一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法.pdf

本发明提出一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法，相对于传统通过硬件方式调整内存电压的方法，优点是1）不需要外围硬件电路配合，在测试不同通道内存时不需要改变外部硬件电路，操作简单；2）可以对内存电压进行精确调整，最小调整单位为5mv，这种精度是传统硬件调整方式所远不能达到的。通过本发明所提出的方法，充分解决了传统对内存电压进行拉偏操作的缺点，可以非常简单的完成对内存电压进行拉偏的操作，该方法在服务器系统内存电压稳定性测试中有广阔的应用价值，具有较高的技术应用价值。

权利要求书
1.  一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法, 其特征在于，通过电源控制单元PCU对电压调节芯片VR下达串行电压识别码SVID命令，准确调整内存电压值，对内存电压进行拉偏操作，系统包含1）主板输出输出系统BIOS；2）电源控制单元PCU；3）电压调节芯片VR；具体步骤如下：
第一步：编写BIOS软件，将所需要调整的电压值创建在BIOS菜单项中，开机进入BIOS，从菜单中选择将内存电压调整为1.28V，保存选择内容，重新启动；
第二部：启动过程中BIOS将1.28V对应的0xCF SVID值写入MSR寄存器；
第三步：PCU通过MSR寄存器读取到SVID值为0xCF,向VR下达命令，VR收到SVID命令后，将内存电压调整为1.28V，内存拉偏操作结束。

2.  根据权利要求1所述的电压拉偏的方法，其特征在于，BIOS将电压对应的串行电压识别码SVID命令值写入专用模型寄存器MSR，电源控制单元PCU读取专用模型寄存器MSR获取串行电压识别码SVID命令值，电源控制单元PCU将串行电压识别码SVID命令 通过总线BUS向VR发送串行电压识别码SVID命令，电压调节芯片VR收到命令后将内存电压调整为所需值。

3.  根据权利要求2所述的电压拉偏的方法，其特征在于，主板BIOS，在BIOS中针对选择不同的电压值，向寄存器MSR写入对应串行电压识别码SVID值，调整的内存电压范围是0V到1.52V。

4.  根据权利要求2所述的电压拉偏的方法，其特征在于，PCU英文名称Power Control Unit，是集成在INTEL处理器内部的电源管理控制器，PCU读取MSR寄存器获取SVID值，将SVID通过SVID BUS发送给VR芯片。

5.  根据权利要求2所述的电压拉偏的方法，其特征在于，VR芯片即Voltage Regulator Chip，是用来动态调节电压的一个芯片，VR芯片在服务器主板上与内存相连，当VR芯片收到PCU发送的SVID值，将调整内存电压到所需的值，电压值以5mv为单位进行精确调整。

说明书一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法
技术领域
本发明涉及计算机应用技术领域,具体地说是一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法。
背景技术
随着服务器硬件的不断发展，服务器能够搭配的内存数目越来越多，速度性能得到显著提高，内存作为服务器硬件的核心部件，其是否正常稳定的工作决定了服务器系统的稳定性，在服务器测试过程中，需要测试内存部件的稳定性，其中对内存电压进行拉偏测试就是其中一种很重要的内存测试，目前服务器内存电压为1.35V与1.5V两种，以1.35V内存为例，内存电压拉偏指，内存是否能够在1.35V上下某个电压范围内正常稳定工作，本发明以1.35V+-5%为例。即内存是否能够在(1.28—1.42)V稳定工作进行说明。
传统的对内存电压拉偏方法是通过外部硬件电路进行的，其存在如下缺点1）需要硬件电路配合，在测试不同通道内存时需要不断改变外部硬件电路，操作复杂。2）对电压的控制精度较低，无法满足对电压进行精确拉偏的测试要求。本发明提出一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法，通过PCU（Power Control Unit 电源控制单元）对VR（Voltage Regulator 电压调节）芯片下达SVID(Serial VoltageIdentification code 串行电压识别码)命令，这样就可以准确调整内存电压值，可以很好的解决以上问题，非常方便的就可以对内存电压进行拉偏操作。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法。
本发明的目的是按以下方式实现的，通过电源控制单元PCU对电压调节芯片VR下达串行电压识别码SVID命令，准确调整内存电压值，对内存电压进行拉偏操作，系统包含1）主板输出输出系统BIOS；2）电源控制单元PCU；3）电压调节芯片VR；具体步骤如下：
第一步：编写BIOS软件，将所需要调整的电压值创建在BIOS菜单项中，开机进入BIOS，从菜单中选择将内存电压调整为1.28V，保存选择内容，重新启动；
第二部：启动过程中BIOS将1.28V对应的0xCF SVID值写入MSR寄存器；
第三步：PCU通过MSR寄存器读取到SVID值为0xCF,向VR下达命令，VR收到SVID命令后，将内存电压调整为1.28V，内存拉偏操作结束。
BIOS将电压对应的串行电压识别码SVID命令值写入专用模型寄存器MSR，电源控制单元PCU读取专用模型寄存器MSR获取串行电压识别码SVID命令值，电源控制单元PCU将串行电压识别码SVID命令通过总线 BUS向VR发送串行电压识别码SVID命令，电压调节芯片VR收到命令后将内存电压调整为所需值。
主板BIOS，在BIOS中针对选择不同的电压值，向寄存器MSR写入对应串行电压识别码SVID值，调整的内存电压范围是0V到1.52V。
PCU英文名称Power Control Unit，是集成在INTEL处理器内部的电源管理控制器，PCU读取MSR寄存器获取SVID值，将SVID通过SVID BUS发送给VR芯片。
VR芯片即Voltage Regulator Chip，是用来动态调节电压的一个芯片，VR芯片在服务器主板上与内存相连，当VR芯片收到PCU发送的SVID值，将调整内存电压到所需的值，电压值以5mv为单位进行精确调整。
本发明的有益效果是：相对于传统通过硬件方式调整内存电压的方法，优点是1）不需要外围硬件电路配合，在测试不同通道内存时不需要改变外部硬件电路，操作简单；2）可以对内存电压进行精确调整，最小调整单位为5mv，这种精度是传统硬件调整方式所远不能达到的。通过本发明所提出的方法，充分解决了传统对内存电压进行拉偏操作的缺点，可以非常简单的完成对内存电压进行拉偏的操作，该方法在服务器系统内存电压稳定性测试中有广阔的应用价值，具有较高的技术应用价值。
附图说明
图1是框架关系图；
图2是操作步骤示意图。
具体实施方式
参照说明书附图对本发明的方法作以下详细地说明。
一种通过BIOS对内存进行电压拉偏的方法 本发明主要包含1）主板BIOS（Basic Input Output System，输出输出系统）；2）INTEL CPU中的PCU单元；3）VR芯片；BIOS将电压对应的SVID值写入MSR（Model Specific Register 专用模型寄存器）寄存器，PCU读取MSR寄存器获取SVID值，PCU通过SVID BUS向VR发送SVID命令，VR收到命令后将内存电压调整为所需值。三者之间的关系如图1所示。
下面对如上三部分进行详细说明。
1）主板BIOS，在BIOS中针对选择不同的电压值，向MSR寄存器写入对应SVID值，可以调整的内存电压范围是0V到1.52V，例如1.28V与1.42V对应的SVID分别为0xCF与0xEB；
2）PCU英文名称Power Control Unit，是集成在INTEL处理器内部的电源管理控制器，PCU读取MSR寄存器获取SVID值，将SVID通过SVID BUS发送给VR芯片；
3）VR芯片即Voltage Regulator Chip，是用来动态调节电压的一个芯片。VR芯片在服务器主板上与内存相连。当VR芯片收到PCU发送的SVID值，将调整内存电压到所需的值。电压值可以5mv为单位进行精确调整，这是传统硬件调整方式所不能达到的精度。
除说明书所述的技术特征外，均为本专业技术人员的已知技术。