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发光二极管封装体的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体的制作方法，尤其涉及一种发光二极管封装体的制造方法。
背景技术
发光二极管具有亮度高、显色性好、耗能低、使用寿命长等特点，是一种绿色环保型的固体光源，因而在很多领域都得到广泛的应用，发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。但是，发光二极管芯片被封装形成封装体后，由于发光二极管芯片被封装胶体包围，使得发光二极管封装体在出光时容易发生全反射，从而导致发光二极管封装体的出光效率较低。为解决这个问题，现有技术是将预设的微结构制作在模具上，然后将封装胶体填满模具，使模具内的微结构转印到由封装胶形成的封装层的表面。然而，由于光二极管封装体的制程或产品目的不同，往往需要改变不同形状或结构的微结构，从而导致需要重新制作和设计模具，使得制作发光二极管封装体的成本过高。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可降低发光二极管封装体的制作成本的发光二极管封装体的制造方法。
一种发光二极管封装体的制造方法，包括如下步骤：
提供具有微结构区的薄膜层及第一模具，所述微结构区形成空腔，将所述薄膜层贴附在所述第一模具上，且所述微结构区的微结构朝向所述空腔延伸；
提供基板、发光二极管芯片及第二模具，将所述发光二极管芯片贴设在所述基板上，将所述基板未设置发光二极管芯片的一侧贴设在所述第二模具上；
提供胶体，向所述薄膜层的空腔注满所述胶体并使发光二极管芯片被所述胶体覆盖；
烘干所述胶体形成封装层；
待所述胶体固化后，移除所述第一模具、薄膜层以及第二模具，使所述微结构区的形状结构转印到所述封装层的表面。
与现有技术相比，本发明制作发光二极管封装体的方法在发光二极管封装体的制程或产品目的不同、需要改变不同的形状或结构的微结构的情况下，不需重新制作和设计第一模具，使得发光二极管封装体的制作成本较低。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明实施例一中发光二极管封装体的制造方法的流程图。
图2至图6为本发明实施例一中发光二极管封装体的制造方法的各步骤示意图。
图7为图4中VII处的放大图。
图8为本发明实施例二中发光二极管封装体的制造方法中注胶过程的示意图。
图9为本发明实施例三中薄膜层的剖视图。
图10为本发明实施例三中发光二极管封装体的剖视图。
主要元件符号说明

发光二极管封装体 100、100b、100a 第一模具 10、11、12、111、112 薄膜层 20、21、22、23、221、22220a、21a、22a、23a、221a、222a 发光二极管芯片 30 基板 40、41、42 第二模具 50、51、52 封装层 60、60a、61、61a、62、62a 点胶机 70 胶体 80 注胶空间 90
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
图1示出了本发明实施例一中的发光二极管封装体的制造方法的流程。
如图1所示，本发明发光二极管封装体的制造方法的步骤包括：
S1提供一具有微结构区的薄膜层及一第一模具，所述微结构区形成空腔，将所述薄膜层贴附在所述第一模具上，且所述微结构区的微结构朝向所述空腔延伸；
S2提供基板、发光二极管芯片及第二模具，将所述发光二极管芯片贴设在所述基板上，将所述基板未设置发光二极管芯片的一侧贴设在所述第二模具上，然后使所述第一模具与第二模具合模并使所述空腔围绕所述发光二极管芯片；
S3提供装有胶体的点胶机，并使所述胶体注满所述薄膜层的空腔；
S4烘干所述胶体形成封装层；
S5待所述胶体固化后，移除所述第一模具、薄膜层以及第二模具，使所述微结构区的形状结构转印到所述封装层的表面；
S6利用切割方法切割所述基板，形成多个封装组件。
下面结合其他图示对所述流程作详细说明。
请参见图2，提供一薄膜层20，所述薄膜层20采用廉价材料制作而成，其包括多个间隔设置的微结构区22及位于相邻的二微结构区22之间、用以连接二微结构区22的连接区21。在本实施例中，所述微结构区22的纵截面呈朝向薄膜层20一侧外凸的弧形，可以理解的，在其它实施例中，所述微结构区22的纵截面也可以是其它形状。所述微结构区22包括一光滑的、弧形的主体部222以及自主体部222朝向连接区21凸伸的微结构221。所述主体部222的内表面围设形成一弧形的空腔23。所述连接区21的纵截面为一纵长的平面。
所述微结构221是利用微影蚀刻或光致抗蚀剂制作而成。请同时参见图7，所述微结构221的纵截面为均匀连续排布的外凸三角形。可以理解的，在其他实施例中，所述微结构221可以具有其他形状，只要能达到提升发光二极管封装体100的出光效率即可。
请再次参见图2，提供一第一模具10，所述第一模具10包含一下表面11和与下表面11相对设置的一上表面12。所述下表面11包括多个间隔的成型面112以及位于二成型面112之间用于连接二成型面112的衔接面111。所述衔接面111共面设置且尺寸与薄膜层20的连接区21对应。所述成型面112自二衔接面111相对的内侧端朝向上表面12凹陷形成，并且其形状和尺寸与薄膜层20的微结构区22对应。
利用真空吸附的方法，将所述薄膜层20贴附在所述第一模具10的下表面11，使得所述薄膜层20的微结构区22与所述第一模具10的下表面11的成型面112贴合，同时所述薄膜层20的连接区21与所述第一模具10的下表面11的衔接面111贴合。
请再次参见图2，提供一带有电路结构（图未示）的基板40。所述基板40的纵截面为一纵长的平面，包括一第一面41以及与第一面41相平行的一第二面42。所述基板40为导热性能良好的板体。在本实施例中，所述基板40为PCB板。
提供多个发光二极管芯片30，将所述发光二极管芯片30贴设在所述基板40的第一面41上，并使所述发光二极管芯片30与所述基板40的电路结构电性连接。
请再次参见图2，提供一第二模具50，所述第二模具50为一板体且其纵截面为一纵长的平面。所述第二模具50包括一上表面51以及一与所述上表面51相平行的下表面52。
将所述基板40的第二面42贴设于所述第二模具50的上表面51。
请参见图3，提供一装有胶体80的点胶机70，然后操作所述点胶机70，将所述胶体80注满所述薄膜层20的空腔23，并填满微结构221之间的间隙。
所述胶体80由纯硅胶或掺杂有荧光粉的硅胶材料构成，这些掺杂的荧光粉可以是单独的一种粉体也可由多种粉体混合形成。
参见图4，将所述第一模具10与所述第二模具50对应压合。压合时，所述发光二极管芯片30挤入所述空腔23中的胶体80内且正好位于所述空腔23的顶端中部，同时所述微结构221围设在所述发光二极管芯片30的外围。压合完成后，所述薄膜层20与所述基板40完全贴合，所述第一模具10的上表面12朝上，所述第二模具50的下表面52朝下。
请同时参见图5，烘干所述薄膜层20的空腔23中的胶体80，使其固化后形成一封装层60，然后移除所述第一模具10、薄膜层20以及第二模具50。
所述封装层60为透明或半透明材料，其纵截面为自所述基板40外凸的半圆形，具有一弧形出光面61。
在所述第一模具10与第二模具50的压合过程中，所述薄膜层20的微结构221的形状结构转印到所述封装层60的出光面61上，因此所述出光面61的外表面为具有纵截面呈外凸的、三角形的一粗糙化表面62。所述粗糙化表面62是与所述薄膜层20的微结构221相契合的几何体阵列。
请参见图5和图6，利用切割方法切割所述基板40，形成多个发光二极管封装体100。所述发光二极管封装体100包含至少一所述发光二极管芯片30。
如此发光二极管封装体100制造完毕。
与现有技术相比，本发明制作发光二极管封装体100的方法在发光二极管封装体100的制程或产品目的不同、需要改变不同的形状或结构的微结构221的情况下，不需重新制作和设计第一模具10，使得发光二极管封装体100的制作成本较低。
另外，本发明中的微结构221是利用微影蚀刻或光致抗蚀剂制作而成，可有效地提高所述微结构的精度，从而提高了发光二极管封装体100的出光效率。
本发明实施例二的发光二极管封装体100b的制造过程与实施例一中发光二极管封装体100的制造过程相似，不同之处在于：
请参见图8，将所述第一模具10与所述第二模具50对应压合，压合完成后，所述基板40与所述薄膜层20之间有一连通薄膜层20的空腔23的注胶空间90。
点胶机70自所述注胶空间90开始注胶直至注满薄膜层20的空腔23。
请参见图6，封装完成后，所述发光二极管封装体100b的结构与外形与所述发光二极管封装体100一样。
本发明实施例三中的发光二极管封装体100a制造过程同前两个实施例一样，所不同的是薄膜层20a的微结构区22a的形状。
请参见图9，在本实施例中，所述薄膜层20a的微结构区22a的纵截面成外凸的长方形，包括一光滑的长方形的主体部222a及自主体部222a朝向连接区21a凸伸的微结构221a。所述主体部222a的内表面围设形成一长方形的空腔23a。所述连接区21a的纵截面为一纵长的平面。
请参见图10，相应的，封装完成后，所述封装层60a的纵截面为长方体形，其具有自基板40外凸的长方形出光面61a。所述出光面61a的表面为一粗糙化表面62a。