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1、10申请公布号CN104310790A43申请公布日20150128CN104310790A21申请号201410509531322申请日20140928C03C17/2320060171申请人中国建材国际工程集团有限公司地址200061上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层申请人蚌埠玻璃工业设计研究院蚌埠硅基材料产业技术研究院有限公司72发明人王芸金良茂甘治平王东倪嘉单传丽石丽芬王萍萍74专利代理机构上海硕力知识产权代理事务所31251代理人王法男54发明名称大面积透明导电膜玻璃的制备方法57摘要提供了一种大面积透明导电膜玻璃的制备方法，包括如下步骤A在玻璃基板上涂覆液体前驱物，以在所。
2、述玻璃基板的表面形成氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜；并且B对所述形成有氧化物薄膜的玻璃基板进行热处理，以形成透明导电膜玻璃。利用液相辊涂法在所述玻璃基板上涂覆所述液体前驱物。本发明通过改变前驱物混合液的配方，可以控制膜层的质量，改善膜层的功能。本发明工艺简单，设备及原料成本低，易于操作，便于工业化大批量生产。本发明采用合适的液体前驱物在移动的玻璃表面镀制了氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜，得到的透明导电膜具有高透过率、高电导率以及自身绒面结构的特点，在薄膜太阳能电池及低辐射节能玻璃中应用极广。51INTCL权利要求书1页说明书4页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页。
3、说明书4页附图1页10申请公布号CN104310790ACN104310790A1/1页21一种大面积透明导电膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤A在玻璃基板上涂覆液体前驱物，以在所述玻璃基板的表面形成氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜；并且B对所述形成有氧化物薄膜的玻璃基板进行热处理，以形成透明导电膜玻璃，其中，利用液相辊涂法在所述玻璃基板上涂覆所述液体前驱物。2根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜可掺杂有氟或锑。3根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于同时，所述氧化锡掺氟透明导电膜的厚度至少360NM。4根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述。
4、玻璃基板和所述氧化锡薄膜之间沉积有中间层。5根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述中间层的主要成分为二氧化硅。6根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述中间层的厚度为30150NM。7根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理温度为400700，并且所述热处理的时间不少于3分钟。8根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述液体前驱物包括RNSNCL4N，其中R为直链或支链或环烷基，N0,1或2；锡源RNSNCL4N常用的如四氯化锡等无机锡或单丁基三氯化锡等有机锡。9根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述液体前驱物包括RUOVSIM，其中R为直链或支链或环烷基。
5、，U38,V04,M14，包括正硅酸乙酯TEOS或正硅酸甲酯TMOS。10根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述液体前驱物包括三氟乙酸，氢氟酸，三氟化磷，氟化铵；三氯化锑，五氯化锑；并且所述液体前驱液中的溶剂是水，醇类，或其混合物。权利要求书CN104310790A1/4页3大面积透明导电膜玻璃的制备方法技术领域0001本发明涉及一种大面积制备透明导电膜玻璃的方法，尤其涉及利用液相辊涂法，在移动的玻璃表面涂覆氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜，该薄膜主要应用于薄膜太阳能电池及低辐射节能玻璃等领域。背景技术0002随着能源危机及传统能源对环境污染的日趋严重，开发可再生洁净能源成为国际范围内的重。
6、大战略课题之一，太阳能是取之不尽、用之不竭的洁净能源，因此，研究与开发利用太阳能成为世界各国政府可持续发展的能源战略决策。其中，非晶硅ASIH薄膜太阳能电池以其低成本、易大面积实现等优点，在薄膜太阳能电池中占据首要位置，而FTO透明导电膜具有高透过率、高电导率以及自身绒面结构的优点，使其在ASIH薄膜太阳能电池中得到广泛应用。0003第CN1962510号中国专利阐述一种利用喷雾热解法制备氧化锡透明导电膜的方法。该方法利用SNCL22H2O和NH4F得到了电阻20/的氧化锡薄膜，但该方法成膜速度太低，需经过多次反复喷涂才能得到满足要求的透明导电膜；中国专利CN101140143阐述了超声喷雾法。
7、制备大面积透明导电膜的方法及装备。该方法通过超声喷雾法，在静止的热玻璃表面上沉积了氧化锡掺杂氟透明导电膜，膜层电导率及透过率较高，但该方法未涉及中间屏蔽层的制备，同时，该方法得到的样品膜层不够均匀且尺寸较小，不宜进行工业化生产。第CN101188149号中国专利阐述了一种利用射频磁控溅射法在玻璃表面共沉积CE掺杂的AZO透明导电膜的方法，得到了电阻率为78104CM，在400800NM可见光范围内平均透过率达到8090的透明导电膜，但该方法得到的透明导电膜本身不具有绒面结构，需经过绒面处理后才能应用于太阳能电池电极；第CN1145882号中国专利阐述了一种通过化学气相沉积的方式在移动的6306。
8、40的平板玻璃或浮法玻璃基体上，利用四氯化锡和水预混合形成单一的气流，沉积氧化锡膜层的方法。该方法涉及的反应物质要求在高温下瞬间分解反应，不易控制，工艺复杂。0004本发明专利将克服上述方法存在的缺陷，实现简单、低成本、大面积均匀制备透明导电膜玻璃。发明内容0005本发明旨在提供一种大面积透明导电膜玻璃的制备方法。0006为了达成上述目的，提供了一种大面积透明导电膜玻璃的制备方法，包括如下步骤A在玻璃基板上涂覆液体前驱物，以在所述玻璃基板的表面形成氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜；并且B对所述形成有氧化物薄膜的玻璃基板进行热处理，以形成透明导电膜玻璃。利用液相辊涂法在所述玻璃基板上涂覆所述液体前驱。
9、物。0007一些实施例中，所述氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜可掺杂有氟或锑。0008一些实施例中，所述氧化锡掺氟透明导电膜的厚度至少360NM。说明书CN104310790A2/4页40009一些实施例中所述玻璃基板和所述氧化锡薄膜之间沉积有中间层。0010一些实施例中所述中间层的主要成分为二氧化硅。0011一些实施例中所述中间层的厚度为30150NM。0012一些实施例中所述热处理温度为400700，并且所述热处理的时间不少于3分钟。0013一些实施例中所述液体前驱物包括RNSNCL4N，其中R为直链或支链或环烷基，N0,1或2；锡源RNSNCL4N常用的如四氯化锡等无机锡或单丁基三氯化锡等有。
10、机锡。0014一些实施例中所述液体前驱物包括RUOVSIM，其中R为直链或支链或环烷基，U38,V04,M14，包括如正硅酸乙酯TEOS或正硅酸甲酯TMOS。0015一些实施例中所述液体前驱物包括三氟乙酸，氢氟酸，三氟化磷，氟化铵；三氯化锑，五氯化锑；并且所述液体前驱液中的溶剂是水，醇类，或其混合物。0016本发明通过改变前驱物混合液的配方，可以控制膜层的质量，改善膜层的功能。本发明工艺简单，设备及原料成本低，易于操作，便于工业化大批量生产。本发明采用合适的液体前驱物在移动的玻璃表面镀制了氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜，得到的透明导电膜具有高透过率、高电导率以及自身绒面结构的特点，在薄膜太阳能电。
11、池及低辐射节能玻璃中应用极广。0017以下结合附图，通过示例说明本发明主旨的描述，以清楚本发明的其他方面和优点。附图说明0018结合附图，通过下文的详细说明，可更清楚地理解本发明的上述及其他特征和优点，其中0019图1为根据本发明实施例的制备装置形成的透明导电膜的膜层结构示意图；及0020图2为根据本发明实施例的制备方法的流程示意图。具体实施方式0021参见本发明具体实施例的附图，下文将更详细地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反，提出这些实施例是为了达成充分及完整公开，并且使本技术领域的技术人员完全了解本发明的范围。0022现参考附图，。
12、详细说明根据本发明实施例的大面积透明导电膜玻璃的制备方法。0023在本发明中，常压化学气相沉积法沉积透明导电膜所用的氧化锡气态前驱物的化学式为RNSNCL4N，其中R为直链或支链或环烷基，N0,1或2；锡源RNSNCL4N在常温下可以是气态、本发明提供的一种大面积透明导电膜玻璃的制备方法，是利用液相辊涂法，采用合适的液体前驱物在移动玻璃表面涂覆氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜，然后在一定的温度下进行后处理。0024在本发明中，透明导电膜的主要成分是氧化锡薄膜，为了提高膜层的导电率，需要在膜层中进行掺杂形成半导体导电薄膜，掺杂的成分有氟、锑等；同时，本发明中的氧化锡掺氟透明导电膜的厚度至少360NM。
13、，优选不小于400NM，厚度的上限没有特别的限制，一般不超过1200NM。说明书CN104310790A3/4页50025在本发明中，在玻璃基板和顶层氧化锡薄膜之间沉积一中间层，该中间层的目的，一方面，是为了防止玻璃基板中的碱金属离子扩散到透明导电膜中引起导电膜碱中毒，从而影响膜层的电导率和透光性；另一方面，是为了消除膜层的光干涉条纹。0026参照示意图1，中间层薄膜2沉积在玻璃板1上，该膜层的主要成分是二氧化硅等。中间膜层的合适厚度为30150NM，优选50100NM，膜层如果太薄，不能起到碱金属离子屏蔽作用，从而影响透明导电层3的电导率，同时中间层也不能太厚，太厚会影响导电膜玻璃的可见光透。
14、过率。0027在本发明中，用液相辊涂法涂覆氧化锡透明导电膜玻璃的后处理温度为400700，为了得到较高的电导率，一般温度至少500，优选不少于550。热处理的目的是促进薄膜晶粒的充分生长培育。热处理时间不少于3分钟，优选不少于8分钟。0028本发明工艺的流程参照图2，玻璃板1由上片台4通过传送辊道8进入液相辊涂镀膜机5A，在玻璃板1上涂覆一层中间层薄膜，然后进入流平段6中进行流平表干，紧接着玻璃进入液相辊涂镀膜机5B，在此处涂覆一定厚度的氧化锡掺杂功能层薄膜，最后镀完膜的玻璃送入后处理段7中进行热处理，为了保证膜层晶核得到充分生长培育，热处理温度需预先设定在一个合适的温度范围内。0029在本发。
15、明中，制备透明导电膜所用的氧化锡液体前驱物的化学式为RNSNCL4N，其中R为直链或支链或环烷基，N0,1或2；锡源RNSNCL4N常用的如四氯化锡等无机锡或单丁基三氯化锡等有机锡。0030氧化硅的液体前驱物的化学式为RUOVSIM，其中R为直链或支链或环烷基，U38,V04,M14。典型的如正硅酸乙酯TEOS、正硅酸甲酯TMOS等。0031氟的前驱物包括三氟乙酸、氢氟酸、三氟化磷、氟化铵等；锑的前驱物包括三氯化锑、五氯化锑等。它们作为掺杂而存在可以提高FTO透明导电膜的电导率。0032液体前驱液中的溶剂是水、醇类乙醇、丙醇等或其混合物。0033以下结合实施例进一步说明本发明，同时本发明并不限。
16、制于这些实施例。0034实施例10035在本实施例中，玻璃基板为32MM超白玻璃；利用第一个液相辊涂镀膜机，以正硅酸乙酯水解前驱液在玻璃表面镀制了一层二氧化硅中间层薄膜；接着利用第二个液相辊涂镀膜机反应器将四氯化锡与氟化铵的混合溶液乙醇为溶剂涂覆在玻璃表面上，形成氧化锡掺氟FTO透明导电膜。玻璃基板的后处理温度为560，后处理时间为10MIN；0036经测定，中间层厚度为85NM，FTO透明导电层厚度为670NM，膜层的方块电阻为76/，膜层的载流子浓度为N为781020/CM3，FTO透明导电膜玻璃的可见光透过率为82。因此可知，该FTO透明导电膜玻璃具有很好的光学、电学性能，完全可应用于薄。
17、膜太阳能电池及低辐射节能玻璃。0037实施例20038在本实施例中，玻璃基板为4MM超白玻璃；利用第一个液相辊涂镀膜机，以正硅酸甲酯水解前驱液在玻璃表面镀制了一层二氧化硅中间层薄膜；接着利用第二个液相辊涂镀膜机反应器将单丁基三氯化锡与三氯化锑的混合溶液丙醇和水的混合液为溶剂涂覆在玻璃表面上，形成氧化锡掺锑ATO透明导电膜。玻璃基板的后处理温度为580，后处理时间为12MIN；说明书CN104310790A4/4页60039经测定，中间层厚度为106NM，ATO透明导电层厚度为710NM，膜层的方块电阻为70/，膜层的载流子浓度为N为811020/CM3，ATO透明导电膜玻璃的可见光透过率为79。
18、。因此可知，该ATO透明导电膜玻璃具有很好的光学、电学性能，完全可应用于薄膜太阳能电池及低辐射节能玻璃。0040本发明通过改变前驱物混合液的配方，可以控制膜层的质量，改善膜层的功能。本发明工艺简单，设备及原料成本低，易于操作，便于工业化大批量生产。本发明采用合适的液体前驱物在移动的玻璃表面镀制了氧化锡掺杂透明导电氧化物薄膜，得到的透明导电膜具有高透过率、高电导率以及自身绒面结构的特点，在薄膜太阳能电池及低辐射节能玻璃中应用极广。0041以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思做出诸多修改和变化。凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。说明书CN104310790A1/1页7图1图2说明书附图CN104310790A。