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1、10申请公布号CN104050985A43申请公布日20140917CN104050985A21申请号201410085239322申请日2014031013/793,80320130311USG11B5/60200601G11B5/5820060171申请人希捷科技有限公司地址美国加利福尼亚州72发明人D刘K哈帕拉SE莱恩L周74专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人何焜54发明名称利用引入热振荡的磁头介质接触检测57摘要本申请公开了利用引入热振荡的磁头介质接触检测。一种装置包括经配置以与磁记录介质交互的头换能器以及经配置以热致动所述头换能器的加热器。在或接近头换能器的热传感。
2、器经配置以产生传感器信号。电路被耦合到所述加热器并经配置以使得加热器功率的振荡。加热器功率振荡导致传感器信号的振荡。检测器被耦合到所述热传感器并经配置以使用所述振荡传感器信号和加热器功率以检测头介质接触。30优先权数据51INTCL权利要求书2页说明书6页附图5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书6页附图5页10申请公布号CN104050985ACN104050985A1/2页21一种装置,包括经配置以与磁记录介质交互的头换能器;经配置以热致动所述头换能器的加热器;在或接近头换能器并经配置以产生传感器信号的热传感器;电路,耦合到所述加热器并经配置以使得加热器功。
3、率的振荡,以及加热器功率振荡导致传感器信号的振荡;以及检测器,被耦合到所述热传感器并经配置以使用所述振荡传感器信号和加热器功率以检测磁头介质接触。2如权利要求1所述的装置,其中,所述热传感器具有电阻温度系数。3如权利要求1所述的装置,其中,所述检测器经配置以基于传感器的电阻变化和加热器功率的变化使用度量而检测磁头介质接触。4如权利要求1所述的装置,其中,所述检测器经配置以基于传感器的电阻变化率和加热器功率的变化率使用度量而检测磁头介质接触。5如权利要求4所述的装置,其中,其中所述检测度量由比例R/P定义,其中R是传感器的电阻变化率,以及P是加热器功率变化率。6如权利要求5所述的装置,其中,当热。
4、传感器响应DP振幅的感应加热器振荡,所述检测器经配置以直接现场测量R/P。7如权利要求5所述的装置,其中,所述检测器经配置以通过检测R/P的最小值来检测磁头介质接触。8如权利要求1所述的装置,其中所述电路经配置以产生参考信号,以使加热器功率的振荡;以及所述检测器经配置以检测所述传感器信号和参考信号之间的相位差。9如权利要求1所述的装置,其中所述电路经配置以产生参考信号,以使在加热器功率的振荡;以及所述检测器经配置以检测拟合到所述传感器信号和参考信号的曲线之间的误差。10如权利要求1所述的装置,其中所述电路经配置以产生参考信号,以使在加热器功率的振荡;以及所述检测器经配置以检测所述传感器和参考信。
5、号之间的噪音差。11如权利要求1所述的装置,其中,所述头换能器经配置以相对于介质限定非调制磁头介质界面。12如权利要求1所述的装置,其中,所述头换能器经配置以相对于介质限定调制磁头介质界面。13如权利要求1所述的装置,其中所述电路包括伺服电路;以及加热器功率振荡的频率涉及在磁记录介质上的伺服模式的频率。14如权利要求1所述的装置,其中所述检测器经配置以使用如下检测调制空气轴承的磁头介质接触(1)传感器电阻的变化速度和加热器功率的变化比率;(2)传感器信号和与所述传感器信号具有相同频率的基准信号之间的相位差;以及权利要求书CN104050985A2/2页3(3)拟合到所述传感器信号和参考信号的曲。
6、线之间的误差。15如权利要求1所述的装置,其中所述检测器经配置以至少使用传感器电阻变化速率和加热器功率的变化速率检测非调制空气轴承的磁头介质接触。16一种方法,包括使得提供给头换能器的加热器的功率振荡;通过振荡加热器功率,使得在所述头换能器由热传感器产生的信号振荡;测量由所述热传感器产生的信号;以及使用所测量的传感器信号和加热器功率检测磁头介质接触。17如权利要求16所述的方法,其中检测磁头介质接触包括测量传感器的电阻变化率R;测量加热器功率的变化率P;以及使用比例R/P检测磁头介质接触。18如权利要求17所述的方法,其中检测磁头介质接触包括检测比例R/P的最小值。19如权利要求17所述的方法。
7、,其中使所述加热器的功率振荡包括产生参考信号;以及检测头介质接触包括比较在振荡频率的传感器信号和相同频率的参考信号;以及响应于所述传感器信号和参考信号之间的相位差,检测磁头介质接触。20如权利要求17所述的方法,其中使所述加热器的功率振荡包括产生参考信号;以及检测头介质接触包括比较参考信号和拟合到传感器信号的曲线;以及响应于所述参考信号和传感器信号曲线之间的误差,检测磁头介质接触。21如权利要求17所述的方法,其中(1)传感器电阻的变化速度和加热器功率的变化比率;(2)传感器信号和与所述传感器信号具有相同频率的基准信号之间的相位差;以及(3)拟合到所述传感器信号和参考信号的曲线之间的误差。22。
8、如权利要求17所述的方法,其中,至少使用所测量的传感器电阻变化速率和加热器功率的变化速率检测非调制空气轴承的磁头介质接触。权利要求书CN104050985A1/6页4利用引入热振荡的磁头介质接触检测0001发明概述0002本公开的实施例针对一种装置,该装置包括经配置以与磁记录介质交互的头换能器以及经配置以热致动所述头换能器的加热器。在或接近头换能器的热传感器经配置以产生传感器信号。电路被耦合到所述加热器并经配置以使得加热器功率的振荡。加热器功率振荡导致传感器信号的振荡。检测器被耦合到所述热传感器并经配置以使用所述振荡传感器信号和加热器功率以检测头介质接触。0003其它实施例针对一种方法,该方法。
9、涉及使得向头换能器的加热器提供的功率振荡,并通过振荡加热器功率使得在头换能器的热传感器产生信号振荡。该方法还包括测量由所述热传感器产生的信号,并使用所测量的传感器信号和加热器功率而检测头介质接触。0004鉴于下文的详细讨论和附图,可以理解各种实施例的这些和其它特征以及各方面。0005附图简述0006图1是根据各种实施例并入电阻传感器温度系数(TCR)的加热器驱动式头换能器配置的简化侧视图;0007图2是图1所示的加热器驱动式头换能器配置的正视图;0008图3示出在预致动配置和致动配置中图1和2的加热器驱动式头换能器配置;0009图4示出在头换能器和磁记录盘的表面之间接触之前、期间和之后,图13。
10、中所示类型的加热器驱动式记录磁头换能器的代表温度分布;0010图57是表示根据各个实施例的用于检测头介质接触和/或头介质间距变化的方法的各种处理的流程图;0011图8是根据各种实施例的加热器驱动式头换能器配置的框图;0012图910是根据各种实施例的检测器的框图;以及0013图1112是根据各种实施例的控制电路的框图。0014发明详述0015数据存储系统通常包括从记录介质写和读信息的一个或多个记录磁头。通常希望在记录磁头和其相关介质之间存在相对小的距离或间距。该距离或间隔被称为“转动高度”或“磁头介质间距”。通过降低磁头介质的间距,记录磁头通常能同时更好地从介质读取数据。减少磁头介质间距也允许。
11、测量记录介质地貌,诸如用于检测凹凸和记录介质表面的其它特征。磁头介质接触检测和/或磁头介质间距传感技术对于磁存储系统的性能和可靠性非常重要。高接触检测可重复性能降低主动间隙,并从而提高记录密度。更高的接触检测灵敏度降低磨损,提高可靠性。0016根据各种实施例并参照图13,滑块100被示为通过接近旋转磁存储介质160的悬浮101进行支持。滑块100支持记录磁头,换能器103和加热器102热耦合到所述换能器头103。该加热器102可以是电阻加热器,当电流通过加热器102时,该电阻加热器产生热量热。加热器102并不局限于电阻加热器,并可包括任何类型的加热源。由加热器102产说明书CN10405098。
12、5A2/6页5生的热能使得头换能器103的热膨胀。该热膨胀可用来减少在数据存储系统中的磁头介质间距107。0017电阻传感器105的温度系数(TCR)示出位于头换能器103上在接近磁性记录介质160的点。接近点通常被理解为头部传感器103和磁性记录介质160之间接触的最近点。如前面所讨论的,头换能器103的致动可以通过热致动器(诸如加热器102)或其他致动器(例如,写入器)来实现。偏压功率施加到TCR传感器105以提高传感器105的表面温度,头换能器103的相邻部分比磁记录介质160的温度高得多。该TCR传感器105优选地经配置以感测热流变化,用于检测磁头介质接触,以及在一些实施例中介质160。
13、的凹凸。0018如在图3中所描绘的,在磁头介质接触之前,在热磁头表面和相对冷的磁盘160之间限定空气间隙107。头部传感器103、空气间隙107和磁记录盘160限定传热速率等级。当磁头换能器103与盘160接触时,诸如在致动热致动器或加热器102之后,磁头传感器103和盘160的高导热性材料之间的直接接触显著增加传热速率。因此,在磁头换能器103上的TCR传感器105感测温度下降或温度轨迹偏移,允许用于检测磁头介质接触。0019图4示出在头换能器103和磁记录盘160的表面之间接触之前、期间和之后,图13中所示类型的加热器驱动式记录磁头换能器的代表温度分布。在这个说明性的示例中,温度曲线被表示。
14、为稳定状态的直流信号。当磁头换能器103由热致动器102致动时,由于由热致动器102产生的热量,头换能器的表面温度会随着致动增加。头换能器的温度将高于盘160的温度。因此,在这种情况下,盘160作为热沉。当磁头换能器103接触盘160时,由于接触造成的热传递率的变化,头换能器的表面温度将下降。由于热致动器加热和摩擦生热,头转换器表面温度将继续增加。温度变化或温度轨迹的偏移可用于声明磁头介质接触。0020本公开的实施例涉及方法和装置,用于基于向头换能器中的加热器提供的功率振荡以及位于头换能器的热传感器中所产生的振荡而确定磁头介质间隔并检测在磁头磁盘界面(HDI)的接触。本公开的实施例涉及振荡提供。
15、给加热器的功率,响应于所述加热器的振荡分析所述至少一个热传感器的输出,以及使用该所述输出以检测磁头介质间距和/或接触。各种实施例涉及用于调节空气轴承的磁头介质接触检测设备和方法。其它实施例涉及用于非调节空气轴承或具有刚度空气轴承的磁头磁盘接口的磁头介质接触检测设备和方法。0021根据各种实施例,磁头介质接触检测可以基于如下的一个或多个进行评估(1)和电阻温度传感器相关联的电阻和功率的关系变化,(2)相对于参考信号,由电阻温度产生的信号的相位变化,以及(3)拟合于由电阻温度传感器产生的信号和参考信号的曲线之间的误差。这些检测技术中的一些或全部可用于检测磁头接触介质,用于调节式空气支承磁头磁盘接口。
16、。一些或全部这些检测技术可用于检测磁头介质接触,用于非调节式空气支承磁头磁盘接口。0022由于前面所讨论的原因,电阻温度传感器已被认为是特别有用的磁头介质的接触检测传感器。电阻温度传感器本质上是极尖的热敏电阻。电阻式温度传感器测量由空气压力、空隙以及接触等的所有热状况变化引起的稳定变化。对于空气轴承,由于增加了热传输效率,头换能器冷却效率使用降低间隙改进了介质。当头传感器接触介质时,头换能器冷却效率达到最大值,因为介质向头部传感器提供高效的热沉。根据本发明实施例,可以通过监说明书CN104050985A3/6页6测并非由磁头调制所引起的界面冷却效率进行检测磁头介质接触。0023电阻温度传感器的。
17、DC信号由基于发热元件的加热进行控制。由界面冷却/加热引起的电阻变化仅仅表示由电阻温度传感器的加热元件所引起的一部分。一般很难基于DC电阻测量确切知道磁头介质接触的位置。本公开的实施例涉及使用电阻温度传感器的电阻测量检测磁头介质接触,所述电阻温度传感器的输出信号具有由换能器头的发热部件(诸如加热器)所引起的振荡。0024磁头盘接口冷却条件的一项措施在于响应加热器的功率振荡,温度增加速率超过加热器功率,或R/P(如,DR/DP)。R/P之比随着更好的冷却条件降低,并当磁头介质接触时达到最低。在磁头介质接触之后,由于摩擦生热,R/P再次增加。可以通过监测指标R/P(而非磁头调制)进行检测磁头介质接。
18、触。在达到最小之前,R/P首次偏离(下降)最小趋势。此签名表示由开始磁头介质接触引起的冷却。R/P的最低点表示全部磁头介质接触,热量是由摩擦产生的。检测磁头介质接触的各种方法利用头换能器中的温度上升速率超过提供给头换能器加热器的加热器功率。0025参照图5,示出了根据各种实施例用于检测磁头介质接触的方法。根据图5所示的实施例,提供给位于头换能器的加热器的功率被振荡202。通过使用振动源信号增加和减少向加热器提供的功率而振荡加热器功率。一个示例源信号是伺服系统信号。可替换地,可通过编程位于或添加到头换能器配置的控制器而提供源信号。使用DC电流偏置头换能器的热传感器,使得所述热传感器的电阻元件温度。
19、显著不同(例如,更高)于磁性存储介质。0026响应于所述振荡加热器功率,头换能器的热传感器测量204所产生的温度变化,并产生调制传感器信号。传感器信号调制的频率对应于该加热器功率被调制的频率。调节提供给加热器的功率有效地使热传感器产生AC信号,其频率和振幅对应于该加热器功率调制。热传感器可以是TCR传感器,使得测量温度的变化通过测量TCR传感器的电阻变化实现。使用所测量的传感器信号和所述振荡加热器功率检测206磁头介质接触。更具体地,可以使用不同指标(涉及传感器信号的变化和加热器功率的变化)检测磁头介质接触。0027图6是表示根据各个实施例检测磁头介质接触的方法的流程,该方法特别有用于低或无调。
20、制磁头介质界面。应当理解图6所示的方法也适用于根据其他实施例用于检测调制磁头介质界面的磁头介质接触。使用相对于磁记录介质移动并限定低或无调制磁头介质界面的头换能器,方法实施例涉及利用加热器致动所述头换能器。致动头所述换能器包括振荡222供给加热器的功率。响应于所述振荡功率,测量224位于该头换能器的热传感器的电阻(R)速率变化。示例热传感器可以是TCR传感器,诸如电阻传感器(DETCR)的双端温度系数。同时测量226的加热器功率(P)的速率变化。电阻的变化和加热器功率的变化用于产生检测度量。例如,使用电阻变化速率(R)与加热器功率变化速率(P)的比值,可以检测228磁头介质接触。0028电阻变。
21、化速率(R)与功率变化速率(P)之比表示为R/P,提供用于评估磁头介质间距和执行磁头介质接触检测的度量。随着磁头与介质的间隙减少,度量R/P线性减小。检测R/P线性偏差和最小值表示磁头介质接触和磁头介质引起的冷却和摩擦生热。这种方法不依赖于接触检测的空气轴承调制。然而,如先前讨论的,该检测磁头介质接触的技术可用于调制和非调制空气轴承。0029图7示出了根据各种实施例使用一个或多个检测指标检测磁头介质接触的另一说明书CN104050985A4/6页7种方法。使用振荡电源250致动头换能器的加热器。响应于提供给加热器的功率振荡,测量252位于头换能器的热传感器的温度/电阻(R)变化速率。同时测量2。
22、54振荡加热器功率(P)的变化速率。可以使用至少三个检测指标来检测磁头介质接触。如所公开的,下面的检测度量可以单独使用或结合使用。0030使用第一度量,如以上结合图6所讨论的,直接使用比例R/P检测260磁头介质接触。例如,检测比例R/P的最小值识别磁头介质接触。另外,检测比例与线性拟合的偏差(例如,超过约3西格玛的线性拟合误差)表示空气间隙的显著减少,使得接触是可以预料的。0031第二度量涉及使用所述振荡电源控制信号作为参考信号264。因为振荡电源控制信号的频率是预先选定的,因此该频率是已知的。因为热传感器信号由加热器元件的温度支配,所述传感器信号的频率基本上对应于供给加热器的振荡控制信号。。
23、因此,在所测量频率的热传感器信号可以与已知频率的参考信号进行比较。直到磁头介质接触,传感器信号和参考信号之间的差异将是实质上一致的,在该点,热传感器信号不再由加热器元件主导。例如,直到磁头介质接触事件发生,传感器信号和参考信号的相位将是实质上一致的,而在此时,传感器信号的相位显著偏离于基准信号。当传感器和参考信号相位之间的差偏离预定阈值,诸如相位变化大于约5的周期(例如为500赫兹振荡的03弧度),检测到磁头介质接触。0032可替换地,测量频率和测量幅度的传感器信号与已知频率和幅度的参考信号进行比较。所述传感器信号和参考信号的频率和振幅之间的差异同样可用于识别磁头介质接触。测量所述传感器信号和。
24、参考信号之间的差值也可包括测量噪声差异。例如,传感器信号的噪声基本上是恒定的,直到头部介质接触,在接触发生时,传感器信号噪声分量的振幅相对于该预接触噪声显著增加。0033第三种度量包括确定拟合到所述传感器信号和基准信号262的曲线之间的误差。如上所讨论的,热传感器信号在很大程度上对应于振荡功率控制/参考信号,直到磁头接触介质发生。因此,当传感器信号以预定误差裕度偏离于参考信号,检测到磁头介质接触。例如,超过3西格玛的偏差表示空气间隙的显著减少,使得磁头介质接触是可以预料的。0034这些度量可以单独或组合使用以检测磁头介质接触266。例如,当涉及非调节空气支承界面时,第一度量至少可以单独使用。然。
25、而,对于调节空气支承界面,三个度量可以组合使用以早于已知方法检测发生接触。所选择的度量可基于空气轴承的刚度。0035如图8所示,经配置以与磁记录介质和相关电路300进行交互的磁头传感器用于根据各个实施例检测磁头介质接触。头换能器320可以定义非调制磁头介质界面相对于磁存储介质或调制磁头介质界面相对于该介质。头换能器320包括读取传感器342和写入极332。头换能器320还包括加热器340,用于将热施加到读出传感器342和加热器330,用于将热施加到写入极332。加热器340或330都可以致动头传感器。0036此外,每个极可以包括相应的热传感器,读传感器342的传感器344和用于写入极332的传。
26、感器334。传感器344和334分别位于头部,并且可以是任何类型的热传感器。例如,传感器344和/或334可以是接收DC电流以使用DC电流测量电阻变化的TCR传感器。每个传感器344和344测量在头换能器和介质的感测接触中所用的温度变化,并产生相应的传感器信号。致动所述换能器头320的加热器确定哪个传感器用于检测接触。头换能器说明书CN104050985A5/6页8320被耦合到信号发生器电路302和检测器310。应当理解头换能器320可以根据一些实施例仅并入一个热传感器334、344和/或仅一个加热器330、340。0037信号发生器电路302连接到加热器340和330以提供控制信号用于振荡。
27、供给到加热器340和/或加热器330的功率。该信号发生器电路可以是存在或者引入到头换能器配置的可编程电路。一个示例涉及诸如通过DAC的编程软件适当地配置加热器功率电路的数字模拟转换器(DAC)。加热器功率振荡的软件控制提供了更大的灵活性,以指定施加到加热器340、330的波形。该操作允许使用各种波形来驱动加热器340、330,包括方波、正弦波、三角波或其他波形,可以提高接触检测信号。可替换地,信号发生器电路包括已经存在于磁记录系统中的伺服电路。在某些实施例中,该加热器功率振荡频率涉及磁记录介质上的伺服模式频率(几百赫兹,例如500赫兹)。加热器340和330的每个包括接收功率控制信号的加热元件。
28、和电源电路。0038检测器310耦合到传感器344和334经经配置以使用所产生的振动传感器信号和加热器功率检测磁头介质接触。基于传感器344、334的阻抗变化和加热器的功率变化使用一个或多个度量检测磁头介质接触。根据一些实施例,用于测量TCRDC电压电平的ADC具有N位的范围。检测器310包括DC偏移消除DAC,使得使用N位范围的ADC可测量由振荡加热器功率所引起的传感器的电阻变化。0039图9中示出根据各个实施例用于检测非调制、低调制或调制磁头介质界面的头介质接触。检测器410包括检测器412,该检测器412经配置以使用基于传感器的电阻变化率和加热器功率变化的度量检测磁头介质接触。示例检测指。
29、标是比例R/P。当热传感器响应DP振幅的感应加热器振荡,该检测器412可以直接现场测量R/P。如上面所讨论的,磁头介质接触通过检测R/P的最小值识别,因为这是磁头温度由于介质散热行为停止下降并由于磁头和介质之间的摩擦开始增大的点。使用额外的度量,可以更迅速地对调制空气轴承检测磁头介质接触。0040图10示出根据各种实施例用于检测调制磁头介质界面的磁头介质接触的检测器。该检测器510经配置以使用度量的组合来检测接触。例如,类似于上文所述,检测器510包括检测器512,该检测器512经配置以通过识别最小R/P的而确定比例R/P并检测接触。0041检测器510还包括功率谱密度(PSD)检测器514。。
30、在一些实施例中,PSD检测器514比较热传感器信号的功率谱和参照信号的,以及所产生的差异(例如,不同频率分量和/或共同频率分量大于510的功率偏差)作为检测磁头介质接触的另一个指标。振荡功率控制信号作为参考信号。0042在其它实施例中,PSD检测器514可实现为经配置以比较热传感器信号的相位和参考信号的相位检测器,用于确定附加的度量。因为频率和振幅是已知的,振荡功率控制信号用作参考信号。例如,PSD514可以经配置以将已知频率的参考信号相位与测量频率的热传感器信号进行比较,以获得差异。所得到的相位差(如果有的话)将继续是一致的,直到头换能器与介质表面之间的接触发生。当传感器信号和参考信号之间的。
31、相位差达到预定水平时,检测到磁头介质接触。0043检测器510还包括曲线拟合误差检测器516,经配置以确定拟合到所述传感器信号和参考信号的曲线之间的误差。由于传感器信号跟踪参考信号直到磁头介质接触,监测说明书CN104050985A6/6页9所述传感器信号和参考信号的曲线拟合之间的误差识别磁头介质接触。0044检测器510典型地经配置以使用每个检测器512、514和516,以确定调制改进空气轴承的磁头介质接触。对于非或低调制的改进空气轴承,检测器510可经配置以使用少于所有三个检测器(例如检测器512),以确定磁头介质接触。然而,在各种实施例中,相移和拟合误差度量可以早于R/P度量检测接触。0。
32、045可以理解的是,使用DC电流执行精确的直接电阻测量对于驱动电子是有挑战性的。例如,通过界面加热和冷却条件变化所造成的传感器电阻变化通常小于约10的平均电阻。考虑到在典型的磁存储系统中的模拟数字转换器(ADC)的分辨率是8位,难以直接测量小于01欧姆精度的电阻。0046如先前所述所讨论的,根据各种实施例的一种方法包括使用TCR传感器(例如,DETCR传感器)测量直接在磁存储系统中的R/P。这种方法测量在热传感器的平均热量上有意引入P热振荡引起的R。相位检测器可用锁定频率以检测电阻温度传感器的电阻变化。0047可以使用由图11和图12分别示出的代表性电路600、700实现在磁存储系统中直接测量。
33、R/P。在图11所示的实施例中,伺服系统603耦合到加热器元件602的电源电路(包括DAC606和功率源604)。在磁存储系统中的加热器元件功率与DAC计数成正比。来自单元715的可编程DC偏移值用于取消在每个加热器DAC的平均DC输出,从而振荡热引起的电阻变化可以使用完整的8位DAC范围。在每个伺服楔块引入振荡作为固定低频率(例如,500HZ和/2加热器DAC)的正弦波。伺服固件还采样电阻温度传感器702对于每个伺服楔块热振荡的DC响应。DC取消从模拟到数字转换器(ADC)730中去除平均DC信号,从而使完全的8位范围用于热振荡引起的低频响应。0048图12的实施例示出通过低通滤波器710、。
34、放大器720和ADC730耦合到所述电阻温度传感器702的PSD740,经配置以测量在振荡频率的电阻温度传感器响应,即P引起的R。电阻温度传感器702被示为使用偏置电流704提供的DETCR传感器。在通过相敏检测电路740处理之后,产生传感器信号。在产生传感器信号中,相位敏感检测电路740使用伺服系统的振荡信号作为参考信号。相敏检测算法(例如,洛算法,或离散傅立叶变换)可用于测量在振荡频率的传感器响应。除了计算幅值(R),也可以在每个加热器DAC计算传感器响应和基准信号之间的相位以及曲线拟合的误差。0049同时监控所有三个信号(R/P、相位、误差)进行检测磁头介质接触。对于典型的调制空气轴承,。
35、调制发生在固体接触的附近。由于这种调制,拟合误差增大。由于由换能器头与介质之间的接触引入额外冷却,相移发生。R/P继续减小直到几个DAC后达到最小。对于非调制AAB,可无法检测相移签名和拟合误差签名。然而,最小的R/P总是可以用于检测接触。对于任何空气轴承,通过监测电阻温度传感器702的R响应,优选是位于或靠近接近点的DETCR传感器,可以检测磁头介质接触。根据各种实施例,可使用现有的伺服固件引入振荡频率,而不增加额外的硬件。0050应当理解的是尽管各本发明的实施例的许多特征连同各种实施例的结构和功能的详细信息已经在前面的描述阐述,但该详细说明仅是示例性的,并可特别在本公开原理内的部件的结构和配置结构上对细节进行改变,全部范围由其中表示所附权利要求的术语的一般含义表明。说明书CN104050985A1/5页10图1图2图3图4说明书附图CN104050985A102/5页11图5图6说明书附图CN104050985A113/5页12图7说明书附图CN104050985A124/5页13图8图9图10图11说明书附图CN104050985A135/5页14图12说明书附图CN104050985A14。