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1、10申请公布号CN104137225A43申请公布日20141105CN104137225A21申请号201380011195322申请日20130222201203953820120227JP201228851520121228JPH01L21/027200601B01D19/00200601B05C11/10200601G03F7/3020060171申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都72发明人吉原孝介一野克宪古庄智伸佐佐卓志土屋胜裕寺下裕一竹口博史74专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司11322代理人龙淳54发明名称液体处理装置和液体处理方法57摘要本发明提供与对被处理基板供。
2、给处理液的处理液供给喷嘴连接的液体处理装置，其包括将处理液存储容器和该处理液供给喷嘴连接的供给管路；设置于供给管路的过滤器装置；过滤器装置的二次侧的泵；将泵的排出侧和过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在泵的二次侧的供给管路设置的供给控制阀；在循环管路设置的循环控制阀；和控制泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，利用控制装置，使得通过关闭供给控制阀使从该处理液供给喷嘴向被处理基板的处理液的供给停止时，打开循环控制阀，驱动泵，使处理液在具有过滤器装置的供给管路与循环管路之间循环。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014082786PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0545。
3、172013022287PCT国际申请的公布数据WO2013/129252JA2013090651INTCL权利要求书3页说明书16页附图22页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书3页说明书16页附图22页10申请公布号CN104137225ACN104137225A1/3页21一种液体处理装置，其与对被处理基板供给处理液的多个处理液供给喷嘴中的一个处理液供给喷嘴连接，所述液体处理装置的特征在于，包括将存储所述处理液的处理液存储容器和所述一个处理液供给喷嘴连接的供给管路；过滤器装置，其设置于所述供给管路，对所述处理液进行过滤，并且将混入所述处理液中的异物除去；在所述过滤器。
4、装置的二次侧的所述供给管路设置的泵；将所述泵的排出侧和所述过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在所述泵的二次侧的所述供给管路设置的供给控制阀；在所述循环管路设置的循环控制阀；和控制所述泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，该控制装置按照下述方式进行控制在通过关闭所述供给控制阀使从所述一个处理液供给喷嘴向所述被处理基板的处理液的供给停止时，打开所述循环控制阀，驱动所述泵，使所述处理液在具有所述过滤器装置的所述供给管路与所述循环管路之间循环。2如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于所述循环管路连接所述泵的二次侧的所述供给管路和所述过滤器装置的一次侧的所述供给管路。3如权利要求1所述的液体处理装置。
5、，其特征在于包括处理液暂时存储容器，其设置于所述过滤器装置的一次侧的所述供给管路，存储所述处理液的一部分，所述循环管路连接所述泵的二次侧的所述供给管路和所述处理液暂时存储容器。4如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于包括捕获罐，其设置于所述过滤器装置与所述泵之间的所述供给管路，具有对存在于所述处理液中的气泡进行分离的功能，所述循环管路连接所述泵的排出口和所述过滤器装置的一次侧的所述供给管路。5如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于包括捕获罐，其设置于所述过滤器装置与所述泵之间的所述供给管路，具有对存在于所述处理液中的气泡进行分离的功能，所述循环管路包括将所述捕获罐和所述泵连接的第一循环。
6、管路；和将所述捕获罐和所述过滤器装置的一次侧的供给管路连接的第二循环管路。6如权利要求5所述的液体处理装置，其特征在于所述泵由利用驱动机构的驱动对划分泵部分和驱动部分的膜片进行往复驱动的膜片泵构成，在所述膜片泵的吸入侧设置有能够有选择地向所述泵部分流入所述处理液的吸入侧的开闭阀，在所述膜片泵的排出侧设置有能够有选择地向所述一个处理液供给喷嘴供给所述处理液的第一开闭阀，和能够有选择地向所述循环管路供给所述处理液的第二开闭阀，而且设置有能够有选择地将由所述捕获罐分离后的气泡经由排出管排出到外部的切换阀，在所述第二循环管路设置有所述循环控制阀，并且在所述过滤器装置的一次侧且在所述第二循环管路与所述供。
7、给管路的连接部的二次侧的所述供给管路设置有第三开闭阀，权利要求书CN104137225A2/3页3在所述第一开闭阀、第二开闭阀、吸入侧的开闭阀和循环控制阀关闭的状态下，利用所述驱动机构的驱动使所述泵部分为负压，由此使存在于所述处理液中的微小的气泡显在化，通过关闭所述吸入侧的开闭阀、第一开闭阀、第三开闭阀和切换阀，打开所述第二开闭阀、循环控制阀，使显在化的气泡移动到所述捕获罐，通过关闭所述第一开闭阀、第二开闭阀和循环控制阀，打开所述吸入侧的开闭阀、第三开闭阀和切换阀，将所述捕获罐内的气泡经由排出管排出到外部。7如权利要求6所述的液体处理装置，其特征在于在所述第一开闭阀、第二开闭阀、第三开闭阀、切。
8、换阀和循环控制阀关闭、所述吸入侧的开闭阀打开的状态下，利用所述驱动机构的驱动使所述泵部分为负压，由此使存在于所述处理液中的微小的气泡显在化。8如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于由所述控制装置进行的所述处理液的循环以规定的间隔进行。9如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于在使所述处理液循环的所述供给管路或所述循环管路的至少一个管路设置有对所述处理液中的气体进行脱气的脱气机构。10如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于具有对所述过滤器装置内的处理液施加振动的振动体。11如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，包括检测所述过滤器装置内的处理液的温度的温度传感器；和基于来自所述温度。
9、传感器的信号，对所述过滤器装置内的处理液的温度进行控制的温度控制装置。12如权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于所述过滤器装置在所述供给管路设置有多个。13一种使用液体处理装置的液体处理方法，其特征在于所述液体处理装置包括将存储处理液的处理液存储容器和对被处理基板供给所述处理液的处理液供给喷嘴连接的供给管路；过滤器装置，其设置于所述供给管路，对所述处理液进行过滤，并且将混入所述处理液中的异物除去；在所述过滤器装置的二次侧的所述供给管路设置的泵；将所述泵的排出侧和所述过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在所述泵的二次侧的所述供给管路设置的供给控制阀；设置于所述循环管路的循环控制阀；和控制所述泵。
10、、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，所述液体处理方法包括打开所述供给控制阀并且关闭所述循环控制阀，通过驱动所述泵对所述被处理基板供给所述处理液的处理液供给工序；和在不进行所述处理液供给工序时，关闭所述供给控制阀并且打开所述循环控制阀，通权利要求书CN104137225A3/3页4过驱动所述泵使所述处理液在所述循环管路与所述供给管路之间循环的循环工序。14如权力要求13所述的液体处理方法，其特征在于对所述处理液中的气体进行脱气的脱气机构设置于在所述循环工序中使处理液循环的所述循环管路或者所述供给管路，所述循环工序包括由所述脱气机构对处理液中的气体进行脱气的脱气工序。15如权力要求13所述的液体处。
11、理方法，其特征在于所述泵由利用驱动机构的驱动使划分泵部分和驱动部分的膜片进行往复驱动的膜片泵构成，所述循环管路包括将捕获罐和所述泵连接的第一循环管路；和将所述捕获罐和所述过滤器装置的一次侧的供给管路连接的第二循环管路，在所述膜片泵的吸入侧设置有能够有选择地向所述泵部分流入所述处理液的吸入侧的开闭阀，在所述膜片泵的排出侧设置有能够有选择地向所述处理液供给喷嘴供给所述处理液的第一开闭阀，和能够有选择地向所述循环管路供给所述处理液的第二开闭阀，而且设置有能够有选择地将由所述捕获罐分离后的气泡经由排出管排出到外部的切换阀，在所述第二循环管路设置有所述循环控制阀，并且在所述过滤器装置的一次侧且在所述第二。
12、循环管路和所述供给管路的连接部的二次侧的所述供给管路设置有第三开闭阀，该液体处理方法包括气泡显在化工序，在所述第一开闭阀、第二开闭阀、吸入侧的开闭阀、切换阀和循环控制阀关闭的状态下，利用所述驱动机构的驱动使所述泵部分为负压，由此使存在于所述处理液中的微小的气泡显在化；气泡移动工序，在该气泡显在化工序后，在吸入侧的开闭阀、所述第一开闭阀、第三开闭阀关闭，且所述第二开闭阀、循环控制阀打开的状态下，使显在化的气泡移动到所述捕获罐；和脱气工序，通过关闭所述第一开闭阀、第二开闭阀和循环控制阀，打开所述吸入侧的开闭阀、第三开闭阀和切换阀，将所述捕获罐内的气泡经由排出管排出到外部，所述气泡显在化工序、气泡移。
13、动工序和所述脱气工序在所述处理液供给工序结束后所述循环工序开始前进行。16如权力要求15所述的液体处理方法，其特征在于所述气泡显在化工序，在所述第一开闭阀、第二开闭阀、第三开闭阀、切换阀和循环控制阀关闭，且所述吸入侧的开闭阀打开的状态下，利用所述驱动机构的驱动使所述泵部分为负压，由此使存在于所述处理液中的微小的气泡显在化。权利要求书CN104137225A1/16页5液体处理装置和液体处理方法技术领域0001本发明涉及对例如半导体晶片、LCD用玻璃基板等的被处理基板表面供给处理液进行处理的液体处理装置和液体处理方法。0002本申请基于2012年2月27日在日本国提出的专利申请201239538。
14、号和2012年12月28日在日本国提出的专利申请2012288515号要求优先权，在此援引其内容。背景技术0003一般来说，在半导体器件的制造的光刻技术中，对半导体晶片、FPD基板等以下称为晶片等涂敷光致抗蚀剂，根据规定的电路图案对由此形成的抗蚀剂膜进行曝光，对该曝光图案进行显影处理，由此在抗蚀剂膜形成电路图案。0004在这样的光刻工序中，供给到晶片等的抗蚀剂液和显影液等的处理液由于各种原因有时会混入氮气等的气泡、颗粒异物，当混有气泡、颗粒的处理液供给到晶片等时，有时会发生涂敷不均和缺陷。因此，在处理液的管路设置有用于将处理液中混有的气泡、颗粒除去的装置。0005现有技术中，作为这种装置已知有。
15、一种处理液供给装置，该处理液供给装置在将供给喷嘴和处理液存储容器连接的供给管路中设置暂时存储容器、过滤器和泵，该处理液供给装置具有连接于处理液存储容器与暂时存储容器之间的供给管路和过滤器的循环管路；和设置于循环管路的可变节流阀例如参照专利文献1。该处理液供给装置为了提高通过光刻工序进行的处理的效率、实现多样化，具有多个供给喷嘴，根据目的选择供给喷嘴进行使用。0006在该处理液供给装置中，由过滤器除泡后的处理液的液压由于可变节流阀而减低，由此溶解在处理液中的气体气泡化，该气泡从循环路径经由供给管路再次通过过滤器而被除去。因此，能够有效地除去溶解在处理液中的气体。0007现有技术文献0008专利文。
16、献0009专利文献1日本特开2010135535号公报权利要求的范围、图3、图4。发明内容0010发明要解决的技术问题0011但是，在具有多个供给管路的处理液供给装置中，在设置于与不使用的供给喷嘴连接的供给管路的过滤器，产生处理液的滞留。在此，发现当在过滤器等容量大的部位使处理液长期滞留时，具有特别是滞留在过滤器的气泡、胶滞体在过滤器与处理液的界面作为颗粒成长、增加的倾向。因此，作为防止混于处理液中的颗粒的增加的方法，能够考虑对晶片等以外的部位定期进行处理液的排出，由此使得不会在过滤器等容量大的部位长期滞留处理液的方法所谓的假排出。但是，因为将在假排出中排出的处理液废弃，所以存在处理液的消耗量。
17、增大的问题。说明书CN104137225A2/16页60012本发明鉴于上述情况而完成，目的在于不浪费处理液地有效地抑制处理液中的颗粒的增加。0013用于解决技术课题的技术方案0014为了解决上述课题，本发明的液体处理装置与对被处理基板供给处理液的多个处理液供给喷嘴中的一个处理液供给喷嘴连接，该液体处理装置包括0015将存储上述处理液的处理液存储容器和上述一个处理液供给喷嘴连接的供给管路；0016过滤器装置，其设置于上述供给管路，对上述处理液进行过滤，并且将混入上述处理液中的异物除去；0017在上述过滤器装置的二次侧的上述供给管路设置的泵；0018将上述泵的排出侧和上述过滤器装置的吸入侧连接的。
18、循环管路；0019在上述泵的二次侧的上述供给管路设置的供给控制阀；0020在上述循环管路设置的循环控制阀；和0021控制上述泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，0022利用上述控制装置，使得通过关闭上述供给控制阀使从上述一个处理液供给喷嘴向上述被处理基板的处理液的供给停止时，打开上述循环控制阀，驱动上述泵，使上述处理液在具有上述过滤器装置的上述供给管路与上述循环管路之间循环。0023利用上述结构，在停止从一个处理液供给喷嘴对被处理基板供给处理液的状态所谓的空闲状态下，能够使滞留在过滤器装置的处理液经由供给管路和循环管路循环。0024此外，在本发明中，所谓空闲状态除了停止从一个处理液供给喷嘴对。
19、被处理基板供给处理液的状态之外，也包括在从处理液存储容器安装之后直到向被处理基板开始供给处理液为止的状态。0025另外，根据其它的观点，本发明为一种使用液体处理装置的液体处理方法，其中，0026上述液体处理装置包括0027将存储处理液的处理液存储容器和对被处理基板供给上述处理液的处理液供给喷嘴连接的供给管路；0028过滤器装置，其设置于上述供给管路，对上述处理液进行过滤，并且将混入上述处理液中的异物除去；0029在上述过滤器装置的二次侧的上述供给管路设置的泵；0030将上述泵的排出侧和上述过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；0031在上述泵的二次侧的上述供给管路设置的供给控制阀；0032设置于上。
20、述循环管路的循环控制阀；和0033控制上述泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，0034上述液体处理方法包括0035打开上述供给控制阀并且关闭上述循环控制阀，通过驱动上述泵对上述被处理基板供给上述处理液的处理液供给工序；和0036在不进行上述处理液供给工序时，关闭上述供给控制阀并且打开上述循环控制阀，通过驱动上述泵使上述处理液在上述循环管路与上述供给管路之间循环的循环工序。0037通过利用这种方法，在不对被处理基板供给处理液时使上述处理液在上述循环管说明书CN104137225A3/16页7路与上述供给管路之间循环，因此，在空闲状态下，能够使滞留在过滤器装置的处理液经由供给管路和循环管路循环。。
21、0038发明效果0039根据本发明，在不使用状态下，能够使滞留在过滤器装置的处理液经由供给管路和循环管路循环，因此，在使用时不进行假排出，能够抑制处理液中的颗粒的增加。因此，能够不浪费处理液地有效地防止处理液中的颗粒的增加。附图说明0040图1是表示在应用本发明的液体处理装置的涂敷/显影处理装置连接曝光处理装置而得的处理系统的整体的概略立体图。0041图2是上述处理系统的概略平面图。0042图3表示本发明的液体处理装置的第一实施方式的结构的概要，图3A是概略截面图，图3B是图3A中的A部概略截面图。0043图4是表示本发明的液体处理装置的第一实施方式的过滤器装置附近的放大概略截面图。0044图。
22、5是表示上述液体处理装置中的通常处理动作的概略截面图。0045图6是表示上述液体处理装置中的循环处理动作的概略截面图。0046图7是表示本发明的液体处理装置的第二实施方式的概略截面图。0047图8是表示本发明的液体处理装置的第三实施方式的概略截面图。0048图9是表示本发明的液体处理装置的第四实施方式的概略截面图。0049图10是表示本发明的液体处理装置的第五实施方式的概略截面图。0050图11是表示本发明的液体处理装置的第五实施方式的脱气机构的整体，图11A是截面图，图11B是图11A中的B部放大截面图。0051图12是表示本发明的液体处理装置的第六实施方式的概略截面图。0052图13是表示。
23、本发明的液体处理装置的第六实施方式的过滤器装置附近的放大概略截面图。0053图14是表示本发明的液体处理装置的第七实施方式的概略截面图。0054图15是表示本发明的液体处理装置的第七实施方式的过滤器装置附近的放大概略截面图。0055图16是表示本发明的液体处理装置的第八实施方式的概略截面图。0056图17是表示本发明的液体处理装置的第九实施方式的概略截面图。0057图18是表示本发明的液体处理装置的第十实施方式的概略截面图。0058图19是表示本发明的液体处理装置的第十实施方式的泵附近的放大概略截面图。0059图20是本发明的液体处理装置的第十实施方式的概略图，图20A表示气泡显在化工序，图2。
24、0B表示脱气工序。0060图21是在本发明的液体处理装置的第十实施方式中对捕获罐補充处理液的动作的概略图。0061图22是表示与本发明的液体处理装置连接的液体处理单元的概略截面图。说明书CN104137225A4/16页8具体实施方式0062以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。在此，对将作为本发明的液体处理装置的抗蚀剂液体处理装置搭载于涂敷/显影处理装置的情况进行说明。0063如图1和图2所示，上述涂敷/显影处理装置包括用于对密闭收纳多个例如25个作为被处理基板的晶片W的运载体10进行搬出和搬入的运载站1；对从该运载站1取出的晶片W实施抗蚀剂涂敷、显影处理等的处理部2；在晶片W的表面形成。
25、有透过光的液层的状态下，对晶片W的表面进行液浸曝光的曝光部4；和连接在处理部2与曝光部4之间、进行晶片W的交接的接口部3。0064运载站1设置有能够以排列多个运载体10的方式载置运载体10的载置部11；从该载置部11看设置在前方的壁面的开闭部12；和用于经由开闭部12从运载体10取出晶片W的交接机构A1。0065接口部3由在处理部2与曝光部4之间前后设置的第一输送室3A和第二输送室3B构成，各自设置有第一晶片输送部30A和第二晶片输送部30B。0066另外，周围由壳体20包围的处理部2连接在运载站1的里侧，该处理部2从跟前侧依次交替地排列设置有将加热/冷却系统的单元多层化而形成的架单元U1、U。
26、2、U3、液体处理单元U4、U5和进行各单元间的晶片W的交接的主输送机构A2、A3。0067另外，主输送机构A2、A3配置在被由从运载站1看在前后方向上配置的架单元U1、U2、U3侧的一面部、后述的例如右侧的液体处理单元U4、U5侧的一面部和成为左侧的一面的背面部构成的分隔壁21所包围的空间内。另外，在运载站1与处理部2之间、处理部2与接口部3之间，配置有具有在各单元中使用的处理液的温度调节装置、温湿度调节用的管路等的温湿度调节单元22。0068架单元U1、U2、U3为将用于进行在液体处理单元U4、U5中进行的处理的前处理和后处理的各种单元层叠多层例如十层而形成的结构，其组合中包括对晶片W进行。
27、加热所谓的烘培处理的加热单元未图示、对晶片W进行冷却的冷却单元未图示等。另外，对晶片W供给规定的处理液进行处理的液体处理单元U4、U5例如如图1所示，通过在抗蚀剂、显影液等的药液收纳部14之上将涂敷反射防止膜的反射防止膜涂敷单元BCT23、对晶片W涂敷抗蚀剂液的涂敷单元COT24、对晶片W供给显影液进行显影处理的显影单元DEV25等层叠多层例如5层而构成。涂敷单元COT24包括本发明的液体处理装置5和液体处理单元100。0069参照图1和图2，对以上述方式构成的涂敷/显影处理装置中的晶片的流程的一个例子简单地进行说明。首先，将收纳有例如25个晶片W的运载体10载置到载置部11上时，与开闭部12。
28、一起取下运载体10的盖体，利用交接机构A1取出晶片W。然后，晶片W经由为架单元U1的一层的交接单元未图示被交接到主输送机构A2，作为涂敷处理的前处理进行例如反射防止膜形成处理、冷却处理，之后在涂敷单元COT24中涂敷抗蚀剂液。接着，通过主输送机构A2，晶片W在架单元U1、U2的形成为一个架的加热单元中加热烘培处理，进而冷却，之后经由架单元U3的交接单元被搬入到接口部3。在该接口部3中，由第一输送室3A和第二输送室3B的第一晶片输送部30A和第二晶片输送部30B输送到曝光部4，以与晶片W的表面相对的方式配置有曝光机构未图示，进行曝光。在曝光后，晶片说明书CN104137225A5/16页9W以相。
29、反的路径被输送至主输送机构A3，在显影单元DEV25显影从而形成图案。然后，晶片W返回到载置于载置部11上的原来的运载体10。0070接着，对本发明的液体处理装置的第一实施方式进行说明。0071第一实施方式0072如图3所示，本发明的液体处理装置5包括将存储作为处理液的抗蚀剂液L的处理液存储容器60下面称为抗蚀剂容器60和对晶片W喷出供给抗蚀剂液L的、后述的处理液供给喷嘴7的一个处理液供给喷嘴7A连接的供给管路51；过滤器装置52A，其设置于供给管路51，对抗蚀剂液L进行过滤将颗粒除去，并且，将混入于抗蚀剂液L中的异物气泡除去；设置于过滤器装置52A的二次侧的供给管路51的第一捕获罐53；设置。
30、于第一捕获罐53的二次侧的供给管路51的泵P；设置于泵P的二次侧的供给管路51的第二捕获罐54；将泵P的排出侧和过滤器装置52A的吸入侧连接的所谓循环管路55；设置于循环管路55的循环控制阀56；和设置于第二捕获罐54的二次侧的供给管路51的供给控制阀57。0073供给管路51包括将抗蚀剂容器60和作为对从该抗蚀剂容器60导出的处理液进行暂时存储的处理液暂时存储容器的缓冲罐61连接的第一处理液供给管路51A；和将缓冲罐61和处理液供给喷嘴7连接的第二处理液供给管路51B。由此，过滤器装置52A、第一捕获罐53、泵P、第二捕获罐54、供给控制阀57设置在第二处理液供给管路51B。0074循环管路。
31、55将泵P的二次侧的第二处理液供给管路51B和过滤器装置52A的一次侧的第二处理液供给管路51B经由第二捕获罐54连接。此外，第二捕获罐54设置在将供给管路51和循环管路55连接的连接部。0075如图3B所示，作为泵P使用将第二处理液供给管路51B内的处理液吸入、排出的膜片泵。泵P由作为可挠性部件的膜片71被分隔为相当于泵部分的泵室72和相当于驱动部分的动作室73。另外，在泵P的吸入口设置有能够从第二处理液供给管路51B向泵P流入抗蚀剂液L的电磁式开闭阀V31，在排出口设置有电磁式开闭阀V32。开闭阀V31、V32与泵室72连通。0076动作室73与具有基于来自控制器200的信号对动作室73内。
32、的气体的减压和加压进行控制的电子气动调节器ELECTROPNEUMATICREGULATOR的驱动机构74连接。开闭阀V31、V32基于来自控制器200的信号被控制。控制器200构成为以后述的作为控制装置的中央运算处理装置CPU为主体。0077另外，设置于喷嘴单元70的处理液供给喷嘴7与供给控制阀57的二次侧的第二处理液供给管路51B连接。作为供给控制阀57能够使用例如具有分配阀的流量控制阀。0078在喷嘴单元70设置有多个在附图中表示4个的情况处理液供给喷嘴7A7D，其中的处理液供给喷嘴7A与该实施方式的液体处理装置5连接。另外，与上述抗蚀剂容器60、过滤器装置52A、泵P相同的抗蚀剂容器、。
33、过滤器装置、泵与其它的处理液供给喷嘴7B7D连接。0079在抗蚀剂容器60的上部设置有与供给非活性气体例如氮气N2的氮气供给源62连接的第一气体供给管路8A。另外，在该第一气体供给管路8A设置有作为能够可变调整的压力调整机构的电子气动调节器R。该电子气动调节器R包括根据来自控制器200的控制信号进行动作的操作部，例如比例螺线管；和通过该比例螺线管的动作进行开关的阀机构，构成为通过阀机构的开关调整压力。说明书CN104137225A6/16页100080在上述第一气体供给管路8A的电子气动调节器R与抗蚀剂容器60之间设置有电磁式的切换阀V1。另外，在第一处理液供给管路51A的抗蚀剂容器60与缓冲。
34、罐61之间设置有电磁式的开闭阀V2。0081另外，一端从第一气体供给管路8A分支、另一端连接到缓冲罐61的上部的第二气体供给管路8B与第一气体供给管路8A连接。在该第二气体供给管路8B设置有以能够切换为缓冲罐61内、向大气开放的大气部63或氮气供给源62的方式连通的切换阀V3。切换阀V3由切换为缓冲罐61侧的一个端口和氮气供给源62侧、大气部63侧的2个端口的能够位置切换至3个端口的电磁切换阀形成，通过该切换阀V3的切换操作能够形成为使缓冲罐61内与大气侧或氮气供给源62侧连通。0082另一方面，在过滤器装置52A的上部设置有用于对过滤器装置52A内的气氛进行排气的排出管51C，在排出管51C。
35、设置有电磁式的开闭阀V4A。另外，在第一捕获罐53和第二捕获罐54的上部也设置有用于对第一捕获罐53、第二捕获罐54内的气氛进行排气的排出管51D、51H，在排出管51D、51H设置有电磁式的开闭阀V5A、V5B。0083开闭阀V4A、V5A、V5B、循环控制阀56、供给控制阀57与控制器200电连接，基于来自该控制器200的控制信号，进行切换动作、开关动作。此外，在缓冲罐61设置有对缓冲罐61内的抗蚀剂液L的上限液面和下限液面进行检测的、上限液面传感器61A和下限液面传感器61B。由这些上限液面传感器61A和下限液面传感器61B检测出的信号被传递至控制器200。另外，电子气动调节器R、切换阀。
36、V1、开闭阀V2、切换阀V3与控制器200电连接，基于来自该控制器200的控制信号进行动作。此外，电子气动调节器R、上限液面传感器61A、下限液面传感器61B、切换阀V1、V3、开闭阀V2、V4AV7、开闭阀V31V33、循环控制阀56、供给控制阀57与控制器200的连接在图4图17中不图示。0084接着，基于图4对上述液体处理装置的过滤器装置52A的结构进行说明。过滤器装置52A主要包括形成为圆筒状的过滤器52F、以包围过滤器52F的方式对过滤器52F进行保持的保持部52I和外壁部52O。另外，在过滤器52F的内周侧设置有充满进行循环的抗蚀剂液L的空间部52S。在过滤器装置52A的外壁部52。
37、O与保持部52I之间设置有抗蚀剂液通路52P。另外，抗蚀剂液通路52P的二次侧经由过滤器52F与空间部52S连通。另外，空间部52S的一次侧和二次侧与第二处理液供给管路51B连通，抗蚀剂液通路52P的二次侧与排出管51C连通。0085接着，参照图3A至图6对上述液体处理装置的动作方式进行说明。此外，在图5、图6中，控制器200等的控制系统省略。0086对缓冲罐的抗蚀剂液供给0087首先，在将抗蚀剂容器60设置安装后，基于来自控制器200的控制信号，设置于第一气体供给管路8A的切换阀V1和设置于第一处理液供给管路51A的开闭阀V2开放，通过从氮气供给源62供给到抗蚀剂容器60内的氮气的加压，将抗。
38、蚀剂液L供给到缓冲罐61内。此时，切换阀V3切换为大气部63侧，缓冲罐61内与大气连通。0088抗蚀剂液的氮气加压抗蚀剂液排出0089如图5所示，当在缓冲罐61内补充有规定量的抗蚀剂液L时，基于来自接收来自上限液面传感器61A的检测信号的未图示的控制器的控制信号，使切换阀V1和开闭阀V2关闭，并且，将切换阀V3切换至氮气供给源62侧。由此，从氮气供给源62将氮气供给到缓说明书CN104137225A107/16页11冲罐61内，另一方面，使第二处理液供给管路51B的供给控制阀57开放，泵P驱动，由此，将抗蚀剂液L从处理液供给喷嘴7A喷出供给到晶片W，实施处理处理液供给工序。此时，开闭阀V4A、。
39、V5A、V5B根据来自未图示的控制器的信号而打开，溶解存在于过滤器装置52A、第一捕获罐53、第二捕获罐54中的气泡经由排出管51C、51D、51H排出到外部。0090抗蚀剂液的循环0091接着，对经由供给管路51和循环管路55进行的抗蚀剂液L的循环进行说明。如图6所示，从处理液供给喷嘴7D对晶片W供给抗蚀剂液时，根据来自未图示的控制器的信号关闭供给控制阀57，由此使从处理液供给喷嘴7A向晶片W的抗蚀剂液L的供给停止空闲状态。在该空闲状态下，根据来自未图示的控制器的信号打开循环控制阀56。0092在设置于第二处理液供给管路51B的供给控制阀57关闭、设置于循环管路55的循环控制阀56打开的状态。
40、下驱动泵P时，滞留在过滤器装置52A的抗蚀剂液L经由第一捕获罐53、第二捕获罐54流入循环管路55，流入循环管路55的抗蚀剂液L流入过滤器装置52A的一次侧的第二处理液供给管路51B。由此，从处理液供给喷嘴7D对晶片W供给处理液时，通过关闭供给控制阀57并且打开循环控制阀56，驱动泵P，使抗蚀剂液L在第二处理液供给管路51B和循环管路55之间循环循环工序。而且，在循环工序结束后进行处理液供给工序。0093通过如上述方式构成，从处理液供给喷嘴7D对晶片W供给抗蚀剂，在从处理液供给喷嘴7A向晶片W的抗蚀剂液L的供给停止的状态空闲状态下，能够使滞留在过滤器装置52A的抗蚀剂液L经由第二处理液供给管路。
41、51B和循环管路55循环。由此，在处于从处理液供给喷嘴7A对晶片W停止抗蚀剂液L的供给的空闲状态下，也能够在供给处理液时不进行假排出，抑制抗蚀剂液L中的颗粒的增加。因此，能够不浪费抗蚀剂液L地有效地抑制抗蚀剂液L的颗粒的增加。0094此外，在安装抗蚀剂容器60后直至开始处理液供给工序为止的空闲状态的时间较长的情况下，优选在开始处理液供给工序前进行循环工序。如上所述在开始处理液供给工序前进行循环工序，由此能够抑制开始处理液供给工序前的抗蚀剂液L中的颗粒的增加，因此，能够不浪费抗蚀剂液L地有效地抑制抗蚀剂液L的颗粒的增加。0095在此，第二处理液供给管路51B与循环管路55之间的抗蚀剂液L的循环优。
42、选以15分钟左右的间隔进行。通过以规定的间隔进行该抗蚀剂液L的循环，能够总是抑制抗蚀剂液L在过滤器装置52A的滞留，因此，在空闲状态结束而从处理液供给喷嘴7A对晶片W排出供给抗蚀剂液L时，能够不进行液体处理装置5的抗蚀剂液L的循环地将抗蚀剂液L供给到晶片W。因此，能够缩短对晶片W供给抗蚀剂液L的工序所需要的时间。0096第二实施方式0097基于图7，对本发明的液体处理装置的第二实施方式进行说明。此外，在第二实施方式中，对于与第一实施方式相同的结构，对相同部分标注相同的附图标记，省略说明。0098第二实施方式的循环管路55经由第二捕获罐54连接泵P的二次侧的第二处理液供给管路51B和缓冲罐61。。
43、由此，通过在关闭供给控制阀57和切换阀V1且打开循环控制阀56的状态下驱动泵P，使被吸入泵P的抗蚀剂液L经由循环管路55存储于缓冲罐61。此外，循环管路55可以连接泵的排出口和缓冲罐61。0099通过如上述方式构成，与第一实施方式相同，即使处于空闲状态，也能够在供给处说明书CN104137225A118/16页12理液时不进行假排出，抑制抗蚀剂液L中的颗粒的增加。由此，能够不浪费抗蚀剂液L地有效地抑制抗蚀剂液L的颗粒的增加。另外，与第一实施方式相同，在空闲状态结束而从处理液供给喷嘴7A对晶片W排出供给抗蚀剂液L时，能够不进行液体处理装置5中的抗蚀剂液L的循环，就将抗蚀剂液L供给到晶片W。因此，。
44、能够缩短对晶片W供给抗蚀剂液L的工序所需要的时间。0100第三实施方式0101基于图8，对本发明的液体处理装置的第三实施方式进行说明。此外，在第三实施方式中，对于与第一实施方式相同的结构，对相同部分标注相同的附图标记，省略说明。0102在第三实施方式中使用的泵P中，在一处形成有用于吸入一次侧的第二处理液供给管路51B内的处理液的吸入口，在两处形成有向二次侧的第二处理液供给管路51B和循环管路55内排出处理液的排出口。在该吸入口设置有通过基于来自控制器200的信号进行动作能够从一次侧的第二处理液供给管路51B向泵P流入抗蚀剂液L的电磁式的开闭阀V33吸入侧的开闭阀V33。另外，在该排出口设置有通。
45、过基于来自控制器200的信号进行动作从而能够从泵P向处理液供给喷嘴7A排出抗蚀剂液L的电磁式的开闭阀V34第一开闭阀V34，和能够有选择地进行泵P向循环管路55供给抗蚀剂液L和排出泵P内的气体的电磁式的开闭阀V35第二开闭阀V35。吸入侧的开闭阀V33、第一开闭阀V34、第二开闭阀V35与泵室72连通。0103在动作室73连接驱动机构74，该驱动机构74具有基于来自控制器200的信号控制动作室73内的气体的减压和加压的电子气动调节器。吸入侧的开闭阀V33、第一开闭阀V34、第二开闭阀V35基于来自控制器200的信号被控制。0104第一实施方式和第二实施方式中，在循环管路55设置有循环控制阀56。
46、，但是在第三实施方式中在循环管路55没有设置循环控制阀56。另外，第一实施方式和第二实施方式中，第二捕获罐54设置于泵P的二次侧的第二处理液供给管路51B，但在第三实施方式中，没有设置第二捕获罐。另外，在第三实施方式中，循环管路55将经由第二开闭阀V35连通的泵P的排出口和过滤器装置52A的一次侧的第二处理液供给管路51B连接。0105接着，对第三实施方式中的抗蚀剂液L的循环进行说明。在空闲状态中，根据来自控制器200的信号关闭第一开闭阀V34和供给控制阀57，将吸入侧的开闭阀V33和第二开闭阀V35打开。在该状态下驱动泵P，则滞留在过滤器装置52A的抗蚀剂液L经由第一捕获罐53流入循环管路5。
47、5，流入循环管路55后的抗蚀剂液L流入过滤器装置52A的一次侧的第二处理液供给管路51B。0106通过如上述方式构成，与第一实施方式相同，即使处于空闲状态，在供给处理液时也不进行假排出，能够抑制抗蚀剂液L中的颗粒的增加。由此，能够不浪费抗蚀剂液L地有效地抑制抗蚀剂液L的颗粒的增加。另外，与第一实施方式相同，在空闲状态结束从处理液供给喷嘴7A对晶片W排出供给抗蚀剂液L时，能够不进行液体处理装置5中的抗蚀剂液L的循环，就将抗蚀剂液L供给到晶片W。因此，能够缩短对晶片W供给抗蚀剂液L的工序所需要的时间。0107第四实施方式0108基于图9，对本发明的液体处理装置的第四实施方式进行说明。此外，在第四实。
48、施方式中，对于与第三实施方式相同的结构，对相同部分标注相同的附图标记，省略说明。说明书CN104137225A129/16页130109第四实施方式中的循环管路55包括将第一捕获罐53和泵P连接的第一循环管路55A；和将第一捕获罐53和过滤器装置52A的一次侧的第二处理液供给管路51B连接的第二循环管路55B。另外，在第二循环管路55B设置有通过基于来自控制器200的信号进行动作而能够进行从泵P向过滤器装置52A的流通的循环控制阀56。0110接着，对第四实施方式中的抗蚀剂液L的循环进行说明。在空闲状态下，根据来自控制器200的信号，关闭第一开闭阀V34和供给控制阀57，将吸入侧的开闭阀V33。
49、和第二开闭阀V35打开。在该状态下驱动泵P时，滞留在过滤器装置52A的抗蚀剂液L经由第一捕获罐53、泵P流入第一循环管路55A，流入第一循环管路55A后的抗蚀剂液L，经由第一捕获罐53、第二循环管路55B流入过滤器装置52A的一次侧的第二处理液供给管路51B。0111通过如上述方式构成，与第三实施方式相同，即使处于空闲状态，在供给处理液时也不进行假排出，抑制抗蚀剂液L中的颗粒的增加。由此，能够不浪费抗蚀剂液L地有效地抑制抗蚀剂液L的颗粒的增加。另外，与第三实施方式相同，在空闲状态结束从处理液供给喷嘴7A对晶片W排出供给抗蚀剂液L时，能够不进行液体处理装置5中的抗蚀剂液L的循环，就将抗蚀剂液L供给到晶片W。因此，能够缩短对晶片W供给抗蚀剂液L的工序所需要的时间。0112第五实施方式0113基于图10、图11A、图11B，对本发明的液体处理装置的第五实施方式进行说明。此外，在第五实施方式中，对于与第一实施方式相同的结构，对相同部分标注相同的附图标记，省略说明。0114第五实施方式的液体处理装置5，在循环管路55和第二处理液供给管路51B的连接点的二次侧且在过滤器装置52A的一次侧的第二处理液供给管路51B设置有脱气机构80。0115如图11A、B所示，脱气机构80具有容器81和半透膜管82，将存在于抗蚀剂液L中的气体除去。另外，容器81具有与第二处理。