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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410583351.X(22)申请日 2014.10.27H01L 21/02(2006.01)H01L 21/67(2006.01)(71)申请人昆山国显光电有限公司地址 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号4幢(72)发明人张祥(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司 44224代理人唐清凯(54) 发明名称基板断线修复方法和装置(57) 摘要本发明公开了一种基板断线修复方法和装置，所述基板断线修复方法包括以下步骤：将还原剂与银氨溶液混合，得到混合液A；将所述混合液A涂覆在基板的断线位置，完成基板的断线修。
2、复。上述基板断线修复方法，以银镜反应为基础，通过在基板的断线处生成银膜，完成断线的修复。由于银氨溶液和还原剂在常温下就能发生反应生成银膜，不需要激光或者加热，因此，避免了修复过程中由于温度过高而损害TFT基板的情况的发生，保证了TFT基板的品质。实施上述基板断线修复方法的装置，结构简单，易于操作。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书4页 附图2页(10)申请公布号 CN 104409320 A(43)申请公布日 2015.03.11CN 104409320 A1/1页21.一种基板断线修复方法，其特征在于，包括以下步骤：将还原剂与。
3、银氨溶液混合，得到混合液A；将所述混合液A涂覆在基板的断线位置，完成基板的断线修复。2.根据权利要求1所述的基板断线方法，其特征在于，在所述将还原剂与银氨溶液混合，得到混合液A的步骤中，还包括控制所述还原剂和所述银氨溶液流量的步骤。3.根据权利要求1所述的基板断线方法，其特征在于，在所述完成基板的断线修复的步骤后，还有将剩余的所述银氨溶液回收的步骤。4.根据权利要求3所述的基板断线方法，其特征在于，所述将剩余的所述银氨溶液回收的步骤包括：采用纯净水对盛放所述银氨溶液的容器进行清洗，回收得到清洗液；向所述清洗液中加入盐酸溶液，生成氯化银固体，回收剩余的所述银氨溶液。5.根据权利要求1-4任一项所。
4、述的基板断线方法，其特征在于，所述银氨溶液的制作方法为：将硝酸银溶液和氨水混合，得到所述银氨溶液。6.一种基板断线修复装置，其特征在于，包括银氨溶液存储单元、还原剂存储单元和修复单元；所述还原剂存储单元与所述修复单元通过管道连接，所述银氨溶液存储单元与所述修复单元通过管道连接；所述修复单元设有涂覆口。7.根据权利要求6所述的基板断线修复装置，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元分别与所述还原剂存储单元、银氨溶液存储单元和修复单元连接。8.根据权利要求6所述的基板断线修复装置，其特征在于，还包括回收单元，所述回收单元与所述修复单元通过管道连接。9.根据权利要求8所述的基板断线修复装置，其特征。
5、在于，所述回收单元包括第一清洗室、第二清洗室和回收箱，所述第一清洗室与所述银氨溶液存储单元通过管道连接，所述回收箱与所述银氨溶液存储单元通过管道连接，所述第二清洗室与所述回收箱连接。10.根据权利要求6-9任一项所述的基板断线修复装置，其特征在于，所述银氨溶液存储单元包括第一原料室、第二原料室和反应室，所述第一原料室与所述反应室通过管道连接，所述第二原料室与所述反应室通过管道连接，所述反应室与所述修复单元通过管道连接。权 利 要 求 书CN 104409320 A1/4页3基板断线修复方法和装置技术领域0001 本发明涉及薄膜晶体管领域，特别是涉及基板断线修复方法和装置。背景技术0002 TF。
6、T(Thin Flim Transistor，薄膜晶体管)基板在生产时，金属膜层的制作是在光刻之后，因此，形成的图案会有断线的情况存在。为了避免产生品质问题，需要对断线的地方进行修复。0003 一般地，采用激光束实现薄膜的化学气相沉积，具体方法是在基板导线的断线缺陷处形成修补线，然后对修补线进行加热，完成断线的修复。从本质上讲，由激光触发的化学反应有两种机制：一是光致化学反应；二是热致化学反应。前者利用能量较高的光子使分子分解成膜，后者利用激光束热源实现热致分解，并使基板温度升高加速沉积反应。0004 然而，上述两种方式均为高温反应，会损坏TFT基板的质量。发明内容0005 基于此，有必要提供。
7、一种在常温下就可以完成断线修复的基板断线修复的方法和装置。0006 一种基板断线修复方法，包括以下步骤：0007 将还原剂与银氨溶液混合，得到混合液A；0008 将所述混合液A涂覆在基板的断线位置，完成基板的断线修复。0009 在其中一个实施例中，在所述将还原剂与银氨溶液混合，得到混合液A的步骤中，还包括控制所述还原剂和所述银氨溶液流量的步骤。0010 在其中一个实施例中，在所述完成基板的断线修复的步骤后，还有将剩余的所述银氨溶液回收的步骤。0011 在其中一个实施例中，所述将剩余的所述银氨溶液回收的步骤包括：0012 采用纯净水对盛放所述银氨溶液的容器进行清洗，回收得到清洗液；0013 向所。
8、述回所述清洗液中加入盐酸溶液，生成氯化银固体，回收剩余的所述银氨溶液。0014 在其中一个实施例中，所述银氨溶液的制作方法为：0015 将硝酸银溶液和氨水混合，得到所述银氨溶液。0016 实施上述基板断线修复方法的装置，包括银氨溶液存储单元、还原剂存储单元和修复单元；0017 所述还原剂存储单元与所述修复单元通过管道连接，所述银氨溶液存储单元与所述修复单元通过管道连接；0018 所述修复单元设有涂覆口。0019 在其中一个实施例中，还包括控制单元，所述控制单元分别与所述还原剂存储单元、银氨溶液存储单元和修复单元连接。说 明 书CN 104409320 A2/4页40020 在其中一个实施例中，。
9、还包括回收单元，所述回收单元与所述修复单元通过管道连接。0021 在其中一个实施例中，所述回收单元包括第一清洗室、第二清洗室和回收箱，所述第一清洗室与所述银氨溶液存储单元通过管道连接，所述回收箱与所述银氨溶液存储单元通过管道连接，所述第二清洗室与所述回收箱连接。0022 在其中一个实施例中，所述银氨溶液存储单元包括第一原料室、第二原料室和反应室，所述第一原料室与所述反应室通过管道连接，所述第二原料室与所述反应室通过管道连接，所述反应室与所述修复单元通过管道连接。0023 上述基板断线修复方法，以银镜反应为基础，通过在基板的断线处生成银膜，完成断线的修复。由于银氨溶液和还原剂在常温下就能发生反应。
10、生成银膜，不需要激光或者加热，因此，避免了修复过程中由于温度过高而损害TFT基板的情况的发生，保证了TFT基板的品质。同时，由于银的导电性能好，不会对修复后的TFT基板的性能造成影响。此外，实施上述基板断线修复方法的装置，结构简单，易于操作。附图说明0024 图1为本发明基板断线修复方法的流程图；0025 图2为本发明基板断线修复装置的结构示意图；0026 图3为图2所示的基板断线修复装置的结构示意图。具体实施方式0027 为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地。
11、，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。0028 需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。0029 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于。
12、限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。0030 如图1所示，一实施例的基板断线修复方法，包括以下步骤：0031 步骤S110、将还原剂与银氨溶液混合，得到混合液A。其中，银氨溶液可以根据硝酸银溶液和氨水反应制备得到。还原剂和银氨溶液的反应比可以按照化学计量比进行。还原剂为带有醛基的化合物，如甲醛、乙醛和葡萄糖等等。0032 步骤S120、将混合液A涂覆在基板的断线位置，完成基板的断线修复。混合液A在基板的金属断线处，发生银镜反应，生成银膜。银膜将金属断线处连接起来，完成断线的修说 明 书CN 104409320 A3/4页5复。0033 在本实。
13、施例中，在将还原剂与银氨溶液混合，得到混合液A的步骤中，还包括控制还原剂和银氨溶液流量的步骤。根据不同的断线情况采用不同量的还原剂和银氨溶液，进而制备不同厚度的银膜，提高修复的质量。0034 在完成基板的断线修复的步骤后，还有将剩余的银氨溶液回收的步骤，包括：0035 采用纯净水对盛放银氨溶液的容器进行清洗，回收得到的清洗液；0036 向回收到的清洗液中加入盐酸溶液，生成氯化银固体，完成剩余的银氨溶液的回收。银氨溶液和盐酸反应生成氯化银固体，可定期回收。同时，盐酸还可以中和反应过程中生成的氨气，避免了环境污染。0037 如图2所示，实施上述基板断线修复方法的装置10，包括银膜生成机构100。其。
14、中，银膜生成机构100生成的银膜覆盖在基板20的金属线路的断开处，将断线连接起来，完成断线修复。0038 银膜生成机构100包括银氨溶液存储单元110、还原剂存储单元120和修复单元130。还原剂存储单元120与修复单元130通过管道102连接。银氨溶液存储单元110与修复单元130通过管道102连接。修复单元130设有涂覆口132，在修复过程中，涂覆口132与基板20相对设置。0039 银氨溶液存储单元110是用于存放银氨溶液。还原剂存储单元120用于存放还原剂。其中，还原剂为带有醛基的化合物，如甲醛、乙醛、葡萄糖等等。将银氨溶液与还原剂流入修复单元130，在修复单元130内混合均匀，并通过。
15、涂覆口132喷涂或者以其他方式覆盖在TFT基板的金属断线处，发生银镜反应，生成银膜。0040 如图2所示，银膜生成机构100还包括控制单元140，控制单元140分别与还原剂存储单元120、银氨溶液存储单元110和修复单元130连接。控制单元140可以控制银膜生成机构100中各个单元的流量，进而根据不同的基板断线情况调节不同的流量。在本实施例中，控制单元140为控制阀。如图3所示，在本实施例中，银膜生成机构100的各个单元均设有电磁阀，电磁阀用于控制各个单元的流量，实现流量的精准控制。0041 请再参阅图3，在本实施例中，银氨溶液存储单元110包括第一原料室112、第二原料室114和反应室116。
16、。第一原料室112与反应室116通过管道102连接，第二原料室114和反应室116通过管道102连接，反应室116与修复单元130通过管道102连接。其中，第一原料室112用于盛放硝酸银溶液，第二原料室114用于盛放氨水，当第一原料室112中的硝酸银溶液和第二原料室114中的氨水均流向反应室116时，便可以制得银氨溶液。需要说明的是，此处的第一原料室112和第二原料室114只是用于更清楚的解释本发明，在其他实施例中，第一原料室112和第二原料室114可以互换，即第一原料室112盛放氨水，第二原料室114盛放硝酸银溶液。0042 请再参阅图2，银膜生成机构100还包括回收单元150，回收单元15。
17、0与修复单元130通过管道102连接。由于银氨溶液和还原剂反应后，修复单元130中可能会有剩余的银氨溶液，并且反应过程中还有会氨气生成。采用回收单元150可以回收剩余的银氨溶液以及除去氨气，避免对环境的污染。0043 请再参阅图3，在本实施例中，回收单元150包括第一清洗室152、第二清洗室154和回收箱156，第一清洗室152与银氨溶液存储单元110通过管道102连接，回收箱156与所说 明 书CN 104409320 A4/4页6述银氨溶液存储单元110通过管道102连接，第二清洗室154与回收箱156连接。其中，第一清洗室152中盛放纯净水，第二清洗室154盛放盐酸溶液，先采用纯净水对反。
18、应室116进行清洗，去除剩余的银氨溶液，剩余的银氨溶液流入回收箱156内，然后将第二清洗室154内的盐酸流入回收箱156内，中和银氨溶液和氨水，生成氯化银固体，并定期回收。可以理解的是，在其它实施例中，也可以不设置回收单元150，直接将剩余的银氨溶液收集并处理。0044 本实施例中，银离子的浓度是可控的，在修复时可以实现不同的膜厚。例如，当需要修复的金属断线需要较厚的银膜时，可以增大银离子浓度。需要说明的是，银氨溶液和还原剂的浓度以及二者的添加比可以按照本领域公知的浓度或添加比进行操作。也可以根据不同的银膜厚度配制不同的浓度以及按照化学计量比进行操作。0045 请参阅图3，在本实施例中，第一原。
19、料室112中的硝酸银溶液和第二原料室114中的氨水流向反应室116，在反应室116中发生反应并生成银氨溶液，反应室116中的银氨溶液与还原剂存储单元120中的还原剂混合，混合后的溶液通过针管喷涂在基板20的断线位置，反应生成银，完成基板20的断线修复。反应室116中剩余的银氨溶液先采用第一清洗室152中的纯净水进行清洗，清洗液流入回收箱156中，然后将第二清洗室154中的盐酸溶液流入回收箱156，中和银氨溶液和氨气，生成氯化银固体，可定期回收。其中，第一原料室112、第二原料室114、反应室116、还原剂存储单元120、第一清洗室152、第二清洗室154的排出口处均设有电磁阀，用于控制液体流量。
20、。0046 上述基板断线修复装置在修复过程中，由于银镜反应在常温下便可进行，不需要激光或者加热，避免了温度过高而损坏基板品质的现象发生，保证了基板的质量。同时，由于银的导电性能好，保障了断线修复的质量。此外，银离子的浓度可控，修复时可实现不同的膜厚，扩大了基板断线修复装置的使用范围。0047 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。说 明 书CN 104409320 A1/2页7图1图2说 明 书 附 图CN 104409320 A2/2页8图3说 明 书 附 图CN 104409320 A。