出虚设基板DP，使该基板载台2移动到基板交换位置。
也可以在从基板载台2搬出了虚设基板DP之后，控制装置8执行包括基板P的曝光处理的曝光顺序。
另外，如上所述，在第1清洗处理（SA2）中，用第1清洗液体LC1形成浸液空间LT1。由此，能够使第1清洗液体LC1良好地接触到在基板P的曝光中与浸液空间LS的曝光液体LQ接触的浸液构件7的表面。同样地，在第2清洗处理（SA4）中，用第2清洗液体LC2形成浸液空间LT2，所以能够使第2清洗液体LC2接触到浸液构件7的表面。另外，在冲洗处理（SA3、SA5、SA6）中，用冲洗液体LH形成浸液空间LSh，所以能够使冲洗液体LH接触到浸液构件7的表面。
另外，在第1清洗处理（SA2）中，从第2供给口22向浸液构件7的表面供给第1清洗液体LC1并且从回收口20回收第1清洗液体LC1，所以能够使从第2供给口22供给的干净的第1清洗液体LC1连续接触到浸液构件7的表面。同样地，在第2清洗处理（SA4）中，能够使从第2供给口22供给的干净的第2清洗液体LC2连续接触到浸液构件7的表面，在冲洗处理（SA3、SA5、SA6）中，能够使从第1供给口21供给的干净的冲洗液体LH连续接触到浸液构件7的表面。
另外，在上述步骤SA2~SA6中，与液体（第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个）的供给一起进行回收，所以抑制从浸液构件7的表面去除的异物等附着到虚设基板DP的表面。
另外，通过从回收口20（孔19H）回收清洗液体LC（LC1、LC2），从而使清洗液体LC不仅接触到下表面19B，而且还能够接触到孔19H的内面、以及上表面19A，能够用清洗液体LC良好地清洗下表面19B、孔19H的内面、以及上表面19A。另外，通过从回收口20（孔19H）回收冲洗液体LH，从而使冲洗液体LH不仅接触到下表面19B，而且还能够接触到孔19H的内面、以及上表面19A，能够用冲洗液体LH良好地冲洗下表面19B、孔19H的内面、以及上表面19A。
另外，在上述步骤SA2~SA6的至少一部分中，控制装置8也可以在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间形成了浸液空间（LT1、LT2、LSh）的状态下，控制基板载台2，来使虚设基板DP在XY平面内移动。由此，浸液空间的液体的界面（LG1、LG2、LGh）移动，能够使液体（LC1、LC2、LH）接触到浸液构件7的下表面14的宽区域。另外，液体的界面相对下表面14移动，所以能够提高清洗效果或者冲洗效果。另外，通过使虚设基板DP移动，由此在浸液空间中在液体中产生流动，所以能够提高清洗效果或者冲洗效果。另外，也可以不使虚设基板DP移动。
另外，在本实施方式中，也可以控制虚设基板DP（基板载台2）相对浸液构件7的移动范围，以使浸液空间（LT1、LT2、LSh）不向虚设基板DP的外侧露出，换言之，以使浸液空间仅形成在虚设基板DP上，且不使浸液空间的液体（LC1、LC2、LH）接触到虚设基板DP的外侧的上表面2F。
另外，浸液空间（LT1、LT2、LSh）也可以露出虚设基板DP的外侧。例如，也可以使液体（LC1、LC2、LH）接触到上表面2F。另外，也可以使液体接触到测量载台3，也可以使液体接触到虚设基板DP、基板载台2、以及测量载台3以外的物体。
在上述步骤SA2~SA6的至少一部分中，在使虚设基板DP移动的情况下，在上述步骤SA2~SA6中的每一步骤中，也可以使虚设基板DP相对浸液构件7的移动范围（基板载台2的移动路径）不同。另外，也可以在上述步骤SA2~SA6中的至少一个步骤中，使虚设基板DP相对浸液构件7的移动范围（基板载台2的移动路径）不同。例如，在步骤6中，也可以设置仅在虚设基板DP上形成浸液空间的期间、和以横跨在虚设基板DP表面和上表面2F的方式形成浸液空间的期间。在该情况下，也可以在仅在虚设基板DP上形成浸液空间的期间之后，设置以横跨在虚设基板DP的表面和上表面2F的方式形成浸液空间的期间。
另外，在本实施方式中，使用虚设基板DP执行了清洗顺序，但也可以在上述步骤SA2~SA6中的至少一部分中，不使用虚设基板DP。例如，也可以在终端光学元件12以及浸液构件7与测量载台3之间形成了浸液空间的状态下，执行上述步骤SA2~SA6中的至少一个步骤。
如以上说明，根据本实施方式，使所回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度降低为规定浓度以下，所以能够顺利地执行该冲洗液体LH的处理。因此，能够抑制例如包括曝光装置EX的器件制造系统SYS的运转率的降低、处理成本的增大等。
另外，在本实施方式中，作为使回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下的处理的一个例子，执行了冲洗液体LH的供给和回收的并行动作，但例如也可以是如下处理：设定在第2清洗处理的结束后（第2清洗液体LC2的供给停止之后）、并且在第2冲洗处理的开始前（冲洗液体LH的供给开始前）停止向浸液构件7供给冲洗液体LH的停止期间。例如，执行如下处理：停止供给第2清洗液体LC2，并回收第2清洗液体LC2，从而消除浸液空间LT2。停止期间被设定为比直到第2清洗液体LC2开始汽化为止的时间长。由此，例如残留在浸液构件7中的第2清洗液体LC2汽化而从浸液构件7去除。
在停止期间之后，开始供给用于第2冲洗处理的冲洗液体LH。残留在浸液构件7中的第2清洗液体LC2的至少一部分被汽化而从浸液构件7去除，所以在刚刚开始供给冲洗液体LH之后从回收口20回收的冲洗液体LH中的第2清洗液体LC2的浓度被降低。
另外，停止期间也可以继续到在刚刚开始供给冲洗液体LH之后从回收口20回收的冲洗液体LH中的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下。由此，在第2冲洗处理中从回收口20回收并从第3排出口33排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下。对于从该第3排出口33排出的冲洗液体LH，例如再利用、或者原样地废弃。在该情况下，第3冲洗处理既可以省略也可以不省略。
另外，停止期间也可以比直到第2清洗液体LC2开始汽化为止的时间短。通过执行如下处理，即停止供给第2清洗液体LC2并回收第2清洗液体LC2而消除浸液空间LT2，从而能够降低在停止期间之后供给并回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度。
另外，在本实施方式中，在与浸液构件7相向地配置了虚设基板DP的状态下，供给了第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH，但也可以在例如与浸液构件7相向地配置了基板载台2的状态下，供给第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个，也可以在配置了测量载台3的状态下进行供给，也可以在配置了虚设基板DP、基板载台2、以及测量载台3以外的物体的状态下进行供给。
另外，作为使回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下的处理，也可以执行例如在该冲洗液体LH中添加能够使过氧化氢降低的催化剂的处理。例如，也可以与冲洗液体LH的供给以及回收并行地，在冲洗液体LH中添加催化剂。催化剂也可以添加到从回收口20回收的冲洗液体LH，也可以添加到从第1供给口21供给的冲洗液体LH。在该情况下，第3冲洗处理既可以省略也可以不省略。
另外，也可以例如针对回收的冲洗液体LH，在第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度以前执行添加催化剂的处理，并且通过该处理而第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，执行不添加催化剂的处理。另外，也可以在执行添加催化剂的处理的期间中，执行从第3排出口33排出所回收的冲洗液体LH的处理，在不添加催化剂的期间中，执行从第1排出口31排出所回收的冲洗液体LH的处理。这些处理也可以与冲洗液体LH的供给以及回收并行地执行。
另外，在本实施方式中，从第3排出口33排出在执行第2冲洗处理的第1期间从回收口20回收的冲洗液体LH，从第1排出口31排出在执行第3冲洗处理的第2期间从回收口20回收的冲洗液体LH，对从第3排出口33排出的冲洗液体LH执行第1处理，对从第1排出口31排出的冲洗液体LH执行第2处理。另外，例如，也可以对在第2冲洗处理中的规定的期间（以下，称为第3期间）从回收口20回收并从第3排出口33排出的冲洗液体LH执行第1处理，对在该第3期间之后的第4期间从回收口20回收并从第3排出口33排出的冲洗液体LH执行第2处理。在该情况下，在第4期间中回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度比在第3期间中回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度低。
另外，也可以在第1清洗处理之后，在第1冲洗处理中的冲洗液体LH的回收中，例如从第2排出口32排出从回收口20回收的冲洗液体LH，并且接着从该第2排出口32的排出，从与第2排出口32不同的排出口（例如第1排出口31）排出冲洗液体LH。另外，例如，也可以对在第1冲洗处理中的规定的期间（以下，称为第5期间）从回收口20回收并从第2排出口32排出的冲洗液体LH执行第3处理，对在该第5期间之后的第6期间从回收口20回收并从第2排出口32排出的冲洗液体LH执行与第3处理不同的第4处理。在该情况下，在第6期间回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度比在第5期间回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度低。另外，作为第3处理，也可以执行与上述第1处理同样的处理，作为第4处理，也可以执行与上述第2处理同样的处理。
另外，也可以在上述第1期间以及第2期间中的至少第1期间中，对供给到浸液构件7的冲洗液体LH提供振动。图15是示出对冲洗液体LH提供振动的状态的一个例子的图。在本实施方式中，测量载台3具备能够发生超声波振动的超声波发生装置50。超声波发生装置50具备驱动装置51和与驱动装置51连接的振动构件52。
在本实施方式中，振动构件52是搭载于测量载台3的杆状的构件。振动构件52例如由石英形成。驱动装置51包括晶体振子或者PZT（锆钛酸铅）那样的压电元件、和驱动压电元件的电路。测量载台3在上表面3F具有凹部，振动构件52配置于该凹部。在凹部的上端的周围，配置了测量载台3的上表面3F。测量载台3的上表面3F和振动构件52的上表面配置于大致同一平面内（一面）。在振动构件52的上表面与测量载台3的上表面3F之间，形成了规定的间隙。
驱动装置51与振动构件52连接。在本实施方式中，驱动装置51在凹部的内侧与振动构件52的下表面连接。驱动装置51使振动构件52超声波振动。通过控制装置8控制驱动装置51。控制装置8利用驱动装置51使振动构件52超声波振动。
控制装置8通过在浸液构件7的下表面14、与振动构件52的上表面以及测量载台3的上表面3F之间用冲洗液体LH形成了浸液空间LSh的状态下用驱动装置51使与该冲洗液体LH接触的振动构件52振动（超声波振动），从而能够对冲洗液体LH提供振动（超声波振动）。由此，能够提高冲洗效果。
另外，在图15所示的例子中，关于针对光路K的放射方向，在回收口20的外侧，配置了能够吸引流体的吸引口53。吸引口53设置于吸引构件54，该吸引构件54配置于浸液构件7的周围的至少一部分。例如在基板P的曝光时，吸引口53能够在界面LGq的外侧吸引气体。另外，在曝光液体LQ向回收口20的外侧流出的情况、或者浸液空间LS的曝光液体LQ的一部分分离而向该浸液空间LS的外侧露出的情况下，吸引口53也能够吸引该曝光液体LQ。由此，在基板P的曝光时，能够抑制曝光液体LQ向吸引口53的外侧露出。另外，吸引口53也可以设置于浸液构件7。
如图15所示，在清洗顺序中，吸引口53能够回收液体（第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个）。在图15所示的例子中，对空间SP2，从第1供给口21供给冲洗液体LH，并且从回收口20（多孔构件19的孔19H）也供给冲洗液体LH。在图15中，冲洗处理中的浸液空间LSh的大小大于曝光处理中的浸液空间LS的大小。另外，浸液空间的大小是指，与下表面14大致平行的XY平面内的大小。从吸引口53回收从第1供给口21以及回收口20供给的冲洗液体LH。
另外，在图15所示的例子中，对从第1供给口21（回收口20）供给到空间SP2的冲洗液体LH提供了振动，但也可以例如在第1内部流路21R以及第1流路23R中的至少一方中配置振子，并对供给到第1供给口21之前的冲洗液体LH提供振动。同样地，也可以在第3内部流路23R中配置振子，并对从回收口20供给之前的冲洗液体LH提供振动。
另外，也可以在第2期间中，对冲洗液体LH提供振动（超声波振动）。
另外，在第1期间以及第2期间中对冲洗液体LH提供振动的情况下，也可以在第2期间中，对供给到浸液构件7的冲洗液体LH，以与第1期间不同的振动条件提供振动。振动条件包括例如振动频率、振幅、以及振动时间中的至少一个。例如，也可以在第1期间中，以第1振动频率提供振动，在第2期间中，以与第1振动频率不同的第2振动频率提供振动。第1振动频率既可以大于第2振动频率也可以小于第2振动频率。另外，也可以在第1期间中，以第1振幅提供振动，在第2期间中，以与第1振幅不同的第2振幅提供振动。第1振幅既可以大于第2振幅也可以小于第2振幅。另外，也可以在第1期间中，以第1时间提供振动，在第2期间中，以与第1时间不同的第2时间提供振动。第1时间既可以大于第2时间也可以小于第2时间。
另外，也可以例如在第2期间中，对供给到浸液构件7的冲洗液体LH提供振动，并且在该第2期间的途中变更振动条件。当然，也可以在第1期间的途中变更振动条件。
另外，既可以对第1清洗处理中的第1清洗液体LC1提供振动，也可以对第1冲洗处理中的冲洗液体LH提供振动，也可以对第2清洗处理中的第2清洗液体LC2提供振动。另外，在这些液体（第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个）的供给动作的途中，变更对该液体提供的振动条件。
另外，也可以在虚设基板DP配置超声波发生装置，并使该超声波发生装置工作来对浸液构件7与虚设基板DP之间的液体提供超声波振动。另外，也可以在基板载台2配置超声波发生装置，并使该超声波发生装置工作来对浸液构件7与基板载台2之间的液体提供超声波振动。
另外，在图15的实施方式中，从回收口20（多孔构件19的孔19H）也供给了冲洗液体LH，但如在上述图1~图14的实施方式中说明那样供给有冲洗液体LH时，也可以对冲洗液体LH提供超声波振动。在该情况下，也可以不像图15那样设置吸引口53，而对冲洗液体LH提供超声波振动。
另外，在本实施方式中，也可以调整在浸液构件7与物体（虚设基板DP、基板载台2、以及测量载台3中的至少一个）之间形成的浸液空间（LT1、LT2、LSh等）的大小。即，也可以变更形成浸液空间的液体在下表面14中的接触面积。在本实施方式中，浸液空间的大小是指，在下表面14与和该下表面14相向的物体的上表面之间，与下表面14大致平行的XY平面内的大小。例如，通过不变更从回收口20的每单位时间的冲洗液体LH的回收量（空间SP2的压力与第3内部流路20R的压力之差）而增大从第1供给口21的每单位时间的冲洗液体LH的供给量，从而能够增大浸液空间LSh，并通过减少供给量来能够减小浸液空间LSh。另外，例如，通过不变更从第1供给口21的每单位时间的冲洗液体LH的供给量而减少从回收口20的每单位时间的冲洗液体LH的回收量，从而能够增大浸液空间LSh，并通过增大回收量来能够减小浸液空间LSh。当然，也可以调整冲洗液体LH的供给量和回收量这双方。通过使浸液空间LSh的大小发生变化，在下表面14与物体的上表面之间，界面LGh的位置（相对曝光光EL的光路的放射方向的位置）发生变化。由此，能够提高冲洗效果。
同样地，也可以调整第1清洗液体LC1的供给量以及回收量中的至少一方，来调整在浸液构件7与物体（例如虚设基板DP）之间由第1清洗液体LC1形成的浸液空间LT1的大小，也可以调整第2清洗液体LC2的供给量以及回收量中的至少一方，来调整在浸液构件7与物体之间由第2清洗液体LC2形成的浸液空间LT2的大小。
另外，在上述实施方式中，以对浸液构件7进行清洗的情况为例子进行了说明，但能够通过例如对基板载台2（包括平板构件T）供给清洗液体LC（LC1、LC2）来对该基板载台2进行清洗处理。另外，能够通过对基板载台2供给冲洗液体LH来对该基板载台2进行冲洗处理。另外，能够通过对测量载台3（包括测量构件C）供给清洗液体LC（LC1、LC2）来对该测量载台3进行清洗处理。另外，能够通过对测量载台3供给冲洗液体LH来对该测量载台3进行冲洗处理。
另外，在基板载台2是例如美国专利申请公开第2007/0288121号说明书等公开那样的、具备能够与编码器头相向的标尺构件的情况下，也可以对该标尺构件供给清洗液体LC，也可以供给冲洗液体LH。
另外，在本实施方式中，经由浸液构件7的第2供给口22供给了清洗液体LC，但清洗液体LC的供给部位不限于此。例如，也可以经由浸液构件7的第1供给口21供给清洗液体LC。例如，通过经由切换机构将第2流路24R连接到第1流路23R的一部分，从而能够将流经第2流路24R的清洗液体LC经由第1供给口21来供给。在该情况下，也可以为了避免清洗液体LC从切换机构送出到供给源LQS而设置逆流防止装置。另外，例如，也可以经由浸液构件7的回收口20供给清洗液体LC。在该情况下，也可以关于图15所示那样的相对光路K的放射方向在回收口20的外侧，设置能够吸引流体的吸引口53，并回收经由回收口20供给的清洗液体LC。
另外，在本实施方式中，经由浸液构件7的供给口（21、22）进行了液体（第1、第2清洗液体LC1、LC2、冲洗液体LH）的供给，经由浸液构件7的回收口（20）进行了液体的回收，但也可以从设置在与浸液构件7相向的物体（基板载台2、测量载台3、以及虚设基板DP等）中的供给口供给液体，也可以从设置在该物体中的回收口回收液体。
另外，在本实施方式中，在清洗顺序的各步骤SA2、SA3、SA4、SA5、SA6中，使用了同一虚设基板DP，但也可以针对各步骤的每一个步骤交换虚设基板DP，也可以针对所使用的每个液体交换虚设基板DP。例如，也可以在虚设基板DP上供给第1、第2清洗液体LC1、LC2中的至少一方时，使用表面由透明涂层形成的虚设基板DP，在供给冲洗液体LH时，使用表面由HMDS形成的虚设基板DP。
<第2实施方式>
接下来，说明第2实施方式。在以下的说明中，对与上述实施方式等同的构成部分附加相同符号，简化或者省略其说明。
在本实施方式中，例如在第2冲洗处理中，直至第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为不对废液处理造成影响的规定浓度以下为止，继续将从回收口20回收的冲洗液体LH送出到第3收容构件43。
在从第1供给口21的冲洗液体LH的供给和从回收口20的回收中，将从该回收口20回收的冲洗液体LH送出到第3收容构件43，所以第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度逐渐降低。即，将通过与从第1供给口21的冲洗液体LH的供给动作并行地执行的回收口20的回收动作而回收的冲洗液体LH从第3排出口33继续供给到第3收容构件43，所以第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度逐渐降低，不久会成为规定浓度以下。由此，能够顺利地执行第3收容构件43中收容的冲洗液体LH的废液处理。另外，在该情况下，也可以省略将冲洗液体LH的排出从第3排出口33切换到第1排出口31的动作（从第2冲洗处理转移到第3冲洗处理的动作）。
例如，对于第3收容构件43中收容的冲洗液体LH，既可以原样地废弃，也可以不废弃而再利用。即，对第3收容构件43中收容的冲洗液体LH，可以执行在上述第1实施方式中说明的第2处理。另外，在例如废弃包含规定浓度以下的第2清洗液体LC2的冲洗液体LH时，即使在需要执行规定的处理的情况下，该处理的工序数也可以少于在对包含比规定浓度更多的第2清洗液体LC2的冲洗液体LH进行废弃等时执行的处理的工序数。
另外，如图16的示意图所示，也可以在第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到了规定浓度之后，也继续将从回收口20回收的冲洗液体LH继续送出到第3收容构件43。由此，能够进一步降低第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度。在该情况下，也可以省略将冲洗液体LH的排出从第3排出口33切换到第1排出口31的动作（从第2冲洗处理转移到第3冲洗处理的动作）。
另外，也可以在将从回收口20回收的冲洗液体LH收容于第3收容构件43之前，在该第3收容构件43中收容有冲洗液体LH。由此，也能够使第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下。也可以对该第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下的冲洗液体LH执行第2处理。
另外，也可以相对于第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度，从回收口20回收并供给到第3收容构件43的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度高。
另外，如图17的示意图所示，也可以为了使第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下，将与第2清洗液体LC2不同的规定液体LE送出到第3收容构件43。将该规定液体LE既可以不经由浸液构件7而供给到第3收容构件43，也可以经由浸液构件7供给到第3收容构件43。例如，将该规定液体LE，也可以不经由浸液构件7而从规定的液体供给装置500供给到第3收容构件43，也可以由作业者进行供给。另外，关于该规定液体LE向第3收容构件43的送出，既可以在停止了将从回收口20回收的冲洗液体LH送出到第3收容构件43的状态下进行，也可以在将从回收口20回收的冲洗液体LH送出到第3收容构件43的状态下进行。
另外，该规定液体LE也可以是例如冲洗液体LH。即，规定液体LE也可以是水。另外，供给到第3收容构件43的规定液体LE的干净度也可以低于冲洗液体LH（曝光液体LQ）的干净度。即，规定液体LE虽然是与冲洗液体LH相同的成分，但其干净度也可以不同。另外，规定液体LE与冲洗液体LH的温度也可以不同。另外，规定液体LE也可以是例如乙醇那样的酒精等水以外的液体。
另外，也可以在第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度之前，停止向第3收容构件43送出从回收口20回收的冲洗液体LH。例如，也可以通过停止从第1供给口21的冲洗液体LH的供给和从回收口20的冲洗液体LH的回收，来停止向第3收容构件43送出冲洗液体LH。
也可以在停止该送出之后，直至第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下为止，继续将从回收口20回收的冲洗液体LH送出到第3收容构件43。即，既可以从第3排出口33对第3收容构件43连续地供给冲洗液体LH，也可以断续地进行供给。
另外，关于第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度是否变为规定浓度以下的判断，既可以根据上述检测装置40的检测结果来判断，也可以在第3收容构件43中设置与上述检测装置40同样的检测装置，并检测第3收容构件43中收容的冲洗液体LH的特性，来判断第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度是否为规定浓度以下。
另外，也可以在第2收容构件42中设置与上述检测装置40同样的检测装置，检测第2收容构件42中收容的冲洗液体LH的特性，来判断第2收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度是否为规定浓度以下。在第2收容构件42和第3收容构件43中设置了检测冲洗液体LH的特性的检测装置的情况下，也可以省略上述检测装置40。
另外，在将从回收口20回收的冲洗液体LH经由第3流路25R供给到第3收容构件43的情况下，也可以在该第3流路25R内的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定值以下之后，停止向第3收容构件43送出该回收的冲洗液体LH。能够根据检测装置40的检测结果，求出第3流路25R内的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度。规定值也可以低于规定浓度。即，控制装置8也可以在根据检测装置40的检测结果判断为回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度低于规定浓度的情况下，停止向第3收容构件43送出该回收的冲洗液体LH。在停止该送出之后，将第2清洗液体LC2的浓度为规定值以下的冲洗液体LH，既可以供给到与第3收容构件43不同的构件（例如第1收容构件41），也可以再利用，也可以废弃。
另外，在停止向第3收容构件43送出回收的冲洗液体LH之后，也可以继续从第1供给口21供给冲洗液体LH和从回收口20回收冲洗液体LH。也可以在停止该送出之后，例如，执行将冲洗液体LH的排出从第3排出口33切换到第1排出口31的处理，以使得回收的冲洗液体LH被收容到第1收容构件41。另外，也可以废弃该回收的冲洗液体LH。
在本实施方式中，与从第1供给口21的冲洗液体LH的供给动作并行地执行从回收口20的回收动作，将从该回收口20回收的冲洗液体LH经由第3流路25R从第3排出口33供给到第3收容构件43。在第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到了规定浓度之后，第3流路25R内的从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度低于规定浓度。因此，即使对第3收容构件43继续供给冲洗液体LH，也能够抑制第3收容构件43中收容的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度上升。
另外，此处，以如下情况为例子进行了说明，即，在第2清洗处理后的第2冲洗处理中，将回收的冲洗液体LH直至该冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下为止收容于第3收容构件43，但例如即使在第1清洗处理后的第1冲洗处理中，将回收的冲洗液体LH直至该冲洗液体LH中包含的第1清洗液体LC1的浓度成为规定浓度以下为止收容于第2收容构件42的情况下，也可以应用上述顺序。
<第3实施方式>
接下来，说明第3实施方式。在以下的说明中，对与上述实施方式相同或者等同的构成部分附加相同符号，简化或者省略其说明。
图18是示出第3实施方式的清洗装置600的一个例子的侧剖面图，图19是从上方观察了清洗装置600的俯视图。在本实施方式中，以使用能够与浸液构件7相向的清洗装置600对浸液构件7进行清洗的情况为例子进行说明。
在图18以及图19中，清洗装置600具备：能够保持液体（第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个）的保持构件60。保持构件60具有：平板状的基座构件61、和与基座构件61的侧面连接并从基座构件61向上方延伸的侧壁构件62。
在本实施方式中，侧壁构件62具有：第1侧壁部621，形成能够保持液体的空间SP3；以及第2侧壁部622，配置于第1侧壁部621的周围，形成能够在与第1侧壁部621之间保持液体的空间SP4。空间SP3由基座构件61以及第1侧壁部621规定。
另外，保持构件60具有由第1侧壁部621的上端规定的开口63。开口63大于浸液构件7。在清洗浸液构件7时，浸液构件7配置于开口63的内侧。
另外，清洗装置600具有：向浸液构件7与保持构件60之间供给液体的供给口64、和回收液体的回收口65。
在本实施方式中，清洗装置600具有配置于空间SP3的导管构件66。供给口64形成于导管构件66。在本实施方式中，导管构件66配置于基座构件61的上表面的+Y侧的边缘的外侧、以及－Y侧的边缘的外侧的各个中。导管构件66在X轴方向上较长。
导管构件66具有多个连接该导管构件66的内部空间和外部空间（空间SP3）的孔。在导管构件66中，在X轴方向上形成了多个孔。供给口64配置于与空间SP3面对的孔的一端。供给口64朝向空间SP3的中央供给液体。
回收口65由第1侧壁部621的上端、和第2侧壁部622的上端规定。在本实施方式中，以包围第1侧壁部621的上端的方式环状地设置了回收口65。回收口65回收从第1侧壁部621的上端溢出的液体。从第1侧壁部621的上端溢出的空间SP3的液体被回收到回收口65，经由该回收口65流入到空间SP4。
在空间SP4的底部，形成了吸引口67。在本实施方式中，吸引口67小于回收口65。在空间SP4的底部，配置了多个吸引口67。吸引口67吸引从回收口65回收并存在于空间SP4中的液体来进行回收。
图20是示出能够针对本实施方式的清洗装置600进行液体的供给以及回收的液体系统100B的一个例子的图。另外，在本实施方式中，清洗装置600既可以是相对曝光装置EX的外部装置，也可以是曝光装置EX的一部分。另外，液体系统100B既可以是相对曝光装置EX的外部装置，也可以是曝光装置EX的一部分。另外，液体系统100B既可以是相对清洗装置600的外部装置，也可以是清洗装置600的一部分。在本实施方式中，作为一个例子，以曝光装置EX包括清洗装置600并且液体系统100B是相对曝光装置EX的外部装置的情况为例子而进行说明。
在本实施方式中，液体系统100B具备：流路形成构件23TB，具有供给到供给口64的液体流过的流路23RB；以及流路形成构件25TB，具有从回收口65（吸引口67）回收的液体流过的流路25RB。
在本实施方式中，液体系统100B具备：第1排出口31B，排出从吸引口67回收的液体；第2排出口32B，与第1排出口31B不同；以及第3排出口33B，与第1、第2排出口31B、32B不同。在本实施方式中，将从吸引口67回收并送到流路25RB的液体送出到第1排出口31B、第2排出口32B、以及第3排出口33B中的至少一个。
另外，在本实施方式中，液体系统100B具有第1排出口31B、第2排出口32B、以及第3排出口33B，但曝光装置EX也可以具有第1排出口31B、第2排出口32B、以及第3排出口33B中的至少一个，清洗装置600也可以具有第1排出口31B、第2排出口32B、以及第3排出口33B中的至少一个。
在本实施方式中，流路25RB的一端与吸引口67连接，另一端与包括阀机构的流路切换机构30B连接。另外，液体系统100B具备与流路切换机构30B连接的流路形成构件31TB、32TB、33TB。流路形成构件31TB具有第1排出流路31RB。流路形成构件32TB具有第2排出流路32RB。流路形成构件33TB具有第3排出流路33RB。第1、第2、第3排出流路31RB、32RB、33RB各自的一端与流路切换机构30B连接。第1排出口31B配置于第1排出流路31RB的另一端。第2排出口32B配置于第2排出流路32RB的另一端。第3排出口33B配置于第3排出流路33RB的另一端。
流路切换机构30B切换流路，以使从吸引口67回收并流经流路25RB的液体被送出到第1排出流路31RB（第1排出口31B）、第2排出流路32RB（第2排出口32B）、以及第3排出流路33RB（第3排出口33B）中的至少一个。在本实施方式中，流路切换机构30B在将来自流路25RB的液体供给到第1排出口31B时，能够为了避免供给到第2、第3排出口32B、33B而调整流路。另外，流路切换机构30B在将来自流路25RB的液体供给到第2排出口32B时，能够为了避免供给到第1、第3排出口31B、33B而调整流路。另外，流路切换机构30B在将来自流路25RB的液体供给到第3排出口33B时，能够为了避免供给到第1、第2排出口31B、32B而调整流路。
在本实施方式中，液体系统100B具备：第1收容构件41B，能够收容从第1排出口31B排出的液体；第2收容构件42B，能够收容从第2排出口32B排出的液体；以及第3收容构件43B，能够收容从第3排出口33B排出的液体。第1、第2、第3收容构件41B、42B、43B包括罐。
在本实施方式中，流路23B的另一端与能够供给曝光液体LQ的供给源LQS连接。供给源LQS既可以设置于液体系统100B，也可以是设置了曝光装置EX（器件制造系统SYS）的工厂FA的设备。另外，曝光装置EX也可以具备供给源LQS。
在本实施方式中，流路23RB的一端与供给口64连接，另一端与包括阀机构的流路切换机构38B连接。另外，对流路切换机构38B连接由流路形成构件26TB形成的流路26RT的一端。流路26RB的另一端与包括阀机构的流路切换机构34B连接。
流路切换机构34B配置于第1流路形成构件23T形成的第1流路23R的一部分。第1流路23R经由第1内部流路21R而与浸液构件7的第1供给口21连接。
从供给源LQS供给的曝光液体LQ流经第1流路23R。流路切换机构34B切换流路，以使流经第1流路23R的曝光液体LQ被送到第1供给口21以及流路26RB中的至少一方。在本实施方式中，流路切换机构34B在将来自供给源LQS的曝光液体LQ供给到第1供给口21时，能够为了避免供给到流路26RB而调整流路。另外，流路切换机构34B在将来自供给源LQS的曝光液体LQ供给到流路26RB时，能够为了避免供给到第1供给口21而调整流路。
另外，在本实施方式中，液体系统100B具备：第1清洗液体供给装置36AB，能够供给第1清洗液体LC1；以及第2清洗液体供给装置36BB，能够供给第2清洗液体LC2。
在本实施方式中，第1清洗液体供给装置36AB经由流路27RB而与流路切换机构38B连接。第2清洗液体供给装置36BB经由流路28RB而与流路切换机构38B连接。
流路切换机构38B切换流路，以使来自供给源LQS（流路26RB）的曝光液体LQ、来自第1清洗液体供给装置36AB的第1清洗液体LC1、以及来自第2清洗液体供给装置36BB的第2清洗液体LC2中的至少一个经由流路23RB送到供给口64。
在本实施方式中，流路切换机构38B在将来自第1清洗液体供给装置36AB的第1清洗液体LC1供给到供给口64时，能够为了避免供给曝光液体LQ以及第2清洗液体LC2而调整流路。另外，流路切换机构38B在将来自第2清洗液体供给装置36BB的第2清洗液体LC2供给到供给口64时，能够为了避免供给曝光液体LQ以及第1清洗液体LC1而调整流路。另外，流路切换机构38B在将来自供给源LQS的曝光液体LQ供给到供给口64时，能够为了避免供给第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2而调整流路。
另外，在本实施方式中，液体系统100B具备检测从吸引口67回收的液体的特性（性质以及成分的至少一方）的检测装置40B。在本实施方式中，检测装置40B测量从吸引口67回收并流经流路25RB的液体的电导率。
图21~图27是示出本实施方式的清洗顺序的一个例子的示意图，图28是示出本实施方式的清洗顺序的一个例子的流程图。本实施方式的清洗顺序包括：使浸液构件7和清洗装置600相向以使浸液构件7配置于开口63的处理（步骤SB1）；第1清洗处理（步骤SB2），将第1清洗液体LC1供给到空间SP3以使第1清洗液体LC1供给到浸液构件7并对该浸液构件7进行清洗；第1冲洗处理（步骤SB3），将冲洗液体LH供给到空间SP3以使冲洗液体LH供给到浸液构件7；第2清洗处理（步骤SB4），将第2清洗液体LC2供给到空间SP3以使第2清洗液体LC2供给到浸液构件7并对该浸液构件7进行清洗；第2冲洗处理（步骤SB5），将冲洗液体LH供给到空间SP3以使冲洗液体LH供给到浸液构件7；第3冲洗处理（步骤SB6），进而将冲洗液体LH供给到空间SP3以使冲洗液体LH供给到浸液构件7；第4冲洗处理（步骤SB7），进而将冲洗液体LH供给到空间SP3以使冲洗液体LH供给到浸液构件7；以及第5冲洗处理（步骤SB8），使浸液构件7和保持于基板载台2的虚设基板DP相向而向浸液构件7供给冲洗液体LH。
另外，在开始清洗顺序之前在浸液构件7和基板载台2以及测量载台3的至少一方中形成了浸液空间LS的情况下，控制装置8为了开始清洗顺序，停止从第1供给口21供给曝光液体LQ，将从回收口20的曝光液体LQ的回收继续进行规定时间，全部回收浸液空间LS的曝光液体LQ以使浸液空间LS消失。由此，至少第3内部流路20R的曝光液体LQ消失。另外，在第1内部流路21R以及第2内部流路22R中的至少一方中既可以存在曝光液体LQ，也可以不存在。在浸液空间LS消失之后，控制装置8使基板载台2以及测量载台3从与浸液构件7相向的位置退出，以能够与浸液构件7相向地配置清洗装置600。
清洗装置600被搬入到与浸液构件7相向的位置。清洗装置600的搬入既可以例如由作业者执行，也可以使用规定的搬送装置来执行。
在使浸液构件7和清洗装置600相向以使浸液构件7配置于开口63之后（步骤SB1），如图21所示，从供给口64供给第1清洗液体LC1。由此，空间SP3由第1清洗液体LC1充满，浸液构件7和第1清洗液体LC1接触。
清洗装置600与从供给口64的第1清洗液体LC1的供给并行地，执行从回收口65（吸引口67）的第1清洗液体LC1的回收。从吸引口67回收的第1清洗液体LC1从第1排出口31B排出。从第1排出口31B排出的第1清洗液体LC1供给到第1收容构件41B。
在将从供给口64的第1清洗液体LC1的供给和从回收口65（吸引口67）的第1清洗液体LC1的回收执行了规定时间之后，清洗装置600使从供给口64的第1清洗液体LC1的供给停止。由此，第1清洗处理（步骤SB2）结束。
清洗装置600开始第1冲洗处理（步骤SB3）。如图22所示，清洗装置600开始从供给口64供给冲洗液体LH。
在本实施方式中，作为冲洗液体LH，使用曝光液体LQ。通过流路切换机构34B调整流路，以使来自供给源LQS的冲洗液体LH（曝光液体LQ）供给到供给口64。在第1冲洗处理中，清洗装置600与从供给口64的冲洗液体LH（曝光液体LQ）的供给并行地，执行从回收口65（吸引口67）的液体（包括第1清洗液体LC1以及冲洗液体LH中的至少一方）的回收。
在本实施方式中，清洗装置600在将空间SP3的第1清洗液体LC1全部回收了之后，开始从供给口64供给冲洗液体LH。另外，也可以在第1清洗液体LC1存在于空间SP3的状态下，开始从供给口64供给冲洗液体LH。
通过从供给口64供给的冲洗液体LH接触到浸液构件7，从而能够去除残留在该浸液构件7中的第1清洗液体LC1。
清洗装置600与从供给口64的冲洗液体LH的供给并行地，执行从回收口65（吸引口67）的液体的回收。
在本实施方式中，调整流路，以使从第1排出口31B排出从吸引口67回收的液体（冲洗液体LH）。从第1排出口31B排出的液体供给到第1收容构件41B。
在本实施方式中，在第1冲洗处理中，通过检测装置40B检测从吸引口67回收的液体的特性。检测装置40B检测从吸引口67回收并流经流路25RB的液体。在本实施方式中，检测装置40B检测从吸引口67回收的液体的电导率。将检测装置40B的检测结果输出到控制装置8。在本实施方式中，控制装置8根据检测装置40B的检测结果，求出回收的液体中包含的碱（四甲基氢氧化铵）的浓度，直至该浓度成为预先规定的容许值以下为止，继续第1冲洗处理（冲洗液体LH的供给和回收）。例如，直至从吸引口67回收的液体中包含的碱的浓度成为1%以下为止，继续第1冲洗处理。
在本实施方式中，在根据检测装置40B的检测结果确认了从吸引口67回收的液体中包含的碱的浓度成为容许值以下之后，第1冲洗处理（步骤SB3）结束。
在第1冲洗处理结束之后，清洗装置600开始第2清洗处理（步骤SB4）。清洗装置600为了用第2清洗液体LC2对浸液构件7进行清洗，停止从供给口64供给冲洗液体LH，开始从供给口64对空间SP3供给第2清洗液体LC2。
另外，既可以在空间SP3中存在冲洗液体LH的状态下从供给口64开始供给第2清洗液体LC2，也可以在从回收口65（吸引口67）回收冲洗液体LH并空间SP3的冲洗液体LH消失之后，从供给口64开始供给第2清洗液体LC2。
另外，在第2清洗处理中，清洗装置600与从供给口64的第2清洗液体LC2的供给并行地，执行从回收口65（吸引口67）的第2清洗液体LC2的回收。
如图23所示，在第2清洗处理中，从第2清洗液体供给装置36BB送出第2清洗液体LC2。另外，也可以稀释从第2清洗液体供给装置36BB送出的第2清洗液体LC2，从供给口64供给该稀释的第2清洗液体LC2。
从供给口64供给到空间SP3的第2清洗液体LC2的至少一部分接触到浸液构件7。由此，通过第2清洗液体LC2对浸液构件7进行清洗。
回收口65（吸引口67）回收供给到浸液构件7的表面的至少一部分的第2清洗液体LC2。在本实施方式中，调整流路，以使从第2排出口32B排出从吸引口67回收的第2清洗液体LC2。从第2排出口32B排出从吸引口67回收的第2清洗液体LC2。从第2排出口32B排出的第2清洗液体LC2供给到第2收容构件42B。
在将从供给口64的第2清洗液体LC2的供给和从回收口65（吸引口67）的第2清洗液体LC2的回收执行了规定时间之后，清洗装置600停止从供给口64供给第2清洗液体LC2。由此，第2清洗处理（步骤SB4）结束。
另外，也可以用第2清洗液体LC2对浸液构件7的表面进行蚀刻。也可以通过该蚀刻来使浸液构件7的表面平滑。
在本实施方式中，在第1清洗处理中的第1清洗液体LC1的供给停止之后、并且第2清洗处理中的第2清洗液体LC2的供给开始之前，在第1冲洗处理中将冲洗液体LH供给到浸液构件7并且回收该供给的冲洗液体LH。因此，能够降低在第2清洗处理中从回收口65（吸引口67）回收的第2清洗液体LC2中包含的第1清洗液体LC1的浓度。
另外，在本实施方式中，在第1清洗处理中从回收口65（吸引口67）回收的第1清洗液体LC1从第1排出口31B排出，在第2清洗处理中从回收口65（吸引口67）回收的第2清洗液体LC2从第2排出口32B排出。通过在第1清洗处理与第2清洗处理之间执行第1冲洗处理，从而抑制在第2清洗处理中从第2排出口32B排出第1清洗液体LC1。由于为了在第2清洗处理中抑制从第2排出口32B排出第1清洗液体LC1而执行第1冲洗处理，所以能够降低例如从第2排出口32B排出的第2清洗液体LC2中包含的第1清洗液体LC1的浓度。另外，能够降低例如第2收容构件42B的第2清洗液体LC2中包含的第1清洗液体LC1的浓度。
另外，如上所述，在本实施方式中，将从第1清洗液体供给装置36AB送出的第1清洗液体LC1、和从第2清洗液体供给装置36BB送出的第2清洗液体LC2经由至少一部分相同的供给流路供给到浸液构件7。即，在本实施方式中，将第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2各自至少经由流路23R供给到浸液构件7。另外，经由供给口64分别供给第1清洗液体LC1以及第2清洗液体LC2。
在停止从供给口64供给第2清洗液体LC2并第2清洗处理结束之后，清洗装置600开始第2冲洗处理（步骤SB5）。如图24所示，清洗装置600开始从供给口64供给冲洗液体LH。
在本实施方式中，清洗装置600在全部回收空间SP3的第2清洗液体LC2之后，开始从供给口64供给冲洗液体LH。另外，也可以在第2清洗液体LC2存在于空间SP3的状态下，开始从供给口64供给冲洗液体LH。
在第2冲洗处理中，作为冲洗液体LH，也使用曝光液体LQ。在第2冲洗处理中，清洗装置600与从供给口64的冲洗液体LH（曝光液体LQ）的供给并行地，执行从回收口65（吸引口67）的液体（包括第2清洗液体LC2以及冲洗液体LH中的至少一方）的回收。
在用第2清洗液体LC2对浸液构件7进行了清洗之后，将冲洗液体LH供给到浸液构件7，从而残留在浸液构件7的表面中的第2清洗液体LC2被去除。在本实施方式中，冲洗液体LH是纯水，第2清洗液体LC2是过氧化氢水溶液，所以冲洗液体LH能够去除残留在浸液构件7中的第2清洗液体LC2。
清洗装置600与从供给口64的冲洗液体LH的供给并行地，执行从回收口65（吸引口67）的液体回收。从吸引口67回收的液体包含：从供给口64供给的冲洗液体LH、以及残留在浸液构件7中的第2清洗液体LC2。通过将从供给口64的冲洗液体LH的供给、和从回收口65（吸引口67）的液体回收执行规定期间，从浸液构件7去除第2清洗液体LC2。
在第2冲洗处理中，从供给口64供给来自供给源LQS的冲洗液体LH（曝光液体LQ）。
从吸引口67回收的液体流经流路25RB。在本实施方式中，调整流路，以使从第2排出口32B排出从吸引口67回收的液体。流路切换机构30B调整流路，以使从第2排出口32B排出从吸引口67回收的冲洗液体LH。在冲洗液体LH的供给以及回收中，从第2排出口32B排出从吸引口67回收的冲洗液体LH。从第2排出口32B排出的液体供给到第2收容构件42B。
在本实施方式中，清洗装置600为了使从吸引口67回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为预先规定的规定浓度以下，而执行从供给口64供给冲洗液体LH、和从吸引口67回收冲洗液体LH的并行动作。
在本实施方式中，在第2冲洗处理中，通过检测装置40B检测从吸引口67回收的液体的特性。检测装置40B检测从吸引口67回收并流经流路25RB的液体的特性。在本实施方式中，检测装置40B检测从吸引口67回收的冲洗液体LH的电导率。检测装置40B的检测结果输出到控制装置8。在本实施方式中，控制装置8根据检测装置40B的检测结果，求出从吸引口67回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度，进而求出冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度，直至该浓度成为规定浓度以下为止，将从供给口64供给冲洗液体LH和从吸引口67回收冲洗液体LH的并行动作执行规定期间。在本实施方式中，至少直至回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度成为预先规定的容许值以下为止，继续第2冲洗处理（冲洗液体LH的供给和回收）。例如，直至从吸引口67回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度成为1%以下为止，继续第2冲洗处理。在从吸引口67的冲洗液体LH的回收中，从第2排出口32B排出该回收的冲洗液体LH。
如上所述，在本实施方式中，第2冲洗处理包括从第2排出口32B排出从吸引口67回收的冲洗液体LH的处理。在本实施方式中，在第2冲洗处理之后，执行第3冲洗处理（步骤SB6）。如图25所示，在本实施方式中，第3冲洗处理包括从第3排出口33B排出从吸引口67回收的冲洗液体LH的处理。
在本实施方式中，至少直至冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度为止，执行包括如下动作的第2冲洗处理：从供给口64的冲洗液体LH的供给动作、从吸引口67的冲洗液体LH的回收动作、以及该回收的冲洗液体LH从第2排出口32B的排出动作。即，直至回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度为止，对回收的冲洗液体LH执行从第2排出口32B排出该冲洗液体LH的处理。
在回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，清洗装置600执行从供给口64供给冲洗液体LH和从吸引口67回收冲洗液体LH的并行动作，同时控制流路切换机构30B来调整流路，以使从吸引口67回收的冲洗液体LH从第3排出口33B排出。即，清洗装置600根据检测装置40B的检测结果，求出回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度，并根据该浓度，控制流路切换机构30B，从第2排出口32B的排出动作切换为第3排出口33B的排出动作。
在本实施方式中，清洗装置600直至回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度达到规定浓度为止，从第2排出口32B排出回收的冲洗液体LH，在该第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，从第3排出口33B排出回收的冲洗液体LH。
在回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，清洗装置600也执行从供给口64供给冲洗液体LH和从吸引口67回收冲洗液体LH的并行动作。在回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度之后，对回收的冲洗液体LH，执行从第3排出口33B排出该冲洗液体LH的处理。
这样，在本实施方式中，连续地执行第2冲洗处理和第3冲洗处理。在第2冲洗处理中，在从吸引口67的冲洗液体LH的回收中，从第2排出口32B排出该冲洗液体LH，在该回收中控制流路切换机构30B，接着从该第2排出口32B的排出，在第3冲洗处理中，从第3排出口33B排出冲洗液体LH。从第3排出口33B排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度是规定浓度以下。在冲洗液体LH的回收中，相比于从第3排出口32B排出时，在从第3排出口33B排出时所排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度更低。另外，从第3排出口33B排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度低于从供给口64供给到浸液构件7的第2清洗液体LC2中包含的过氧化氢的浓度。
在本实施方式中，在执行第2清洗处理之后的第2冲洗处理的第1期间从吸引口67回收的冲洗液体LH从第2排出口32B排出，在执行第2冲洗处理之后的第3冲洗处理的第2期间从吸引口67回收的冲洗液体LH从第3排出口33B排出。相比于第2冲洗处理（第1期间）中的回收时，在第3冲洗处理（第2期间）中的回收时回收的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度更低。由此，在第3冲洗处理中从第3排出口33B的第2清洗液体LC2排出被抑制。由于为了抑制在第3冲洗处理中从第3排出口33B排出第2清洗液体LC2而执行第2冲洗处理，所以能够降低例如从第3排出口33B排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2（过氧化氢）的浓度。另外，能够降低例如第3收容构件43B的冲洗液体LH（曝光液体LQ）中包含的第2清洗液体LC2的浓度。由此，能够顺利地执行从第3排出口33排出的冲洗液体LH的处理（废液处理）。
在本实施方式中，在第3冲洗处理之后，执行第4冲洗处理（步骤SB7）。如图26所示，在本实施方式中，第4冲洗处理包括从浸液构件7的回收口20回收空间SP3的冲洗液体LH的处理。
如图21~图25所示，在本实施方式中，在第1清洗处理（步骤SB2）、第1冲洗处理（步骤SB3）、第2清洗处理（步骤SB4）、第2冲洗处理（步骤SB5）、以及第3冲洗处理（步骤SB6）中，不进行从浸液构件7的第1、第2供给口21、22的液体供给，也不进行从回收口20的液体回收。
在本实施方式中，第4冲洗处理包括：从供给口64供给冲洗液体LH的动作；从回收口65（吸引口67）回收从供给口64供给的冲洗液体LH的至少一部分的动作；从第3排出口33B排出从吸引口67回收的冲洗液体LH的动作；以及从浸液构件7的回收口20回收从供给口64供给的冲洗液体LH的至少一部分的动作。在从吸引口67回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度、以及空间SP3中存在的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下之后，执行第4冲洗处理。从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度是规定浓度以下。另外，也可以在空间SP3中存在的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度（从回收口20回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度）变为比规定浓度低的浓度以下之后执行。
在本实施方式中，连续地执行第3冲洗处理和第4冲洗处理。在第3冲洗处理中，执行从供给口64供给冲洗液体LH的动作、从回收口65（吸引口67）回收从供给口64供给的冲洗液体LH的至少一部分的动作、以及从第3排出口33B排出从吸引口67回收的冲洗液体LH的动作，并在继续进行这些动作的同时，开始从回收口20的冲洗液体LH的回收动作（即第4冲洗处理）。另外，也可以在第4冲洗处理中，执行从第2供给口22的冲洗液体LH的回收（吸引）。
通过执行第4冲洗处理，能够用冲洗液体LH对例如多孔构件19的孔19H的内面、上表面19A等进行冲洗。另外，能够向第3内部流路20R的内面供给冲洗液体LH。
在将第4冲洗处理执行了规定期间之后，停止从供给口64供给冲洗液体LH。从回收口65（吸引口67）回收空间SP3中存在的冲洗液体LH。另外，在本实施方式中，从浸液构件7的回收口20也回收空间SP3中存在的冲洗液体LH。
在第4冲洗处理结束并回收了空间SP3的冲洗液体LH之后，搬出清洗装置600。清洗装置600的搬出也可以例如由作业者执行，也可以使用规定的搬送装置来执行。
在第4冲洗处理结束并搬出了清洗装置600之后，如图27所示，以与浸液构件7相向的方式，配置保持于基板载台2的虚设基板DP。控制装置8在浸液构件7和虚设基板DP相向了的状态下，开始第5冲洗处理（步骤SB8）。第5冲洗处理包括：在与浸液构件7相向地配置了虚设基板DP的状态下，从浸液构件7的第1供给口21供给冲洗液体LH（曝光液体LQ）的动作；以及与该供给并行地从回收口20回收冲洗液体LH的动作。由此，对浸液构件7进行冲洗。
另外，也可以在终端光学元件12以及浸液构件7与虚设基板DP之间形成了浸液空间LSh的状态下，控制基板载台2，并在XY平面内使虚设基板DP移动，也可以不移动。
另外，也可以仅在虚设基板DP上形成浸液空间LSh，并控制虚设基板DP（基板载台2）相对浸液构件7的移动范围，以避免浸液空间LSh的冲洗液体LH接触到虚设基板DP的外侧的上表面2F，也可以使虚设基板DP（基板载台2）移动以使冲洗液体LH接触到上表面2F。
另外，也可以在浸液构件7和基板载台2的上表面2F相向了的状态下，执行从第1供给口21的冲洗液体LH的供给和从回收口20的冲洗液体LH的回收，也可以在浸液构件7和测量载台3的上表面3F相向了的状态下执行。
在本实施方式中，对在第2冲洗处理中从第2排出口32B排出的冲洗液体LH执行第1处理，对在第3、第4冲洗处理中从第3排出口33B排出的冲洗液体LH执行与第1处理不同的第2处理。从第2排出口32B排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度高，从第3排出口33B排出的冲洗液体LH中包含的过氧化氢的浓度低。
例如，对从第2排出口32B排出的第2清洗液体LC2进行废弃处理。另外，对从第1排出口31B排出的冲洗液体LH也进行废弃处理。
另一方面，也可以将从第3排出口33B排出的冲洗液体LH不废弃而再用作曝光液体LQ，也可以用于驱动系统4、5的温度调整。
另外，也可以废弃从第3排出口33B排出的冲洗液体LH。直至废弃从第3排出口33B排出的冲洗液体LH为止的工序也可以少于直至废弃从第2排出口32B排出的冲洗液体LH为止的工序。
另外，在本实施方式中，将从第2排出口32B排出的冲洗液体LH收容于第2收容构件42B，将从第3排出口33B排出的冲洗液体LH收容于第3收容构件43B。在废弃时，针对第3收容构件43B中收容的液体的处理也可以简单。
在本实施方式中，在第2冲洗处理和第3冲洗处理中，也分开了排出回收的冲洗液体LH的排出口，所以能够充分降低在第3冲洗处理中从第3排出口33B排出的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度。因此，能够顺利地执行该冲洗液体LH的处理。
在第5冲洗处理结束之后，控制装置8执行将虚设基板DP从基板载台2搬出（卸载）的处理。控制装置8为了将虚设基板DP从基板载台2（基板保持部11）搬出，使该基板载台2移动到基板交换位置。
也可以在从基板载台2搬出了虚设基板DP之后，控制装置8执行包括基板P的曝光处理的曝光顺序。
如以上说明，在本实施方式中，也能够顺利地执行冲洗液体LH的处理。因此，能够抑制例如包括曝光装置EX的器件制造系统SYS的运转率降低、处理成本增大等。
另外，作为使回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下的处理的一个例子，也可以是如下处理：例如设定在第2清洗处理的结束后（第2清洗液体LC2的供给停止之后）、并且第2冲洗处理的开始前（冲洗液体LH的供给开始前）停止向浸液构件7供给冲洗液体LH的停止期间。由此，例如残留在浸液构件7中的第2清洗液体LC2汽化并从浸液构件7去除。
另外，作为使回收的冲洗液体LH中包含的第2清洗液体LC2的浓度成为规定浓度以下的处理，也可以执行例如对该冲洗液体LH添加能够降低过氧化氢的催化剂的处理。
另外，清洗装置600也可以执行与在上述第2实施方式中说明的清洗顺序同样的顺序。
另外，也可以例如在第5冲洗处理中，对供给到浸液构件7的冲洗液体LH提供振动。例如，如图29所示，也可以配置以与浸液构件7相向的方式配置于测量载台3的超声波发生装置50的振动构件52，执行从第1供给口21的冲洗液体LH的供给和从回收口20的冲洗液体LH的回收，在浸液构件7与振动构件52以及测量载台3之间由冲洗液体LH形成了浸液空间LSh的状态下，使振动构件52振动。由此，对与浸液构件7接触的冲洗液体LH提供振动。
另外，也可以在第5冲洗处理（步骤SB8）中，调整浸液空间LSh的大小。在本实施方式中，浸液空间LSh的大小是指，在下表面14与和该下表面14相向的物体的上表面之间，与下表面14大致平行的XY平面内的大小。例如，通过增加从第1供给口21的每单位时间的冲洗液体LH的供给量，能够增大浸液空间LSh，通过减少供给量，能够减小浸液空间LSh。另外，通过减少从回收口20的每单位时间的冲洗液体LH的回收量，能够增大浸液空间LSh，通过增加回收量，能够减小浸液空间LSh。当然，也可以调整冲洗液体LH的供给量和回收量这双方。通过使浸液空间LSh的大小发生变化，在下表面14与物体的上表面之间，界面LGh的位置（相对曝光光EL的光路的放射方向的位置）发生变化。由此，能够提高冲洗效果。
另外，也可以在第3实施方式中，对在浸液构件7与清洗装置600之间存在的液体（第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个）提供振动。
图30以及图31是示出具备能够对液体提供振动的超声波发生装置90的清洗装置600B的一个例子的图。图30是清洗装置600B的侧剖面图，图31是从上方观察的俯视图。
在图30以及图31中，超声波发生装置90具备：配置于基座构件61的上表面并发生规定的振动频率的超声波振动的振子91。在基座构件61的上表面配置了多个振子91。多个振子91各自配置为与空间SP3面对。振子91例如包括压电元件，根据从电源装置供给的电力而驱动。
如图30所示，清洗装置600B具备覆盖浸液构件7的开口7K的罩构件92。罩构件92具有能够与浸液构件7的下表面14相向的上表面。罩构件92的上表面比开口7K充分大，能够覆盖开口7K。另外，罩构件92的上表面小于下表面14。在本实施方式中，罩构件92的上表面具有在多孔构件19的下表面19B的内侧配置的大小。换言之，罩构件92具有不覆盖多孔构件19（不与多孔构件19相向）并且能够覆盖开口7K的大小。
在本实施方式中，罩构件92支撑于支撑构件93。支撑构件93以罩构件92在液体中覆盖开口7K的方式、并且以不覆盖多孔构件19的方式，支承罩构件92。
以下，说明用供给到清洗装置600B的空间SP3的第1清洗液体LC1对浸液构件7进行清洗的处理的一个例子。为了使用第1清洗液体LC1来开始第1清洗处理，清洗装置600B在用罩构件92覆盖了开口7K的状态下，执行从供给口64的第1清洗液体LC1的供给、和从回收口65（吸引口67）的第1清洗液体LC1的回收。空间SP3的第1清洗液体LC1与浸液构件7的下表面14的至少一部分接触。
清洗装置600B使超声波发生装置90动作，对与浸液构件7接触的空间SP3的第1清洗液体LC1提供超声波振动。由此，对浸液构件7进行清洗。
通过对第1清洗液体LC1提供超声波振动，能够提高清洗效果。例如，能够使空间SP3的第1清洗液体LC1的至少一部分进入多孔构件19的孔19H。由此，用第1清洗液体LC1清洗多孔构件19的下表面19B、孔19H的内面。另外，上表面19A也用第1清洗液体LC1来清洗。
在本实施方式中，由于设置了罩构件92，所以能够抑制空间SP3的第1清洗液体LC1穿过开口7K。因此，抑制第1清洗液体LC1接触到终端光学元件12、或者抑制浸入到终端光学元件12的侧面与浸液构件7（主体部16）的内侧面之间。例如，即使在从超声波发生装置90发生的超声波振动有可能引起第1清洗液体LC1的雾气的情况下，由于开口7K被罩构件92覆盖，所以也能够抑制第1清洗液体LC1的雾气穿过开口7K。
另外，此处，以在第1清洗处理（步骤SB2）中对第1清洗液体LC1提供振动的情况为例子进行了说明，但当然，也可以在第2清洗处理（步骤SB4）中对第2清洗液体LC2提供振动，也可以在第1冲洗处理（步骤SB3）、第2冲洗处理（步骤SB5）、第3冲洗处理（步骤SB6）、以及第4冲洗处理（步骤SB7）中的至少一部分中，对冲洗液体LH提供振动。
另外，也可以例如在各步骤SB2~SB7中，使对液体（第1清洗液体LC1、第2清洗液体LC2、以及冲洗液体LH中的至少一个）提供的振动的条件发生变化。例如，也可以在第2冲洗处理中对冲洗液体LH以第1振动频率提供振动，在第3冲洗处理中对冲洗液体LH以与第1振动频率不同的第2振动频率提供振动，在第4冲洗处理中对冲洗液体LH以与第1、第2振动频率不同的第3振动频率提供振动。另外，也可以在例如执行第2冲洗处理的期间的途中，变更对冲洗液体LH提供的振动条件。当然，也可以在执行第3冲洗处理的期间的途中变更振动条件，也可以在执行第4冲洗处理的期间的途中变更振动条件。
另外，在本实施方式中，在第1清洗处理、第1冲洗处理、第2清洗处理、第2冲洗处理、第3冲洗处理、以及第4冲洗处理中，不经由浸液构件7供给液体，但也可以经由浸液构件7供给液体。
例如，也可以在第1清洗处理中，从第2供给口22向空间SP3供给第1清洗液体LC1。另外，与从第2供给口22对空间SP3的第1清洗液体LC1的供给并行地，也可以执行从供给口64的第1清洗液体LC1的供给，也可以停止从供给口64的第1清洗液体LC1的供给。同样地，也可以例如在第2清洗处理中，从第2供给口22对空间SP3供给第2清洗液体LC2。另外，也可以与从第2供给口22对空间SP3的第2清洗液体LC2的供给并行地，执行从供给口64的第2清洗液体LC2的供给，也可以停止从供给口64的第2清洗液体LC2的供给。
另外，也可以在第1、第2、第3、第4冲洗处理的至少一部分中，从第1供给口21对空间SP3供给冲洗液体LH。另外，与从第1供给口21对空间SP3的冲洗液体LH的供给并行地，也可以执行从供给口64的冲洗液体LH的供给，也可以停止从供给口64的冲洗液体LH的供给。
另外，在本实施方式中，在第1清洗处理、第1冲洗处理、第2清洗处理、第2冲洗处理、以及第3冲洗处理中，不经由浸液构件7回收液体，但也可以经由浸液构件7回收液体。
例如，也可以在第1清洗处理中，从回收口20回收空间SP3的第1清洗液体LC1。另外，与从回收口20回收空间SP3的第1清洗液体LC1的动作并行地，也可以从回收口65（吸引口67）回收空间SP3的第1清洗液体LC1，也可以不从回收口65（吸引口67）回收空间SP3的第1清洗液体LC1。同样地，也可以例如在第2清洗处理中，从回收口20回收空间SP3的第2清洗液体LC2。另外，与从回收口20回收空间SP3的第2清洗液体LC的动作并行地，也可以从回收口65（吸引口67）回收空间SP3的第2清洗液体LC2，也可以不从回收口65（吸引口67）回收空间SP3的第2清洗液体LC2。
另外，也可以在第1、第2、第3冲洗处理的至少一部分中，从回收口20回收空间SP3的冲洗液体LH。另外，与从回收口20回收空间SP3的冲洗液体LH的动作并行地，也可以从回收口65（吸引口67）回收空间SP3的冲洗液体LH，也可以不从回收口65（吸引口67）回收空间SP3的冲洗液体LH。
另外，也可以在第1、第2、第3冲洗处理的至少一部分中，不使冲洗液体LH和浸液构件7接触。例如，即使冲洗液体LH和浸液构件7不接触，通过执行针对空间SP3的冲洗液体LH的供给和回收，也能够去除例如残留在第1侧壁部621中的液体。
另外，用作第1清洗液体LC1的液体不限于碱性溶液，也可以是中性、酸性溶液。另外，用作第2清洗液体LC2的液体不限于酸性溶液，也可以是中性、碱性溶液。另外，也可以在作为第1清洗液体LC2使用了酸性液体之后，作为第2清洗液体使用碱性液体。
另外，在上述实施方式中，为了浓度检测，通过检测装置（40、40B）检测了液体的电导率，但为了浓度检测而检测装置检测的液体的特性也可以不是液体的电导率。例如，也可以为了浓度检测而检测液体的pH值。在该情况下，检测装置也可以包括pH计。
另外，在上述实施方式中，为了浓度检测，通过检测装置（40、40B）检测了所回收的液体的特性，但也可以根据回收的液体的量、或者从开始回收动作起的经过时间，来推测上述浓度。例如，也可以在第1实施方式的第1冲洗处理（步骤SA3）中，根据从回收口20的冲洗液体LH的回收量、或者从开始回收动作起的时间，判断流经第3流路25R的冲洗液体LH液体的碱的浓度成为规定值以下。在该情况下，也可以省略检测装置，而在第3流路25R中配置流量计。
另外，在上述实施方式中，优选在清洗顺序中，直至执行包括基板P的曝光处理的曝光顺序之前为止，在浸液构件7与物体（虚设基板DP等）之间形成的浸液空间（LT1、LT2、LSh等）中异物消失，或者浸液空间中包含的异物的比例成为某规定值以下。例如，也可以根据回收的冲洗液体LH，计算浸液空间中包含的异物的比例。例如，也可以在冲洗处理中，检测回收的冲洗液体LH中包含的异物的比例，在确认成为规定值之后使冲洗处理停止。另外，也可以根据预先计算出的、直至成为规定值为止的冲洗处理时间，进行冲洗处理。另外，例如，也可以在清洗顺序的途中，在浸液构件7与物体（例如，虚设基板）之间形成浸液空间（LT1、LT2、LSh等），根据该物体上的某单位面积上附着的异物的数量，计算浸液空间（LT1、LT2、LSh等）中包含的异物的比例。
另外，在上述第1~第3实施方式中，投影光学系统PL的终端光学元件12的射出侧（像面侧）的光路由曝光液体LQ充满，但例如如国际公开第2004/019128号小册子所公开，能够采用终端光学元件12的入射侧（物体面侧）的光路也由曝光液体LQ充满的投影光学系统PL。
另外，在上述各实施方式中，作为曝光液体LQ使用了水，但也可以是水以外的液体。作为曝光液体LQ，优选为针对曝光光EL是透射性，针对曝光光EL具有高的折射率，相对形成投影光学系统PL或者基板P的表面的感光材料（光致抗蚀剂）等的膜是稳定的液体。例如，作为第1液体LQ1，能够使用氢氟醚（HFE）、全氟聚醚（PFPE）、FOMBLIN油等。另外，作为第1液体LQ1，还能够使用各种流体、例如超临界流体。
另外，作为上述各实施方式的基板P，不仅适用半导体器件制造用的半导体晶片，而且还适用显示器器件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或者在曝光装置中使用的掩模或者标线片的底版（合成石英、硅晶片）等。
作为曝光装置EX，除了适用于使掩模M和基板P同步移动而对掩模M的图案进行扫描曝光的步进扫描方式的扫描型曝光装置（扫描步进曝光装置）以外，还能够适用于在使掩模M和基板P静止了的状态下对掩模M的图案进行一并曝光，并使基板P依次步进移动的步进重复方式的投影曝光装置（步进曝光装置）。
进而，也可以在步进重复方式的曝光中，在使第1图案和基板P大致静止了的状态下，使用投影光学系统将第1图案的缩小像转印到基板P上之后，在使第2图案和基板P大致静止了的状态下，使用投影光学系统使第2图案的缩小像与第1图案部分性地重叠而一并曝光到基板P上（拼接（stitch）方式的一并曝光装置）。另外，作为拼接方式的曝光装置，还能够适用于在基板P上使至少2个图案部分性地重叠转印并使基板P依次移动的步进拼接方式的曝光装置。
另外，本发明也能够适用于如下曝光装置：例如如美国专利第6611316号说明书的公开，经由投影光学系统在基板上合成2个掩模的图案，通过1次扫描曝光对基板上的1个照相区域大致同时进行二重曝光的曝光装置等。另外，本发明也能够适用于接近方式的曝光装置、镜面投影对准曝光器等中。
另外，曝光装置EX也可以是不具备测量载台3的曝光装置。
另外，曝光装置EX也可以是美国专利第6341007号说明书、美国专利第6208407号说明书、美国专利第6262796号说明书等中公开那样的、不具备测量载台而具备多个基板载台的双载台型的曝光装置。在该情况下，也可以使多个基板载台中的、任意的基板载台与浸液构件7相向而执行清洗顺序。
另外，还能够适用于具备多个基板载台和测量载台的曝光装置。
作为曝光装置EX的种类，不限于在基板P上对半导体元件图案进行曝光的半导体元件制造用的曝光装置，而还能够适用于液晶显示元件制造用或者显示器制造用的曝光装置、用于制造薄膜磁头、摄像元件（CCD）、微机械、MEMS、DNA芯片、或者标线片或者掩模等的曝光装置等。
另外，在上述各实施方式中，使用包括激光干涉仪的干涉仪系统来测量了各载台的位置信息，但不限于此，也可以使用检测例如设置在各载台的标尺（衍射光栅）的编码器系统。
另外，在上述实施方式中，使用了在光透射性的基板上形成了规定的遮光图案（或者相位图案/减光图案）的光透射型掩模，但代替该掩模，也可以使用例如如美国专利第6778257号说明书中公开那样、根据应曝光的图案的电子数据形成透射图案或者反射图案、或者发光图案的可变成形掩模（还被称为电子掩模、活性掩模、或者图像生成器）。另外，代替具备非发光型图像显示元件的可变成形掩模，也可以具备包括自发光型图像显示元件的图案形成装置。
在上述各实施方式中，以具备投影光学系统PL的曝光装置为例子进行了说明，但也能够将本发明适用于不使用投影光学系统PL的曝光装置以及曝光方法。例如，能够在透镜等光学构件与基板之间形成浸液空间，经由该光学构件对基板照射曝光光。
另外，本发明也能够适用于：例如如国际公开第2001/035168号小册子中公开那样，通过在基板P上形成干涉条纹，在基板P上对线和空间图案进行曝光的曝光装置（光刻系统）。
上述实施方式的曝光装置EX是通过以确保规定的机械精度、电气精度、光学精度的方式组装包括各构成要素的各种子系统而制造的。为了确保这些各种精度，在该组装的前后，针对各种光学系统进行用于达成光学精度的调整，针对各种机械系统进行用于达成机械精度的调整，针对各种电气系统进行用于达成电气精度的调整。从各种子系统到曝光装置的组装工序包括各种子系统相互的、机械连接、电气电路的配线连接、气压电路的配管连接等。在从该各种子系统到曝光装置的组装工序之前，当然有各子系统各自的组装工序。如果各种子系统到曝光装置的组装工序结束，则进行综合调整，确保作为曝光装置整体的各种精度。另外，优选在温度以及干净度等被管理的干净房间制造曝光装置。
如图32所示，经由如下步骤等而制造半导体器件等微型器件：进行微型器件的功能/性能设计的步骤201；制作基于该设计步骤的掩模（标线片）的步骤202；制造作为器件的基材的基板的步骤203；包括基板处理（曝光处理）的基板处理步骤204，基板处理包括依照上述实施方式通过来自掩模的图案的曝光光对基板进行曝光的处理以及使曝光的基板显影的处理；器件组装步骤（包括切割工序、接合工序、封装工序等加工过程）205；扫描步骤206。基板处理步骤包括依照上述实施方式对浸液构件7等进行清洗的处理，使用该清洗了的浸液构件7等用曝光光EL对基板P进行曝光。
另外，上述各实施方式的要件能够适当组合。另外，还有时不使用一部分的构成要素。另外，在法令容许的范围内，援用在上述各实施方式以及变形例中引用的与曝光装置等相关的所有公开公报以及美国专利的公开而作为本文的记载的一部分。