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本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法,包括步骤:自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构,所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面;沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面;黄光蚀刻制程定义隔离槽;同时沉积P型接触金属与N型接触金属;沉积第一表面粗糙绝缘层;同时沉积倒装P型表面粗糙电极和倒装N型表面粗糙电极,得到圆片;将圆片进行。