一种可避免光阻间隔物移动的像素结构.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201510179212.5

申请日:

2015.04.16

公开号:

CN104730777A

公开日:

2015.06.24

当前法律状态:

公开

有效性:

审中

法律详情:

公开

IPC分类号:

G02F1/1339; G02F1/1362

主分类号:

G02F1/1339

申请人:

友达光电股份有限公司

发明人:

吴彦锋

地址:

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号

优先权:

专利代理机构:

北京律诚同业知识产权代理有限公司11006

代理人:

徐金国

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内容摘要

本发明提供一种可避免光阻间隔物移动的像素结构,包括:多条扫描线;多条数据线,与扫描线垂直交错设置;多个像素,设置于扫描线与相应数据线的交叉位置;第一光阻间隔物,位于两基板之间;第二光阻间隔物,位于两基板之间,与第一光阻间隔物等高;以及第三金属层,其一部分走线从第一光阻间隔物的下方穿过且与之接触从而形成主光阻间隔物,另一部分走线从第二光阻间隔物的下方绕过且不与之接触从而形成次光阻间隔物。相比于现有技术,本发明对第三金属层的走线进行特别设计,藉此实现混合式间隔物架构,以形成类似于金属台阶的结构避免光阻间隔物发生移动。此外,还可将第三金属层电耦接至面板内的共通电极,从而提升共通电压的均匀度。

权利要求书

权利要求书
1.  一种可避免光阻间隔物移动的像素结构,其特征在于,所述像素结 构包括:
多条扫描线,设置于沿着第一方向延伸;
多条数据线,设置于沿着第二方向延伸,所述数据线与所述扫描线交 错设置,且所述第二方向与所述第一方向彼此垂直;
多个像素,每一像素设置于所述扫描线与相应数据线的交叉位置;
一第一光阻间隔物,位于第一基板和第二基板之间;
一第二光阻间隔物,位于第一基板和第二基板之间,其高度等于所述 第一光阻间隔物的高度;以及
一第三金属层,其中,所述第三金属层的一部分走线从所述第一光阻 间隔物的下方穿过且与所述第一光阻间隔物相接触从而形成主光阻间隔 物,所述第三金属层的另一部分走线从所述第二光阻间隔物的下方绕过且 不与所述第二光阻间隔物接触从而形成次光阻间隔物。

2.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第三金属层沿 着所述第一方向走线且平行于所述扫描线。

3.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第三金属层沿 着所述第二方向走线且平行于所述数据线。

4.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第三金属层沿 着所述第一方向以及所述第二方向走线,从而形成一金属网格。

5.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第三金属层还 电性耦接至一共通电极层,以提升面板内的共通电压的均匀性。

6.  根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述共通电极层由 氧化铟锡材质制成。

7.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构适用 于一超大视角高清晰度显示器。

8.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一光阻间隔 物和所述第二光阻间隔物均为圆柱结构或圆锥结构。

说明书

说明书一种可避免光阻间隔物移动的像素结构
技术领域
本发明涉及一种像素结构,尤其涉及一种可避免光阻间隔物的像素结 构。
背景技术
液晶显示面板由于具有轻薄短小与节能等优点,已被广泛地应用在各 式电子产品,如智能手机(smart phone)、笔记型电脑(notebook computer)、 平板电脑(table PC)与电视(TV)等。一般而言,液晶显示面板主要包 括一第一基板例如阵列基板、一第二基板例如对向基板以及一液晶层设置 于第一基板与第二基板之间。
此外,液晶显示面板还包括光阻间隔物(Photo Spacer,PS)。其设置 在第一基板与第二基板之间,用于保持阵列基板与对向基板贴合时的均匀 平坦度,并提供液晶分布的固定液晶间隙。众所周知,当液晶量相同时, PS高度的变化会造成各种不良情形的产生,例如,当PS高度导致液晶间 隙局部急剧变化时,这部分区域就会产生云纹(如,条状Mura或光晕Mura)。 在现有的液晶显示面板中,光阻间隔物可分为主光阻间隔物(Main PS)或 次光阻间隔物(Sub PS)。主光阻间隔物是指在液晶显示面板处于正常状态 下,其同时与第一基板及第二基板接触,或者同时与第一基板上的膜层与 第二基板上的膜层接触,使得第一基板与第二基板之间能够维持固定的间 隙;次光阻间隔物是指在液晶显示面板处于正常状况(未产生形变或受到 外力按压的状况)下,其并不与第一基板接触或第一基板上的膜层接触, 但在受到外力按压的状况下,次光阻间隔物可以和第一基板接触或第一基 板上的膜层接触,藉此可以避免显示面板产生过大的形变而受到损伤。由 于次光阻间隔物的数目通常相对于主光阻间隔物的数目为多,藉此对于显 示面板的暗态漏光的抑制较为显著,进而可有效提升对比度与降低黑画面 的暗态亮度。此外,主光阻间隔物与次光阻间隔物可混用,亦即,一部分 的光阻间隔物作为主光阻间隔物,且另一部分的光阻间隔物作为次光阻间 隔物。
另一方面,现有的一些液晶显示面板为因应大尺寸的设计趋势,诸如 超大视角高清晰度显示器(Advanced Hyper View Angle,AHVA),其并未 设置额外的金属层,从而可提高穿透率、降低数据线和扫描线上的负载和 减小功耗。然而,这些液晶显示面板中的主光阻间隔物与薄膜晶体管的接 触位置与像素电极的开口区不存在高度差,这将造成光阻间隔物发生相对 位移,导致条状Mura或光晕Mura等不良情形。
有鉴于此,如何设计一种可避免光阻间隔物的像素结构,以消除现有 技术中的上述缺陷和不足,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
针对现有技术中的液晶显示面板的像素结构所存在的上述缺陷,本发 明提供一种新颖的、可避免光阻间隔物移动的像素结构。
依据本发明的一个方面,提供了一种可避免光阻间隔物(Photo Spacer, PS)移动的像素结构,包括:
多条扫描线,设置于沿着第一方向延伸;
多条数据线,设置于沿着第二方向延伸,所述数据线与所述扫描线交 错设置,且所述第二方向与所述第一方向彼此垂直;
多个像素,每一像素设置于所述扫描线与相应数据线的交叉位置;
一第一光阻间隔物,位于第一基板和第二基板之间;
一第二光阻间隔物,位于第一基板和第二基板之间,其高度等于所述 第一光阻间隔物的高度;以及
一第三金属层,其中,所述第三金属层的一部分走线从所述第一光阻 间隔物的下方穿过且与所述第一光阻间隔物相接触从而形成主光阻间隔物 (Main PS),所述第三金属层的另一部分走线从所述第二光阻间隔物的下 方绕过且不与所述第二光阻间隔物接触从而形成次光阻间隔物(Sub PS)。
在其中的一实施例,所述第三金属层沿着所述第一方向走线且平行于 所述扫描线。
在其中的一实施例,所述第三金属层沿着所述第二方向走线且平行于 所述数据线。
在其中的一实施例,所述第三金属层沿着所述第一方向以及所述第二 方向走线,从而形成一金属网格(Metal Mesh)。
在其中的一实施例,所述第三金属层还电性耦接至一共通电极层,以 提升面板内的共通电压的均匀性。
在其中的一实施例,所述共通电极层由氧化铟锡材质制成。
在其中的一实施例,所述像素结构适用于一超大视角高清晰度显示器 (Advanced Hyper View Angle,AHVA)。
在其中的一实施例,所述第一光阻间隔物和所述第二光阻间隔物均为 圆柱结构或圆锥结构。
采用本发明的可避免光阻间隔物移动的像素结构,多条扫描线沿着第 一方向延伸,多条数据线沿着第二方向延伸,数据线与扫描线垂直交错设 置,第一光阻间隔物位于第一基板和第二基板之间,第二光阻间隔物也位 于第一基板和第二基板之间且与第一光阻间隔物的高度相等,第三金属层 的一部分走线从第一光阻间隔物的下方穿过并与第一光阻间隔物相接触从 而形成主光阻间隔物,且第三金属层的另一部分走线从第二光阻间隔物的 下方绕过且不与第二光阻间隔物接触从而形成次光阻间隔物。相比于现有 技术,本发明对第三金属层的走线进行特别设计,藉此实现混合式光阻间 隔物架构(hybrid PS),并形成类似于金属台阶的结构来避免光阻间隔物发 生移动。此外,还可将该第三金属层电性耦接至面板内的共通电极,从而 提升共通电压的均匀度。
附图说明
读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后,将会更清楚地了 解本发明的各个方面。其中,
图1示出依据本发明的一实施方式,可避免光阻间隔物移动的像素结 构的截面示意图;
图2示出图1的像素结构中的第三金属层的走线设计的第一实施例;
图3示出图1的像素结构中的第三金属层的走线设计的第二实施例; 以及
图4示出图1的像素结构中的第三金属层的走线设计的第三实施例。
具体实施方式
为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备,可参照附图以及本 发明的下述各种具体实施例,附图中相同的标记代表相同或相似的组件。 然而,本领域的普通技术人员应当理解,下文中所提供的实施例并非用来 限制本发明所涵盖的范围。此外,附图仅仅用于示意性地加以说明,并未 依照其原尺寸进行绘制。
下面参照附图,对本发明各个方面的具体实施方式作进一步的详细描 述。
图1示出依据本发明的一实施方式,可避免光阻间隔物移动的像素结 构的截面示意图。
参照图1,在该实施方式中,本发明的像素结构包括多条扫描线、多 条数据线、多个像素、第一光阻间隔物PS1和第二光阻间隔物PS2。其中, 扫描线设置于沿着第一方向(如,水平方向)延伸。数据线设置于沿着第 二方向(如,竖直方向)延伸,数据线与扫描线交错设置,且第二方向与 第一方向彼此垂直。每一像素设置于扫描线与相应数据线的交叉位置。此 外,第一金属层M1位于第二基板20的上方,用以形成薄膜晶体管的栅极。 第二金属层M2位于第一金属层M1的上方,用以分别形成薄膜晶体管的 漏极和源极。该薄膜晶体管的漏极还电性耦接至像素电极(pixel electrode) 204。
第一光阻间隔物PS1位于第一基板(如,对向基板)10和第二基板(如, 阵列基板)20之间。第二光阻间隔物PS2也位于第一基板10和第二基板 20之间。第二光阻间隔物PS2的高度等于第一光阻间隔物PS1的高度,如 图1中的水平虚线所示。
需要指出的是,本发明的像素结构还设有一第三金属层M3。第三金属 层M3的一部分走线从第一光阻间隔物PS1的下方穿过且与第一光阻间隔 物PS1相接触从而形成主光阻间隔物(Main PS);第三金属层M3的另一 部分走线从第二光阻间隔物PS2的下方绕过且不与第二光阻间隔物PS2接 触从而形成次光阻间隔物(Sub PS)。由上述可知,相比于现有技术,本发 明对第三金属层M3的走线进行特别设计,藉此实现混合式光阻间隔物架 构(hybrid PS)。此外,该走线设计还可形成类似于金属台阶(metal stage) 的结构,从而避免光阻间隔物发生移动。
在一具体实施例,第三金属层M3还电性耦接至一共通电极层202,以 提升面板内的共通电压(如图1中的com所示)的均匀性。例如,该共通 电极层202由氧化铟锡(ITO)材质制成。
在一具体实施例,第一光阻间隔物PS1和第二光阻间隔物PS2均为圆 柱结构或圆锥结构。
图2示出图1的像素结构中的第三金属层的走线设计的第一实施例。
如前所述,第三金属层M3的一部分走线从第一光阻间隔物PS1的下 方穿过且与第一光阻间隔物PS1相接触,第三金属层M3的另一部分走线 从第二光阻间隔物PS2的下方绕过且不与第二光阻间隔物PS2接触。在图 2的实施例中,第三金属层M3沿着第一方向(如,水平方向)走线且平行 于扫描线。
图3示出图1的像素结构中的第三金属层的走线设计的第二实施例。
将图3与图2进行比较,其主要区别是在于第三金属层M3的走线方 向不同。具体而言,图3中的第三金属层M3沿着第二方向(如,竖直方 向)走线且平行于数据线。
图4示出图1的像素结构中的第三金属层的走线设计的第三实施例。
将图4与图2进行比较,其主要区别是在于第三金属层M3的走线方 向不同。具体而言,图4中的第三金属层M3沿着第一方向以及第二方向 走线,从而形成一金属网格(Metal Mesh)。亦即,在该实施例中,第三金 属层M3不仅沿水平方向走线,而且还沿竖直方向走线。
采用本发明的可避免光阻间隔物移动的像素结构,多条扫描线沿着第 一方向延伸,多条数据线沿着第二方向延伸,数据线与扫描线垂直交错设 置,第一光阻间隔物位于第一基板和第二基板之间,第二光阻间隔物也位 于第一基板和第二基板之间且与第一光阻间隔物的高度相等,第三金属层 的一部分走线从第一光阻间隔物的下方穿过并与第一光阻间隔物相接触从 而形成主光阻间隔物,且第三金属层的另一部分走线从第二光阻间隔物的 下方绕过且不与第二光阻间隔物接触从而形成次光阻间隔物。相比于现有 技术,本发明对第三金属层的走线进行特别设计,藉此实现混合式光阻间 隔物架构(hybrid PS),并形成类似于金属台阶的结构来避免光阻间隔物发 生移动。此外,还可将该第三金属层电性耦接至面板内的共通电极,从而 提升共通电压的均匀度。
上文中,参照附图描述了本发明的具体实施方式。但是,本领域中的 普通技术人员能够理解,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,还可以 对本发明的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发 明权利要求书所限定的范围内。

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本发明提供一种可避免光阻间隔物移动的像素结构,包括:多条扫描线;多条数据线,与扫描线垂直交错设置;多个像素,设置于扫描线与相应数据线的交叉位置;第一光阻间隔物,位于两基板之间;第二光阻间隔物,位于两基板之间,与第一光阻间隔物等高;以及第三金属层,其一部分走线从第一光阻间隔物的下方穿过且与之接触从而形成主光阻间隔物,另一部分走线从第二光阻间隔物的下方绕过且不与之接触从而形成次光阻间隔物。相比于现有技。

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