单一策略的写入光盘的方法 【技术领域】
本发明提供一种写入光盘的方法，尤其涉及一种设定光盘的写入策略参数来写入光盘的方法。
背景技术
一般的光驱，如CD播放器或DVD播放器，当储存数据至光盘时，如CD光盘或DVD光盘，会将数据利用光驱的编码器转换为光盘的储存格式，这种光盘的储存格式通常为RLL(行程长度受限，Run-Length Limited)调制，如八对十四调制波形(Eight-to-Fourteen Modulation Waveform，EFM波形)，EFM波形是将欲储存于光盘上的数据以不同时间长度的方波来表示，以CD光盘为例，储存于其上的方波的每一脉冲及脉冲之间的间隔均为三倍EFM基准周期(EFM base frequency)至十一倍EFM基准周期之间的长度，而光驱就是根据EFM波形将数据烧录至光盘的。光驱在光盘上烧录出长度不一的复数个凹槽(pit)以及平面(land)来表示数据的内容，而凹槽以及平面的长度则正好对应于EFM基准周期地波形。实际应用上，光驱是利用一组写入策略参数(writestrategy parameter)来将EFM基准周期的波形转换成驱动光学拾取头(pickup)的激光脉冲(laser pulse)。当光驱欲写入数据时，也就是在光盘上烧录出凹槽，激光脉冲驱动光学拾取头由一基准态(bias power)切换至一写入态(writepower)，而写入策略参数则是用来定义于不同条件下激光脉冲的长度。
请参考图1以及图2，图1为现有写入策略参数的示意图，图2为现有写入策略参数的对照表。EFM基准周期的波形10表示在一光盘中欲写入N周期(NT)长度的凹槽，假设一周期(1T)的分辨率为25＝32，L为激光脉冲12的长度，NsF定义激光脉冲12的最终起始延迟(delay time)，NeF定义激光脉冲12的最终结束延迟，则激光脉冲12的长度L计算如下：
L＝32(N+2)-NsF-(64-NeF)式(1)
化简后可得L＝32N-NsF+NeF式(2)
随着光盘烧录技术的进步，高倍速烧录的光驱陆续出现，如32X、48X的光盘播放器，使得EFM基准周期的长度愈来愈短，在此情况下，造成光学拾取头在写入态以及基准态间的切换太快，而影响写入光盘的凹槽以及平面的长度。现有写入策略参数的设定方式，必须分别依据光驱的烧录速度以及光盘的类型来作调整，举例来说，如图2所示，将不同EFM基准周期的激光脉冲12的最终起始延迟NsF设为同一个值，最终结束延迟NeF也设为同一个值，NsF设为34，NeF设为29，则由式(2)可得不同周期的激光脉冲12的长度L。然而这种写入策略参数的设定方式并无法适用到光驱的不同的烧录速度上，而必须依据光驱的不同烧录速度来重新作调整。
由上述可知，由于光盘播放器的烧录速度愈来愈快，使得EFM基准周期的长度愈来愈短，光驱对于不同类型的光盘都要设定一套写入策略参数，即使是同一种类型的光盘，于不同的烧录速度也需要使用不同的写入策略参数，所以就同一厂牌的同一光盘而言，光驱就需要对于20X至48X等不同的烧录速度各设定一套不同的写入策略参数，是一项繁杂的工作，更何况市面上光盘的厂牌众多，且产品种类多样化，更加重了设定写入策略参数的工作负荷，而庞大的写入策略参数数据库，亦增大了光驱的内存需求。
【发明内容】
因此本发明的主要目的在于提供一种设定写入策略参数的方法，以解决上述问题。
本发明提供一种光驱写入光盘的方法，所述方法包括步骤：决定光驱写入光盘的凹槽的激光脉冲的最终起始延迟，若凹槽之前为三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第一值，若凹槽之前为非三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第二值，其中第一值大于第二值；以及使用光驱依据凹槽的激光脉冲在光盘上写入凹槽。
本发明还提供一种光驱写入一光盘的方法，所述方法包括步骤：决定光驱写入光盘的复数个凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定，使复数个凹槽之前为相同周期的平面，其中三周期凹槽的最终起始延迟小于非三周期凹槽的最终起始延迟；以及使用光驱依据激光脉冲的设定写入光盘。
本发明还提供一种光驱写入光盘的方法，所述方法包括步骤：决定光驱写入光盘的凹槽的激光脉冲的最终结束延迟，若凹槽之后为三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终结束延迟设定为第一值，若凹槽之后为非三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终结束延迟设定为第二值，其中第一值小于第二值；以及使用光驱依据凹槽的激光脉冲在光盘上写入凹槽。
本发明还提供一种光驱写入光盘的方法，所述包括步骤：决定光驱写入光盘的复数个凹槽的激光脉冲的最终结束延迟设定，使复数个凹槽之后为相同周期的平面，其中三周期凹槽的最终结束延迟大于非三周期凹槽的最终结束延迟；以及使用光驱依据激光脉冲的设定写入光盘。
【附图说明】
图1为现有写入策略参数的示意图。
图2为现有写入策略参数的对照表。
图3为本发明写入策略参数的示意图。
图4为本发明写入策略参数的对照表。
图5为本发明激光脉冲的最终起始延迟的对照表。
图6为本发明激光脉冲的最终结束延迟的对照表。
【具体实施方式】
请参考图3，图3为本发明写入策略参数的示意图。在本发明中，激光脉冲22的最终起始延迟由Ns以及X决定，而激光脉冲22的最终结束延迟由Ne以及Y决定。EFM基准周期的波形20表示在光盘中欲写入N周期(NT)长度的凹槽，假设一周期(1T)的分辨率为25＝32，L为激光脉冲22的长度，Ns为激光脉冲22的起始延迟(delay time)，Ne为激光脉冲22的结束延迟，X为依据激光脉冲22与前一脉冲的间隔(即凹槽之前的平面)而定的修补量，Y依据激光脉冲22与后一脉冲的间隔(即凹槽之后的平面)而定的修补量，则激光脉冲22的长度L计算如下：
L＝32(N+2)-(Ns-X)-[64-(Ne-Y)]式(3)
化简后可得L＝32N-(Ns-X)+(Ne-Y)式(4)
其中(Ns-X)定义为激光脉冲22的最终起始延迟，(Ne-Y)定义为激光脉冲22的最终结束延迟。
请参考图4，图4为本发明写入策略参数的对照表。本发明主要是藉由设定写入策略参数(起始延迟Ns、起始延迟修补量X、结束延迟Ne、结束延迟修补量Y)来相对地加长三周期凹槽以及三周期平面的长度，所谓相对是指当三周期凹槽与为非三周期(四周期至十一周期)平面相邻时，能加长三周期凹槽的长度，或是非三周期凹槽与为三周期平面相邻时，能加长三周期平面的长度，而不影响三周期凹槽与三周期平面相邻时或是非三周期凹槽与非三周期平面相邻时凹槽与平面的长度。依据本发明的方法，增加三周期凹槽的长度的方法有二点，第一，三周期凹槽的Ns小于非三周期凹槽的Ns；第二，三周期凹槽的Ne大于非三周期凹槽的Ne。而增加三周期平面的长度的方法有亦有二点，第一，对于任一周期的凹槽，凹槽之前为三周期平面的X小于该凹槽之前为非三周期平面的X；第二，对于任一周期的凹槽，该凹槽之后为三周期平面的Y大于该凹槽之后为非三周期平面的Y。在本发明较佳实施例中，起始延迟Ns、起始延迟修补量X、结束延迟Ne、结束延迟修补量Y的设定值如图四的对照表所示。
请参考图5至图6，图5为本发明激光脉冲22的最终起始延迟的对照表，图6为本发明激光脉冲22的最终结束延迟的对照表。激光脉冲22的最终起始延迟为(Ns-X)，激光脉冲22的最终结束延迟为(Ne-Y)，所以图4的写入策略参数经过整理后，便会产生图5(Ns-X)以及图6(Ne-Y)的对照表。依据本发明的方法，设定激光脉冲22的最终起始延迟时，主要有二个重点，第一，对于同周期的凹槽，凹槽之前为三周期平面的最终起始延迟大于凹槽之前为非三周期平面的最终起始延迟；第二，对于前一平面为同周期的凹槽，三周期凹槽的最终起始延迟小于非三周期凹槽的最终起始延迟。设定激光脉冲22的最终结束延迟时亦有类似的二个重点，第一，对于同周期的凹槽，凹槽之后为三周期平面的最终结束延迟小于凹槽之后为非三周期平面的最终结束延迟；第二，对于后一平面为同周期的凹槽，三周期凹槽的最终结束延迟大于非三周期凹槽的最终结束延迟。
依据图5以及图6的对照表举例说明，假设写入一三周期凹槽，该三周期凹槽之前为三周期平面，该三周期凹槽之后亦为三周期平面，则(Ns-X)＝34，(Ne-Y)＝29，由式(4)可得该三周期凹槽的长度L＝91，以此长度为基准，当该三周期凹槽之前为一七周期平面时，(Ns-X)＝33，使激光脉冲提前驱动光学拾取头切换至写入态，增长该三周期凹槽的长度L＝92，而当该三周期凹槽之后为七周期平面时，(Ne-Y)＝30，使激光脉冲延后驱动光学拾取头切换至基准态，增长该三周期凹槽的长度L＝92，如此，三周期凹槽与为非三周期平面相邻时，三周期凹槽的长度增长了。同样地，假设写入一七周期凹槽，该七周期凹槽之前为六周期平面，该七周期凹槽之后亦为八周期平面，则(Ns-X)＝34，(Ne-Y)＝29，L＝219，以此长度为基准，当该七周期凹槽之前为三周期平面时，(Ns-X)＝35，使激光脉冲延后驱动光学拾取头切换至写入态，缩短该七周期凹槽的长度L＝218，相对增长该七周期凹槽之前的三周期平面的长度，而当七周期凹槽之后为三周期平面时，(Ne-Y)＝28，使激光脉冲提前驱动光学拾取头切换至基准态，缩短该七周期凹槽的长度L＝218，相对增长该七周期凹槽之后的三周期平面的长度，如此，非三周期凹槽与为三周期平面相邻时，非三周期凹槽的长度被缩短，三周期平面的长度相对被增长了。
由上述可知，利用本发明的方法来设定写入策略参数使三周期凹槽增长，而三周期平面也相对被增长，当凹槽与平面交错存在时，凹槽与平面的长度会互相影响，而依据本发明的方法来设定光驱于某一烧录倍数时的写入策略参数，而后将此写入策略参数直接应用于其它不同的烧录倍数上，例如直接于其它较高的烧录倍数上使用相同的写入策略参数，由实验结果验证，可成功的应用于各种厂牌与类型的光盘上，除了高倍速(16X-48X)烧录时可使用相同的写入策略参数，而且烧录的效果亦非常良好，平均的块错误率(Block ErrorRate，BLER)小于20块/秒。
相较于现有技术，依据本发明的方法来设定写入策略参数，针对同一厂牌同一类型的光盘只需设定一套写入策略参数就可以适用于各种高倍速的烧录，如此一来，简化了繁杂的写入策略参数的调制工作。针对同一厂牌同一类型的光盘，使用本发明的方法来设定写入策略参数，只须改变光学拾取头的写入态即可符各种高倍速的烧录要求，而且平均的块错误率也很小。再者，由于写入策略参数调变可依据本发明的方法来设定，可免去多次调校与纠错法的麻烦，在使用不同倍速烧录同一类型的光盘时，采用一致的写入策略参数，可缩短修改与调整不同倍速的写入策略参数的时间，减少写入策略参数设定，如此也能节省储存写入策略参数的内存空间，降低成本。本发明的方法更由实验证明，使用同一写入策略参数于各倍速烧录同一种光盘时，平均的坏区率都在合理的范围之内，故本发明的方法可达到省时、省力、省钱的功效。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明专利的涵盖范围。