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本发明实现一种半导体器件的制造方法,其能够避免在一个半导体器件的制造过程作为在固相扩散中使用的扩散源的高浓度杂质层污染使用同一设备制造的其它半导体器件,并且能够抑制半导体器件的特性因密封树脂中的可动离子而变动。半导体器件的制造方法包含利用固相扩散形成构成半导体器件(晶闸管)(100)的扩散区域(阴极区域)(103)的固相扩散工序,该固相扩散工序包含:在半导体衬底(N型硅衬底)(101)上形成成为杂。