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1、10申请公布号CN104312096A43申请公布日20150128CN104312096A21申请号201410513547122申请日2014092910213670120131011TWC08L63/00200601C08L63/04200601C08K9/10200601C08K3/36200601B32B15/092200601B32B15/2020060171申请人南亚塑胶工业股份有限公司地址中国台湾台北市敦化北路201号三楼72发明人冯殿润廖德超赵家峥陈豪升74专利代理机构北京金信知识产权代理有限公司11225代理人朱梅徐琳54发明名称一种表面被覆钼化合物的无机填料及其使用用途5。
2、7摘要一种表面被覆钼化合物的无机填料，使用用途适合添加于积层板或预浸材中及制造较低热膨胀系数的印刷电路板，且添加量可提升到占积层板或预浸材树脂组成物总重的2080WT，也不会影响印刷电路板的钻孔加工性、孔位精确度及焊锡耐热性。30优先权数据51INTCL权利要求书1页说明书9页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书9页附图3页10申请公布号CN104312096ACN104312096A1/1页21一种表面被覆钼化合物的无机填料，应用于制备特性兼具低热膨胀系数、优异耐热性及钻孔加工性的积层板或印刷电路板，其特征在于，包括构成核结构的无机粒子及披覆在无机粒子。
3、表面而构成壳结构的钼化合物表层，其中，所述无机粒子的粒径，介于00150微米M，所述钼化合物表层的钼化合物被覆量，占所述无机填料总重量的0015WT，且所述钼化合的成分为磷钼酸铵NH43PMO3O1046H2O或具有以下通式I的含结晶水钼酸盐XME2OYMOO3NH2OI其中，ME为金属，选自钠NA、铵NH4、钡BA、铁FE、铅PB或铜CU；XY11；12；13；14；110；116；37；38或512；N110正整数。2如权利要求1所述的一种表面被覆钼化合物的无机填料，其中，所述钼化合物表层的钼化合物被覆量，占所述无机填料总重量的013WT。3如权利要求1所述的一种表面被覆钼化合物的无机填料。
4、，其中，所述构成核结构的无机粒子，选自二氧化硅、二氧化钛、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、氧化铝、氧化镁、滑石、氮化铝、氮化硼、碳化硅、氧化锌、氧化锆、石英、钻石粉、类钻石粉、石墨或煅烧高岭土的其中一种或一种以上。4如权利要求1所述的一种表面被覆钼化合物的无机填料，其中，所述构成核结构的无机粒子，为粒径1100纳米NM的熏硅石。5如权利要求1所述的一种表面被覆钼化合物的无机填料，其中，所述含结晶水钼酸盐通式I中的ME，为钠NA或铵NH4。6一种用于制作印刷电路板的预浸材，其特征在于，预浸材的树脂组成物中，含有权利要求1的无机填料，且占树脂组成物总重的2080WT。7一种用于制作印刷电路板的积层板，。
5、其特征在于，积层板的树脂组成物中，含有权利要求1的无机填料，且占树脂组成物总重的2080WT。权利要求书CN104312096A1/9页3一种表面被覆钼化合物的无机填料及其使用用途0001本发明主张国际优先权基础案为TW102136701优先权日2013年10月11日技术领域0002本发明涉及一种表面经过改质的无机填料，特别是一种表面被覆钼化合物的无机填料，适用于改善印刷电路板兼具较低热膨胀系数、较佳耐热性及优异钻孔加工性。背景技术0003随着电子产品朝向“轻、薄、短、小”及功能多样化的发展，印刷电路板趋向具备高密度化及更高传输及处理速度功能。在这种需求下，印刷电路板的刚性、热膨胀系数及耐热性。
6、，将严格要求符合使用规格。0004在现有技术中，为了使印刷电路板具备较高的刚性、耐热性及尺寸安定性，以及具备较低热膨胀系数，常会在制造印刷电路板的环氧树脂配方中加入一定量的无机填料，其中最常添加的无机填料为二氧化硅SIO2。0005但是，二氧化硅的莫氏硬度高达70，相当不利印刷电路板的钻孔加工性。在印刷电路板钻孔加工时，二氧化硅会加速钻头磨损，有更换钻头及重磨钻尖频率过高、以及钻孔加工品质不佳易造成印刷电路板成品电性异常的缺点之外，也造成印刷电路板成本提高及良率下降。0006为了改善印刷电路板钻孔加工性，已经公开的先前技术，包括0007日本特开2005162787号公开案提出添加板状煅烧滑石作。
7、为无机材料莫氏硬度1015，或者减少其添加量，结果印刷电路板的钻孔加工品质并没有明显改善，反而造成印刷电路板的刚性及膨胀系数降低、以及尺寸安定性不佳。0008日本特开2011137054号公开案提出将钼化合物粒子直接添加在树脂配方中，会造成所制造的铜箔基板耐热性下降。发明内容0009为解决上述问题，本发明的主要目的在于提供一种表面被覆钼化合物的无机填料，平均粒径介于00150微米M，包括构成核结构的无机粒子及披覆在无机粒子表面而构成壳结构的钼化合物表层，且限制钼化合物的被覆量占无机填料总重量的0015WT，优选为占013WT。0010该构成核结构的无机粒子，可为球型或不规则型，选自二氧化硅熔融。
8、态或非熔融态、二氧化钛、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、氧化铝、氧化镁、滑石、氮化铝、氮化硼、碳化硅、氧化锌、氧化锆、石英、钻石粉、类钻石粉、石墨、煅烧高岭土或熏硅石的其中一种或一种以上。0011所述构成壳结构的钼化合物表层，其成分为磷钼酸铵NH43PMO3O1046H2O或具有以下通式I的含结晶水钼酸盐0012XME2OYMOO3NH2OI说明书CN104312096A2/9页40013其中，ME为金属，选自钠NA、铵NH4、钡BA、铁FE、铅PB或铜CU；0014XY11；12；13；14；110；116；37；38或512；0015N110正整数；0016本发明的另一主要目的在于提供一种用于。
9、制作印刷电路板的积层板或预浸材，且积层板或预浸材的树脂组成物中，含有所述表面被覆钼化合物的无机填料，且占树脂组成物总重的2080WT。0017本发明的表面被覆钼化合物的无机填料，其使用用途适合添加于积层板或预浸材中及制造较低热膨胀系数的印刷电路板，且提升添加量到占积层板或预浸材树脂组成物总重的2080WT，也不会影响印刷电路板的钻孔加工性、孔位精确度及焊锡耐热性。附图说明0018图1是钻头未钻孔前的钻尖影像。0019图2是图1的钻头对实施例1的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0020图3是图1的钻头对实施例2的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0021图4是图1的钻头对实。
10、施例3的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0022图5是图1的钻头对实施例4的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0023图6是图1的钻头对实施例5的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0024图7是图1的钻头对实施例6的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0025图8是图1的钻头对比较例1的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0026图9是图1的钻头对比较例2的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0027图10是图1的钻头对比较例3的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。0028图11是图1的钻头对比较例4的积层板钻孔加工2,000孔后。
11、的钻尖磨耗影像。0029图12是图1的钻头对比较例5的积层板钻孔加工2,000孔后的钻尖磨耗影像。具体实施方式0030现有技术中的印刷电路板，无机填料的添加量越高，印刷电路板的热膨胀系数越低、印刷电路板的钻孔加工质量越不佳。0031本发明的表面被覆钼化合物的无机填料以下简称本发明的无机填料，是一种表面经过改质的无机填料，适合使用添加于积层板或预浸材中及制造较低热膨胀系数的印刷电路板。0032本发明的无机填料添加量，在积层板或预浸材中的成分中，可提升添加量到占积层板或预浸材树脂组成物总重的2080WT，不但可制得具较低热膨胀系数的印刷电路板，也明显改善印刷电路板的钻孔加工性、孔位精确度及焊锡耐热。
12、性。0033本发明的无机填料添加量，在积层板或预浸材中的成分中，如果低于20WT，对印刷电路板的热膨胀系数不能明显降低，如果高于80WT，则会影响预浸材含浸时的加工性。0034本发明的无机填料，平均粒径介于00150微米M，且结构上包括构成核结构的无机粒子及披覆在无机粒子表面而构成壳结构的钼化合物表层，其中，所述钼化合物表层的钼化合物被覆量，占所述无机填料总重量的0015WT，优选为占013WT。0035所述无机填料的钼化合物被覆量，如果小于所述无机填料总重量的001WT，不说明书CN104312096A3/9页5能明显改善印刷电路板的钻孔加工性；如果大于所述无机填料总重量的5WT，会降低印刷。
13、电路板的耐热性。0036所述构成核结构的无机粒子，选自二氧化硅熔融态或非熔融态、二氧化钛、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、氧化铝、氧化镁、滑石、氮化铝、氮化硼、碳化硅、氧化锌、氧化锆、石英、钻石粉、类钻石粉、石墨或煅烧高岭土的其中一种或一种以上。0037所述构成核结构的无机粒子，也可选用纳米级NANOSIZED多孔硅石，优选为选用平均粒径为1100纳米NM的熏硅石，但添加比例为0110WT；当熏硅石的添加比例大于10WT，会造成树脂组成物黏度提升，加工困难。0038所述构成壳结构的钼化合物表层，其成分为磷钼酸铵NH43PMO3O1046H2O或具有以下通式I的含结晶水钼酸盐0039XME2OYMO。
14、O3NH2OI0040其中，ME为金属，选自钠NA、铵NH4、钡BA、铁FE、铅PB或铜CU；0041XY11；12；13；14；110；116；37；38或512；0042N110正整数；0043一般将XY11的盐称为正钼酸盐；XY12的盐称为重钼酸盐或二钼酸盐；XY37及512的盐称为仲钼酸盐；XY13及14的盐称为偏钼酸盐；XY38的盐称为八钼酸盐；XY110的盐称为十钼酸盐；XY116的盐称为十六钼酸盐，其中N110的整数，即钼酸盐含有结晶水，可改善与水的溶解度，以利于后续无机填料的改质处理。0044所述通式I的含结晶水钼酸盐，包括正钼酸盐ME2OMOO3NH2O、重钼酸盐ME2O2M。
15、OO3NH2O、仲钼酸盐3ME2O7MOO3NH2O、仲钼酸盐5ME2O12MOO3NH2O、偏钼酸盐ME2O3MOO3NH2O、偏钼酸盐ME2O4MOO3NH2O、八钼酸盐3ME2O8MOO3NH2O、十钼酸盐ME2O10MOO3NH2O、十六钼酸盐ME2O16MOO3NH2O。0045式1中的ME为金属，可为钠NA、铵NH4、钡BA、铁FE、铅PB及铜CU，考虑后段改质时与水的溶解度，优选为选用钠NA或铵NH4较佳。0046当式1中的ME为钠NA时，其通式为XNA2OYMOO3NH2O，包含XY11时的正钼酸钠；XY12时的重钼酸钠二钼酸钠；XY37及512时的仲钼酸钠；XY13及14时的。
16、偏钼酸钠；XY110时的十钼酸钠；XY116时的十六钼酸钠，其中N110的整数。0047当式1中之ME为铵NH4时，其通式为XNH42OYMOO3NH2O，包含XY11时的正钼酸铵；XY12时的重钼酸铵二钼酸铵；XY37及512时的仲钼酸铵；XY38时的八钼酸铵；XY13及14时的偏钼酸铵；XY110时的十钼酸铵；XY116时的十六钼酸铵，其中N110的整数。0048本发明的无机填料，在表面被覆钼化合物的处理过程中，可同时并用偶合剂作为表面处理剂。偶合剂的种类，可选用硅烷类偶合剂、钛酸酯类偶合剂或磷酸脂偶合剂的其中一种或一种以上组合。其中，硅烷类偶合剂可选自乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、。
17、乙烯基三乙氧基硅烷、23,4环氧基环己基乙基三甲氧基硅烷、3缩水甘油丙基三甲氧基硅烷、3缩水甘油丙基甲基二甲氧基硅烷、3缩水甘油丙基三乙氧基硅烷、P异丁烯三甲氧基硅烷、3异丁烯丙基甲基二甲氧基硅烷、3异丁烯丙基三甲氧基硅烷、3异丁说明书CN104312096A4/9页6烯丙基三乙氧基硅烷、3异丁烯丙基甲基二甲氧基硅烷、3丙烯酸基丙基三甲氧基硅烷、N2氨乙基3氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N2氨乙基3氨丙基三甲氧基硅烷、N2氨乙基3氨丙基三乙氧基硅烷、3氨丙基三甲氧基硅烷、3氨丙基三乙氧基硅烷、N苯基3氨丙基三甲氧基硅烷、3胺基N1,3二甲基亚丁基丙基三乙氧基硅烷、3硫氢基丙基甲基二甲氧基硅烷、3硫氢。
18、基丙基三甲氧基硅烷或3异氰酸基丙基三乙氧基硅烷；而且，可单独使用或依所需比例将二种或多种组合使用。0049本发明的无机填料，将钼化合物被覆在无机填料表面的方法，有干式方法及湿式方法二种。0050干式方法使用改质混合机进行改质，首先将适量钼化合物溶解于水后，使用特殊喷嘴喷洒的液滴小于02M于室温下以喷洒方式均匀喷涂于无机填料表面，在喷洒过程中，无机填料亦使用混合机均匀搅拌，以达成均匀喷涂的目的，待钼化合物溶液喷涂完毕后，继续搅拌24小时后，再升温至120继续搅拌24小时，将残余水分烘干，即得干式钼化合物改质的无机填料。0051湿式方法为先选用适量钼化合物溶解于水后，再投入适当比例无机填料，无机填。
19、料在水中的固型份约在20，于80均匀搅拌24小时后进行过滤，将过滤后的无机填料于120烘干24小时，即得表面以湿式方法被覆上钼化合物的无机填料。0052本发明的无机填料，其使用用途涵盖用于制作各种积层板及各种电子产品。当积层板的树脂组成物要添加本发明的无机填料时，所使用的树脂组成物不需特别限制，而且，与没有添加所述无机填料的积层板相较，有添加本发明的无机填料的积层板，在钻孔加工性方面获得大幅改善。0053兹列举以下实施例及比较例来阐明本发明的效果，但本发明的权利范围不拘限于实施例的范围。0054【实施例1】0055将03重量份的正钼酸钠NA2MOO42H2O溶于300重量份的水中，使用特殊喷嘴。
20、喷洒的液滴小于02M于室温下以喷洒方式均匀喷涂于300重量份的二氧化硅ADMATECHS公司，产品代号SC2500表面，在喷洒过程中，无机填料亦使用混合机均匀搅拌，以达均匀喷涂的目的，待正钼酸钠溶液喷涂完毕后，继续搅拌24小时，之后再升温至120搅拌24小时，将残余水分烘干，即得正钼酸钠处理的二氧化硅无机填料，简称为改质填料A。0056取100重量份多官能基环氧树脂南亚塑料工业股份有限公司简称NANYA制品，含30重量份NPPN433苯甲醛型酚醛环氧树脂、30重量份NPPN438丙二酚型酚醛环氧树脂、20重量份NPPN454溴化环氧树脂及20重量份NPPN431乙二醛型酚醛环氧树脂、50重量份。
21、的酚醛型树脂硬化剂NANYA公司制品，含25重量份NPEH720H丙二酚型酚醛树脂、15重量份NPEH710H苯酚型酚醛树脂及10重量份BPNA苯甲醛型酚醛树脂及17重量份的2MI，溶于2423重量份的丙酮后，掺混上述制备的改质填料A，即得环氧树脂组成液。0057将玻纤布NANYA公司制品，布种型号7628，含浸上述环氧树脂组成液，然后于170含浸机干燥数分钟，并调整干燥时间将预浸渍体的最低熔融黏度调整为200010000POISE间，最后将胶片叠于二片12M厚的铜箔间，在30KG/CM2压力及温度85下以说明书CN104312096A5/9页75/MIN的加温速率，加温到185后，再保持恒温。
22、120分钟，接着慢慢冷却到130以取得铜箔基板。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0058【实施例2】0059以03重量份二钼酸钠NA2MO2O72H2O处理300重量份二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号SC2500，简称为改质填料B，其处理方式与实施例1相同，并将其掺混至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0060【实施例3】0061以03重量份偏钼酸铵NH42MO4O134H2O处理300重量份二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号S。
23、C2500，简称为改质填料C，其处理方式与实施例1相同，并将其掺混至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0062【实施例4】0063以03重量份仲钼酸铵NH46MO7O244H2O处理300重量份二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号SC2500，简称为改质填料D，其处理方式与实施例1相同，并将其掺混至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0064【实施例5】0065以15重量份仲钼酸铵N。
24、H46MO7O244H2O处理300重量份二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号SC2500，简称为改质填料E，其处理方式与实施例1相同，并将其掺混至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0066【实施例6】0067以30重量份仲钼酸铵NH46MO7O244H2O处理300重量份二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号SC2500，简称为改质填料F，其处理方式与实施例1相同，并将其掺混至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸。
25、渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0068【比较例1】0069掺混未处理的二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号SC2500100重量份至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0070【比较例2】0071直接添加30重量份仲钼酸铵NH46MO7O244H2O并掺混未处理的二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号SC2500300重量份至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0072【。
26、比较例3】0073直接添加30重量份钼酸锌/滑石粉混合物SHERWINWILLIAMS公司制品，产品说明书CN104312096A6/9页8代号KEMGARD911C并掺混未处理的二氧化硅ADMATECHS公司制品，产品代号SC2500300重量份至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0074【比较例4】0075掺混改良的二氧化硅宝琳公司，产品代号G2C300重量份至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如。
27、表1所示。0076【比较例5】0077掺混氢氧化铝昭和电工，产品代号H42M300重量份至环氧树脂组成液中配方同实施例1，制成铜箔基板制造方式同实施例1。测试所制成的铜箔基板的物性，包括预浸渍体配方表及基板物性表，详如表1所示。0078【结论】0079比较表1的实施例16及比较例15的结果后，可以得到以下结论00801实施例1至实施例4为使用不同种类的钼酸盐，以03重量份相对于二氧化硅300重量份时的被覆量处理二氧化硅，之后将钼酸盐处理后的二氧化硅掺混于环氧树脂组成液中制成积层板，经过钻2,000孔后其钻针磨耗量分别为36实施例1、38实施例2、35实施例3及30实施例4，而与添加未处理的二氧。
28、化硅所制成的积层板比较比较例1钻2,000孔后的钻针磨耗量为90，其钻孔加工性大幅改善，且孔位精确度也较佳。00812实施例4至实施例6为使用不同被覆量的仲钼酸铵处理300重量份的二氧化硅，其被覆量分别为03重量份实施例4、15重量份实施例5及30重量份实施例6，随着被覆量的提升，其钻孔加工性及孔位精确度亦明显提升，其钻针磨耗量分别为30实施例4、21实施例5及5实施例6。00823实施例6与比较例2、比较例3的差异为实施例6为使用30重量份的仲钼酸氨处理二氧化硅，比较例2为直接添加30重量份的仲钼酸铵并掺混未处理的二氧化硅，比较例3为直接添加30重量份的钼酸锌/滑石粉混合物911C并掺混未处。
29、理的二氧化硅，由钻针磨耗及孔位精确度比较得知，在配方中含有相同重量份的钼酸盐比较下，其钻针磨耗量为实施例65比较例268比较例383，孔位精确度CPK值为实施例62937优于比较例21735优于比较例31276，其原因为实施例6经由本发明的方式处理二氧化硅，可将仲钼酸盐均匀涂覆于二氧化硅表面，因此在相同重量份下，具有较佳钻孔加工性及孔位精确度，而比较例2及比较例3以添加方式加入仲钼酸铵及钼酸锌/滑石粉混合物911C，单靠后段配方调配时的搅拌，并无法有效均匀分散，因此对钻孔改善效果较差，实施例16的CPK值2032孔位精确度最佳。00834由实施例6与比较例4结果得知，比较例4使用改良型二氧化硅。
30、G2C，莫氏硬度为46作为填料，因此其钻针磨耗量55优于使用一般的二氧化硅莫氏硬度8，钻针磨耗量90，比较例1，但仍较实施例6钻针磨耗量5为差，且实施例6的Z轴膨胀系数为81PPM，大幅优于比较例4的128PPM。00845由实施例6与比较例5结果得知，比较例5使用氢氧化铝莫氏硬度为3作为填料，因此其钻针磨耗量为46优于使用一般的二氧化硅莫氏硬度8，钻针磨耗量90，说明书CN104312096A7/9页9比较例1，但仍较实施例6钻针磨耗量5为差，且实施例6的Z轴膨胀系数为81PPM，大幅优于比较例4的143PPM，另外，使用氢氧化铝于耐焊锡测试时易放出水分，造成耐焊锡测试不佳。00856比较例。
31、2直接添加30重量份的仲钼酸铵NH46MO7O244H2O并掺混未处理的二氧化硅，比较例3直接添加30重量份的钼酸锌/滑石粉混合物911C并掺混未处理的二氧化硅，两个比较例的焊锡耐热性均较实施例1至6的表面处理方式差。00867由以上结果得知，添加莫氏硬度较低的填料改良型二氧化硅或氢氧化铝，与未处理的二氧化硅相比虽可改善钻针磨耗量，但牺牲了积层板的尺寸安定性膨胀系数及焊锡耐热性，添加以本发明的钼化合物处理的二氧化硅，可同时兼顾积层板的物性及钻孔加工性，故本发明具有产业利用价值。0087表1实施例及比较例配方及预浸渍体与基板物性表单位重量份0088说明书CN104312096A8/9页10008。
32、9说明书CN104312096A109/9页110090注00911配方组成单位为重量份。00922以04MM厚度三叠板钻完2,000孔后，以扫靶机NACHVISION制，型号HOLEAOITMEPRESS量测钻孔的孔位精确度CPK值，CPK值越高，孔位越精确。009300944膨胀系数COEFCIENTOFTHERMALEXPENSION将压合后的积层板蚀刻剥铜后，以钻石裁切机将样品裁切为长宽厚为4408MM的尺寸，以TMATHERMOMECHANICALANALYSIS量测积层板的膨胀系数；其中，XY轴表示玻纤布平面方向，Z轴表示基板厚度方向。00955288焊锡耐热性将试片经过2小时压力锅条件121，2大气压处理，浸入288焊锡炉中，记录试片爆板分层所需时间。00966直接添加30重量份的仲钼酸铵NH46MO7O244H2O并掺混未处理的二氧化硅，非处理式方法。说明书CN104312096A111/3页12图1图2图3图4说明书附图CN104312096A122/3页13图5图6图7图8说明书附图CN104312096A133/3页14图9图10图11图12说明书附图CN104312096A14。