基板支架以及使用该支架的整面成膜基板的制造方法.pdf

本发明提供一种使整面成膜基板的生产性良好的基板支架，以及使用该基板支架的整面成膜基板的制造方法。本发明涉及一种基板支架以及使用该基板支架的整面成膜基板的制作方法；所述基板支架是保持对第一主面进行整面成膜的基板的基板支架，具备支架单元和载体；所述支架单元由单元基体和密合层构成，该单元基体为具备面积小于上述基板主面的主面的板状构件，上述密合层固定在上述单元基体的第一主面上、具有对上述基板的第二主面进行附着的剥离性表面；所述载体具有面积大于上述单元基体的主面的单元固定面、上述单元固定面和上述单元基体的第二主面对面相向、多个上述支架单元固定在上述单元固定面上。

1.  一种基板支架，它是保持对第一主面进行整面成膜的基板的基板支架，其特征在于，具备：
支架单元，该支架单元由单元基体和密合层构成，该单元基体为具备面积小于所述基板主面的主面的板状构件，所述密合层固定在所述单元基体的第一主面上、具有对所述基板的第二主面进行附着的剥离性表面；和
载体，该载体具有面积大于所述单元基体的主面的单元固定面、所述单元固定面和所述单元基体的第二主面对面相向、多个所述支架单元固定在所述单元固定面上。

2.  如权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述支架单元的厚度为0.1～10mm。

3.  如权利要求1或者2所述的基板支架，其特征在于，所述密合层是通过使固化性有机硅树脂组合物在所述单元基体的第一主面上固化而形成的固化有机硅树脂层。

4.  如权利要求1～3中任一项所述的基板支架，其特征在于，所述密合层的厚度为10～100μm。

5.  如权利要求1～4中任一项所述的基板支架，其特征在于，所述基板为厚度0.5～5mm的玻璃基板。

6.  如权利要求1～5中任一项所述的基板支架，其特征在于，所述载体的厚度为0.7～8mm。

7.  一种整面成膜基板的制造方法，它是使用权利要求1～6中任一项所述的基板支架制造整面成膜基板的方法，其特征在于，
使所述基板的第二主面附着在所述剥离性表面上，
对附着在所述剥离性表面上的基板的第一主面进行整面成膜，
将经整面成膜的所述基板从所述剥离性表面剥离。

8.  如权利要求7所述的整面成膜基板的制造方法，其特征在于，所述基板是具有对第一主面进行整面成膜的基板主体和保护层的带有保护层的基板，该保护层设置在所述基板主体的第二主面侧、构成所述基板的第二 主面。

9.  如权利要求8所述的整面成膜基板的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5～500μm。

10.  如权利要求8或者9所述的整面成膜基板的制造方法，其特征在于，所述保护层具备构成所述基板的第二主面的基膜和粘附层，该粘附层配置在所述基膜和所述基板主体之间、具有对所述基膜和所述基板主体进行附着的剥离性表面。

11.  如权利要求7～10中任一项所述的整面成膜基板的制造方法，其特征在于，在使所述基板密合时，在1块所述基板和与该基板邻接的其他多块所述基板中的至少1块之间设置间隙。

12.  如权利要求7～11中任一项所述的整面成膜基板的制造方法，其特征在于，使所述基板的重心位置附着于所述剥离性表面。

13.  一种玻璃基板，其特征在于，通过权利要求7～12中任一项所述的整面成膜基板的制造方法而得。

基板支架以及使用该支架的整面成膜基板的制造方法
技术领域
本发明涉及基板支架以及使用该支架的整面成膜基板的制造方法。
背景技术
以往，在对于玻璃基板等基板使防反射膜等具有各种功能的膜成膜的场合下例如使用溅射。这里，溅射是指在真空中使从与基板相对配置的靶放出的靶粒子堆积在基板上而进行成膜的技术。
作为溅射的方式，大致分为在靶和基板直立的状态下进行成膜的所谓立式、和两者在水平的状态下进行成膜的所谓卧式。进一步，卧式大致分为在基板下方配置靶的向上溅射方式、和在基板上方配置靶的向下溅射方式。
这些方式中，由于向下溅射方式的异物落在基板上而附着的可能性高于其他方式，因此大多采用立式溅射方式或者向上溅射方式。
在采用立式溅射方式或者向上溅射方式的场合下，由于不能将基板承载在平坦的面上进行溅射，因此使用对基板进行保持的基板支架。
图4是表示现有基板支架的一例的主视图。图4所示的基板支架51具有并列配置的多根棒状框架52。棒状框架52之间形成有间隔，该间隔比基板71所具备的第一主面72a的一个方向上的宽度略宽，把持部53对着该间隔设为与棒状框架52形成一体。
在使用基板支架51进行成膜的场合下，在棒状框架52之间配置基板71，使该基板71的边缘被把持部53所把持。藉此，可在使基板71不落下的情况下以使基板71直立的状态或者它的第一主面72a朝下的状态进行保持而对第一主面72a进行成膜。
图5表示现有基板支架的另一例，(A)为主视图，(B)为(A)的B-B线剖视图。图5所示的基板支架61是由具有厚度的板状框架62构成主体、在板状框架62上形成允许基板71从一侧落入的凹部63而成的，在凹部63 的底面上形成有面积小于基板71的主面且形状与基板71大致相似的开口部64。另外，图5(A)中，被板状框架62遮住的第一主面72a的外周用虚线表示。
在使用基板支架61进行成膜的场合下，将基板71落入了凹部63的板状框架62设为开口部64朝下的状态，或者设为开口部64以略微朝下的方式倾斜的状态(参照图5(B))。此时，基板71由于开口部64的面积小于基板71而不会落下，第一主面72a从开口部64露出。于是，可以对从开口部64露出的第一主面72a进行成膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2011-046174号公报
专利文献2：日本专利特开2012-086527号公报
专利文献3：国际公开第2012/053548号
发明内容
发明所要解决的技术问题
近年，平板型PC(Personal Computer，个人电脑)和智能手机(以下，称为“智能手机等”)的需要正在增大，智能手机等中的例如作为覆盖玻璃使用的玻璃基板等基板的生产性的扩大也成当务之急。
由于每家制造商的智能手机等的尺寸和形状都不同，因此所使用的玻璃基板的尺寸和形状也根据每家制造商而不同。而且，即使是同一家制造商，每个产品的玻璃基板的尺寸和形状也不同，并且其产品的生命周期非常快。
然而，由于在根据图4以及图5进行说明的现有基板支架中各部分是固定结构，形状和结构不变，因此在用于尺寸和形状不同的玻璃基板的情况下，每次都需要重新准备另外的基板支架。而且由于反复进行基板支架的更换、基板的安设(setting)、成膜，因此总体而言生产性下降无可避免。
此外，对于智能手机等中所使用的玻璃基板，从设计性等观点考虑，对一个方向的主面的整面进行成膜的整面成膜的要求日益增高。但是，在使用现有基板支架的情况下，如以下所说明的那样，并不能满足该要求。
图6是表示使用图4的基板支架而制成的成膜基板的主视图，图7是表示使用图5的基板支架而制成的成膜基板的主视图。
如根据图4所说明的那样，在使用基板支架51的情况下，以基板71的边缘的一部分被把持部53所把持的状态进行成膜。因此，如图6所示，在得到的成膜基板75的第一主面76a上形成成膜区域77，而被把持部53所把持的区域成为不成膜的非成膜区域78。
此外，如根据图5所说明的那样，在使用基板支架61的情况下，仅对从面积小于第一主面72a的开口部64露出的一部分进行成膜。因此，如图7所示，以围绕成膜区域77的方式，在得到的成膜基板75的第一主面76a的外周形成非成膜区域78。
如此，由于现有基板支架不能进行整面成膜，因此如今在进行基板的整面成膜的场合下，采用例如在平板状的载体上使用双面胶粘带等使基板的背面侧固定的方法。
但是，由于该方法在对多块基板分别进行成膜时每次都需要准备双面胶粘带并粘接的工序，因此工序数显著增加，生产性非常差。此外，还会增加用器具或手接触基板的机会，因此容易附着异物。而且，成膜后剥去双面胶粘带后还会在基板上残留粘合剂的残渣等，也有可能会产生粘合剂残留的问题。
因此，作为使基板的背面侧固定在载体上的方法，本发明人着眼于例如专利文献1～3中公开的固化性有机硅树脂组合物，尝试通过使该组合物在平板状的载体上固化来形成固化有机硅树脂层。
但是，在配置有多块基板的较大型的载体面上涂布固化性有机硅树脂组合物使其固化的工序不但非常花费工夫，而且成本高，结果还是不能提高生产性。
本发明是鉴于上述情况而完成的发明，其目的在于提供使整面成膜基板的生产性良好的基板支架、和使用该基板的整面成膜基板的制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明人为了实现上述目的进行认真研究后结果发现，通过使用具有特定结构的基板支架，可灵活应对尺寸和形状不同的玻璃基板，减少工序数 和工夫，能够制造整面成膜基板，从而完成了本发明。
即、本发明具有以下(1)～(10)的技术内容。
(1)一种基板支架，它是保持对第一主面进行整面成膜的基板的基板支架，其中，具备支架单元和载体；所述支架单元由单元基体和密合层构成，该单元基体为具备面积小于上述基板主面的主面的板状构件，上述密合层固定在上述单元基体的第一主面上、具有对上述基板的第二主面进行附着的剥离性表面；所述载体具有面积大于上述单元基体的主面的单元固定面、上述单元固定面和上述单元基体的第二主面对面相向、多个上述支架单元固定在上述单元固定面上。
(2)如上述(1)所述的基板支架，其中，上述支架单元的厚度为0.1～10mm。
(3)如上述(1)或者(2)所述的基板支架，其中，上述密合层是通过使固化性有机硅树脂组合物在上述单元基体的第一主面上固化而形成的固化有机硅树脂层。
(4)如上述(1)～(3)中任一项所述的基板支架，其中，上述密合层的厚度为10～100μm。
(5)如上述(1)～(4)中任一项所述的基板支架，其中，上述基板为厚度0.5～5mm的玻璃基板。
(6)如上述(1)～(5)中任一项所述的基板支架，其中，上述载体的厚度为0.7～8mm。
(7)一种整面成膜基板的制造方法，它是使用(1)～(6)中任一项所述的基板支架制造整面成膜基板的方法，其中，使上述基板的第二主面附着在上述剥离性表面上，对附着在上述剥离性表面上的基板的第一主面进行整面成膜，将经整面成膜的上述基板从上述剥离性表面剥离。
(8)如上述(7)所述的整面成膜基板的制造方法，其中，上述基板是具有对第一主面进行整面成膜的基板主体和保护层的带有保护层的基板，该保护层设置在上述基板主体的第二主面侧、构成上述基板的第二主面。
(9)如上述(8)所述的整面成膜基板的制造方法，其中，上述保护层的厚度为5～500μm。
(10)如上述(8)或者(9)所述的整面成膜基板的制造方法，其中，上 述保护层具备构成上述基板的第二主面的基膜和粘附层，该粘附层配置在上述基膜和上述基板主体之间、具有对上述基膜和上述基板主体进行附着的剥离性表面。
(11)如上述(7)～(10)中任一项所述的整面成膜基板的制造方法，其中，在使上述基板密合时，在1块上述基板和与该基板邻接的其他多块上述基板中的至少1块之间设置间隙。
(12)如上述(7)～(11)中任一项所述的整面成膜基板的制造方法，其中，使上述基板的重心位置附着于上述剥离性表面。
(13)一种玻璃基板，通过(7)～(12)中任一项所述的整面成膜基板的制造方法而得。
发明的效果
通过采用本发明的基板支架以及使用该支架的整面成膜基板的制造方法，可灵活应对尺寸和形状不同的玻璃基板，减少工序数和工夫，可使整面成膜基板的生产性良好。
附图说明
图1表示本发明的基板支架保持基板的状态的一例，(A)为主视图，(B)为(A)的A-A线剖视图。
图2是表示本发明的基板支架保持基板的状态的另一例的主视图。
图3是表示本发明的基板支架保持带保护层的基板的状态的一例的剖视图。
图4是表示现有基板支架的一例的主视图。
图5表示现有基板支架的另一例，(A)为主视图，(B)为(A)的B-B线剖视图。
图6是表示使用图4的基板支架而制成的成膜基板的主视图。
图7是表示使用图5的基板支架而制成的成膜基板的主视图。
图8是表示有机硅树脂膜厚和附着力的关系的图。
具体实施方式
[基板支架]
图1表示本发明的基板支架保持基板的状态的一例，(A)为主视图，(B)为(A)的A-A线剖视图。
图1所示的基板支架11简单而言由多个支架单元21、和固定有支架单元21的载体31构成主体，对多块基板41进行保持。基板支架11以所保持的基板41垂直直立的状态或者它的第一主面42a朝下的状态，通过立式溅射方式或者向上溅射方式进行溅射，对基板41的第一主面42a进行成膜。
以下，在对基板41进行说明后，再对基板支架11的各结构(载体31、以及支架单元21)进行说明。
〔基板〕
如图1所示，基板41具有一对主面42(第一主面42a以及第二主面42b)，对该第一主面42a进行整面成膜。
这里，作为基板41，可例举例如智能手机等中作为覆盖玻璃等使用的玻璃基板。
对玻璃基板的制造方法没有特别的限定，可用迄今公知的方法进行制造。例如，可将迄今公知的玻璃原料熔解制成熔融玻璃后通过浮法、熔融法、流孔下拉(Slot down drawing)法、再曳引法、上拉法等成形为板状而制造。
此外，对玻璃基板的组成没有特别限制，例如可使用迄今公知的碱玻璃(钠钙玻璃等)、无碱玻璃等。此时，对玻璃基板的热收缩率、耐化学品性等特性没有特别限定，可根据其用途进行适当选择。
基板41只要具有第一主面42a以及第二主面42b则对其形状没有特别限定，优选矩形。这里，矩形是指实质上的大致矩形，也包括如图1(A)所示的周边部的角被切去(corner cut)的形状。
对基板41的主面42的大小没有限定，但例如在为矩形的情况下，优选10mm×30mm～1000mm×1500mm，更优选30mm×50mm～800mm×1000mm。
此外，对基板41的厚度(图1(B)中上下方向的长度)没有特别限定，但例如优选0.5～5mm，更优选0.7～3mm。
另外，基板41的主面42可以是经研磨处理的研磨面，也可以是未经研 磨处理的非蚀刻面(原坯面)，可根据用途适当选择。
此外，基板41如图3所示，可以是带保护层的基板。
图3是表示本发明的基板支架保持带保护层的基板的状态的一例的剖视图。如图3所示，作为带保护层的基板的基板41由具有第一主面44a以及第二主面44b的基板主体43和保护层45构成。基板主体43是第一主面44a进行整面成膜的构件，实质上与上述的基板41相同。保护层45被设置在基板主体43的第二主面44b侧，在作为带保护层的基板的基板41中构成第二主面42b。
对于这样的带保护层的基板，在之后进行进一步详述。
〔载体〕
如图1所示，载体31是具有面积大于后述单元基体24的主面25(第一主面25a以及第二主面25b)的单元固定面32的构件。在载体31的单元固定面32上以单元固定面32和单元基体24的第二主面25b对面相向的方式，固定1个以上的支架单元21。
作为载体31的材质，只要具有能够维持一直对基板41进行保持的垂直状态或者水平状态的程度的强度则没有特别限定，从工业上获得难易度的观点考虑，可适当例举例如金属、玻璃等。
在采用金属作为载体31的材质的情况下，对其种类没有特别限制，可例举例如不锈钢、铝合金等。
在采用玻璃作为载体31的材质的情况下，对其制造方法没有特别限定，可用迄今公知的方法制造。例如，可将迄今公知的玻璃原料熔解制成熔融玻璃后通过浮法、熔融法、流孔下拉法、再曳引法、上拉法等成形。
此外，对玻璃的组成没有特别限制，例如可使用迄今公知的碱玻璃(钠钙玻璃等)、无碱玻璃等。此时，对玻璃的热收缩率、耐化学品性等特性也没有特别限定。
载体31只要具有单元固定面32则对其形状没有限定，但优选矩形。这里，矩形是指实质上的大致矩形，也包括周边部的角被切去(corner cut)的形状。
载体31的单元固定面32的大小只要面积大于后述单元基体24的主面 25(另外，该主面25是面积小于基板41的主面42的面)则没有特别限定，此外，虽然根据所使用的溅射装置的种类而不同，但例如在矩形的情况下，优选400mm×500mm～1200mm×1500mm，更优选500mm×600mm～1500mm×1800mm。
此外，对载体31的厚度(图1(B)中上下方向的长度)没有特别限定，但从刚性以及重量的观点考虑，优选0.7～8mm，更优选1.5～5mm。
另外，载体31的单元固定面32可以是经研磨处理的研磨面，也可以是未经研磨处理的非蚀刻面(原坯面)。
〔支架单元〕
如图1所示，支架单元21由单元基体24和密合层27构成。单元基体24是具有面积小于基板41的主面42的主面25(第一主面25a以及第二主面25b)的板状构件。
密合层27是固定在单元基体24的第一主面25a上的、具有对基板41的第二主面42b以自由剥离的方式进行附着的剥离性表面28的层。
支架单元21以其单元基体24的第二主面25b和载体31的单元固定面32对面相向的方式被固定在单元固定面32上。通过使基板41的第二主面42b附着在这样的支架单元21所具有的密合层27的剥离性表面28上，基板41被保持在基板支架11上。
图1(A)的例是配置多个支架单元21保持多块基板41的例。图1(A)中，每块基板41分别被1个支架单元21所保持，但保持1块基板41所使用的支架单元21的数量只要能够保持基板41则没有特别限定。当然，根据需要也可用多个支架单元21来保持1块基板41。例如，在基板41的尺寸较大的情况等情况中，通过使用多个支架单元21可以进行稳定保持。
多个支架单元21在载体31上的配置可以是在俯视载置有基板41的基板支架11时基板41之间没有重叠且所有基板41容纳在基板支架11内、即载体31的尺寸内的方式。在仅有1块基板41的情况下，容纳在载体31的尺寸内即可。
由于基板41的第一主面42a没有被基板支架11的各部分所把持或被覆，因此可对第一主面42a的整面进行成膜。
此时，只要支架单元21的单元基体24的第二主面25b与单元固定面32之间的“固定”的附着力强于后述的密合层27与基板41的第二主面42b之间的附着力(剥离强度)、并和单元基体24的第一主面25a与密合层27之间的附着力(剥离强度)相同或在其以上即可。
对实现如上所述的单元基体24的第二主面25b与单元固定面32之间的“固定”的固定方法没有特别限定，例如可使用耐热性粘接剂或具有耐热性的kapton(注册商标)双面胶粘带等迄今公知的固定方法。
通过上述固定方法，多个支架单元21能够以任意的配置固定在载体31的单元固定面32上，且配置的改变也容易。
如上所述，由于在根据图4以及图5进行说明的现有基板支架的情况下，各部分是固定的，形状和结构不变，因此为了应对尺寸和形状不同的玻璃基板，每次都需要重新制造另外的基板支架，生产性非常差。
与此相对，本发明中，由于支架单元21的配置是任意的，且容易进行改变，因此如后述的图2所示，即使在同时配置尺寸或形状不同的多块基板41的情况下，也能够不降低生产性地灵活应对。
图2是表示本发明的基板支架保持基板的状态的另一例的主视图。在这样的情况下，也能够容易地将支架单元21的配置改变为基板41之间不重叠的配置方式。因此，不需要重新制造另外的基板支架，生产性非常优异。
此外，由于根据图4以及图5进行说明的现有基板支架不能进行整面成膜，因此为了进行整面成膜，采用了在平板状的载体上使用双面胶粘带等来固定基板的方法。但是，由于该方法在对多块基板分别进行成膜时每次都需要准备双面胶粘带并粘接的工序，因此工序数显著增加，生产性非常差。此外，在剥离基板41时双面胶粘带等粘合剂有时还会残留在基板41上。
与此相对，本发明的基板41只需承载在预先配置在载体31上的支架单元21的密合层27的剥离性表面28上即可被保持。此外，由于包括支架单元21在内的基板支架11能够重复使用，因此工序数减少，生产性非常优异。
另外，由于基板41只需承载在剥离性表面28上即可被保持，因此减少了机械或人手对接触基板41的不必要的接触，异物变得难以附着在基板41 上。此外，由于本身不使用双面胶粘带等，因此还解决了双面胶粘带等粘合剂残留的问题。
而且，如后所述，作为密合层27，可以使用通过使规定的固化性有机硅树脂组合物固化而形成的固化有机硅树脂层，但例如如果在载体31这样的大型载体的整面涂布该组合物使其固化，则不但非常花费工夫，而且成本高，生产性非常差。
然而，在本发明中，仅在比载体31小型的单元基体24的第一主面25a上形成密合层27即可。即，由于形成密合层27的面积小于在大型的载体整面上形成密合层的情况，因此容易以所希望的厚度均匀地进行制造。此外，用于形成密合层27所需的材料也少量即可，因而成本低。而且，在使固化性有机硅树脂组合物固化时也不需要大型装置，生产性非常优异。
另外，在本发明中，即使基板支架11的一部分发生问题，也仅修复或更换有问题的支架单元21即可，不需要更换整个基板支架11。从这样的观点考虑，生产性非常优异。
如图1(B)所示，支架单元21的厚度T优选0.1～10mm，更优选0.5～5mm，进一步优选0.7～3mm。
在将附着在剥离性表面28上的基板41剥离的情况下，通常在要被剥离的基板41的第二主面42b和单元固定面32的间隙中插入指尖或器具(均未图示)来进行剥离。此时，如果支架单元21的厚度T过薄，则指尖等难以插入间隙，有时剥离的操作(handling)性差。
另一方面，在支架单元21的厚度T厚的情况下，剥离的操作性得到改善，但如果过厚，则在溅射时从靶放出的靶粒子不仅在基板41的第一主面42a上、而且还在第二主面42b上堆积(以下称为“绕后现象”)，第二主面42b上也被成膜。如果这样，则在加工基板41时会产生问题，基板41的成品率有可能下降。
如果支架单元21的厚度T在上述范围内，则由于在维持剥离的操作性良好的同时，能够将靶粒子的绕后现象抑制在不存在实用上的问题的程度，因而优选。
以下，对构成支架单元21的单元基体24以及密合层27进行进一步详 细说明。
<单元基体>
单元基体24是具有面积小于基板41的主面42的主面25(第一主面25a以及第二主面25b)的板状构件，可例举例如玻璃基板。
对玻璃基板的制造方法没有特别的限定，可用迄今公知的方法进行制造。例如，可将迄今公知的玻璃原料熔解制成熔融玻璃后通过浮法、熔融法、流孔下拉法、再曳引法、上拉法等成形为板状而制造。
此外，对玻璃基板的组成没有特别限制，例如可利用迄今公知的碱玻璃(钠钙玻璃等)、无碱玻璃等。此时，对玻璃基板的热收缩率、耐化学品性等特性也没有特别限定。
另外，在本发明中，单元基体24或上述的载体31等使用玻璃基板(玻璃)的情况下，优选其耐热性高。具体而言，是5％加热重量减少温度优选在300℃以上，更优选在350℃以上；该5％加热重量减少温度定义为将试样在空气气氛下以10℃每分钟的速度进行加热时重量减少量超过试样重量的5％时的温度。
单元基体24只要是具有第一主面25a以及第二主面25b的板状构件则对其形状没有限定，优选矩形。这里，矩形是指实质上的大致矩形，也包括周边部的角被切去(corner cut)的形状。
单元基体24的主面25的大小只要面积小于基板41的主面42则没有特别限定。例如，在为矩形的情况下优选10mm×10mm～200mm×200mm，更优选50mm×50mm～100mm×100mm。
由于密合层27的厚度是例如10～100μm的相对较薄的厚度，因此单元基体24的厚度(图1(B)中上下方向的长度)实质上构成了支架单元21的厚度T。具体而言，单元基体24的厚度优选0.1～10mm，更优选0.5～5mm，进一步优选0.7～3mm。
另外，单元基体24的主面25可以是经研磨处理的研磨面，也可以是未经研磨处理的非蚀刻面(原坯面)。
<密合层>
密合层27是固定在单元基体24的第一主面25a上的、具有对基板41的第 二主面42b以自由剥离的方式密合的剥离性表面28的层。
密合层27如果是例如通过使固化性有机硅树脂组合物在单元基体24的第一主面25a上固化而形成的有机硅树脂层(以下称为固化有机硅树脂层)，则可通过与基板密合而得到足够的附着力，因此优选。
以下，对作为固化有机硅树脂层的密合层27进行说明。
密合层27固定在单元基体24的第一主面25a上，在保持了基板41的基板支架11中，与基板41的第二主面42b密合，产生附着力。基板41的第二主面42b和密合层27之间的剥离强度必须低于单元基体24的第一主面25a和密合层27之间的剥离强度。即，在将基板41和单元基体24分离时，需要在基板41的第二主面42b和密合层27的界面处进行剥离，并且单元基体24的第一主面25a和密合层27的界面处难以进行剥离。
因此，密合层27具有与基板41的第二主面42b附着但能够容易地将基板41剥离的表面特性。即，密合层27在对基板41的第二主面42b以一定程度的接合力进行附着而防止基板41的位置偏移等的同时，还要在将基板41剥离时以不破坏基板41、能够容易地将基板41剥离的接合力进行附着。
本发明中，将可将该密合层27的表面(剥离性表面28)容易地剥离的性质称为剥离性。另一方面，单元基体24的第一主面25a和密合层27以相对而言难以剥离的接合力进行附着。
为了使密合层27和基板41具备上述剥离性，优选不通过作为机械性接合的锚定效果、化学相互作用的这样的牢固接合，而是通过密合层27中的分子与基板41接近而产生的范德华(Van der Waals force)力进行接合。
另一方面，密合层27的对单元基体24的第一主面25a的附着力高于对基板41的第二主面42b的附着力。本发明中，对基板41的第二主面42b的接合称为“附着”，对单元基体24的第一主面25a的接合称为“固定”。
为了使密合层27的对基板41的第二主面42b的剥离强度相对较低，密合层27的对单元基体24的第一主面25a的剥离强度相对较高，优选使固化性有机硅树脂组合物在单元基体24的第一主面25a上固化而形成由固化有机硅树脂构成的密合层27，之后在由固化有机硅树脂构成的密合层27上载置基板41并使其密合、附着。
本发明中，所使用的固化有机硅树脂本身是与剥离纸等所使用的非粘合性的固化有机硅树脂相同的树脂，即使与基板41附着其剥离强度也低。但是，如果将固化前的固化性有机硅树脂组合物涂布在单元基体24的第一主面25a上，则固化性有机硅树脂组合物会成为沿着单元基体24的第一主面25a上存在的微小凹凸或孔进入的状态。如果在该状态下使固化性有机硅树脂组合物固化，则认为会产生单元基体24(第一主面25a)和固化性有机硅树脂组合物之间的相互作用、例如锚定效果，固化后的固化有机硅树脂和第一主面25a的剥离强度变高。
此外，认为通过将固化性有机硅树脂组合物涂布在单元基体24的第一主面25a上后使其固化而形成的密合层27的附着面积(接触面积)中，对着单元基体24的第一主面25a的面积也大于对着之后仅进行了载置的基板41的第二主面42b的面积。因此，即使基板41和单元基体24由相同材质(例如玻璃)构成，密合层27和基板41之间、密合层27和单元基体24之间也能够分别形成不同的剥离强度。
另外，对基板41的第二主面42b的剥离强度和对单元基体24的第一主面25a的剥离强度设有差别的密合层27的形成并不受上述方法所限。例如，可使用对固化有机硅树脂的接合力高于基板41的材质的单元基体24。此外，通过实施提高单元基体24的第一主面25a的接合力的处理，可提高对密合层27的剥离强度。具体而言，例如通过将作为玻璃基板的单元基体24的第一主面25a暴露在常压等离子体、电晕、UV(紫外线)/臭氧等中，可提高硅烷醇基的浓度，提高与密合层27的附着力。
对形成这样的固化有机硅树脂层所使用的固化性有机硅树脂组合物没有特别限定。例如，可使用迄今公知的固化性有机硅树脂组合物。作为具体例，可例举：下述固化性有机硅树脂组合物、下述有机聚硅氧烷组合物、下述树脂组合物等；所述固化性有机硅树脂组合物含有每1个分子至少具有2个链烯基的线状有机聚硅氧烷(a)、和每1个分子至少具有3个与硅原子键合的氢原子且上述与硅原子键合的氢原子的至少1个存在于分子末端的硅原子上的线状有机聚硅氧烷(b)；所述有机聚硅氧烷组合物至少含有(A)具有链烯基的直链状有机聚硅氧烷、(B)具有与硅原子键合的氢 原子的有机聚硅氧烷、(C)铂类催化剂，上述(C)成分的含量相对于上述(A)成分以及上述(B)成分的总量，以铂换算计为900～3000质量ppm，且所述有机聚硅氧烷组合物通过加成反应进行固化；所述树脂组合物包含具有通过以超过第1温度的第2温度的加热来进行交联反应的交联部位的有机硅部分的聚酰亚胺有机硅、以及通过以低于上述第2温度的第1温度的干燥进行挥发的溶剂。
具体而言，例如可适用专利文献1(日本专利特开2011-046174号公报)的段落[0041]～[0061]中记载的“固化性有机硅树脂组合物”、专利文献2(日本专利特开2012-086527号公报)的段落[0018]～[0045]中记载的“有机聚硅氧烷组合物”、专利文献3(国际公开第2012/053548号)的段落[0016]～[0123]中记载的“树脂组合物”等。
(固化有机硅树脂层的形成)
首先，将固化性有机硅树脂组合物涂布在单元基体24的第一主面25a上而形成固化性有机硅树脂组合物的层，接着使固化性有机硅树脂组合物固化而形成固化有机硅树脂层。
使固化性有机硅树脂组合物固化的条件根据所使用的有机聚硅氧烷等的种类来选择最适当的条件。典型的是加热温度优选50～300℃，处理时间优选5～300分钟。
另外，对固化性有机硅树脂组合物的涂布方法没有特别限定，可使用迄今公知的方法。可例举例如喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。
此外，固化有机硅树脂层的形成不受上述方法所限。例如，可以在将固化性有机硅树脂组合物通过滴下等涂布在单元基体24的第一主面25a上后，在其上以固化后的固化有机硅树脂层不附着的条件载置实施了脱模处理的脱模处理基板，在固化性有机硅树脂组合物的层被夹持在脱模处理基板和单元基体24之间的状态下，以上述条件进行固化。如果固化性有机硅树脂组合物中有挥发成分，则有挥发成分变为气体留存而发泡之虞，因此优选不含有挥发性成分。作为脱模处理，可利用迄今公知的处理，例如可使用氟类脱模剂或有机硅类脱模剂等。另外，固化后将使用过的脱模处理 基板剥离。
作为固化有机硅树脂层的密合层27的厚度优选10～100μm，更优选30～80μm。
基板41的附着力以密合层27的剥离性表面28和基板41之间的附着力与附着面积的积表示。
密合层27的剥离性表面28和基板41之间的附着力有密合层27越薄则越大的倾向(图8)。
另一方面，如果固化有机硅树脂层薄于10μm，则仅将基板41载置在剥离性表面28上有时不能使其密合、不能产生足够的附着力。认为这是由于如果固化有机硅树脂层过薄，则其柔软性不足，剥离性表面28不能充分接触载置的基板41的缘故。
此外，在固化有机硅树脂层厚的情况下，由于柔软性增加，则仅载置基板41即可密合，但如果厚于100μm则剥离性表面28对基板41的附着力变小。认为这是由于如果固化有机硅树脂层过厚，则固化时的热收缩的影响变大，剥离性表面28的凹凸变得过大，与基板41的接触面积减少的缘故。
然而，如果固化有机硅树脂层的厚度在上述范围内，则仅载置基板41即可密合，此外其附着力也优异。
另外，本发明中，作为固化有机硅树脂层的密合层27的厚度通过触针式表面形状测定仪(商品名：Dektak3030，维科公司(Veeco社)制)进行测定。
从基板41的附着力大小以及基板41的附着脱离的难易度的观点考虑，作为固化有机硅树脂层的密合层27的剥离性表面28的面积优选相对于基板41的第二主面42b的面积为10～99％，更优选为20～90％。
这里，基板41的附着力的大小以(密合层27的剥离性表面28和基板41之间的单位面积的附着力)×(附着面积)表示。
密合层27越薄，则密合层27的剥离性表面28和基板41的附着力越大。另一方面，如上所述，密合层27越薄则由于柔软性不足等状况而与基板41进行密合越花费时间。即，从实用的方面考虑，密合层27的厚度存在满足 以短时间对基板进行密合、以及在该密合状态下得到足够附着力这两者的优选范围。
另外，无论上述厚度和面积为何，作为固化有机硅树脂层的密合层27的对基板41的剥离强度优选0.1～1.5N/25mm，更优选0.5～1.2N/25mm。
本发明中，剥离强度通过以下测定方法来表示。
在25mm×50mm见方的单元基体24(厚度＝约1.1～1.3mm)的第一主面25a的整面上形成作为固化有机硅树脂层的密合层27(厚度＝约20～40μm)，使25mm×75mm见方的基板41(厚度＝约1.1～1.3mm)以一侧的25mm边与其一致而密合，以此作为试样。接着，将该试样的单元基体24的第二主面25b用双面胶粘带固定在台的端部，使用数显测力计(商品名：NP-200，依梦达株式会社(イマダ社)制)对基板41的露出部分(25mm×25mm)的中央部垂直向上顶，测定剥离强度。
此外，从抑制脱气等观点考虑，作为固化有机硅树脂层的密合层27优选具有耐热性。具体而言，其热分解开始温度在使基板41密合的状态下，优选120℃以上，更优选150℃以上，进一步优选180℃以上，特别优选180℃以上280℃以下。
另外，热分解开始温度可如下测定。
在50mm见方的单元基体24(厚度＝约1.1～1.3mm)上形成固化有机硅树脂层(厚度＝约20～40μm)，再层叠相同的50mm见方的基板41(厚度＝约1.1～1.3mm)，将由此而得的材料(层叠体)作为评价试样。接着，将该试样承载在加热至100℃的热板上，以每分钟10℃的升温速度进行加热，将确认到试样内有发泡现象的温度定义为热分解开始温度。
[整面成膜基板的制造方法]
对使用本发明的基板支架11制造整面成膜基板的方法(以下称为“本发明的整面成膜基板的制造方法”)进行说明。
本发明的整面成膜基板的制造方法简单而言，首先，使基板41的第二主面42b密合在密合层27的剥离性表面28上。藉此将基板41保持在基板支架11上，此时优选使基板41的重心位置与剥离性表面28密合。藉此，基板容易可靠地密合而得到所需的附着力，并且在基板垂直或向下的情况 下也能使基板良好地保持。
此外，在使基板41密合时，如图1(A)以及图2所示，优选在1块基板41和与该基板41邻接的其他多块基板41中的至少1块之间设置间隙。这是因为，这样不仅可使基板41之间尽量不重叠，而且在开始将密合、附着的基板41剥离时能够在该间隙中插入指尖或器具。作为该间隙的距离，只要是允许使用的器具或手指插入的距离则没有特别限定。
接着，对附着后的基板41的第一主面42a进行整面成膜。
对整面成膜的方法没有特别限定，但从上述理由考虑，优选采用立式溅射方式或者向上溅射方式的溅射。此时，由于没有因基板支架11对各部分进行的把持或被覆，因此能够对第一主面42a的整面进行成膜。
之后，将经整面成膜的基板41从密合层27的剥离性表面28剥离。此时，例如可从相邻的基板41之间的间隙将指尖插入基板41的第二主面42b和单元固定面32之间(参照图1(B))，将指尖勾住基板41的边缘，将基板41剥离。藉此，可得到经整面成膜的基板41。
这里，作为基板41对基板支架11的密合以及剥离顺序(方向)，例如，如果不是从图1(A)中位于上段的支架单元21进行基板41的附着，而是相反地从下段的基板41进行剥离，则可减少膜缺陷。
另外，基板支架11能够重复使用，但随着使用次数增加，在载体31的单元固定面32上会堆积因溅射而产生的靶粒子。从堆积的靶粒子成为发尘等的原因考虑，重复使用次数优选20～100次左右，更优选50～100次。
此外，在本发明的整面成膜基板的制造方法中，作为基板41也可以使用如图3所示的带保护层的基板。即，可以以使构成保护层45的基板41的第二主面42b与密合层27的剥离性表面28密合的方式对基板41进行保持。藉此，虽然包括基板支架11和基板41在内的厚度总和(以下称为“总厚度”)稍微变大，但在不允许靶粒子的绕后现象的情况下是适合的。
在成膜结束后将作为带保护层的基板的基板41从基板支架11剥离后，将保护层45剥离，使基板主体43的第二主面44b露出。因此，与基板主体43的第二主面44b相接的保护层45优选具有对基板主体43的第二主面44b以自由剥离的方式密合的剥离性表面。即，保护层45和基板主体43 的第二主面44b之间的剥离强度优选大于保护层45和密合层27的剥离性表面28之间的剥离强度。
作为这样的保护层45，可例举例如图3所示的具备构成基板41的第二主面42b的基膜47，和配置在基膜47和基板主体43之间、具有对基膜47和基板主体43密合的剥离性表面的粘附层48的保护层45。在该情况下，可将保护层45所具有的粘附层48粘贴在基板主体43的第二主面44b上使用。
作为基膜47，可使用具有耐热性以及自支承性的公知膜。可例举例如聚酯类、聚氯乙烯类等膜。
作为粘附层48，可例举例如由具有耐热性的公知粘合剂构成的层，优选使用丙烯酸类、聚氨酯类、有机硅类等粘合剂。
作为其他的保护层45的形态，也可以在基板主体43的第二主面44b上以湿式涂布法形成保护层45。例如可以将聚乙烯基醚类树脂涂布在基板主体43上，通过加热使其固化来形成。此时，作为保护层45，也可使用例如丙烯酸类UV固化树脂(商品名：GER-3000，太阳油墨株式会社(太陽インキ社)制)等UV固化型树脂。
另外，保护层45只要保护层45和基板主体43的第二主面44b之间的剥离强度大于保护层45和密合层27的剥离性表面28之间的剥离强度则不限于上述材料。
保护层45的厚度优选5～500μm，更优选20～300μm，进一步优选30～200μm。如果保护层45的厚度在5μm以上，则能够毫无困难地形成具有剥离性表面的保护层45。而如果保护层45的厚度在500μm以下，则能够以低成本形成保护层45。
实施例
下面举出实施例对本发明进行具体说明。但是，本发明不应被解释为局限于此。实验例I、II、III均为实施例。
[实验例I以及II]
〔固化性有机硅树脂组合物的制备〕
首先，以与专利文献1(日本专利特开2011-046174号公报)的段落 [0102]、[0103]、[0107]以及[0109]所记载的方法相同的方法，制备含有聚有机含氢硅氧烷以及含链烯基硅氧烷的固化性有机硅树脂组合物。
〔支架单元的制造〕
接着，在作为玻璃基板(商品名：Dragontrail(注册商标)，旭硝子株式会社(旭硝子社)制，以下相同)的单元基体24(100mm×100mm)的第一主面25a上滴下固化性有机硅树脂组合物。另外，单元基体24的厚度示于下述第1张表。此外，组合物的滴下量在实验例I和实验例II中变化。
在滴下的组合物上载置与单元基体24相同尺寸形状的玻璃基板(并未图示)。载置的玻璃基板为利用有机硅油类脱模剂(商品名：二甲基聚硅氧烷·SH200，东丽·道康宁株式会社(東レ·ダウコーニング社)制)完成脱模处理的脱模处理基板。
之后，在200℃下进行30分钟大气下加热固化，形成作为固化有机硅树脂层的密合层27。形成后，通过将脱模处理基板剥离，制成3个密合层27固定在单元基体24的第一主面25a上的支架单元21。
〔基板支架的制造〕
接着，在作为玻璃基板的载体31(730mm×920mm，厚度：1.3mm)的单元固定面32上固定支架单元21的单元基体24的第二主面25b。该固定使用kapton双面胶粘带(商品名：P-223，日东电工株式会社(日東電工社)制)。由此制成基板支架11。
〔评价(初期)〕
接着，在制成的基板支架11所具有的支架单元21的密合层27的剥离性表面28上载置作为玻璃基板的基板41(130mm×240mm，厚度：1.3mm)的第二主面42b，如下进行评价。结果示于表1。
<密合为止的时间[秒]>
通过目视，判断剥离性表面28和基板41的第二主面42b的接触面积的扩大停止的时刻，将其作为“密合结束”，测定该时刻为止的时间。
<密合面积[％]>
对将基板41的第二主面42b载置在剥离性表面28上而密合结束的时刻的密合面积与剥离性表面28的面积的比进行评价。
<保持性>
在基板41与密合层27密合的状态下将基板支架11直立，以如后所述的方式用立式溅射方式进行成膜，基板41不落下的评价为“○”，落下的情况评价为“×”。
另外，实验例I以及II中，密合层27对基板41的剥离强度均为0.77～1.20N/25mm。
〔成膜〕
接着，使保持了基板41的基板支架11直立，以所谓的立式溅射方式进行成膜。具体而言，在真空槽内TiO_x(1＜x＜2)靶作为溅射靶(Sputtering Target)设置在阴极上，将真空槽排气至1.3×10^-3Pa以下。接着，导入作为溅射气体的氩气96sccm和氧气4sccm的混合气。此时，压力达到5.7×10^-1Pa。在该状态下，使用DC脉冲电源进行反应性溅射法，在设置于真空槽内的基板支架11上保持的基板41的第一主面42a上形成TiO₂层。在第一主面42a上整面成膜TiO₂层。
〔评价(10回后)〕
上述成膜后，将基板41剥离，重新以相同的方式使基板41附着在基板支架11上进行成膜。重复这样的附着、成膜、剥离的流程10次，之后以与上述评价(初期)相同的方式对密合层27的保持性进行评价。结果示于表1。
另外，“10次后”的“密合面积”是将“初期”的“密合面积”作为100％算出的。
[表1]
第1张表

由上述第1张表所示的结果可知，密合层27对基板41的保持性均为优异。
[实验例III]
接着，将与实验例I以及II相同的玻璃基板作为基板主体43，在该基板主体43的第二主面44b上，粘贴在作为聚酯膜的基膜47(厚度：38μm)上带有由丙烯酸类粘合剂构成的粘附层48(厚度：28μm)的保护层45(商品名：EC-90000ASL，史密诺株式会社(スミロン社)制)，作为基板41。
接着，在基板支架11所具有的支架单元21的密合层27的剥离性表面28上载置作为带保护层的基板的基板41的保护层45所构成的第二主面42b，如下所述进行评价。
以与上述实验例I相同的方式制造5个支架单元21，制成基板支架11。此时，如下述第2张表所示，通过改变单元基体24的厚度使支架单元21的厚度T变化。
〔评价(10回后)〕
以与上述相同的方式重复密合、成膜、剥离的流程10次，之后对绕后现象和剥离操作性(handling)如下进行评价。结果示于表2。
<绕后现象>
在每个支架单元21中制造10个经整面成膜的基板41。其中，将对任一 块基板41通过目视都未确认到对第二主面42b成膜的情况作为成功抑制了绕后现象，评价为“○”，将确认到1个以上基板41的第二主面42b上成膜的情况作为绕后现象的抑制略差，评价为“△”。
<剥离操作性>
在进行基板41的剥离时，测定每个支架单元21所需要的剥离时间。剥离所需要的时间由剥离强度(附着力的大小)×基板操作的难易度决定，如果剥离所需要的平均时间少于5秒，则作为剥离操作性优异，评价为“○”；如果在5秒以上，则作为剥离操作性略差，评价为“△”。
[表2]
第2张表

由表2所示的结果可知，实验例III-2～4通过将单元基体24的厚度设为低于3mm，抑制了绕后现象，剥离操作性也优异。另一方面，可知实验例III-1剥离操作性略差，实验例III-5对绕后现象的抑制略差。
另外，实验例III-5中，确认到作为带保护层的基板的基板41的第二主面42b上有膜的附着，在成膜结束后将基板41从基板支架11剥离后，可以通过剥离保护层45来使没有成膜的基板主体43的第二主面44b露出。
通过使用这样的保护膜，可兼顾剥离操作的难易度和膜的绕后现象的防止。
产业上利用的可能性
本发明的基板支架以及整面成膜基板的制造方法可灵活应对所使用的玻璃基板的尺寸和形状不同的玻璃基板，能够减少工序数量和工夫，生产 性、经济性也优异，能够用于作为平板型PC或智能手机等的覆盖玻璃使用的玻璃基板的制造。
另外，在这里引用2012年12月21提出申请的日本专利申请2012-280079号的说明书、权利要求书、附图和摘要的全部内容作为本发明说明书的揭示。
符号说明
11：基板支架
21：支架单元
24：单元基体
25：单元基体的主面
25a：单元基体的第一主面
25b：单元基体的第二主面
27：密合层
28：剥离性表面
31：载体
32：单元固定面
41:基板
42：基板的主面
42a：基板的第一主面
42b：基板的第二主面
43：基板主体
44a：基板主体的第一主面
44b：基板主体的第二主面
45：保护层
47：基膜
48：粘附层
51：基板支架
52：棒状框架
53：把持部
61：基板支架
62：板状框架
63：凹部
64：开口部
71：基板
72a：基板的第一主面
75：成膜基板
76a：成膜基板的第一主面
77：成膜区域
78：非成膜区域
T：支架单元的厚度