杂芳基胺化合物、有机发光装置和平板显示设备.pdf

具体实施方式

根据本发明的实施例，杂芳基胺化合物由下面的式1表示。在一些实施例中，杂芳基胺化合物可以用于形成有机发光装置(OLED)的有机层。

式1

在式1中，Ar₁和Ar₂中的每个独立地选自于取代的和未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的和未取代的C₄-C₆₀杂芳基以及取代的和未取代的C₆-C₆₀缩合多环基。X₁可以选自于取代的和未取代的C₆-C₃₀亚芳基(例如，C₆-C₁₈亚芳基)、取代的和未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基(例如，C₅-C₂₀杂亚芳基)以及取代的和未取代的C₆-C₂₀缩合多环基。R₁、R₂和R₃中的每个可以独立地选自于氢原子、重氢原子、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷基、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷氧基、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷氧羰基、取代的和未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的和未取代的C₅-C₅₀芳氧基、取代的和未取代的C₅-C₅₀芳硫基、被至少一个取代的或未取代的C₅-C₅₀芳基取代的氨基、取代的和未取代的C₃-C₅₀碳环、取代的和未取代的C₄-C₆₀杂芳基、取代的和未取代的C₆-C₆₀缩合多环基、卤素原子、氰基、羟基和羧基。

由X₁表示的亚芳基或杂亚芳基的非限制性示例包括亚苯基、1-亚萘基、2-亚萘基、1-亚蒽基、2-亚蒽基、9-亚蒽基、1-亚菲基、2-亚菲基、3-亚菲基、4-亚菲基、9-亚菲基、1-亚并四苯基、2-亚并四苯基、9-亚并四苯基、1-亚芘基、2-亚芘基、4-亚芘基、2-亚联苯基、3-亚联苯基、4-亚联苯基、亚对三联苯-4-基、亚对三联苯-3-基、亚对三联苯-2-基、亚间三联苯-4-基、亚间三联苯-3-基、亚间三联苯-2-基、邻甲代亚苯基、间甲代亚苯基、对甲代亚苯基、对叔丁基亚苯基、对(2-苯基丙基)亚苯基、3-甲基-2-亚萘基、4-甲基-1-亚萘基、4-甲基-1-亚蒽基、4′-甲基亚联苯基、4″-叔丁基-亚对三联苯-4-基、亚荧蒽基、亚芴基、1-亚吡咯基、2-亚吡咯基、3-亚吡咯基、亚吡嗪基、2-亚吡啶基、3-亚吡啶基、4-亚吡啶基、1-亚吲哚基、2-亚吲哚基、3-亚吲哚基、4-亚吲哚基、5-亚吲哚基、6-亚吲哚基、7-亚吲哚基、1-亚异吲哚基、2-亚异吲哚基、3-亚异吲哚基、4-亚异吲哚基、5-亚异吲哚基、6-亚异吲哚基、7-亚异吲哚基、2-亚呋喃基、3-亚呋喃基、2-亚苯并呋喃基、3-亚苯并呋喃基、4-亚苯并呋喃基、5-亚苯并呋喃基、6-亚苯并呋喃基、7-亚苯并呋喃基、1-亚异苯并呋喃基、3-亚异苯并呋喃基、4-亚异苯并呋喃基、5-亚异苯并呋喃基、6-亚异苯并呋喃基、7-亚异苯并呋喃基、亚喹啉基、3-亚喹啉基、4-亚喹啉基、5-亚喹啉基、6-亚喹啉基、7-亚喹啉基、8-亚喹啉基、1-亚异喹啉基、3-亚异喹啉基、4-亚异喹啉基、5-亚异喹啉基、6-亚异喹啉基、7-亚异喹啉基、8-亚异喹啉基、2-亚喹喔啉基、5-亚喹喔啉基、6-亚喹喔啉基、1-亚咔唑基、2-亚咔唑基、3-亚咔唑基、4-亚咔唑基、9-亚咔唑基、1-亚菲啶基、2-亚菲啶基、3-亚菲啶基、4-亚菲啶基、6-亚菲啶基、7-亚菲啶基、8-亚菲啶基、9-亚菲啶基、10-亚菲啶基、1-亚吖啶基、2-亚吖啶基、3-亚吖啶基、4-亚吖啶基、9-亚吖啶基、亚1，7-菲咯啉-2-基、亚1，7-菲咯啉-3-基、亚1，7-菲咯啉-4-基、亚1，7-菲咯啉-5-基、亚1，7-菲咯啉-6-基、亚1，7-菲咯啉-8-基、亚1，7-菲咯啉-9-基、亚1，7-菲咯啉-10-基、亚1，8-菲咯啉-2-基、亚1，8-菲咯啉-3-基、亚1，8-菲咯啉-4-基、亚1，8-菲咯啉-5-基、亚1，8-菲咯啉-6-基、亚1，8-菲咯啉-7-基、亚1，8-菲咯啉-9-基、亚1，8-菲咯啉-10-基、亚1，9-菲咯啉-2-基、亚1，9-菲咯啉-3-基、亚1，9-菲咯啉-4-基、亚1，9-菲咯啉-5-基、亚1，9-菲咯啉-6-基、亚1，9-菲咯啉-7-基、亚1，9-菲咯啉-8-基、亚1，9-菲咯啉-10-基、亚1，10-菲咯啉-2-基、亚1，10-菲咯啉-3-基、亚1，10-菲咯啉-4-基、亚1，10-菲咯啉-5-基、亚2，9-菲咯啉-1-基、亚2，9-菲咯啉-3-基、亚2，9-菲咯啉-4-基、亚2，9-菲咯啉-5-基、亚2，9-菲咯啉-6-基、亚2，9-菲咯啉-7-基、亚2，9-菲咯啉-8-基、亚2，9-菲咯啉-10-基、亚2，8-菲咯啉-1-基、亚2，8-菲咯啉-3-基、亚2，8-菲咯啉-4-基、亚2，8-菲咯啉-5-基、亚2，8-菲咯啉-6-基、亚2，8-菲咯啉-7-基、亚2，8-菲咯啉-9-基、亚2，8-菲咯啉-10-基、亚2，7-菲咯啉-1-基、亚2，7-菲咯啉-3-基、亚2，7-菲咯啉-4-基、亚2，7-菲咯啉-5-基、亚2，7-菲咯啉-6-基、亚2，7-菲咯啉-8-基、亚2，7-菲咯啉-9-基、亚2，7-菲咯啉-10-基、1-亚吩嗪基、2-亚吩嗪基、1-亚吩噻嗪基、2-亚吩噻嗪基、3-亚吩噻嗪基、4-亚吩噻嗪基、10-亚吩噻嗪基、1-亚吩嗪基、2-亚吩嗪基、3-亚吩嗪基、4-亚吩嗪基、10-亚吩嗪基、2-亚唑基、4-亚唑基、5-亚唑基、2-亚二唑基、5-亚二唑基、3-亚呋咱基(3-furazanylene group)、2-亚噻吩基、3-亚噻吩基、亚2-甲基吡咯-1-基、亚2-甲基吡咯-3-基、亚2-甲基吡咯-4-基、亚2-甲基吡咯-5-基、亚3-甲基吡咯-1-基、亚3-甲基吡咯-2-基、亚3-甲基吡咯-4-基、亚3-甲基吡咯-5-基、亚2-叔丁基吡咯-4-基、亚3-(2-苯丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-亚吲哚基、4-甲基-1-亚吲哚基、2-甲基-3-亚吲哚基、4-甲基-3-亚吲哚基、2-叔丁基-1-亚吲哚基、4-叔丁基-1-亚吲哚基、2-叔丁基-3-亚吲哚基和4-叔丁基-3-亚吲哚基。

由X₁表示的亚芳基的非限制性示例包括亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚四联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚基、亚芘基、亚苝基和亚芴基。例如，亚芳基可以选自于亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基和亚芴基。

由X₁表示的杂亚芳基的非限制性示例包括亚苯硫基、1-苯基亚苯硫基、1，4-二苯基亚苯硫基、苯并亚苯硫基、1-苯基苯并亚苯硫基、1，8-二苯基苯并亚苯硫基、亚呋喃基、1-苯基二苯并亚苯硫基、1，8-二苯基亚苯硫基、亚氧芴基、1-苯基亚氧芴基、1，8-二苯基亚氧芴基和亚苯并噻唑基。例如，杂亚芳基可以选自于1-苯基亚苯硫基、1-苯基亚苯并苯硫基、1-苯基亚氧芴基和亚苯并噻唑基。

在式1中，X₁用作连接基(linker)。当杂芳基胺化合物用作用于注入和传输空穴的材料时，连接基使得在电压施加期间产生的自由基正离子稳定化，因此延长了装置的寿命。然而，当单个苯环(例如，在m-MTDATA[4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺]、TDATA或2-TNATA中)包括在苯环上的对位直接取代的两个氮原子而没有连接基(例如，X₁)时，装置不会具有令人满意的寿命。连接基的非限制性示例可以包括由下式表示的二价有机基团。

在上面的式1中，Ar₁和Ar₂中的每个可以独立地选自于未取代的和取代的C₆-C₆₀芳基(例如，具有形成芳环的6至18个碳原子的芳基)和未取代的和取代的C₄-C₆₀杂芳基(例如，具有形成芳环的5至20个碳原子的芳基)。

由Ar₁或Ar₂表示的芳基的非限制性示例包括苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对三联苯-4-基、对三联苯-3-基、对三联苯-2-基、间三联苯-4-基、间三联苯-3-基和间三联苯-2-基。

由Ar₁或Ar₂表示的杂芳基的非限制性示例包括苯硫基、1-苯基苯硫基、1，4-二苯基苯硫基、苯并苯硫基、1-苯基苯并苯硫基、1，8-二苯基苯并苯硫基、呋喃基、1-苯基二苯并苯硫基、1，8-二苯基苯硫基、氧芴基、1-苯基氧芴基、1，8-二苯基氧芴基和苯并噻唑基。

在上面的式1中，R₁可以选自于取代的和未取代的C₆-C₆₀芳基(例如，具有形成芳环的6至18个碳原子的芳基)。

由R₁表示的芳基的非限制性示例包括苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对三联苯-4-基、对三联苯-3-基、对三联苯-2-基、间三联苯-4-基、间三联苯-3-基、间三联苯-2-基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔丁基苯基、对(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4′-甲基联苯基和4″-叔丁基-对三联苯-4-基。例如，芳基可以选自于苯基、1-萘基、2-萘基、4-联苯基和对三联苯-4-基。在一些实施例中，芳基可以选自于苯基、联苯基、三联苯基、α-萘基、β-萘基和菲基。

在上面的式1中，R₂和R₃中的每个可以独立地选自于氢原子、重氢原子、取代的和未取代的C₆-C₆₀芳基(例如，C₆-C₃₀芳基)、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷基(例如，C₁-C₂₀烷基)、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷氧基(例如，C₁-C₂₀烷氧基)、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷氧羰基(例如，C₁-C₂₀烷氧羰基)、取代的和未取代的C₅-C₅₀芳氧基(例如，C₆-C₂₀芳氧基)、取代的和未取代的C₅-C₅₀芳硫基(例如，C₆-C₂₀芳硫基)、被至少一个取代的或未取代的C₅-C₅₀芳基(例如，C₆-C₂₀芳基)取代的氨基、卤素原子、氰基、硝基、羟基和羧基。

在上面的式1中，R₂或R₃可以是结合到吲哚主链的2位或3位的取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基，其中，芳基形成芳环。

由R₂或R₃表示的芳基的非限制性示例包括苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对三联苯-4-基、对三联苯-3-基、对三联苯-2-基、间三联苯-4-基、间三联苯-3-基、间三联苯-2-基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔丁基苯基、对(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4′-甲基联苯基、4″-叔丁基-对三联苯-4-基和芴基。例如，芳基可以选自于苯基、1-萘基、2-萘基、4-联苯基、对三联苯-4-基、对甲苯基和芴基。

由R₂或R₃表示的芳氧基的非限制性示例包括苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、4-联苯氧基、对三联苯-4-基氧基和对甲苯氧基。例如，芳氧基可以选自于苯氧基和2-萘氧基。

由R₂或R₃表示的芳硫基的非限制性示例包括苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、4-联苯硫基、对三联苯-4-基硫基和对甲苯硫基。例如，芳硫基可以选自于苯硫基和2-萘硫基。

由R₂或R₃表示的烷氧羰基的非限制性示例包括甲氧羰基、乙氧羰基、正丙氧羰基、异丙氧羰基、正丁氧羰基和叔丁氧羰基。例如，烷氧羰基可以选自于甲氧羰基和乙氧羰基。

作为氨基的取代基的芳基和由R₂或R₃表示的芳基的非限制性示例包括上面结合由R₁表示的芳基列出的那些基团。

在上面的式1中，卤素原子的非限制性示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

上面描述的每个基团可以进一步被取代，在一些实施例中，可以包括可相同或不同的至少两个取代基。至少两个取代基可以相互连接，以形成环。

用于Ar₁、Ar₂、R₁、R₂和R₃的取代基的非限制性示例包括烷基、烯基、炔基、氨基、烷氧基、芳氧基、酰基、烷氧羰基、芳氧羰基、酰氧基、酰氨基、烷氧羰基氨基、芳氧羰基氨基、磺酰氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷硫基、芳硫基、磺酰基、亚硫酰基、酰脲基、磷酰胺基、羟基、巯基、卤素原子、氰基、磺基、羧基、硝基、异羟肟酸基、亚磺基、肼基、亚氨基、杂环基和甲硅烷基。这些取代基可以进一步被取代。在一些实施例中，例如，Ar₁、Ar₂、R₁、R₂和R₃均可以包括可相同或不同的至少两个取代基。至少两个取代基可以相互连接，以形成环。

烷基的非限制性示例包括C₁-C₂₀烷基。例如，在一些实施例中，烷基选自于C₁-C₁₂烷基。在其它实施例中，烷基选自于C₁-C₈烷基。适合的烷基的非限制性示例包括甲基、乙基、异丙基、叔丁基、正辛基、正癸基、正十六烷基、环丙基、环戊基和环己基。

烯基的非限制性示例包括C₂-C₂₀烯基。在一些实施例中，例如，烯基选自于C₂-C₁₂烯基。在其它实施例中，烯基选自于C₂-C₈烯基。烯基的非限制性示例包括乙烯基、烯丙基、2-丁烯基和3-戊烯基。

炔基的非限制性示例包括C₂-C₂₀炔基。在一些实施例中，例如，炔基为C₂-C₁₂炔基。在其它实施例中，炔基选自于C₂-C₈炔基。炔基的非限制性示例为3-戊炔基。

氨基的非限制性示例包括C₀-C₂₀氨基。在一些实施例中，例如，氨基为C₀-C₁₂氨基。在其它实施例中，氨基选自于C₀-C₆氨基。氨基的非限制性示例包括氨基、甲氨基、二甲氨基、二乙氨基、二苯氨基和二苄氨基。

烷氧基的非限制性示例包括C₁-C₂₀烷氧基。在一些实施例中，例如，烷氧基为C₁-C₁₂烷氧基。在其它实施例中，烷氧基选自于C₁-C₈烷氧基。烷氧基的非限制性示例包括甲氧基、乙氧基和丁氧基。

芳氧基的非限制性示例包括C₆-C₂₀芳氧基。在一些实施例中，例如，芳氧基为C₆-C₁₆芳氧基。在其它实施例中，芳氧基选自于C₆-C₁₂芳氧基。芳氧基的非限制性示例包括苯氧基和2-萘氧基。

酰基的非限制性示例包括C₁-C₂₀酰基。在一些实施例中，例如，酰基为C₁-C₁₆酰基。在其它实施例中，酰基选自于C₁-C₁₂酰基。酰基的非限制性示例包括乙酰基、苯甲酰基、甲酰基和新戊酰基。

烷氧羰基的非限制性示例包括C₂-C₂₀烷氧羰基。在一些实施例中，例如，烷氧羰基为C₂-C₁₆烷氧羰基。在其它实施例中，烷氧羰基选自于C₂-C₁₂烷氧羰基。烷氧羰基的非限制性示例包括甲氧羰基和乙氧羰基。

芳氧羰基的非限制性示例包括C₇-C₂₀芳氧羰基。在一些实施例中，例如，芳氧羰基为C₇-C₁₆芳氧羰基。在其它实施例中，芳氧羰基选自于C₇-C₁₀芳氧羰基。芳氧羰基的非限制性示例为苯氧羰基。

酰氧基的非限制性示例包括C₂-C₂₀酰氧基。在一些实施例中，例如，酰氧基为C₂-C₁₆酰氧基。在其它实施例中，酰氧基选自于C₂-C₁₀酰氧基。酰氧基的非限制性示例包括乙酰氧基和苯甲酰氧基。

酰氨基的非限制性示例包括C₂-C₂₀酰氨基。在一些实施例中，例如，酰氨基为C₂-C₁₆酰氨基。在其它实施例中，酰氨基选自于C₂-C₁₀酰氨基。酰氨基的非限制性示例包括乙酰氨基和苯甲酰氨基。

烷氧羰基氨基的非限制性示例包括C₂-C₂₀烷氧羰基氨基。在一些实施例中，例如，烷氧羰基氨基为C₂-C₁₆烷氧羰基氨基。在其它实施例中，烷氧羰基氨基选自于C₂-C₁₂烷氧羰基氨基。烷氧羰基氨基的非限制性示例为甲氧羰基氨基。

芳氧羰基氨基的非限制性示例包括C₇-C₂₀芳氧羰基氨基。在一些实施例中，例如，芳氧羰基氨基为C₇-C₁₆芳氧羰基氨基。在其它实施例中，芳氧羰基氨基选自于C₇-C₁₂芳氧羰基氨基。芳氧羰基氨基的一个非限制性示例为苯氧羰基氨基。

磺酰氨基的非限制性示例包括C₁-C₂₀磺酰氨基。在一些实施例中，例如，磺酰氨基为C₁-C₁₆磺酰氨基。在其它实施例中，磺酰氨基选自于C₁-C₁₂磺酰氨基。磺酰氨基的非限制性示例包括甲烷磺酰氨基和苯磺酰氨基。

氨磺酰基的非限制性示例包括C₀-C₂₀氨磺酰基。在一些实施例中，例如，氨磺酰基为C₀-C₁₆氨磺酰基。在其它实施例中，氨磺酰基选自于C₀-C₁₂氨磺酰基。氨磺酰基的非限制性示例包括未取代的氨磺酰基、甲基氨磺酰基、二甲基氨磺酰基和苯基氨磺酰基。

氨基甲酰基的非限制性示例包括C₁-C₂₀氨基甲酰基。在一些实施例中，例如，氨基甲酰基为C₁-C₁₆氨基甲酰基。在其它实施例中，氨基甲酰基选自于C₁-C₁₂氨基甲酰基。氨基甲酰基的非限制性示例包括未取代的氨基甲酰基、甲基氨基甲酰基、二乙基氨基甲酰基和苯基氨基甲酰基。

烷硫基的非限制性示例包括C₁-C₂₀烷硫基。在一些实施例中，例如，烷硫基为C₁-C₁₆烷硫基。在其它实施例中，烷硫基选自于C₁-C₁₂烷硫基。烷硫基的非限制性示例包括甲硫基和乙硫基。

芳硫基的非限制性示例包括C₆-C₂₀芳硫基。在一些实施例中，例如，芳硫基为C₆-C₁₆芳硫基。在其它实施例中，芳硫基选自于C₆-C₁₂芳硫基。芳硫基的一个非限制性示例为苯硫基。

磺酰基的非限制性示例包括C₁-C₂₀磺酰基。在一些实施例中，例如，磺酰基为C₁-C₁₆磺酰基。在其它实施例中，磺酰基选自于C₁-C₁₂磺酰基。磺酰基的非限制性示例包括甲磺酰基和甲苯磺酰基。

亚硫酰基的非限制性示例包括C₁-C₂₀亚硫酰基。在一些实施例中，例如，亚硫酰基为C₁-C₁₆亚硫酰基。在其它实施例中，亚硫酰基选自于C₁-C₁₂亚硫酰基。亚硫酰基的非限制性示例包括甲烷亚硫酰基和苯亚硫酰基。

酰脲基的非限制性示例包括C₁-C₂₀酰脲基。在一些实施例中，例如，酰脲基为C₁-C₁₆酰脲基。在其它实施例中，酰脲基选自于C₁-C₁₂酰脲基。酰脲基的非限制性示例包括未取代的酰脲基、甲基酰脲基和苯基酰脲基。

磷酰胺基的非限制性示例包括C₁-C₂₀磷酰胺基。在一些实施例中，例如，磷酰胺基为C₁-C₁₆磷酰胺基。在其它实施例中，磷酰胺基选自于C₁-C₁₂磷酰胺基。磷酰胺基的非限制性示例包括二乙基磷酰胺基和苯基磷酰胺基。

卤素原子的非限制性示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

杂环基可以是C₁-C₃₀杂环基。在一些实施例中，例如，杂环基为C₁-C₁₅杂环基。杂环基的非限制性示例包括咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、哌啶基、吗啉基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基和咔唑基，其中，杂原子可以是氮、氧或硫。

甲硅烷基的非限制性示例包括C₃-C₄₀甲硅烷基。在一些实施例中，例如，甲硅烷基为C₃-C₃₀甲硅烷基。在其它实施例中，甲硅烷基选自于C₃-C₂₄甲硅烷基。甲硅烷基的非限制性示例包括三甲基甲硅烷基和三苯基甲硅烷基。

在本发明的一些实施例中，式1的杂芳基胺化合物可以包括由下面的式2至式6中的任一式表示的化合物。

式2

式3

式4

式5

式6

在式2至式6中，Ar₁至Ar₁₀中的每个独立地选自于取代的和未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的和未取代的C₄-C₆₀杂芳基以及取代的和未取代的C₆-C₆₀缩合多环基。X₁至X₃中的每个独立地选自于取代的和未取代的C₆-C₃₀亚芳基、取代的和未取代的C₄-C₃₀杂亚芳基以及取代的和未取代的C₆-C₃₀缩合多环基。R₁、R₂和R₃中的每个独立地选自于氢原子、重氢原子、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷基、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷氧基、取代的和未取代的C₁-C₅₀烷氧羰基、取代的和未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的和未取代的C₅-C₅₀芳氧基、取代的和未取代的C₅-C₅₀芳硫基、被至少一个取代的或未取代的C₅-C₅₀芳基取代的氨基、取代的和未取代的C₃-C₅₀碳环、取代的和未取代的C₄-C₆₀杂芳基、取代的和未取代的C₆-C₆₀缩合多环基、卤素原子、氰基、羟基和羧基。

在式2至式6中，Ar₁至Ar₁₀中的每个可以独立地选自于单环至三环芳基。适合的单环至三环芳基的非限制性示例包括苯基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基和咔唑基。单环至三环芳基可以被一个至三个取代基取代。这些取代基的非限制性示例包括C₁-C₅烷基、C₁-C₅烷氧基、氰基、氨基、苯氧基、苯基和卤素原子。

由X₁至X₃表示的亚芳基的非限制性示例包括亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚四联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚基、亚芘基、亚苝基和亚芴基。在一些实施例中，例如，亚芳基可以选自于亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基和亚芴基。

由X₁至X₃表示的杂亚芳基的非限制性示例包括亚苯硫基、1-苯基亚苯硫基、1，4-二苯基亚苯硫基、苯并亚苯硫基、1-苯基苯并亚苯硫基、1，8-二苯基苯并亚苯硫基、亚呋喃基、1-苯基二苯并亚苯硫基、1，8-二苯基亚苯硫基、亚氧芴基、1-苯基亚氧芴基、1，8-二苯基亚氧芴基和苯并亚噻唑基。在一些实施例中，例如，杂亚芳基可以选自于1-苯基亚苯硫基、1-苯基苯并亚苯硫基、1-苯基氧芴基和亚苯并噻唑基。

在式1至式6或式2至式6中，R₁至R₃中的每个独立为芳基。在一些实施例中，例如，R₁至R₃中的每个可以独立地选自于苯基、4-氟苯基、萘基和联苯基。

在式1至式6或式2至式6中，由X₁至X₃表示的二价有机基团的非限制性示例包括由下式表示的基团。X₁至X₃中的每个可以独立地选自于这些二价有机基团，但是不限于此。

在式1至式6或式2至式6中，Ar₁至Ar₁₀中的每个可以独立地选自于由下式表示的一价有机基团中的一个。

在下文中，将描述参照式1至式6描述的取代基。

未取代的C₁-C₅₀烷基可以是直链或支链。烷基的非限制性示例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、辛基、壬基和十二烷基。烷基中的至少一个氢原子可以被选自于重氢原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基和其盐、磺酸基和其盐、磷酸基和其盐、C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₆-C₁₆芳基或C₄-C₁₆杂芳基的取代基取代。

未取代的C₃-C₅₀碳环是指C₃-C₅₀环烷基，其中，碳环中的至少一个氢原子可以被上面结合C₁-C₅₀烷基描述的取代基取代。

未取代的C₄-C₆₀杂环基是指含有选自于N、O、P和S的一个、两个或三个杂原子的C₄-C₆₀环烷基，其中，杂环基中的至少一个氢原子可以被上面结合C₁-C₅₀烷基描述的取代基取代。

未取代的C₁-C₅₀烷氧基是具有OA结构的基团，其中，A是如上描述的未取代的C₁-C₅₀烷基。烷氧基的非限制性示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基和戊氧基。烷氧基的至少一个氢原子可以被上面结合C₁-C₅₀烷基描述的取代基取代。

未取代的C₆-C₆₀芳基是指含有至少一个环的碳环芳香体系。至少两个环可以彼此稠合，或通过单键彼此结合。术语“芳基”是指芳香体系，例如苯基、萘基或蒽基。芳基中的至少一个氢原子可以被上面结合C₁-C₅₀烷基描述的取代基取代。

取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基的非限制性示例包括苯基、C₁-C₁₀烷基苯基(例如，乙基苯基)、卤代苯基(例如，邻氟苯基、间氟苯基和对氟苯基、二氯苯基)、氰基苯基、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、联苯基、卤代联苯基、氰基联苯基、C₁-C₁₀烷基联苯基、C₁-C₁₀烷氧基联苯基、邻甲苯基、间甲苯基和对甲苯基、邻异丙苯基、间异丙苯基和对异丙苯基、莱基、苯氧基苯基、(α，α-二甲基苯)苯基、(N，N’-二甲基)氨基苯基、(N，N’-二苯基)氨基苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、卤代萘基(例如，氟代萘基)、C₁-C₁₀烷基萘基(例如，甲基萘基)、C₁-C₁₀烷氧基萘基(例如，甲氧基萘基)、氰基萘基、蒽基、薁基、庚搭烯基、苊基、周萘基(phenalenyl group)、芴基、蒽醌基、甲基蒽基、菲基、苯并[9，10]菲基、芘基、基、乙基-基、苉基、苝基、氯代苝基、戊芬基、并五苯基、四苯基、六苯基、并六苯基、玉红省基(rubicenyl group)、蒄基、联三萘基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基(pyranthrenyl group)和卵苯基。

未取代的C₄-C₆₀杂芳基包括选自于N、O、P和S的一个、两个或三个杂原子。至少两个环可以彼此稠合，或通过单键彼此结合。未取代的C₄-C₆₀杂芳基的非限制性示例包括吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、吲哚基、喹啉基和异喹啉基。杂芳基中的至少一个氢原子可以被上面结合C₁-C₅₀烷基描述的取代基取代。

未取代的C₆-C₆₀缩合多环基是指含有至少两个环的取代基，其中，至少一个芳香环和/或至少一个非芳香环彼此稠合。未取代的C₆-C₆₀缩合多环基可以包括结合芳基或杂芳基描述的一些取代基。

式1的杂芳基胺化合物可以用作具有空穴注入能力、空穴传输能力和发光能力中的至少一种能力的有机层材料。

式1的杂芳基胺化合物在分子中具有杂环基，因此，由于杂环基的引入而具有高玻璃化转变温度(Tg)或熔点。因此，杂芳基胺化合物具有对抗当发光时在有机层中、在有机层之间或者在有机层和金属电极之间产生的焦耳热的高耐热性。杂芳基胺化合物还在高温环境下具有高耐久性。使用杂芳基胺化合物制造的有机发光装置在储存或工作时具有高耐久性。

式1的杂芳基胺化合物的非限制性示例包括下面的化合物1-83：

在一些实施例中，例如，式1的杂芳基胺化合物选自于化合物1、化合物2、化合物8、化合物29、化合物32、化合物52、化合物58和化合物81。

根据本发明的其它实施例，提供了合成式1的杂芳基胺化合物的方法。最初，将二苯甲酮腙、丁醇钠、醋酸钯和2-双环己基膦-2’，4’，6’-三异丙基联苯加入到由下面的式7表示的杂芳基胺化合物中。将组分混合在一起并加热，从而获得由下面的式8表示的化合物。

式7

在式7中，X₁、Ar₁和Ar₂如上面结合式1所定义的，Y是选自于溴、碘和氯的卤素原子。

式8

在式8中，X₁、Ar₁和Ar₂如上面结合式1所定义的。

在合成方法中，基于1摩尔的式7的杂芳基胺化合物，二苯甲酮腙的量可以为大约1.05摩尔至大约1.2摩尔。基于1摩尔的式7的杂芳基胺化合物，丁醇钠的量可以为大约1.2摩尔至大约1.5摩尔。另外，基于1摩尔的式7的杂芳基胺化合物，醋酸钯的量可以为大约0.02摩尔至大约0.05摩尔，2-双环己基膦-2’，4’，6’-三异丙基联苯的量可以为大约0.02摩尔至大约0.05摩尔。

可以在大约80℃至大约100℃的温度下进行加热。当加热温度在该范围内时，可以获得式8的化合物的高产率。

接下来，将对甲苯磺酸一水合物、苯甲基苯基酮和溶剂加入到式8的化合物中，并将组分进行加热。当反应完成时，逐步处理反应产物，从而获得式1的杂芳基胺化合物。可以在大约60℃至大约100℃的温度下执行用于反应的加热。当加热温度在该范围内时，可以获得式1的杂芳基胺化合物的高产率。

基于1摩尔的式8的化合物，对甲苯磺酸一水合物的量可以为大约1.5摩尔至大约2.0摩尔，苯甲基苯基酮的量可以为大约1.5摩尔至大约2.0摩尔。

根据本发明的其它实施例，有机发光装置包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机层。有机层包括含有上面描述的式1的杂芳基胺化合物的至少一个有机层。杂芳基胺化合物可以单独地使用，或者可以包含在混合物中。

含有式1的杂芳基胺化合物的至少一个有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层或者具有空穴注入和空穴传输能力的单层。含有式1的杂芳基胺化合物的至少一个有机层可以包括发射层。式1的杂芳基胺化合物可以作为荧光体装置和磷光体装置的蓝色、绿色或红色发射层的主体材料。

在一些实施例中，例如，含有由式1表示的杂芳基胺化合物的至少一个有机层可以包括空穴注入层或空穴传输层。

有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层和发射层，其中，空穴注入层或空穴传输层可以含有式1的杂芳基胺化合物，发射层可以含有蒽化合物。

可选地，有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层和发射层，其中，空穴注入层或空穴传输层可以含有式1的杂芳基胺化合物，发射层可以含有芳基胺或杂芳基胺化合物或者苯乙烯基化合物。

第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，但反之亦然。

上面描述的有机发光装置还可以包括从空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中选择的至少一层。这些有机层可以具有双层结构。

根据本发明实施例的有机发光装置可以具有第一电极/空穴注入层/发射层/第二电极结构、第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发射层/电子传输层/第二电极结构或者第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发射层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构。根据其它实施例的有机发光装置可以具有第一电极/具有空穴注入和空穴传输能力的单层/发射层/电子传输层/第二电极结构或者第一电极/具有空穴注入和空穴传输能力的单层/发射层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构。

根据本发明实施例的有机发光装置可以具有各种结构，例如顶部发射型有机发光装置结构或底部发射型有机发光装置结构。

根据本发明的实施例，提供了一种制造有机发光装置的方法。图1示出了根据本发明实施例的有机发光装置的结构。参照图1，根据本发明的实施例，有机发光装置包括基底、第一电极(阳极)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和第二电极(阴极)。

通过沉积或溅射在基底上形成第一电极。第一电极可以由具有高逸出功的第一电极材料形成。第一电极可以是阳极或阴极。基底可以是传统上在有机发光装置中使用的任何基底，并可以是例如玻璃基底或透明塑料基底，该玻璃基底或透明塑料基底具有良好的机械强度、热稳定性、透明度、表面平面性、处理便利性和耐水性。第一电极材料可以包括从具有良好导电率的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)、铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)中选择的至少一种材料，并可以形成透明电极或反射电极。

可以通过真空沉积、旋涂、浇铸或Langmuir-Blodgett(LB)沉积等在第一电极上形成HIL。当通过真空沉积形成HIL时，真空沉积条件可根据用于形成HIL的化合物以及将要形成的HIL的期望结构和热性能而改变。然而，通常真空沉积可以以大约100℃至大约500℃的沉积温度、在大约10^-8托至大约10^-3托的压力下、以大约秒至大约秒的沉积速度执行至大约至大约5μm的厚度。

当通过旋涂形成HIL时，涂覆条件可根据用于形成HIL的化合物以及将要形成的HIL的期望结构和热性能而改变。然而，通常涂覆速度可以为大约2000rpm至大约5000rpm，用于热处理(被执行以在涂覆之后去除溶剂)的温度可以为大约80℃至大约200℃。

HIL材料可以包括上面描述的式1的杂芳基胺化合物。可选地，可以使用任何已知的HIL材料。HIL材料的非限制性示例包括酞菁化合物(例如，铜酞菁)、星型胺化合物(例如，TCTA、4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA和2-TNATA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)。

HIL的厚度可以为大约至大约在一些实施例中，例如，HIL的厚度为大约至大约当HIL的厚度在这些范围内时，HIL具有良好的空穴注入性能而无需增大驱动电压。

可以使用真空沉积、旋涂、浇铸、LB沉积等在HIL上形成HTL。当通过真空沉积或旋涂来形成HTL时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成HTL的材料而改变，但是用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。

HTL材料可以含有上面描述的式1的杂芳基胺化合物。可选地，当使用式1的杂芳基胺化合物作为用于EML或HIL的材料时，HTL可以由用于形成HTL的任何适当材料形成。用于HTL的适当材料的非限制性示例包括咔唑衍生物(例如，N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑)和具有芳香缩合环的胺衍生物(例如，4，4′-二[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]联苯(NPB)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′-二胺(TPD))。

HTL的厚度可以为大约到大约在一些实施例中，例如，HTL的厚度可以为大约到大约当HTL的厚度在这些范围内时，HTL具有良好的空穴传输性能而无需显著增大驱动电压。

可选地，可以在HTL上形成电子阻挡层。电子阻挡层阻挡电子迁移到HTL中。电子阻挡层可以包括例如由下式表示的TATT：

电子阻挡层的厚度可以为大约至大约当电子阻挡层的厚度在该范围内时，电子阻挡层具有良好的电子阻挡特性而无需显著增大驱动电压。

在得到的结构上形成EML。EML可以通过真空沉积、旋涂、浇铸或LB沉积来形成。当EML通过真空沉积或旋涂形成时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成EML的材料而改变，但是用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。

EML可以含有式1的杂芳基胺化合物。可以使用式1的杂芳基胺化合物作为EML的主体。可选地，当使用式1的杂芳基胺化合物来形成HIL或HTL时，有机发光装置的EML可以由用于形成有机发光装置的EML的任何适当发光材料形成。用于形成EML的适当发光材料的非限制性示例包括已知的主体和掺杂剂。用于形成EML的掺杂剂可以包括荧光掺杂剂或磷光掺杂剂。

主体的非限制性示例包括Alq₃、4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(CPB)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、二苯乙烯基亚芳基化合物(DSA，distyrylarylene)、芳基胺和杂芳基胺化合物、具有对称或不对称结构的蒽化合物、具有对称或不对称结构的芘化合物、螺芴化合物和芴化合物。

荧光掺杂剂或磷光掺杂剂可以作为用于形成EML的掺杂剂。荧光掺杂剂的非限制性示例包括苯乙烯基化合物、芳基胺或杂芳基胺化合物、苯乙烯基杂芳基胺化合物以及氨基芘化合物。磷光掺杂剂的非限制性示例包括Ir(PPy)₃(PPy＝苯基吡啶)(绿色)、由下式表示的化合物A、F₂Irpic、RD 61(其为获自于UDC的磷光掺杂剂)以及包括作为芯金属的铱(Ir)、钌(Ru)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)或铼(Re)的金属络合化合物。

化合物A                             F₂Irpic

红色掺杂剂的非限制性示例包括八乙基卟啉铂(II)(PtOEP)、Ir(piq)₃、Btp₂Ir(acac)和DCJTB。

PtOEP              Ir(piq)₃                  Btp₂Ir(acac)

绿色掺杂剂的非限制性示例包括Ir(ppy)₃(其中，“ppy”表示苯基吡啶)、Ir(ppy)₂(acac)、Ir(mpyp)₃和C545T。

蓝色掺杂剂的非限制性示例包括F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、三芴、4，4’-二(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)和2，5，8，11-四叔丁基苝(TBP)。

基于100重量份的EML材料，即主体和掺杂剂的总重量，掺杂剂的量可以为大约0.1重量份至大约20重量份。在一些实施例中，例如，基于100重量份的EML材料，掺杂剂的量为大约0.5重量份至大约12重量份。当掺杂剂的量在这些范围内时，可以基本上防止浓度猝灭。

EML的厚度可以为大约至大约在一些实施例中，例如，EML的厚度可以为大约至大约当EML的厚度在这些范围内时，可以获得良好的发光性能而无需增大驱动电压。

当EML含有磷光掺杂剂时，可以在EML上形成空穴阻挡层(HBL，在图1中未示出)，从而防止三线态激子或空穴扩散到ETL中。HBL可以由任何适当的材料形成，而不受限制。用于HBL的适当材料的非限制性示例包括噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(对苯基苯氧基)-铝(Balq)、浴铜灵(BCP)和三(N-芳基苯并咪唑)(TPBI)。

HBL的厚度可以为大约至大约在一些实施例中，例如，HBL的厚度为大约至大约当HBL的厚度在这些范围内时，可以获得良好的空穴阻挡特性而无需增大驱动电压。

可以通过真空沉积、旋涂或浇铸在HBL或EML上形成ETL。当通过真空沉积或旋涂来形成ETL时，虽然沉积和涂覆条件可根据用于形成ETL的化合物而改变，但是沉积和涂覆条件可以与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。

ETL可以由任何适当的材料形成，而不受限制。用于ETL的适当材料的非限制性示例包括喹啉衍生物(例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃))、TAZ和Balq。

ETL的厚度可以为大约至大约在一些实施例中，例如，ETL的厚度为大约至大约当ETL的厚度在这些范围内时，ETL可以具有良好的电子传输特性而无需显著增大驱动电压。

另外，可以在ETL上形成有助于电子从阴极注入的电子注入层(EIL)。用于EIL的材料的非限制性示例包括BaF₂、LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO和Liq。

虽然沉积和涂覆条件可根据用于形成EIL的材料而改变，但是用于形成EIL的沉积或涂覆条件可以与用于形成HIL的沉积或涂覆条件类似。

EIL的厚度可以为大约至大约在一些实施例中，例如，EIL的厚度为大约至大约当EIL的厚度在这些范围内时，EIL可以具有良好的电子注入特性而无需显著增大驱动电压。

最后，可以通过真空沉积或溅射在EIL上形成第二电极。第二电极可以是阴极或阳极。用于形成第二电极的材料可以选自于金属、合金、导电化合物、具有低逸出功的材料和它们的混合物。用于第二电极的材料的非限制性示例包括锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)。另外，为了制造顶部发射型有机发光装置，可以使用由诸如ITO或IZO的透明材料形成的透明阴极作为第二电极。

根据本发明实施例的有机发光装置可以包括在诸如无源矩阵有机发光显示设备或有源矩阵有机发光显示设备的各种类型的平板显示设备中。当有机发光装置被包括在含有薄膜晶体管的有源矩阵有机发光显示设备中时，基底上的第一电极可以用作像素电极，并电连接到薄膜晶体管的源电极或漏电极。此外，有机发光装置还可以被包括在具有双面屏幕的平板显示设备中。

根据本发明的实施例，有机发光装置的至少一层可以由式1的杂芳基胺化合物形成，并可以使用涂覆式1的杂芳基胺化合物的溶液的湿法或沉积方法来形成。

以下示例仅是为了说明性目的而提供的，并不限制本发明的范围。

合成示例1：中间体1的合成

将7g(30mmol)2-溴联苯、7.62g(45mmol)氨基联苯、4.3g(45mmol)t-BuONa、0.55g(0.6mmol)Pd₂(dba)₃和0.12g(0.6mmol)P(t-Bu)₃溶于100mL甲苯中，并在90℃搅拌3小时。

在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并使用蒸馏水和100ml二乙醚萃取三次。收集有机层，并使用硫酸镁进行干燥，并使溶剂蒸发。使用硅胶柱色谱分离并提纯残余物，从而获得8.77g中间体1(产率：91％)。使用高分辨率质谱(HR-MS)来识别该化合物。C₂₄H₁₉N，计算的：321.1517；发现的：321.1519。

合成示例2：中间体2的合成

除了使用2-溴-9，9-二甲基芴来代替2-溴联苯之外，使用与中间体1的合成方式相同的方式来合成中间体2，产率为87％。使用HR-MS来识别该化合物。C₂₇H₂₃N，计算的：361.1830；发现的：361.1833。

合成示例3：中间体3的合成

除了使用2-氨基-9，9-二甲基芴来代替4-氨基联苯之外，使用与中间体2的合成方式相同的方式来合成中间体3，产率为85％。使用HR-MS来识别该化合物。C₃₀H₂₇N，计算的：401.2143；发现的：401.2140。

中间体1           中间体2                中间体3

合成示例4：中间体4的合成

将22.3g(50mmol)2，7-二碘-9，9-二甲基芴、3.21g(10mmol)中间体1、2.88g(30mmol)t-BuONa、0.28g(0.3mmol)Pd₂(dba)₃和0.6g(0.3mmol)P(t-Bu)₃溶于100ml甲苯中，并在90℃搅拌3小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并使用蒸馏水和100ml二乙醚萃取三次。收集有机层，并使用硫酸镁进行干燥，并使溶剂蒸发。使用硅胶柱色谱分离并提纯残余物，从而获得3g中间体4(产率：47％)。使用HR-MS来识别该化合物。C₃₉H₃₀IN，计算的：639.1423；发现的：639.1419。

合成示例5：中间体5的合成

除了使用2，7-二碘菲来代替2，7-二碘-9，9-二甲基芴并使用N-苯基-2-萘基胺来代替中间体1之外，使用与中间体4的合成方式相同的方式来合成中间体5，产率为52％。使用HR-MS来识别该化合物。C₃₀H₂₀IN，计算的：521.0640；发现的：521.0637。

中间体4                        中间体5

合成示例6：中间体6的合成

将16.2g(45mmol)4-溴-4’-碘-联苯、6.58g(30mmol)N-苯基-2-萘基胺、4.3g(45mmol)t-BuONa、0.55g(0.6mmol)Pd₂(dba)₃和0.12g(0.6mmol)P(t-Bu)₃溶于100mL甲苯中，并在90℃搅拌3小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，并使用蒸馏水和100ml二乙醚萃取三次。收集有机层，并使用硫酸镁进行干燥，并使溶剂蒸发。使用硅胶柱色谱分离并提纯残余物，从而获得8.38g中间体6(产率：62％)。使用HR-MS来识别该化合物。C₂₈H₂₀BrN：计算的：449.0779；发现的：449.0775。

合成示例7：中间体7的合成

除了使用中间体1来代替N-苯基-2-萘基胺之外，使用与中间体6的合成方式相同的方式来合成中间体7，产率为65％。使用HR-MS来识别该化合物。C₃₆H₂₆BrN，计算的：551.1249；发现的：551.1246。

合成示例8：中间体8的合成

除了使用中间体2来代替N-苯基-2-萘基胺之外，使用与中间体6的合成方式相同的方式来合成中间体8，产率为68％。使用HR-MS来识别该化合物。C₃₉H₃₀BrN，计算的：591.1562；发现的：591.1559。

合成示例9：中间体9的合成

将5.99g(30mmol)4-溴苯硼酸、38.4g(60mmol)中间体4、1.7g(1.5mmol)Pd(PPh₃)₄和20g(150mmol)K₂CO₃溶于100ml混合溶液THF/H₂O(2∶1)中，并在80℃搅拌5小时。使用600ml二乙醚将反应溶液萃取三次。收集有机层，并使用硫酸镁进行干燥，并使溶剂蒸发。使用二氯甲烷和正己烷使残余物再结晶，从而获得13.04g中间体9(产率：65％)。使用HR-MS来识别该化合物。C₄₅H₃₄BrN，计算的：667.1875；发现的：667.1873。

合成示例10：中间体10的合成

除了使用中间体5来代替中间体4之外，使用与中间体9的合成方式相同的方式来合成中间体10，产率为58％。使用HR-MS来识别该化合物。C₃₆H₂₄BrN，计算的：549.1092；发现的：549.1089。

合成示例11：中间体11的合成

除了使用中间体3来代替N-苯基-2-萘基胺之外，使用与中间体6的合成方式相同的方式来合成中间体11，产率为62％。C₄₂H₃₄BrN，计算的：631.1875；发现的：631.1872。

合成示例12：中间体12的合成

除了使用三(4-溴苯)胺来代替中间体4之外，使用与中间体9的合成方式相同的方式来合成中间体12，产率为45％。使用HR-MS来识别该化合物。C₃₆H₂₄Br₃N，计算的：706.9459；发现的：706.9455。

中间体6           中间体7            中间体8               中间体9

中间体10             中间体11                    中间体12

合成示例13：中间体13的合成

将13.5g(30mmol)中间体6、7.1g(36mmol)二苯甲酮腙、4.3g(45mmol)t-BuONa、0.13g(0.6mmol)Pd(OAc)₂和0.29g(0.6mmol)2-双环己基膦-2’，4’，6’-三异丙基联苯溶于60mL甲苯中，并在90℃搅拌3小时。将反应产物冷却至室温。向其中加入蒸馏水，使用100mL二乙醚将产物萃取两次，并使用100mL二氯甲烷萃取一次。收集有机层，并使用硫酸镁进行干燥，然后进行过滤。蒸发溶剂，并使用硅胶柱色谱分离并提纯残余物，从而获得15.6g中间体13(产率：92％)。使用HR-MS来识别该化合物。C₄₁H₃₁N₃，计算的：565.2518；发现的：565.2522。

合成示例14：中间体14的合成

除了使用中间体7来代替中间体6之外，使用与中间体13的合成方式相同的方式来合成中间体14，产率为88％。使用HR-MS来识别该化合物。C₄₉H₃₇N₃，计算的：667.2987；发现的：667.2990。

合成示例15：中间体15的合成

除了使用中间体8来代替中间体6之外，使用与中间体13的合成方式相同的方式来合成中间体15，产率为84％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₂H₄₁N₃，计算的：707.3300；发现的：707.3305。

合成示例16：中间体16的合成

除了使用中间体9来代替中间体6之外，使用与中间体13的合成方式相同的方式来合成中间体16，产率为90％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₈H₄₅N₃，计算的：783.3613；发现的：783.3615。

合成示例17：中间体17的合成

除了使用中间体10来代替中间体6之外，使用与中间体13的合成方式相同的方式来合成中间体17，产率为85％。使用HR-MS来识别该化合物。C₄₉H₃₅N₃，计算的：665.2831；发现的：665.2834。

合成示例18：中间体18的合成

除了使用中间体11来代替中间体6之外，使用与中间体13的合成方式相同的方式来合成中间体18，产率为88％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₅H₄₅N₃，计算的：747.3613；发现的：747.3616。

合成示例19：中间体19的合成

除了使用中间体12来代替中间体6之外，使用与中间体13的合成方式相同的方式来合成中间体19，产率为76％。使用HR-MS来识别该化合物。C₇₅H₅₇N₇，计算的：1055.4675；发现的：1055.4677。

中间体13               中间体14                         中间体15

中间体16                              中间体17

中间体18                                中间体19

合成示例20：中间体20的合成

将11.3g(20mmol)中间体13、7.6g(40mmol)对甲苯磺酸一水合物、15.70g(80mmol)苯甲基苯基酮溶于80mL乙醇和80mL甲苯中，并在110℃搅拌24小时。将反应产物冷却至室温。向其中加入蒸馏水，使用100mL二乙醚萃取两次，并使用100mL二氯甲烷萃取两次。收集有机层，并使用硫酸镁进行干燥，然后进行过滤。蒸发溶剂，并使用硅胶柱色谱分离并提纯残余物，从而获得7.9g中间体20(产率：70％)。使用HR-MS来识别该化合物。C₄₂H₃₀N₂，计算的：562.2409；发现的：562.2412。

合成示例21：中间体21的合成

除了使用中间体14来代替中间体13之外，使用与中间体20的合成方式相同的方式来合成中间体21，产率为68％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₀H₃₆N₂，计算的：664.2878；发现的：664.2881。

合成示例22：中间体22的合成

除了使用中间体15来代替中间体13之外，使用与中间体20的合成方式相同的方式来合成中间体22，产率为76％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₃H₄₀N₂，计算的：704.3191；发现的：704.3193。

合成示例23：中间体23的合成

除了使用中间体16来代替中间体13之外，使用与中间体20的合成方式相同的方式来合成中间体23，产率为73％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₉H₄₄N₂，计算的：780.3504；发现的：780.3508。

合成示例24：中间体24的合成

除了使用中间体17来代替中间体13之外，使用与中间体20的合成方式相同的方式来合成中间体24，产率为65％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₀H₃₄N₂，计算的：662.2722；发现的：662.2726.

合成示例25：中间体25的合成

除了使用中间体18来代替中间体13之外，使用与中间体20的合成方式相同的方式来合成中间体25，产率为58％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₆H₄₄N₂，计算的：744.3504；发现的：744.3504。

合成示例26：中间体26的合成

除了使用中间体19来代替中间体13之外，使用与中间体20的合成方式相同的方式来合成中间体26，产率为48％。使用HR-MS来识别该化合物。C₇₈H₅₄N₄，计算的：1046.4348；发现的：1046.4352。

中间体20                中间体21                       中间体22

中间体23                               中间体24

中间体25                     中间体26

合成示例27：化合物1的合成

中间体20                            1

将5.63g(10mmol)中间体20、1.88g(12mmol)溴苯、2.9g(30mmol)t-BuONa、366mg(0.4mmol)Pd₂(dba)₃和80mg(0.4mmol)P(t-Bu)₃溶于60ml甲苯中，并在90℃搅拌3小时。在反应完成后，将反应产物冷却至室温，使用蒸馏水和50ml二乙醚萃取三次。收集有机层，并使用硫酸镁进行干燥，并使溶剂蒸发。使用硅胶柱色谱分离并提纯残余物，从而获得4.6g化合物1(产率：72％)。图2和图3是分别示出化合物1的吸收和发射光谱的曲线图。C₄₈H₃₄N₂，计算的：638.2722；发现的：638.2721；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.69(d，1H)，8.49(dd，1H)，7.85(dd，1H)，7.70-7.45(m，22H)，7.27(dd，2H)，7.12(dt，1H)，7.02(d，2H)，6.97(dd，1H)，6.83(d，2H)。

合成示例28：化合物2的合成

除了使用中间体21来代替中间体20之外，使用与化合物1的合成方式相同的方式来合成化合物2，产率为67％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₆H₄₀N₂，计算的：740.3191；发现的：740.3193；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.68(d，1H)，7.77-7.74(m，3H)，7.67-7.65(m，4H)，7.62-7.35(m，26H)，7.12(dd，2H)，6.87(dd，4H)。

合成示例29：化合物8的合成

除了使用1-溴萘来代替溴苯之外，使用与化合物2的合成方式相同的方式来合成化合物8，产率为69％。使用HR-MS来识别该化合物。C₆₀H₄₂N₂，计算的：790.3348；发现的：790.3350；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.67(d，1H)，8.44(dd，1H)，7.76-7.73(m，2H)，7.70-7.64(m，4H)，7.55(t，2H)，7.50-7.32(m，28H)，6.94-6.89(m，4H)。

合成示例30：化合物29的合成

除了使用中间体22来代替中间体20并使用4-溴联苯来代替溴苯之外，使用与化合物1的合成方式相同的方式来合成化合物29，产率为75％。使用HR-MS来识别该化合物。C₆₅H₄₈N₂，计算的：856.3817；发现的：856.3819；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.69(d，1H)，7.98(d，1H)，7.85(d，2H)，7.70-7.65(m，4H)，7.63-7.53(m，4H)，7.47-7.20(m，22H)，7.05(t，1H)，6.93(d，2H)，6.87(dd，4H)，6.79(dd，1H)，1.96(s，6H)。

合成示例31：化合物32的合成

除了使用中间体23来代替中间体20之外，使用与化合物1的合成方式相同的方式来合成化合物32，产率为63％。使用HR-MS来识别该化合物。C₆₅H₄₈N₂，计算的：856.3817；发现的：856.3820；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.65(d，1H)，7.85(dd，4H)，7.76(dd，4H)，7.63-7.36(m，20H)，7.23-7.13(m，6H)，7.10(t，1H)，6.98(dd，1H)，6.76(d，4H)，6.73(dd，1H)，1.94(s，6H)。

合成示例32：化合物52的合成

除了使用中间体24来代替中间体20之外，使用与化合物1的合成方式相同的方式来合成化合物52，产率为60％。使用HR-MS来识别该化合物。C₅₆H₃₈N₂，计算的：738.3035；发现的：738.3037；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.66(d，1H)，8.63(d，1H)，8.55(d，1H)，8.53(dd，1H)，8.42(d，1H)，7.96(s，1H)，7.92(dd，1H)，7.89(d，1H)，7.71(t，1H)，7.65-7.35(m，19H)，7.23-7.12(m，6H)，6.99(dt，1H)，6.87(d，1H)，6.80(d，2H)。

合成示例33：化合物58的合成

除了使用中间体25来代替中间体20之外，使用与化合物1的合成方式相同的方式来合成化合物58，产率为68％。使用HR-MS来识别该化合物。C₆₂H₄₈N₂，计算的：820.3817；发现的：820.3818；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.69(d，1H)，8.01(d，2H)，7.96(dd，4H)，7.80-7.32(m，19H)，7.23(d，2H)，7.19(dd，2H)，7.05(dt，2H)，6.89(d，2H)，6.80(dd，2H)，1.95(s，12H)。

合成示例34：化合物81的合成

除了使用中间体26来代替中间体20之外，使用与化合物1的合成方式相同的方式来合成化合物81，产率为53％。使用HR-MS来识别该化合物。C₉₆H₆₆N₄，计算的：1274.5287；发现的：1274.5292；¹H NMR(CDCl₃，400MHz)δ(ppm)8.65(d，3H)，7.83(dd，6H)，7.69-7.23(m，45H)，7.21(dd，6H)，6.83(dd，6H)。

示例1

通过以下步骤来制备阳极：将Corning 15Ωcm²()ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸；使用异丙醇和纯水分别将玻璃基底超声波清洗5分钟；然后使用UV光照射30分钟；并暴露于臭氧，以进行清洗。然后，将阳极安装在真空沉积设备中。

在阳极上真空沉积2-TNATA至的厚度，以形成HIL，并在HIL上真空沉积作为空穴传输化合物的化合物1至的厚度，以形成HTL。

然后，将绿色荧光主体(Alq₃)和绿色荧光掺杂剂(C545T)以98∶2的重量比共沉积在HTL上，以形成厚度为的EML。

接下来，在EML上将Alq₃沉积至的厚度，以形成ETL，并将LiF在ETL上沉积至的厚度，以形成EIL。最后，在EIL上将Al真空沉积至的厚度，以形成LiF/Al电极(阴极)，由此完成有机发光装置的制造。

示例2

除了代替化合物1而使用化合物2来形成HTL之外，按照示例1来制造有机发光装置。

示例3

除了代替化合物1而使用化合物8来形成HTL之外，按照示例1来制造有机发光装置。

示例4

除了代替化合物1而使用化合物29来形成HTL之外，按照示例1来制造有机发光装置。

示例5

除了代替化合物1而使用化合物32来形成HTL之外，按照示例1来制造有机发光装置。

示例6

除了代替化合物1而使用化合物52来形成HTL之外，按照示例1来制造有机发光装置。

示例7

除了代替化合物1而使用化合物58来形成HTL之外，按照示例1来制造有机发光装置。

示例8

除了代替化合物1而使用化合物81来形成HTL之外，按照示例1来制造有机发光装置。

对比示例1

除了代替化合物1而使用4，4′-二[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]联苯(NPB)来形成HTL之外，按照与示例1的方式相同的方式来制造有机发光装置。

该有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下具有7.45V的驱动电压、6，102cd/m²的亮度、(0.309，0.642)的色坐标和12.2cd/A的发光效率。

测量在示例1至示例6和对比示例1中制造的各个有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下的驱动电压、亮度、色坐标和发光效率。结果示出在下面的表1中。

表1

参照表1，与使用NPB的装置相比，使用根据本发明实施例的式1的杂芳基胺化合物制造的有机发光装置的驱动电压降低了1V或更多，因此，具有较高的效率和改善的I-V-L特性。具体地说，与根据对比示例1的有机发光装置相比，在根据示例1至8的有机发光装置中，寿命特性显著提高了100％或更多。

测量根据示例1至示例8和对比示例1制造的各个有机发光装置在100mA/cm²的电流密度下的半寿命。结果示出在下面的表2中。

表2

参照表2，与根据对比示例1的有机发光装置相比，根据示例1至示例8的有机发光装置具有更长的半寿命。

式1的芳基胺化合物具有改善的电特性和电荷传输能力，因此可以用作空穴注入材料、空穴传输材料和用于发射层的材料中的至少一种。这些材料适合于任何颜色的荧光和磷光装置，例如红色、绿色、蓝色和白色荧光及磷光装置。

包括含有式1的杂芳基胺化合物的有机层的有机发光装置具有高效率、低驱动电压和高亮度。

虽然已经参照特定的示例性实施例示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对描述的实施例做出各种修改和改变。