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1、10申请公布号CN104093865A43申请公布日20141008CN104093865A21申请号201380007803322申请日20130122201202115820120202JP201217148720120801JPC22C5/06200601B22F1/00200601C23C14/14200601C23C14/34200601H01B5/00200601H01B5/14200601H01B7/0820060171申请人株式会社神户制钢所地址日本兵库县72发明人田内裕基志田阳子奥野博行74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人雒运朴54发明名称用于反射膜和。
2、/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的AG合金膜、以及AG合金溅射靶及AG合金填料57摘要本发明提供一种AG合金膜，其表现出与纯AG膜几乎相同水平的低电阻率，且与以往的AG合金膜相比耐久性具体而言，耐盐水性、耐卤素性及与基板的密合性优异，此外，在通过溅射法使上述AG合金膜成膜时，溅射时的成膜速度与纯AG一样快。本发明的上述AG合金膜用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极，含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子、和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素00215原子，余量包含AG及不可避免的杂质。30优先权数据85PCT国际申请进入国家。
3、阶段日2014080186PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0511522013012287PCT国际申请的公布数据WO2013/115002JA2013080851INTCL权利要求书1页说明书10页按照条约第19条修改的权利要求书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书10页按照条约第19条修改的权利要求书1页10申请公布号CN104093865ACN104093865A1/1页21一种AG合金膜，其特征在于，其是设置于基板上，用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的AG合金膜，所述AG合金膜含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少。
4、1种元素0115原子，和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素00215原子；余量包含AG及不可避免的杂质。2根据权利要求1所述的AG合金膜，其中，所述稀土元素是选自由ND、LA、GD及CE组成的组中的至少1种元素。3根据权利要求2所述的AG合金膜，其还含有选自由MG、CU、ZN、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。4一种AG合金溅射靶，其特征在于，其是用于权利要求13中任一项所述的AG合金膜的形成的溅射靶，所述AG合金溅射靶含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少。
5、1种元素0115原子；余量包含AG及不可避免的杂质。5根据权利要求4所述的AG合金溅射靶，其中，所述稀土元素是选自由ND、LA、GD及CE组成的组中的至少1种元素。6根据权利要求5所述的AG合金溅射靶，其还含有选自由MG、CU、ZN、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。7一种AG合金填料，其特征在于，其是用于权利要求13中任一项所述的AG合金膜的形成的AG合金填料，所述AG合金填料含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素00215原子；余量包含AG及不可避免的杂质。8根据权利要求。
6、7所述的AG合金填料，其中，所述稀土元素是选自由ND、LA、GD及CE组成的组中的至少1种元素。9根据权利要求8所述的AG合金填料，其还含有选自由MG、CU、ZN、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。10根据权利要求7所述的AG合金填料，其包含AG合金纳米粒子。11根据权利要求8所述的AG合金填料，其包含AG合金纳米粒子。12一种电子器件，其具有权利要求13中任一项所述的AG合金膜。13一种电磁波吸收体，其具有权利要求13中任一项所述的AG合金膜。14一种抗静电膜，其具有权利要求13中任一项所述的AG合金膜。15一种减光膜或隔热膜，其具有权利要求13中任一项所述的。
7、AG合金膜。权利要求书CN104093865A1/10页3用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的AG合金膜、以及AG合金溅射靶及AG合金填料技术领域0001本发明涉及用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的AG合金膜、以及用于形成上述AG合金膜的AG合金溅射靶及AG合金填料。详细而言，涉及下述AG合金膜表现出与纯AG膜几乎相同水平的低电阻率，并且耐盐水性等耐久性优异，且将上述AG合金膜优选通过溅射法成膜时，能以与纯AG相同程度的较快的溅射成膜速度成膜。背景技术0002由于纯AG膜在某膜厚以上可以表现出对可见光的高反射率且确保低电阻，因此期待其应用于显示装置等电子器件的。
8、薄膜晶体管TFT基板、触控面板、太阳能电池、发光显示元件等中的布线、电极，照明装置、电磁波吸收体、抗静电膜等中的反射膜包括反射电极、透射膜包括透射电极，等。0003但是纯AG膜存在与CL之类的卤元素反应、或实施100左右的加热处理、或暴露于高温高湿条件下而发生白浊，上述反射率降低即，耐卤素性、耐热性或耐环境性差这样的问题。纯AG膜还存在与已经作为布线材料广泛使用的AL系膜相比，不管基板的种类，与基板的密合性低这样的问题。0004作为改善上述纯AG膜的耐热性、耐环境性等的技术，可举出如下的技术。0005即，在专利文献1中示出了通过制成以合计量计含有选自由BI及SB组成的组中的1种或两种元素001。
9、4原子的AG合金膜，从而可以维持AG本来的高反射率，同时抑制AG的凝聚、晶粒成长，抑制反射率的经时降低。0006在专利文献2中示出了若将构成在绝缘性基板上形成的布线和/或电极的银合金材料设为至少含有选自由锡、锌、铅、铋、铟、镓中的1种以上的元素的材料，则可以得到表现出低电阻，且耐热性、对玻璃基板的附着力、耐等离子体性等工艺耐性高的布线和/或电极。0007另外，在专利文献3中示出了一种由AG合金形成的薄膜，其耐腐蚀性特别是耐卤素性、耐氧化性、耐硫化性优异，所述AG含有以合计计选自00520MASS的IN及00520MASS的SN中的至少1种金属成分A00520MASS；以合计计选自0149MAS。
10、S的PD及0109MASS的PT中的至少1种金属成分B0149MASS；00520MASS的CU；且金属成分A、金属成分B和CU的合计含量为0250MASS。0008在专利文献4中还示出了含有0115AT的ND、余量实质由包含AG的AG基合金形成的平板显示器的布线电极膜。详细而言，记载了通过在AG中添加ND，可以改善微细加工性，另外，即使受到高温加热，AG的凝聚导致的表面粗糙度的增加也被抑制，能够提高耐热性，还表现出低电阻率。0009但是，将上述AG合金膜应用于例如触控面板中的布线、电极时，由于器件的使用环境的不同等，存在易发生上述的白浊这样的问题。说明书CN104093865A2/10页40。
11、010另外，AG合金膜优选通过溅射法来成膜，但若考虑生产率，则期望提供溅射时的成膜速度快、而且还不会发生上述白浊等的耐久性优异的技术。0011现有技术文献0012专利文献0013专利文献1日本特开2004126497号公报0014专利文献2日本特开2005054268号公报0015专利文献3日本专利第3855958号公报0016专利文献4日本特开2005187937号公报发明内容0017发明所要解决的课题0018本发明着眼于如上的情况而完成，其目的在于提供AG合金膜、以及用于形成上述AG合金膜的AG合金溅射靶及AG合金填料，就所述AG合金膜而言，作为布线所需要的低电阻率与纯AG膜处于几乎相同的。
12、水平，并且与以往的AG合金膜相比耐久性具体而言，耐盐水性、耐卤素性及与基板的密合性优异，优选在通过溅射法使上述AG合金膜成膜时溅射时的成膜速度与纯AG一样快，可用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极。0019用于解决课题的手段0020能够解决上述课题的本发明的AG合金膜可用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极，所述AG合金膜具有下述要点，其含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素00215原子；余量包含AG及不可避免的杂质。0021在本发明的优选的实施方式中，上述稀土元素是选自由ND、。
13、LA、GD及CE组成的组中的至少1种元素。0022在本发明的优选的实施方式中，上述AG合金膜还含有选自由MG、CU、ZN、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。0023另外，能够解决上述课题的本发明的AG合金溅射靶是用于上述AG合金膜的形成的溅射靶，所述AG合金溅射靶具有下述要点，其含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素0115原子；余量包含AG及不可避免的杂质。0024在本发明的优选的实施方式中，上述稀土元素是选自由ND、LA、GD及CE组成的组中的至少1种元素。0025在本发。
14、明的优选的实施方式中，上述AG合金溅射靶还含有选自由MG、CU、ZN、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。0026另外，能够解决上述课题的本发明的AG合金填料是用于上述AG合金膜的形成的AG合金填料，所述AG合金填料具有下述要点，其含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素00215原子；余量包含AG及不可避免的杂质。0027在本发明的优选的实施方式中，上述稀土元素是选自由ND、LA、GD及CE组成的组中的至少1种元素。说明书CN104093865A3/10页50028在本发明的优。
15、选的实施方式中，上述AG合金填料还含有选自由MG、CU、ZN、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。0029在本发明的优选的实施方式中，上述AG合金填料包含AG合金纳米粒子。0030在本发明中，具有上述AG合金膜的制品例如，反射电极或透射电极、有机EL或无机EL等显示装置、照明装置、输入装置、触控面板、布线基板、膜型电缆、膜型天线、太阳能电池等电子器件类，以及电磁波吸收体、抗静电膜、减光膜或隔热膜等也包含在本发明的范围内。0031发明效果0032根据本发明，可以提供表现出与纯AG膜几乎相同水平的电阻率，并且与以往的AG合金膜相比耐久性优异且与基板的密合性优异的AG合。
16、金膜。另外，使上述AG合金膜优选通过溅射法进行成膜时，溅射时的成膜速度与纯AG一样快，因此生产率非常优异。本发明的AG合金膜作为反射膜和/或透射膜、或者电气布线和/或电极而有用，可以优选用于它们所适合的各种用途。例如在应用于触控面板等的布线、电极时发挥出上述优异的特性。具体实施方式0033本发明人等为了提供下述AG合金膜而反复潜心研究，所述AG合金膜例如即使在应用于因使用环境而耐久性易降低的触控面板等的布线电极、以及应用于反射膜或透射膜时，也表现出与纯AG膜几乎相同水平的电阻率及溅射时的成膜速度，并且耐久性具体而言，耐盐水性、耐卤素性及与基板的密合性优异。0034其结果是发现包含选自由PD、P。
17、T及AU组成的组有时称为X组。中的至少1种元素有时用X组元素代表。、和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组有时称为Z组。中的至少1种元素有时用Z组元素代表。的组合，且适当地控制了各元素的含量的AG合金膜可以实现与纯AG膜几乎相同水平的低电阻率及溅射时的成膜速度，并且与以往的AG合金膜相比表现出格外优异的耐久性及与基板的密合性，从而完成了本发明。0035即，本发明的AG合金膜可以用AGX组元素Z组元素合金膜表示。上述AG合金膜不仅具有电阻率及溅射时的成膜速度与纯AG处于相同程度的特性，而且耐久性具体而言，耐盐水性、耐卤素性也优异。此外，与基板的密合性也良好，因此不会损害生产率，可以改善上。
18、述特性，极为有用。像在后述的实施例中证实的那样，仅含有X组元素、Z组元素中的任一种的AG合金膜无法全部具备这些特性。另外，明确了含有本发明中规定的X组元素及Z组元素以外的元素的AG合金膜不能获得所希望的特性。0036以下，对构成本发明的AG合金膜的各元素进行说明。0037X组元素是选自由PD、PT及AU组成的X组中的至少1种元素，主要是有助于耐盐水性或耐卤素性的提高、还有助于与基板的密合性提高的元素。如后述的实施例所示，不含X组元素的AG合金膜的这些特性差。可以单独添加X组元素，也可以并用两种以上。优选的X组元素为AU、PD，更优选为PD。0038为了有效地发挥出这样的效果，将X组元素的含量单。
19、独含有时为单独的量，并用两种以上时为合计量。以下相同设为01原子以上。从耐久性提高的观点考虑，X组元素的含量越多越好，优选为03原子以上。需要说明的是，从上述特性提高的观点考虑，说明书CN104093865A4/10页6X组元素的含量的上限没有特别限定，但若该含量过多则电阻率增加。另外，由于是昂贵的贵金属，因此优选也考虑制造成本等而适当地进行控制。详细而言，上述X组元素的添加所导致的电阻率增加的影响比后述的Z组元素小。但是若过量地含有X组元素则易导致电阻率的增加，因此将X组元素的含量的上限设为15原子以下。优选设为10原子以下。0039Z组元素是选自由稀土元素REM的至少1种、BI及ZN组成的。
20、组中的至少1种元素，是主要有助于与基板的密合性及溅射时的成膜速度的提高的元素。如后述的实施例所示，不含Z组元素的AG合金膜与基板的密合性、溅射时的成膜速度差。需要说明的是，为了有效地发挥与基板的密合性提高效果，必须与上述X组元素组合来添加，即使单独添加Z组元素，也无法有效地发挥所希望的效果。Z组元素可以单独添加，也可以并用两种以上。优选的Z组元素为ND、GD、LA，更优选为ND。0040此处稀土元素REM是指镧系元素从LA到LU的15种元素、SC钪及Y。在本发明中，可以单独添加REM，也可以并用两种以上的REM。上述REM的含量在单独含有REM时为单独的量，在并用多种REM时为其合计量。优选的。
21、REM为ND、LA、GD或CE。0041为了有效地发挥出上述Z组元素的效果，将Z组元素的含量单独含有时为单独的量，并用两种以上时为合计量。以下相同设为002原子以上。从上述特性提高的观点考虑，Z组元素的含量越多越好，优选为005原子以上，更优选为01原子以上，进一步优选为015原子以上。需要说明的是，从上述特性提高的观点考虑Z组元素的含量的上限没有特别限定，但若该含量过多则电阻率增加，因此设为15原子以下。优选设为10原子以下，更优选设为07原子以下，进一步优选为05原子以下。0042作为本发明的AGX组元素Z组元素合金膜的优选的组合，可举出AGPDND、AGPDLA、AGAUND等。0043。
22、本发明的AG合金膜的成分如上所述，余量包含AG及不可避免的杂质。0044另外，除了上述元素以外，如下所示还可以适量含有选自由MG、CU、ZN、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素。MG、CU、ZN、GE、IN、CA是发挥出进一步提高耐久性的效果的元素。为了充分发挥出该效果，优选将上述元素的含量单独的元素时指单独的量，包含多种元素时指合计量。以下相同。设为01原子以上，更优选设为03原子以上。但是若过量地含有这些元素，则电阻率提高，因此优选将上述元素的含量设为20原子以下，更优选设为10原子以下。0045另外，优选将AG合金膜的膜厚设为50500NM的范围。通过将该膜厚设为50NM以上，可以。
23、降低布线电阻并且进一步提高耐久性。上述膜厚更优选为150NM以上。另一方面，若上述膜厚过厚，则布线形状恶化、或微细加工变困难，因此优选将上述膜厚设为500NM以下，更优选设为400NM以下。0046本发明中使用的基板没有特别限定，例如可举出包含玻璃、PET等树脂等的基板。本发明的AG合金膜与这些基板的密合性良好。0047优选通过溅射法使用溅射靶以下有时称为“靶”来形成AG合金膜，或使用AG合金填料优选为包含AG合金纳米粒子的AG合金填料来形成上述AG合金膜。作为薄膜的形成方法，可举出喷墨涂布法、真空蒸镀法、溅射法等，其中，因为溅射法在合金化的容易程度、膜厚均匀性方面优异因此优选。另外，使用了含。
24、有AG合金填料优选为包含AG合金纳米粒子的AG合金填料的分散液的喷墨法的生产率优异，因而优选。说明书CN104093865A5/10页70048通过上述溅射法形成上述AG合金膜时，分别含有规定量的上述X组元素和上述Z组元素的AG合金溅射靶的使用是有用的。基本地，若使用含有这些元素、与所希望的AG合金膜相同组成的AG合金溅射靶，则无需担心组成偏差，可以形成所希望的成分组成的AG合金膜。但是，BI是在AG合金膜的表面附近易富集的元素，因此对于AG合金膜中的BI量而言，优选在溅射靶中含有大概5倍左右的BI。0049作为上述溅射靶的制作方法，可举出真空熔解法、粉末烧结法。特别是从可以确保靶面内的组成、。
25、组织的均匀性的观点考虑，优选通过上述真空熔解法进行制作。0050另外，作为上述AG合金填料优选为包含AG合金纳米粒子的AG合金填料的制作方法，例如可举出通过湿式粉碎法、干式粉碎法、气相法等将上述AG合金制成微粒状等来得到的方法。0051在本发明中，作为AG合金膜的特性，优选电阻率为60CM以下。上述电阻率更优选为55CM以下，进一步优选为50CM以下，特别优选为40CM以下。0052本发明的AG合金膜不仅耐久性优异，并且仍然具备AG合金本来所具有的优异的特性高反射率、低电阻，因此能够适合用于AG合金膜所应用的各种用途作为代表，电子器件类的反射膜反射电极、透射膜透射电极、电气布线、电极等。例如，。
26、作为照明装置、输入装置等的反射膜和/或透射膜、有机EL或无机EL等显示装置、触控面板、布线基板FPR、RFID标签、手机、汽车导航系统等中的布线基板、柔性布线基板、膜型电缆、膜型天线、太阳能电池、电磁波吸收体、抗静电膜、减光膜或隔热膜等的布线和/或电极而有用。0053实施例0054以下，举出实施例更具体地说明本发明，但本发明不受下述实施例限制，在能与上述、后述的宗旨符合的范围内也能适当地加以变形来实施，它们皆包含于本发明的技术的范围内。0055实施例10056在玻璃基板道康宁公司制的无碱玻璃1737，直径50MM，厚度07MM上，使用DC磁控溅射装置，通过溅射法使表1所示的组成的纯AG膜或AG。
27、合金膜膜厚皆为100NM，单层膜成膜。此时的成膜条件如下所述。0057成膜条件0058基板温度室温0059成膜功率DC15W/CM20060AR气压13MTORR0061电极间距55MM0062成膜速度7080NM/SEC0063极限真空度10105TORR以下0064另外，在上述成膜中，作为溅射靶，使用了纯AG靶使纯AG膜成膜时、或通过真空熔解法制作的与下述表1所示的膜组成相同组成的AG合金溅射靶靶的尺寸皆为直径4英寸。需要说明的是，在表1的NO18中，使用了BI量为膜组成的BI量的约5倍的AG合金溅射靶。0065测定了通过上述方法得到的纯AG膜或AG合金膜的耐久性耐盐水性、耐卤素性、与基板。
28、的密合性、电阻率及波长450NM的可见光的吸收率。测定方法的详细情况如下说明书CN104093865A6/10页8所示。0066需要说明的是，使用ICP发光光谱分析装置岛津制作所制的ICP发光光谱分析装置“ICP8000型”，定量分析并确认了得到的AG合金膜的组成。后述的实施例2也相同。00670068将包含基板和该基板上的纯AG膜或AG合金膜的试样浸渍于常温25的5质量氯化钠水溶液3小时，取出后，用纯水清洗，然后干燥，目视确认了盐水试验后的纯AG膜或AG合金膜的白浊的程度。然后将没有白浊的情况评价为“无”耐久性高，将有一点白浊的情况评价为“小”，将白浊明显的情况评价为“大”耐久性差。0069。
29、0070通过基于胶带的剥离试验评价了密合性。详细而言，在纯AG膜或AG合金膜的表面用切割刀切割出1MM间隔的棋盘格状的切口。然后，将住友3M公司制胶带SCOTCH注册商标600牢固地粘贴在上述AG合金膜上，保持上述胶带的剥离角度使其为60，同时一举将上述胶带剥离。然后，数出由上述胶带剥离的棋盘格的区块数，求出与总区块的比率膜剥离率。每个各试样进行3次测定，将3次的平均值作为各试样的膜剥离率。然后将膜剥离率为25以下的情况评价为“良与基板的密合性良”，将膜剥离率超过25的情况评价为“不良与基板的密合性不良”。00710072对上述得到的纯AG膜或AG合金膜通过4探针法测定电阻率。然后，将60CM。
30、以下的情况评价为电阻率小。0073将这些结果表示于表1中。0074说明书CN104093865A7/10页90075可以根据表1如下考察。0076首先，可知像本发明中规定的那样含有选自由PD、AU、PT组成的组中的至少1种X组元素、和稀土元素的至少1种的AGX组元素Z组元素合金膜NO215抑制盐水试说明书CN104093865A8/10页10验后的白浊，耐久性优异，与基板的密合性也良好，并且电阻率也低。0077与此相对，纯AG膜NO1的盐水试验后的白浊明显，且也不能确保与基板的密合性。0078另外，NO16是含有本发明中规定的X组元素及Z组元素以外的元素此处为IN的例子，虽然与基板的密合性良好。
31、，但盐水试验后的白浊与上述纯AG膜同样明显。0079另外，NO17是含有上述Z组元素、和代替X组元素的在本发明中为非必需元素的CU的例子，盐水试验后的白浊明显，且与基板的密合性也降低。根据该结果，确认了为了提高与基板的密合性，必须添加X组元素和Z组元素的两者，并且启示了CU对与基板的密合性提高带来不良影响。0080NO18是含有上述Z组元素、不含X组元素的例子，盐水试验后的白浊明显，且与基板的密合性也降低。根据该结果，确认了与上述NO17同样地，为了提高与基板的密合性，必需添加X组元素和Z组元素的两者。0081NO19是含有X组元素、和代替上述Z组元素的在本发明中为非必需元素的CU的例子，虽然。
32、未发生盐水试验后的白浊，但与基板的密合性降低。根据该结果，确认了与上述NO17及NO18同样地，为了提高与基板的密合性，必须添加X组元素和Z组元素的两者。0082实施例20083在玻璃基板道康宁公司制的无碱玻璃1737，直径50MM，厚度07MM上，使用DC磁控溅射装置，通过溅射法使表2所示组成的纯AG膜或AG合金膜膜厚皆为100NM，单层膜成膜。此时的成膜条件如下所述。0084成膜条件0085基板温度室温0086成膜功率DC255W/CM20087AR气压19PA0088电极间距120MM0089极限真空度40105PA以下0090另外，在上述成膜中，作为溅射靶，使用了纯AG靶纯AG膜的成膜。
33、的情况、或通过真空熔解法制作的与下述表2所示膜组成相同组成的AG合金溅射靶靶的尺寸皆为直径4英寸。需要说明的是，在表2的NO1517及22中，使用了BI量为膜组成的BI量的约5倍的AG合金溅射靶。0091使用通过上述方法得到的纯AG膜或AG合金膜，与上述实施例1同样地评价耐久性耐盐水性、耐卤素性，并且如下测定溅射时的成膜速度。测定方法的详细情况如下所示。00920093通过触针式段差计KLATENCOR制，ALPHASTEP测定通过上述方法得到的纯AG膜或AG合金膜的膜厚，求出成膜速度。就膜厚的测定而言，从薄膜的中心部向半径方向每隔5MM间隔测定合计3点的膜厚，将其平均值作为“薄膜的膜厚”NM。
34、。将这样得到的“薄膜的膜厚”除以溅射时间分钟，算出平均成膜速度NM/分钟。0094在本实施例中，将使用纯AG溅射靶使薄膜成膜时的平均成膜速度作为基准，算出与使用各组成的AG合金溅射靶使薄膜成膜时的平均成膜速度的成膜速度比。这样得到的说明书CN104093865A109/10页11成膜速度比越大则成膜速度越快。在本实施例中，将以纯AG比计为090以上的情况评价为溅射时的成膜速度快。0095在表2中表示这些结果。00960097可以根据表2如下考察。0098首先，可知像本发明中规定的那样含有选自由PD、AU、PT组成的组中的至少1种X组元素、选自由稀土元素的至少1种、BI、ZN组成的组中的至少1种。
35、Z组元素的AGX组元素Z组元素合金膜NO220抑制盐水试验后的白浊且耐久性优异，并且溅射成膜速度也与纯AG处于相同程度。0099与此相对，虽然纯AG膜NO1的成膜速度快，但盐水试验后的白浊明显。说明书CN104093865A1110/10页120100另外，可知仅含有X组元素、完全不含Z组元素的AG合金膜NO21虽然抑制盐水试验后的白浊，但成膜速度大幅降低。0101另一方面，仅含有Z组元素、完全不含X组元素的AG合金膜NO22，23虽然抑制了成膜速度的降低，但盐水试验后的白浊明显。0102根据这些结果，可知在本发明中，为了满足规定的特性，必须添加X组元素和Z组元素的两者。0103另一方面，就作。
36、为合金元素而含有上述Z组元素、和代替X组元素的在本发明中为非必需元素的CU的AG合金膜NO24而言，明显观察到盐水试验后的白浊及成膜速度的降低。在该例中，虽然添加了规定量的ND作为Z组元素，但成膜速度降低，推测是因为添加元素的合计量多。0104另外，就作为合金元素而含有上述X组元素、和代替Z组元素的在本发明中为非必需元素的CU的AG合金膜NO25、26而言，虽然未观察到盐水试验后的白浊，但成膜速度名下降低，无法实现AG本来的快的成膜速度。0105本申请主张基于2012年2月2日申请的日本专利申请第2012021158号及2012年8月1日申请的日本专利申请第2012171487号的优先权的利益。
37、。援引2012年2月2日申请的日本专利申请第2012021158号的说明书的全部内容及2012年8月1日申请的日本专利申请第2012171487号的说明书的全部内容来用于本申请的参考。说明书CN104093865A121/1页131修改后一种AG合金膜，其特征在于，其是设置于基板上，用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极的AG合金膜，所述AG合金膜含有选自由AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由选自LA、GD及CE中的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素00215原子；余量包含AG及不可避免的杂质。2删除3修改后根据权利要求2所述的AG合金膜，其还含有选自。
38、由MG、CU、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。4修改后一种AG合金溅射靶，其特征在于，其是用于权利要求13中任一项所述的AG合金膜的形成的溅射靶，所述AG合金溅射靶含有选自由AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由选自LA、GD及CE中的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素0115原子；余量包含AG及不可避免的杂质。5删除6修改后根据权利要求5所述的AG合金溅射靶，其还含有选自由MG、CU、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。7一种AG合金填料，其特征在于，其是用于权利要求13中任一项所述的AG合金膜的形成。
39、的AG合金填料，所述AG合金填料含有选自由PD、AU及PT组成的组中的至少1种元素0115原子，和选自由稀土元素的至少1种、BI及ZN组成的组中的至少1种元素00215原子；余量包含AG及不可避免的杂质。8根据权利要求7所述的AG合金填料，其中，所述稀土元素是选自由ND、LA、GD及CE组成的组中的至少1种元素。9修改后根据权利要求8所述的AG合金填料，其还含有选自由MG、CU、GE、IN及CA组成的组中的至少1种元素0120原子作为其他元素。10根据权利要求7所述的AG合金填料，其包含AG合金纳米粒子。11根据权利要求8所述的AG合金填料，其包含AG合金纳米粒子。12一种电子器件，其具有权利要求13中任一项所述的AG合金膜。13一种电磁波吸收体，其具有权利要求13中任一项所述的AG合金膜。14一种抗静电膜，其具有权利要求13中任一项所述的AG合金膜。15一种减光膜或隔热膜，其具有权利要求13中任一项所述的AG合金膜。按照条约第19条修改的权利要求书CN104093865A13。