一种新型铸锭坩埚及其制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410271294.1

申请日:

2014.06.17

公开号:

CN104047048A

公开日:

2014.09.17

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C30B 11/00申请公布日:20140917|||实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20140617|||公开

IPC分类号:

C30B11/00; C30B28/06; C30B29/06

主分类号:

C30B11/00

申请人:

徐州工业职业技术学院

发明人:

权祥; 王元庆; 颜续; 周琳; 吕阳; 邓敏; 焦富强

地址:

221000 江苏省徐州市九里区、襄王路1号

优先权:

专利代理机构:

徐州市三联专利事务所 32220

代理人:

周爱芳

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内容摘要

本发明所述新型铸锭坩埚是在现有铸锭坩埚内壁表面喷涂常规氮化硅涂层的基础上,再进行二氧化硅浆料等诱导形核物的二次喷涂制得的提高铸锭收益率的高效铸锭坩埚,其底部的诱导形核物的喷涂还可以采用四边形、六边形等几何图形,该图形也可以带有凹凸结构,利于硅锭底部杂质的聚集与后续加工清除。所述高效铸锭坩埚在长晶过程中利用二氧化硅粉等对晶体硅诱导形核,可减少长晶初期硅晶体的位错、晶界等缺陷,提升长晶品质及硅晶体整体品质,从而进一步提升硅锭的收益率,提高整体的经济效益。

权利要求书

1.  一种新型铸锭坩埚,其特征在于在现有铸锭坩埚底面及侧壁的氮化硅喷涂层表面还喷涂有一道二氧化硅喷涂层,所述二氧化硅喷涂层能为液体硅溶液提供长晶基准点,对硅锭生长起诱导形核作用。

2.
  根据权利要求1所述的新型铸锭坩埚,其特征在于在现有铸锭坩埚底面的氮化硅喷涂层表面还喷涂有一道二氧化硅喷涂层,所述二氧化硅喷涂层能为液体硅溶液提供长晶基准点,对硅锭生长起诱导形核作用。

3.
  根据权利要求1或2所述的新型铸锭坩埚,其特征在于所述的二氧化硅喷涂层是由二氧化硅浆料喷制而成,所述二氧化硅浆料为高纯度二氧化硅颗粒与硅溶胶加粘合剂的混合浆料;其含有超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅,上述原料的重量比依次为5:1:0.5:3.5,其制备方法如下:
先将超纯水、硅溶胶、粘合剂放入搅拌器中均匀搅拌30分钟后形成稳定的悬浮液,再掺入高纯的二氧化硅颗粒均匀搅拌30分钟后静置即得所述的二氧化硅浆料;
上述的高纯二氧化硅颗粒粒度为80~120目,纯度为99.999%。

4.
  根据权利要求3所述的新型铸锭坩埚,其特征在于所述的氮化硅喷涂层的厚度值为180~200μm。

5.
  根据权利要求1、2所述的新型铸锭坩埚,其特征在于新型铸锭坩埚底面的二氧化硅喷涂层的结构可以为平面、网状结构或者是规则的几何图形。

6.
  根据权利要求5所述的新型铸锭坩埚,其特征在于新型铸锭坩埚底面的二氧化硅喷涂层的结构可以为正六边形、正八边形。

7.
  根据权利要求1、2所述的新型铸锭坩埚,其特征在于所述的氮化硅喷涂层厚度为100~200μm。

8.
  权利要求1所述新型铸锭坩埚的制备方法,其特征在于按照现有技术先加工出铸锭坩埚,对其内壁即底面及侧壁先进行氮化硅浆料喷涂,氮化硅涂层加工完成后再进行二氧化硅浆料的喷涂,烘干后即制得新型铸锭坩埚。

9.
  权利要求2所述新型铸锭坩埚的制备方法,其特征在于按照现有技术先加工出铸锭坩埚,对其内壁即底面及侧壁先进行氮化硅浆料喷涂,氮化硅涂层加工完成后再对坩埚的底部进行二氧化硅浆料的喷涂,烘干后即制得新型铸锭坩埚。

说明书

一种新型铸锭坩埚及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种提高晶硅铸锭收益率的新型铸锭坩埚及其制备方法,具体涉及一种新型铸锭坩埚及其制备方法。属于太阳能电池晶体硅片制备技术领域
背景技术
目前晶体硅太阳能电池占据着光伏产业的主导地位。而硅片的成本占到了单/多晶体硅成本的一半以上,因此降低硅片的成本,提高硅片的质量,对于光伏行业的发展有着极其重要的意义。降低成本,提高铸锭成品率作为技术改进方向进行技术研究。
常规的晶硅中,晶粒的随机取向使其难以对所得到的晶片表面进行纹饰。纹饰用于通过减少光反射和提高透过电池表面光能的吸收来提高电池效率。此外,多晶硅晶粒之间边界(晶界)上形成的“扭折”倾向于以簇或位错线形式成为结构缺陷的核,这些位错和位错的吸杂效应会引起多晶硅制成的电池中载流子快速复合,从而导致电池效率降低。
目前太阳电池多晶硅锭主要采用定向凝固的方法生产,即在硅料凝固过程中控制其液固界面的温度梯度,形成单方向热流,实行可控的定向凝固,最终得到结晶取向一致、晶粒粗大均一等优点的太阳能用高纯多晶硅。目前太阳电池多晶硅锭的定向凝固生长方法主要有浇铸法、热交换法(HEM)、布里曼(Bridgeman)法、电磁铸锭法等,其中热交换法与布里曼法通常结合在一起使用。上述方法主要通过提高定型凝固过程中的温度梯度和冷却速率来提高硅锭产品质量。
据报道,中材高新江苏硅材料有限公司研究了太阳能多晶硅铸锭用高纯熔融石英粉体材料制备技术,采用静电除杂、强磁除杂、酸洗除杂及络合除杂等方法,去除原料中的云母、长石类矿物、磁性矿物以及部分难熔矿物,确保石英材料的纯度。以此高纯石英材料制备的石英陶瓷坩埚可使多晶硅出材率提高8%~10%,太阳能电池转化率提高1%~3%,大幅提高硅片生产的安全性和可靠性。但铸锭坩埚目前在生产过程中还是一种一次性的消耗品。
发明内容
针对上述行业现状,本发明拟通过对坩埚内壁进行二次喷涂高纯二氧化硅涂层,利用晶相垂直生长工艺,改进硅溶液中的杂质含量与晶体长晶方向,在铸锭成本几乎不变的情况下,提高铸锭的成品率。
本发明解决行业技术问题、实现上述效果的技术方案如下:
一种新型铸锭坩埚,在现有铸锭坩埚的底面及侧壁的氮化硅喷涂层表面上再喷涂有一道二氧化硅喷涂层,该二氧化硅喷涂层能为液体硅溶液提供长晶基准点,对硅锭生长起诱导形核作用。上述二氧化硅喷涂层也可以只喷涂在铸锭坩埚的底面部分。
上述的二氧化硅喷涂层是由二氧化硅浆料喷制而成,上述二氧化硅浆料为高纯度二氧化硅颗粒与硅溶胶加粘合剂的混合浆料,二氧化硅浆料具体组分包括超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅,其中浆料的制备如下:超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅(纯度为99.999%,颗粒度为80~120目)。上述原料按重量比为5:1:0.5:3.5配重后,先将超纯水、硅溶胶、粘合剂放入搅拌器中均匀搅拌30分钟后形成稳定的悬浮液,再掺入高纯的二氧化硅颗粒均匀搅拌30分钟后静置备用。
高纯二氧化硅颗粒粒度优选为80~120目。
上述氮化硅喷涂层厚度优选为180~200μm。
上述新型铸锭坩埚底面的二氧化硅喷涂层,其涂层的结构可以为喷涂为平面、网状结构或者是规则的几何图形,底面的二氧化硅喷涂层的结构还可以为正六边形、正八边形。
上述新型铸锭坩埚的制备方法,按照现有技术先加工出铸锭坩埚,对其内壁即底面及侧壁先进行氮化硅浆料喷涂,氮化硅涂层加工完成后再进行二氧化硅浆料的喷涂,烘干后即制得新型铸锭坩埚。坩埚底面需要喷涂几何图形构造的二氧化硅喷涂层时,可以借助喷涂模板进行图形形状的控制。
本发明的有益效果:
本技术铸造晶硅工艺与传统晶硅铸锭工艺最大的不同在于铸造过程中所使用的铸锭坩埚是通过二次喷涂表面高纯二氧化硅进行晶相的垂直生长工艺,改进硅溶液中的杂质含量与晶体长晶方向,这种技术既具有类似于单晶硅材料低缺陷、高转换效率的优点,又具有铸锭技术高产量、低能耗、低光致衰减的优点。这种技术在铸锭成本几乎不变的情况下,提高铸锭的成品率。通过常规铸锭晶硅技术,可以使多 晶铸锭炉生产出接近直拉单晶硅的准单晶。在不增加硅片成本的前提下,减少硅料中的杂质,提高铸锭的成品率,使电池效率提高1%以上。
多晶硅铸造时杂质浓度会随着硅锭高度的变化而变化,杂质的最高浓度分布在最后凝固的硅锭顶部和最先凝固的锭底部(由于长时间与坩埚底接触而受固态扩散的污染)。因此,本发明底部图形结构、凹凸结构的设计,可在喷涂的基础上通过高纯石英砂的颗粒度形成吸杂中心,为吸附硅溶液中的杂质提供诱导成核的基础,也有利于硅锭底部杂质的聚集与后续加工清除。
采用本发明的铸锭坩埚,由于底部二次喷涂高纯度的二氧化硅设计,在融化的过程当中在硅溶液中的杂质进行吸附,在坩埚底部的聚集形核,减少硅料中的杂质含量,提升硅锭的纯净度。同时内壁表面喷涂高纯度的二氧化硅颗粒在长晶过程中为硅料长晶提供晶相的引导,使晶相垂直生长,从整体上提升硅锭的注定的品质与规定的成品率;内壁表面喷涂的高纯度二氧化硅颗粒还有效地抑制了边角多晶的形成,降低了多晶的生成比例,从而提高铸锭的整个收益率。
附图说明
图1为本发明的新型铸锭坩埚内表面涂层结构示意图
图2为本发明的新型铸锭坩埚底面及其横向切面示意图
1、坩埚;2、坩埚壁;3、坩埚内壁氮化硅喷涂层;4、二氧化硅喷涂层;5、喷涂模板;6、几何图形;7、锥形突起。
具体实施部分
下面结合实施例及附图,进一步说明本发明铸锭坩埚及其制备方法取得的有益效果。
实施例1
一种二氧化硅浆料制备方法,具体组分为超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅。浆料的制备如下:超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅(纯度为99.999%,颗粒度为80~120目)将上述原料按重量比为5:1:0.5:3.5配重后,先将超纯水、硅溶胶、粘合剂放入搅拌器中均匀搅拌30分钟后形成稳定的悬浮液,再掺入高纯的二氧化硅颗粒均匀搅拌30分钟后静置备用。
进行浆料喷涂时,工艺参数参考如下:喷枪压力为0.4~0.8MPa,喷涂温度为80℃,喷涂后烘干温度为120℃热风烘干,时间为30min。
硅溶胶及粘合剂比例具体可视工艺水平上下浮动。
实施例2
选取普通的G5铸锭坩埚(1),按照正常工艺进行坩埚内壁(2)(含底面及侧壁)氮化硅的喷涂,氮化硅涂层(3)厚度为200μm,干燥成膜后,在氮化硅涂层上(含坩埚底面及侧壁)进行高纯二氧化硅涂层(4)的喷涂,高纯二氧化硅浆料中二氧化硅的颗粒粒度为180目,二氧化硅喷涂层厚度为180μm,干燥后即得到新型高效坩埚。
实施例3
选取普通的G5铸锭坩埚(1),按照正常工艺进行坩埚内壁(2)(含底面及侧壁)氮化硅的喷涂,氮化硅涂层(3)厚度为200μm,干燥成膜后,对坩埚底面氮化硅涂层上进行高纯二氧化硅涂层(4)的喷涂。
在喷涂并干燥好氮化硅涂层的坩埚底面上放上加工有几何图形(6)的喷涂模板(5),模板底部带有支撑模板用的锥形突起(7),然后进行二氧化硅浆料的喷涂,高纯二氧化硅的颗粒粒度为160目,二氧化硅喷涂层厚度为180μm,干燥后即得到底面带有几何图形及凹凸结构的新型高效坩埚。

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1、10申请公布号CN104047048A43申请公布日20140917CN104047048A21申请号201410271294122申请日20140617C30B11/00200601C30B28/06200601C30B29/0620060171申请人徐州工业职业技术学院地址221000江苏省徐州市九里区、襄王路1号72发明人权祥王元庆颜续周琳吕阳邓敏焦富强74专利代理机构徐州市三联专利事务所32220代理人周爱芳54发明名称一种新型铸锭坩埚及其制备方法57摘要本发明所述新型铸锭坩埚是在现有铸锭坩埚内壁表面喷涂常规氮化硅涂层的基础上,再进行二氧化硅浆料等诱导形核物的二次喷涂制得的提高铸锭收益。

2、率的高效铸锭坩埚,其底部的诱导形核物的喷涂还可以采用四边形、六边形等几何图形,该图形也可以带有凹凸结构,利于硅锭底部杂质的聚集与后续加工清除。所述高效铸锭坩埚在长晶过程中利用二氧化硅粉等对晶体硅诱导形核,可减少长晶初期硅晶体的位错、晶界等缺陷,提升长晶品质及硅晶体整体品质,从而进一步提升硅锭的收益率,提高整体的经济效益。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图1页10申请公布号CN104047048ACN104047048A1/1页21一种新型铸锭坩埚,其特征在于在现有铸锭坩埚底面及侧壁的氮化硅喷涂层表面还喷涂有。

3、一道二氧化硅喷涂层,所述二氧化硅喷涂层能为液体硅溶液提供长晶基准点,对硅锭生长起诱导形核作用。2根据权利要求1所述的新型铸锭坩埚,其特征在于在现有铸锭坩埚底面的氮化硅喷涂层表面还喷涂有一道二氧化硅喷涂层,所述二氧化硅喷涂层能为液体硅溶液提供长晶基准点,对硅锭生长起诱导形核作用。3根据权利要求1或2所述的新型铸锭坩埚,其特征在于所述的二氧化硅喷涂层是由二氧化硅浆料喷制而成,所述二氧化硅浆料为高纯度二氧化硅颗粒与硅溶胶加粘合剂的混合浆料;其含有超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅,上述原料的重量比依次为510535,其制备方法如下先将超纯水、硅溶胶、粘合剂放入搅拌器中均匀搅拌30分钟后形成稳定的。

4、悬浮液,再掺入高纯的二氧化硅颗粒均匀搅拌30分钟后静置即得所述的二氧化硅浆料;上述的高纯二氧化硅颗粒粒度为80120目,纯度为99999。4根据权利要求3所述的新型铸锭坩埚,其特征在于所述的氮化硅喷涂层的厚度值为180200M。5根据权利要求1、2所述的新型铸锭坩埚,其特征在于新型铸锭坩埚底面的二氧化硅喷涂层的结构可以为平面、网状结构或者是规则的几何图形。6根据权利要求5所述的新型铸锭坩埚,其特征在于新型铸锭坩埚底面的二氧化硅喷涂层的结构可以为正六边形、正八边形。7根据权利要求1、2所述的新型铸锭坩埚,其特征在于所述的氮化硅喷涂层厚度为100200M。8权利要求1所述新型铸锭坩埚的制备方法,其。

5、特征在于按照现有技术先加工出铸锭坩埚,对其内壁即底面及侧壁先进行氮化硅浆料喷涂,氮化硅涂层加工完成后再进行二氧化硅浆料的喷涂,烘干后即制得新型铸锭坩埚。9权利要求2所述新型铸锭坩埚的制备方法,其特征在于按照现有技术先加工出铸锭坩埚,对其内壁即底面及侧壁先进行氮化硅浆料喷涂,氮化硅涂层加工完成后再对坩埚的底部进行二氧化硅浆料的喷涂,烘干后即制得新型铸锭坩埚。权利要求书CN104047048A1/3页3一种新型铸锭坩埚及其制备方法技术领域0001本发明涉及一种提高晶硅铸锭收益率的新型铸锭坩埚及其制备方法,具体涉及一种新型铸锭坩埚及其制备方法。属于太阳能电池晶体硅片制备技术领域。背景技术0002目前。

6、晶体硅太阳能电池占据着光伏产业的主导地位。而硅片的成本占到了单/多晶体硅成本的一半以上,因此降低硅片的成本,提高硅片的质量,对于光伏行业的发展有着极其重要的意义。降低成本,提高铸锭成品率作为技术改进方向进行技术研究。0003常规的晶硅中,晶粒的随机取向使其难以对所得到的晶片表面进行纹饰。纹饰用于通过减少光反射和提高透过电池表面光能的吸收来提高电池效率。此外,多晶硅晶粒之间边界晶界上形成的“扭折”倾向于以簇或位错线形式成为结构缺陷的核,这些位错和位错的吸杂效应会引起多晶硅制成的电池中载流子快速复合,从而导致电池效率降低。0004目前太阳电池多晶硅锭主要采用定向凝固的方法生产,即在硅料凝固过程中控。

7、制其液固界面的温度梯度,形成单方向热流,实行可控的定向凝固,最终得到结晶取向一致、晶粒粗大均一等优点的太阳能用高纯多晶硅。目前太阳电池多晶硅锭的定向凝固生长方法主要有浇铸法、热交换法HEM、布里曼BRIDGEMAN法、电磁铸锭法等,其中热交换法与布里曼法通常结合在一起使用。上述方法主要通过提高定型凝固过程中的温度梯度和冷却速率来提高硅锭产品质量。0005据报道,中材高新江苏硅材料有限公司研究了太阳能多晶硅铸锭用高纯熔融石英粉体材料制备技术,采用静电除杂、强磁除杂、酸洗除杂及络合除杂等方法,去除原料中的云母、长石类矿物、磁性矿物以及部分难熔矿物,确保石英材料的纯度。以此高纯石英材料制备的石英陶瓷。

8、坩埚可使多晶硅出材率提高810,太阳能电池转化率提高13,大幅提高硅片生产的安全性和可靠性。但铸锭坩埚目前在生产过程中还是一种一次性的消耗品。发明内容0006针对上述行业现状,本发明拟通过对坩埚内壁进行二次喷涂高纯二氧化硅涂层,利用晶相垂直生长工艺,改进硅溶液中的杂质含量与晶体长晶方向,在铸锭成本几乎不变的情况下,提高铸锭的成品率。0007本发明解决行业技术问题、实现上述效果的技术方案如下0008一种新型铸锭坩埚,在现有铸锭坩埚的底面及侧壁的氮化硅喷涂层表面上再喷涂有一道二氧化硅喷涂层,该二氧化硅喷涂层能为液体硅溶液提供长晶基准点,对硅锭生长起诱导形核作用。上述二氧化硅喷涂层也可以只喷涂在铸锭。

9、坩埚的底面部分。0009上述的二氧化硅喷涂层是由二氧化硅浆料喷制而成,上述二氧化硅浆料为高纯度二氧化硅颗粒与硅溶胶加粘合剂的混合浆料,二氧化硅浆料具体组分包括超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅,其中浆料的制备如下超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅说明书CN104047048A2/3页4纯度为99999,颗粒度为80120目。上述原料按重量比为510535配重后,先将超纯水、硅溶胶、粘合剂放入搅拌器中均匀搅拌30分钟后形成稳定的悬浮液,再掺入高纯的二氧化硅颗粒均匀搅拌30分钟后静置备用。0010高纯二氧化硅颗粒粒度优选为80120目。0011上述氮化硅喷涂层厚度优选为180200M。00。

10、12上述新型铸锭坩埚底面的二氧化硅喷涂层,其涂层的结构可以为喷涂为平面、网状结构或者是规则的几何图形,底面的二氧化硅喷涂层的结构还可以为正六边形、正八边形。0013上述新型铸锭坩埚的制备方法,按照现有技术先加工出铸锭坩埚,对其内壁即底面及侧壁先进行氮化硅浆料喷涂,氮化硅涂层加工完成后再进行二氧化硅浆料的喷涂,烘干后即制得新型铸锭坩埚。坩埚底面需要喷涂几何图形构造的二氧化硅喷涂层时,可以借助喷涂模板进行图形形状的控制。0014本发明的有益效果0015本技术铸造晶硅工艺与传统晶硅铸锭工艺最大的不同在于铸造过程中所使用的铸锭坩埚是通过二次喷涂表面高纯二氧化硅进行晶相的垂直生长工艺,改进硅溶液中的杂质。

11、含量与晶体长晶方向,这种技术既具有类似于单晶硅材料低缺陷、高转换效率的优点,又具有铸锭技术高产量、低能耗、低光致衰减的优点。这种技术在铸锭成本几乎不变的情况下,提高铸锭的成品率。通过常规铸锭晶硅技术,可以使多晶铸锭炉生产出接近直拉单晶硅的准单晶。在不增加硅片成本的前提下,减少硅料中的杂质,提高铸锭的成品率,使电池效率提高1以上。0016多晶硅铸造时杂质浓度会随着硅锭高度的变化而变化,杂质的最高浓度分布在最后凝固的硅锭顶部和最先凝固的锭底部由于长时间与坩埚底接触而受固态扩散的污染。因此,本发明底部图形结构、凹凸结构的设计,可在喷涂的基础上通过高纯石英砂的颗粒度形成吸杂中心,为吸附硅溶液中的杂质提。

12、供诱导成核的基础,也有利于硅锭底部杂质的聚集与后续加工清除。0017采用本发明的铸锭坩埚,由于底部二次喷涂高纯度的二氧化硅设计,在融化的过程当中在硅溶液中的杂质进行吸附,在坩埚底部的聚集形核,减少硅料中的杂质含量,提升硅锭的纯净度。同时内壁表面喷涂高纯度的二氧化硅颗粒在长晶过程中为硅料长晶提供晶相的引导,使晶相垂直生长,从整体上提升硅锭的注定的品质与规定的成品率;内壁表面喷涂的高纯度二氧化硅颗粒还有效地抑制了边角多晶的形成,降低了多晶的生成比例,从而提高铸锭的整个收益率。附图说明0018图1为本发明的新型铸锭坩埚内表面涂层结构示意图0019图2为本发明的新型铸锭坩埚底面及其横向切面示意图002。

13、01、坩埚;2、坩埚壁;3、坩埚内壁氮化硅喷涂层;4、二氧化硅喷涂层;5、喷涂模板;6、几何图形;7、锥形突起。0021具体实施部分0022下面结合实施例及附图,进一步说明本发明铸锭坩埚及其制备方法取得的有益效说明书CN104047048A3/3页5果。0023实施例10024一种二氧化硅浆料制备方法,具体组分为超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅。浆料的制备如下超纯水、硅溶胶、粘合剂、高纯度二氧化硅纯度为99999,颗粒度为80120目将上述原料按重量比为510535配重后,先将超纯水、硅溶胶、粘合剂放入搅拌器中均匀搅拌30分钟后形成稳定的悬浮液,再掺入高纯的二氧化硅颗粒均匀搅拌30分钟后。

14、静置备用。0025进行浆料喷涂时,工艺参数参考如下喷枪压力为0408MPA,喷涂温度为80,喷涂后烘干温度为120热风烘干,时间为30MIN。0026硅溶胶及粘合剂比例具体可视工艺水平上下浮动。0027实施例20028选取普通的G5铸锭坩埚1,按照正常工艺进行坩埚内壁2含底面及侧壁氮化硅的喷涂,氮化硅涂层3厚度为200M,干燥成膜后,在氮化硅涂层上含坩埚底面及侧壁进行高纯二氧化硅涂层4的喷涂,高纯二氧化硅浆料中二氧化硅的颗粒粒度为180目,二氧化硅喷涂层厚度为180M,干燥后即得到新型高效坩埚。0029实施例30030选取普通的G5铸锭坩埚1,按照正常工艺进行坩埚内壁2含底面及侧壁氮化硅的喷涂,氮化硅涂层3厚度为200M,干燥成膜后,对坩埚底面氮化硅涂层上进行高纯二氧化硅涂层4的喷涂。0031在喷涂并干燥好氮化硅涂层的坩埚底面上放上加工有几何图形6的喷涂模板5,模板底部带有支撑模板用的锥形突起7,然后进行二氧化硅浆料的喷涂,高纯二氧化硅的颗粒粒度为160目,二氧化硅喷涂层厚度为180M,干燥后即得到底面带有几何图形及凹凸结构的新型高效坩埚。说明书CN104047048A1/1页6图1图2说明书附图CN104047048A。

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