一种圆片级封装结构及其工艺方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410827464.X

申请日:

2014.12.26

公开号:

CN104538378A

公开日:

2015.04.22

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/495申请日:20141226|||公开

IPC分类号:

H01L23/495; H01L21/60

主分类号:

H01L23/495

申请人:

江苏长电科技股份有限公司

发明人:

王亚琴; 梁志忠

地址:

214434江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号

优先权:

专利代理机构:

江阴市同盛专利事务所(普通合伙)32210

代理人:

唐纫兰

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内容摘要

本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法,所述结构包括引线框(1),所述引线框(1)上倒装有芯片(2),所述芯片(2)正面设置有金属凸点(3),所述金属凸点(3)与引线框(1)之间通过锡球(4)相连接,所述引线框(1)、金属凸点(3)和锡球(4)周围包封有塑封料(5),所述引脚框(1)背面电镀有金属层(6)。本发明一种圆片级封装结构及其工艺方法,圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应,实现整片圆片倒装于引线框,再进行圆片的切割分离以及封装,实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。

权利要求书

权利要求书1.  一种圆片级封装结构,其特征在于:它包括引线框(1),所述引线框(1)上倒装有芯片(2),所述芯片(2)正面设置有金属凸点(3),所述金属凸点(3)与引线框(1)之间通过锡球(4)相连接,所述引线框(1)、金属凸点(3)和锡球(4)周围包封有塑封料(5),所述引脚框(1)背面电镀有金属层(6)。 2.  一种圆片级封装结构的工艺方法,其特征在于所述方法包括以下步骤: 步骤一、取一圆片,圆片正面线路设计完全对应于引线框图面,单颗芯片尺寸等同于封装尺寸; 步骤二、在圆片正面电极上制作金属凸点; 步骤三、在金属凸点上制作锡球; 步骤四、将圆片通过金属凸点上的锡球倒装于引线框,引线框单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸; 步骤五、将完成倒装的圆片与引线框放入回流焊设备进行回流焊; 步骤六、对完成回流焊的产品进行包封; 步骤七、对完成包封的产品进行引线框背面电镀; 步骤八、对完成电镀产品的芯片背面被覆UV膜; 步骤九、对完成电镀的产品进行切割,分离单个产品; 步骤十、去除芯片背面被覆的UV膜。 3.  根据权利要求2所述的一种圆片级封装结构的工艺方法,其特征在于:所述圆片正面线路根据引线框图面进行Fanout设计或引线框图面根据圆片正面线路进行匹配设计。

说明书

说明书一种圆片级封装结构及其工艺方法
技术领域
本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法,属于半导体封装技术领域。
背景技术
现有的圆片级封装,先对圆片进行划片,将完成划片后分离的芯片正面粘贴在载板上,再对载板粘贴芯片的一侧进行塑封,去除载板,露出芯片正面,对芯片正面电极进行Fanout 重布线制作金属线路与产品电性的输出。圆片划片后单颗芯片排列粘贴在载板上进行包封、制作Fanout金属线路,一方面芯片排列对位的效率低,而且分离芯片排列对位容易产生位移偏差,这将造成后续芯片正面Fanout金属线路的偏移;由于圆片Fanout封装在封装厂进行,但是对于封装厂进行Fanout工艺涉及的密间距线路制作,难度比较高,容易出现线路短路、线路剥离的问题,良率偏低。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种圆片级封装结构及其工艺方法,圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应,实现整片圆片倒装于引线框,再进行圆片的切割分离以及封装,实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。
本发明的目的是这样实现的:一种圆片级封装结构,它包括引线框,所述引线框上倒装有芯片,所述芯片正面设置有金属凸点,所述金属凸点与引线框之间通过锡球相连接,所述引线框、金属凸点和锡球周围包封有塑封料,所述引脚框背面电镀有金属层。
一种圆片级封装结构的工艺方法,所述方法包括以下步骤:
步骤一、取一圆片,圆片正面线路设计完全对应于引线框图面,单颗芯片尺寸等同于封装尺寸;
步骤二、在圆片正面电极上制作金属凸点;
步骤三、在金属凸点上制作锡球;
步骤四、将圆片通过金属凸点上的锡球倒装于引线框,引线框单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸;
步骤五、将完成倒装的圆片与引线框放入回流焊设备进行回流焊;
步骤六、对完成回流焊的产品进行包封;
步骤七、对完成包封的产品进行引线框背面电镀;
步骤八、对完成电镀产品的芯片背面被覆UV膜;
步骤九、对完成电镀的产品进行切割,分离单个产品;
步骤十、去除芯片背面被覆的UV膜。
所述圆片正面线路根据引线框图面进行Fanout设计或引线框图面根据圆片正面线路进行匹配设计。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
1、芯片重布线制作与封装分别由各自擅长的晶圆FAB厂与封装厂完成,产品良率比较高;
2、引线框单颗Unit尺寸等同于单独的芯片尺寸,不仅最大化地利用了金属引线框,而且可以缩小产品尺寸,提高引线框的利用率,降低材料成本;
3、整片圆片一次倒装完成、大大提高了生产效率,降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明一种圆片级封装结构的结构示意图。
图2~图11为本发明一种圆片级封装结构工艺方法的各工序示意图。
其中:
引线框1
芯片2
金属凸点3
锡球4
塑封料5
金属层6。
具体实施方式
参见图1,本发明一种圆片级封装结构,它包括引线框1,所述引线框1上倒装有芯片2,所述芯片2正面设置有金属凸点3,所述金属凸点3与引线框1之间通过锡球4相连接,所述引线框1、金属凸点3和锡球4周围包封有塑封料5,所述引脚框1背面电镀有金属层6。
其工艺方法如下:
步骤一、参见图2,取一圆片,圆片正面线路设计完全对应于引线框图面,单颗芯片尺寸等同于封装尺寸;
步骤二、参见图3,在圆片正面电极上制作金属凸点;
步骤三、参见图4,在金属凸点上制作锡球;
步骤四、参见图5,将圆片通过金属凸点上的锡球倒装于引线框,引线框单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸;
步骤五、参见图6,将完成倒装的圆片与引线框放入回流焊设备进行回流焊;
步骤六、参见图7,对完成回流焊的产品进行包封;
步骤七、参见图8,对完成包封的产品进行引线框背面电镀;
步骤八、参见图9,对完成电镀产品的芯片背面被覆UV膜;
步骤九、参见图10,对完成电镀的产品进行切割,分离单个产品;
步骤十、参见图11,去除芯片背面被覆的UV膜。
所述圆片正面线路可以根据引线框图面进行Fanout设计;所述引线框图面可以根据圆片正面线路进行匹配设计。

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本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法,所述结构包括引线框(1),所述引线框(1)上倒装有芯片(2),所述芯片(2)正面设置有金属凸点(3),所述金属凸点(3)与引线框(1)之间通过锡球(4)相连接,所述引线框(1)、金属凸点(3)和锡球(4)周围包封有塑封料(5),所述引脚框(1)背面电镀有金属层(6)。本发明一种圆片级封装结构及其工艺方法,圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应,实现整片圆片。

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