记录装置.pdf

一种记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，可以进行记录或者再现，具有能进行以下控制的主控制器：检测从光信息记录介质反射的激光的反射光，当在生成与ROM信息和RAM信息对应的信号的记录信息检测系统的输出中，同时具有与ROM信息和RAM信息对应的ROM信号和RAM信号时，利用上述记录信息检测系统的输出中的ROM信号，对半导体激光器的发光进行负反馈控制，并且通过实施控制，从检测上述激光强度的光强度检测系统的输出中获得所读取再现的ROM信号。

1、  一种至少可以进行记录或再现的记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，至少可以进行记录或再现，其特征在于，具有：
发射光束的光源；
记录信息检测系统，检测从光信息记录介质反射来的上述光束的反射光，生成与ROM信息以及RAM信息对应的信号；
光强度检测系统，检测来自上述光源的光束强度；
驱动器，控制上述光源的光束发光量；以及
控制器，当在上述记录信息检测系统的输出中同时具有与ROM信息以及RAM信息对应的ROM信号以及RAM信号时，利用上述记录信息检测系统的输出中的ROM信息，通过上述驱动器，对上述光源的发光进行负反馈控制，并且，通过控制，从上述光强度检测系统的输出中获得被读取再现的ROM信号。

2、  根据权利要求1所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
上述光信息记录介质还具有透明基板和形成于其上面的磁记录膜层；
具有用于在上述光信息记录介质上进行磁记录的磁头、和在磁记录时以及读出时用于将上述光束聚焦在焦点上的物镜；
上述磁头被配置在与上述光信息记录介质的上述磁记录膜层侧相对面的位置，并且，通过上述物镜而聚焦在焦点上的光束照射在上述磁记录膜层侧。

3、  根据权利要求1所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
具有错误修正控制部，在记录上述RAM信息时，将通过上述相位凹坑记录的ROM信息和作为记录对象的RAM信息进行组合，生成错误修正信号，并将其作为上述RAM信号，用来控制在上述ROM信息上的磁记录。

4、  根据权利要求1所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
上述ROM信息和上述RAM信息的记录调制方式不同。

5、  根据权利要求4所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
上述光信息记录介质具有透明基板和形成于其上的磁记录膜层；
作为上述RAM信息的记录调制方式，使用磁场调制方式，通过向上述磁记录膜层照射脉冲光来进行记录。

6、  根据权利要求1所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
还具有延迟处理部，用于根据上述ROM信息再现时钟，以上述再现的时钟为基准，控制在上述ROM信息上磁记录上述RAM信息的时间。

7、  根据权利要求6所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
在将数据比特长度设为T时，通过上述延迟处理部，使磁记录上述RAM信息的时间相对于由上述ROM信息再现的时钟，延迟nT+ΔT(n是包含0的整数)。

8、  根据权利要求1所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
成为上述至少记录或者再现的对象的光信息记录介质具有：基板，具有刻有作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；
上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，上述λ是被用于记录或者再现的激光波长)，并且，上述相位凹坑的调制度为10％～37％。

9、  根据权利要求8所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
上述光信息记录介质的上述相位凹坑的凹坑宽度相对于轨道间距宽度大致为18％～24％。

10、  一种至少可以进行记录或再现的记录装置，能够对下述的光信息记录介质，至少可以进行记录或者再现，该光信息记录介质具有：基板，具有刻有作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，上述λ是被用于记录或者再现的激光波长)，并且，上述相位凹坑的调制度为10％～37％；
其特征在于，具有：
光源，发出向上述光信息记录介质照射的光束；
第1检测系统，从上述光束的由光信息记录介质反射的反射光中检测出ROM信号；以及
第2检测系统，从上述光束的由光信息记录介质反射的反射光中检测出RAM信号。

11、  一种至少可以进行记录或再现的记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，至少可以进行记录或再现，
其特征在于，具有：
光源，使上述光束发光；
记录信息检测系统，检测出上述光束的从光信息记录介质反射的反射光，生成与ROM信息以及RAM信息对应的信号；以及
延迟处理部，根据上述ROM信息再现时钟，以上述再现的时钟为基准，控制在上述ROM信息上磁记录上述RAM信息的时间。

12、  根据权利要求11所述的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，
在将数据比特长度设为T时，通过上述延迟处理部，使磁记录上述RAM信息的时间相对于由上述ROM信息再现的时钟，延迟nT+ΔT(n是包含0的整数)。

记录装置
技术领域
本发明涉及记录装置，尤其涉及与可以同时再现ROM-RAM的光信息记录介质相对应的至少可以进行记录或者再现的记录装置。
背景技术
目前，关于光磁盘存储器，在高密度存储、再现以及高速访问方面，正在积极地进行研究、开发。图1是作为ISO规格的记录介质的一例的光磁盘的俯视图。导入区1和导出区2是由根据反射膜对形成在聚碳酸酯基板上的凹凸进行反射的原理的相位凹坑构成的ROM信息，其记录磁盘的规格等信息。通过读取该信息，装置对记录再现的条件进行控制。
形成该ROM信息的相位凹坑(pits)的光学深度(凹坑深度)被设定为再现时的光强度调制最大。一般被设定为70％以上的调制度(相对于没有形成纹沟(groove)和凹凸的平坦部的光强度的相位凹坑部的光强度变化的比率)。
在导入区1和导出区2之间具有通过溅射装置形成光磁记录膜的用户区域3。用户可以自由地在该用户区域3上记录信息。
图2是放大用户区域3的俯视图的一部分。其具有：在隔着作为寻轨向导的纹沟4的凸区5上形成作为首标部6的相位凹坑8；以及用户数据部7。按照扇区格式，首标部6的信息由扇区标记、VFO、ID等构成。
另一方面，用户数据部7是隔着纹沟(groove)4的平坦的纹面(land)5，用来记录光磁信号。通过利用激光对光磁记录膜进行加热，促使磁化反转，使其对应信号磁场而反转磁化方向，由此来进行光磁信号的记录。
图3是表示沿着图2的半径方向、即沿着A-B线的剖面的概念构造图。由聚碳酸酯等的基板A、电介体膜B、TbFeCo等的光磁记录膜C、电介体膜D、Al膜E、以及作为保护层的UV固化膜F叠层而成。
另外，图3表示对图2的结构进行了与近年来的光磁盘相对应的修正的结构。即，在图3中，为了在纹沟4的区域中也能进行光磁记录，使纹面5的区域在半径方向上具有同样的宽度。
在记录信息的读出时，通过照射弱激光，使激光的偏振面对应记录层磁化的方向，因极性克尔效应而改变，根据此时的反射光的偏振光成分的强弱来判断有无信号。由此，可以读出RAM信号。
对利用这种光磁盘存储器的特征的研究、开发正在进行，例如，特开平6-202820号公报或者电视学会杂志论文Vol.46，No.10，pp1319～1324(1992)中已经公开了ROM(read only memory)-RAM(read accessmemory)可以同时再现的并行ROM-RAM光盘(以后称为光信息记录介质)。
该ROM-RAM可以同时再现的光信息记录介质具有如图4所示的半径方向的剖面构造，作为一例，由聚碳酸酯等的基板A、电介体膜B、TbFeCo等的光磁记录膜C、电介体膜D、Al膜E、以及作为保护层的UV固化膜F叠层而成。
在该构造的光信息记录介质中，如图5所示，ROM信息由相位凹坑PP固定记录，RAM信息由光磁记录OMM记录在相位凹坑PP列上。另外，图5中的半径方向的A-B线方向的剖面与图4一致。
在图5所示的例子中，由于相位凹坑PP列成为寻轨向导，所以，没有设置如图2、图3所示的纹沟。
在同一记录面上具有这种ROM信息和RAM信息的光信息记录介质中，为了同时再现由相位凹坑PP构成的ROM(读出专用)信息和由光磁记录OMM构成的RAM(可以写入、改写)信息，存在许多课题。第一，要想使ROM信息和RAM信息同时稳定地再现，必须降低读出ROM信号时发生的光强度调制信号。
因此，在上述以往技术所公开的记录装置中，采用了通过将伴随着ROM信号读出时的光强度调制信号负反馈(以下称为MPF：“ModulatedPower Feedback”)到读出驱动用的激光器中，来降低光强度调制信号的技术。
但是，在ROM信息地光强度调制度大的情况下，只根据该以往的技术是不充分的。即，在降低ROM信息的光强度调制方面，在过于降低该光强度调制的情况下，结果会降低ROM信息自身的再现容限。
另外，作为使用上述光信息记录介质、应用MPF的以往的记录装置，在特开平1-166350号公报、特开平7-65375号公报、上述电视学会杂志论文上已经记载了如图6所示的结构例已经被公知。
对该结构的概略进行说明，从作为发出光束的光源的半导体激光二极管LD射出的光束、即激光通过准直透镜10被转换为平行光束。
接着，被转换的平行光束入射到偏振光光束分离器11中。透过偏振光光束分离器11的光束通过物镜16被聚焦到接近绕射极限(diffraction limit)，照射到本发明的光信息记录介质17上。光信息记录介质17通过马达18进行旋转。另外，由光信息记录介质17反射的光束再一次经过物镜16入射到偏振光光束分离器11中，在此处被反射，并被导入到伺服光学系统和记录信息检测系统中。
即，由偏振光光束分离器11反射的、来自光信息记录介质17的反射光入射到第2偏振光光束分离器19中，该透过光入射到伺服光学系统中，第2偏振光光束分离器19的反射光入射到记录信息检测系统中。
来自第2偏振光光束分离器19的透过光经过伺服光学系统中的聚光镜20以及圆柱形(cylindrical)透镜21，入射到4分割光探测器22中，在此处进行光电转换。
根据进行了光电转换的4分割光探测器22的输出，由根据像散法的生成电路23进行聚焦错误检测(FES)。同时，由根据推挽法的生成电路24进行寻轨错误检测(TES)。
被检测的聚焦错误检测(FES)以及寻轨错误检测(TES)经过FES、TES致动器37，被用于对寻轨进行反馈控制。
另一方面，在记录信息检测系统中，反射激光入射到记录信息检测系统中的2光束沃拉斯顿(Wollaston)棱镜26中，根据对应光信息记录介质17上的光磁记录的磁化方向的变化而变化的反射激光的偏振光特性，将其分离为相互正交的两个光束，并经过聚光镜27入射到2分割光探测器28中，分别进行光电转换。
在2分割光探测器28中进行了光电转换的2个电信号，一个由加法放大器29进行加法运算，并导入到LD控制器100中，另一个由减法放大器30进行减法计算，成为RAM读出信号(RAM)。
导入到LD控制器100中的加法放大器29的输出，从LD控制器100以LD驱动用电流的形式输出。并且，通过监控该驱动电流来检测ROM信号。
此时，在检测ROM信号以及RAM信号方面，为了除去由来自光信息记录介质17的返回光而产生的干扰，在图7所示的LD控制器100的结构中，附加了在LD驱动电流上重叠几百MHz带宽的高频信号101的电路。
因此，要求未图示的LD驱动电路的LD侧具有从LD控制器100流出高频驱动电流的特性。为了检测出ROM信号，经过放大器102来检测信号，这样可以减小对LD驱动电路的频率特性的影响。然而，将给予LD驱动电路的频率特性的影响减小到零也是困难的。因此，在以往的图6所示的记录装置的结构中存在着使ROM信号和RAM信号的特征劣化的问题。
发明内容
为了解决上述的各种问题，本发明的目是提供一种对应能够避免在同时读出ROM-RAM信息时的ROM信息的光强度调制影响的光信息记录介质的至少可以进行记录或再现的记录装置。
另一方面，本发明人通过进行各种各样的研究，认识到关于ROM信息读取中的光强度调制的降低，存在着适应值。所以，本发明的目的在于，提供一种对应基于该认识而提出的、在同时读出ROM-RAM信息时能够稳定地再现RAM信息的光信息记录介质的至少可以进行记录或再现的记录装置。
另外，本发明的目的在于，提供一种对应在同时读出ROM-RAM信息时可以降低作为ROM信息的相位凹坑边缘所产生的偏振光干扰的光信息记录介质的至少可以进行记录或再现的记录装置。
另外，本发明的目的还在于，提供一种对上述以往的记录装置中的LD驱动电路的周期特性没有影响、并且能够正确读出ROM信号以及RAM信号的记录装置。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之一的至少可以进行记录或再现的记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，至少可以进行记录或再现，其特征在于，具有：发射上述光束的光源；记录信息检测系统，检测从光信息记录介质反射来的上述光束的反射光，生成与ROM信息以及RAM信息对应的信号；光强度检测系统，检测来自上述光源的光束强度；驱动器，控制上述光源的光束发光量；以及控制器，当在上述记录信息检测系统的输出中同时具有与ROM信息以及RAM信息对应的ROM信号以及RAM信号时，利用上述记录信息检测系统的输出中的ROM信息，通过上述驱动器，对上述光源的发光进行负反馈控制，并且，通过控制，从上述光强度检测系统的输出中获得被读取再现的ROM信号。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之二的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之一的基础上，上述光信息记录介质还具有透明基板和形成于其上面的磁记录膜层；具有用于在上述光信息记录介质上进行磁记录的磁头、和在磁记录时以及读出时用于将上述光束聚焦在焦点上的物镜；上述磁头被配置在与上述光信息记录介质的上述磁记录膜层侧相对面的位置，并且，通过上述物镜而聚焦在焦点上的光束照射在上述磁记录膜层侧。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之三的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之一的基础上，具有错误修正控制部，在记录上述RAM信息时，将通过上述相位凹坑记录的ROM信息和作为记录对象的RAM信息进行组合，生成错误修正信号，并将其作为上述RAM信号，用来控制在上述ROM信息上的磁记录。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之四的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之一的基础上，上述ROM信息和上述RAM信息的记录调制方式不同。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之五的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之四的基础上，上述光信息记录介质具有透明基板和形成于其上的磁记录膜层；作为上述RAM信息的记录调制方式，使用磁场调制方式，通过向上述磁记录膜层照射脉冲光来进行记录。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之六的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之一的基础上，还具有延迟处理部，用于根据上述ROM信息再现时钟，以上述再现的时钟为基准，控制在上述ROM信息上磁记录上述RAM信息的时间。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之七的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之六的基础上，在将数据比特长度设为T时，通过上述延迟处理部，使磁记录上述RAM信息的时间相对于由上述ROM信息再现的时钟，延迟nT+ΔT(n是包含0的整数)。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之八的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之一的基础上，成为上述至少记录或者再现的对象的光信息记录介质具有：基板，具有刻有作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，上述λ是被用于记录或者再现的激光波长)，并且，上述相位凹坑的调制度为10％～37％。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之九的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之八的基础上，上述光信息记录介质的上述相位凹坑的凹坑宽度相对于轨道间距宽度大致为18％～24％。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之十的至少可以进行记录或再现的记录装置，能够对下述的光信息记录介质，至少可以进行记录或者再现，该光信息记录介质具有：基板，具有刻有作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，上述λ是被用于记录或者再现的激光波长)，并且，上述相位凹坑的调制度为10％～37％；其特征在于，具有：光源，发出向上述光信息记录介质照射的光束；第1检测系统，从上述光束的由光信息记录介质反射的反射光中检测出ROM信号；以及第2检测系统，从上述光束的由光信息记录介质反射的反射光中检测出RAM信号。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之十一的至少可以进行记录或再现的记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息，并且在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，至少可以进行记录或再现，其特征在于，具有：光源，使上述光束发光；记录信息检测系统，检测出上述光束的从光信息记录介质反射的反射光，生成与ROM信息以及RAM信息对应的信号；以及延迟处理部，根据上述ROM信息再现时钟，以上述再现的时钟为基准，控制在上述ROM信息上磁记录上述RAM信息的时间。
为了达到上述本发明的目的，作为本发明之一的至少可以进行记录或再现的记录装置，其特征在于，在本发明之十一的基础上，在将数据比特长度设为T时，通过上述延迟处理部，使磁记录上述RAM信息的时间相对于由上述ROM信息再现的时钟，延迟nT+ΔT(n是包含0的整数)。
附图说明
图1是作为ISO规格的记录介质的一例的光磁盘的俯视图。
图2是将图1所示的光磁盘存储器的用户区域3放大的俯视图的一部分。
图3是表示沿着图2中A-B线的半径方向的剖面构造的图。
图4是表示ROM-RAM可以同时再现的光信息记录介质的剖面构造的图。
图5是对图4构造的光信息记录介质中的ROM信息和RAM信息的记录进行说明的图。
图6是表示使用光信息记录介质、应用MPF的记录装置的以往的结构例的图。
图7是表示图6中的LD控制器100的结构的图。
图8是与光信息记录介质对应的本发明所涉及的记录装置的实施例结构的方框图。
图9是对4分割光探测器22、以及根据其输出的聚焦错误(FES)检测和寻轨错误(TES)检测的方法进行说明的图。
图10表示主控制器15的详细结构例的图。
图11是表示主控制器15中的在各种模式下的ROM1、ROM2以及RAM的检测的组合的图。
图12是说明加密器151以及解密器156的结构及它们所进行的处理的一例的图。
图13是表示RAM以及ROM信号的调制方式的图。
图14是对在本发明中，利用脉冲使半导体激光二极管LD发光的磁场调制方式进行说明的图。
图15是表示不同的记录标记形状的图。
图16是为了进行同步处理，而再现ROM信号的时钟的主控制器15内的同步检测电路154的结构例。
图17是采用脉冲照射的磁场调制记录方式情况下的时序图。
图18是对根据脉冲照射的磁场调制记录方式中的脉冲发光对ROM信号的影响进行说明的图。
图19是关于图6结构的以往例记录装置和本发明所涉及的实施例记录装置，在LD驱动电流相同的条件下进行比较的图。
图20是表示关于以往例和本发明的实施例，对ROM信号以及RAM信号的CNR以及信噪比(noise level)进行比较的结果的图。
图21是为了研究对上述图8所示的记录装置中的光信息记录介质的激光照射方法而示出的光学系统的图。
图22是沿着半径方向切断本发明涉及的盘状的光信息记录介质中的相位凹坑PP而形成的剖面图。
图23是表示作为为了理解由本发明的记录装置来进行记录再现的光学信息记录介质的特征的前提的相位凹坑的形状的图。
图24是表示对由本发明人所测定的调制度、寻轨错误信号(TES)的凹坑深度Pd、以及凹坑宽度Pw的相关性的坐标图。
图25是表示相位凹坑的调制度对ROM信号以及RAM信号的抖动的影响的图表。
图26是说明调制度的测定方法的图。
图27是表示所测定的ROM抖动和RAM抖动的调制度相关性的坐标图。
图28是检测光的光束强度形状和凹坑形状的切线方向剖面图。
图29是对调制度的近似式进行说明的图。
图30是对推挽信号的近似式进行说明的图。
图31是表示检测光的光束点(beam spot)形状和凹坑形状的切线方向剖面图。
具体实施方式
图8是表示对应光信息记录介质的本发明的记录装置的实施例结构的方框图。在图8中，从作为发出光束的光源的半导体激光二极管LD(波长785nm)射出的光束、即激光、通过准直透镜10被转换为平行光束。
接着，被转换的平行光束入射到偏振光光束分离器11中。偏振光光束分离器11中的反射光通过聚光镜12，入射到自动功率控制(APC)用的光探测器13中。
作为本发明的记录装置的特征之一，是通过光探测器13光电转换的与半导体激光二极管LD的发光强度成比例的检测电信号经过放大器14被导入主控制器15以及LD驱动器31，将其用于APC控制或者ROM信号的再现。
另一方面，透过偏振光光束分离器11的光束通过物镜16被聚焦到接近绕射极限(diffraction limit)，照射本发明的光信息记录介质17。光信息记录介质17通过马达18进行旋转。另外，由光信息记录介质17反射的光束再一次经过物镜16入射到偏振光光束分离器11中，在此处被反射，并被导入到伺服光学系统和记录信息检测系统中。
即，由偏振光光束分离器11反射的、来自光信息记录介质17的反射光入射到第2偏振光光束分离器19中，该透过光入射到伺服光学系统中，第2偏振光光束分离器19的反射光入射到记录信息检测系统中。
来自第2偏振光光束分离器19的透过光经过伺服光学系统中的聚光镜20以及圆柱形透镜21，入射到4分割光探测器22中，在此处进行光电转换。
根据进行了光电转换的4分割光探测器22的输出，利用根据像散法的生成电路23进行聚焦错误检测(FES)。同时，利用根据推挽法的生成电路24进行寻轨错误检测(TES)。
图9示出了该4分割光探测器22、和根据其输出而进行聚焦错误检测(FES)的根据像散法的生成电路23、以及进行寻轨检测(TES)的根据推挽法的生成电路24之间的关系。
将被4分割光探测器22分为4部分的、来自第2偏振光光束分离器19的透过光分别设为A、B、C、D时，进行聚焦错误检测(FES)的根据像散法的生成电路23通过以下的计算可以求出作为物镜16的光轴方向控制误差的聚焦错误(FES)。
FES = ( A + C ) - ( B + D ) A + B + C + D ]]>
另一方面，进行寻轨错误检测(TES)的根据推挽法的生成电路24通过以下的计算可以求出与物镜16的光轴垂直的方向控制误差、即寻轨错误(TES)。
TES = ( A + B ) - ( C + D ) A + B + C + D ]]>
将根据这些计算求出的聚焦错误信号(FES)和寻轨错误信号(TES)输入到主控制器15。
另一方面，在记录信息检测系统中，反射激光入射到记录信息检测系统中的2光束沃拉斯顿(Wollaston)棱镜26中，将根据光信息记录介质17上的光磁记录的磁化方向而变化的反射激光的偏振光特性转换为光强度。
即，在2光束沃拉斯顿棱镜26中，根据偏振光检波，将激光分离成偏振光方向互相正交的两个光束，经过聚光镜27入射到2分割光探测器28中，分别进行光电转换。
把在2分割光探测器28中进行了光电转换的2个电信号由加法放大器29进行相加，成为第一ROM信号(ROM1)，同时，由减法放大器30进行减法计算，变成RAM读出信号(RAM)，并将其分别输入到主控制器15。
到此为止，主要对读出中的光束流进行了说明。接着，参照图8所示的主控制器15的详细结构例，对来自各光探测器的输出信号流进行详细的说明。
在图10中，对入射到APC用光探测器13中的半导体激光二极管LD的反射光进行光电转换，经过放大器14，作为第二ROM信号(ROM2)输入到主控制器15。
另外，如上述说明那样，将作为加法放大器29的输出的第一ROM信号(ROM1)、作为差动放大器30的输出的RAM信号(RAM)、来自FES生成电路23的聚焦错误信号(FES)、来自TES生成电路24的寻轨错误信号(TES)输入到主控制器15。
另外，在与数据源32之间，记录用数据以及读出数据经过接口电路33进行输入输出。
输入到主控制器15的第一ROM信号(ROM1)、第二ROM信号(ROM2)、以及RAM信号(RAM)对应于各种模式、即同时再现ROM和RAM时、只再现ROM时、以及记录(write)时，被检测出来，进行使用。
图11是表示各种模式下的上述ROM1、ROM2以及RAM的检测的组合的图。为了得到这种各种模式下的上述ROM1、ROM2以及RAM信号检测的组合，图10所示的主控制器15中设有ROM切换开关SW1、SW2。
图10所示的ROM切换开关SW1、SW2的状态是如图9所示的模式下的ROM和RAM再现时的状态。在只再现ROM时以及记录时，图10所示的ROM切换开关SW1、SW2的状态分别被切换为反转的状态。
主控制器15内的LD控制器150接收加密器151以及ROM切换开关SW1的输出，生成对LD驱动器31的指令信号。
LD驱动器31根据LD控制器150生成的指令信号，在ROM和RAM再现时，根据第一ROM信号(ROM1)，对半导体激光二极管LD的发光功率进行负反馈控制，在只再现ROM时以及记录时，根据第二ROM信号(ROM2)，对半导体激光二极管LD的发光功率进行负反馈控制。
在光磁记录时，来自数据源32的数据经过接口33输入到主控制器15(参照图8)。在主控制器15中，为了确保安全性，通过加密器151对该输入数据进行加密，并作为记录数据，经过磁头控制器152供给磁头驱动器34。
此处，主控制器15例如包括MPU或DSP、编码器/解码器等，由能够统一控制再现/记录处理功能、伺服功能、激光发光控制等的一体化LSI构成。
此时，在要求更高的安全性的情况下，加密器151可以将由解调器155解调后的ROM信号组合进行加密。
磁头驱动器34驱动磁头35，对应被加密的记录数据进行磁场调制。此时，在主控制器15中，将来自加密器151的指示记录时间的信号发送到LD驱动器31，为了使记录时具有最适当的激光功率，LD驱动器根据第二ROM信号(ROM2)对半导体激光二极管LD的发光进行负反馈控制。
另外，关于ROM信号和RAM信号的记录，为了提高安全性或者为了记录再现稳定的信号，可以以如下的方式实施。
即，将ROM信号和RAM信号组合而生成的错误修正信号作为上述RAM信号记录在上述光磁记录膜上。
另外，ROM信号和RAM信号的至少一方被记录在对应加密的ROM区域或上述光磁记录膜上，并且，将与上述加密相对应的解密的方法记录在上述ROM区域和上述光磁记录膜的至少一方上。
或者，禁止用户向记录RAM信号的光磁记录膜的至少一部分写入。因此，事先将规定的识别ID记录在RAM区域的一部分上，为了不进入可以改写其记录区域的逻辑扇区，用主控制器15对介质格式进行管理。由此，识别ID只可以读取。该识别ID在个人用、医疗用等方面，可以适用于区别机器种类的各种情况。
这些形式在加密器151中，可以由固化程序来进行控制。
图12是说明加密器151以及解密器156的结构及对它们进行处理的一例的图。
在加密器151中，成为光磁记录对象的、作为RAM记录数据的数字RAM信号经过缓冲器300，与解调器155所再现的ROM信号一起被输入到编码器301。在编码器301中，利用ROM信号，进行为了将RAM信号加密的编码处理。
利用ROM信号使RAM信号加密的方法可以有各种各样。例如，为了生成立体声，可以将ROM信号作为R信道信号，将RAM信号作为L信道，并对它们进行均等的混合，把其作为被加密的RAM信号记录在光磁记录膜上。此时，由于ROM信号被凹坑相位固定记录在本来的纹面区域上，所以，最好适当减少R信道的信息量进行混合。
由此，可以实现在如图1所示的通常的RAM信号的记录介质中不能实现的加密。
或者，在编码器301中，也可以通过在每个RAM信号的规定比特间插入1比特ROM信号来进行简单的加密。
编码器301的输出在交错(interleave)电路302中，用规定的规则对作为编码器301的输出的连续比特列进行转换交替的处理。这是用来确保正负符号的随机性。
接着，由同步及转换电路303，与由ROM信号再现的时钟同步被转换成NRZI信号，并把其作为RAM记录信号。
如后面说明那样，该RAM记录信号在对应通过凹坑相位把其固定记录在光信息记录介质的纹面区域上的ROM记录区域上，重叠地进行光磁记录。
输入到解密器156中的、从光信号记录介质读出的RAM信号在同步检测及解调电路305、解交(deinterleave)电路306以及解码器307中，通过分别进行加密器151中的同步及转换电路303、交错电路302以及编码器301的处理的逆处理，可以得到解密的RAM信号。
根据上述结构，即使在错误修正时也能使ROM和RAM信号进行组合。例如，在图12中，如虚线箭头所示，在解密器156中的RAM信号再现时，使用ROM再现信号的一部分来进行错误修正。
例如，在编码器301中，将从ROM信号中取出的1比特与RAM信号合并，作为RAM信号输出，在RAM信息记录时，将其记录在数据部的最后的ECC(错误检测编码)部中。并且，再现时，在解码器307中，通过进行奇偶校验，可以对ROM和RAM信号组合的错误进行修正。
此处，对磁场调制记录中的记录调制方式进行考察。作为例子，如图13所示，用于记录ROM信号的调制方式是EFM(Eight to FourteenModulation：8-14调制)，作为光磁记录的RAM数据的调制方式假设为NRZI(NonReturn-to-zero change-on-Ones recording)。
此时，如图13所示，相对于本来的数据比特长T，将最短标记设为Tmin，将窗口边界(window margin)宽度设为Tw，在NRZI(图13A)中，Tmin＝T，Tw＝T，在EFM(图13B)中，Tmin＝1.41T，Tw＝0.47T。
在RAM信号中，也有磁场调制写入信号的频率特性的限制，窗口边界宽度Tw大、适合最短标记Tmin长度的结构。另一方面，在ROM信号中，适合最短标记Tmin长度的EFM方式。所以，在本发明中，优选分别使用适合RAM信号和ROM信号的不同的记录调制方式。
另外，在一般的磁场调制方式中，固定半导体激光二极管LD的照射功率，通过磁场反转来进行信息记录。对此，在本发明中，如对利用脉冲使半导体激光二极管LD发光的磁场调制方式进行说明的图14所示，利用脉冲使半导体激光二极管LD发光(图14B)，进而，对应信号，使施加磁场发生变化(图14A)。
由此，在表示不同的记录标记形状的图15中，使光磁记录时的光信息记录介质的温度分布发生变化，变为如图15A所示的光磁记录标记。可以看出：与让以往的半导体二极管LD连续发光来进行记录的情况(图15B)相比，使箭羽状变得平缓。所以，根据箭羽状记录标记的缓和，能够改善再现信号的特性。
返回到图8进行说明，如果考虑利用ROM信息和RAM信息同时读出，则优选光磁记录的记录开始地址和ROM信息的时钟地址相对应。因此，利用同步检测电路154由作为加法放大器29的输出的相位凹坑信号的第一ROM信号(ROM1)再现时钟，并检测记录开始地址。
对于所检测的记录开始地址，在图8及图10中，由省略图示的查找机构访问具有磁头35以及物镜16的单元，并进入记录动作。
另外，根据基于上述第一ROM信号(ROM1)再现的时钟，通过马达控制器159，由马达驱动器36作为查找动作的一部分，对马达18的旋转进行控制。
另外，作为查找机构，可以构成为：在查找距离短的范围内，由马达驱动器36或者TES致动驱动器37来进行其功能的一部分。
另外，用于光磁记录的时钟是如上述那样，基于相位凹坑信号(ROM1)而生成，所以利用该时钟进行同步处理。即，在主控制器15中，利用同步检测电路154再现相位凹坑的时钟，如以前在图12中说明的那样，为了与上述时钟同步，通过密码器151的同步及转换电路303，调整应该进行光磁记录的RAM信息的记录时间。
这样，通过利用ROM信号的时钟，可以抑制由于记录时的磁盘偏心而导致的记录标记长的变动。
图16是为了进行同步处理，而再现ROM信号的时钟的主控制器15内的同步检测电路154的结构例。图16A是结构方框图，图16B是表示各信号时间的图。对于输入到同步检测电路154中的ROM信号(图16B、a)，在边缘检测电路400中，设定规定的限制电平，对ROM信号的边缘进行检测。接着，将边缘检测的时间信号输入到相位比较器401中。
另外，相位比较器401、低通滤波器402以及电压控制振荡器403构成反馈环，相对于边缘检测的时序信号，调整来自电压控制振荡器403的脉冲输出的相位。由此，生成时钟。
即，在图16B中，相对于ROM信号a的边缘，与来自电压控制振荡器403的脉冲b合并，从相位比较器401中输出相位比较输出。如果错开来自电压控制振荡器403的脉冲的相位和ROM信号的相位，则相位比较输出也错开，并且，低通滤波器402的输出偏向正或负。通过利用这个对电压控制振荡器403进行反馈，可以生成与ROM信号同步的时钟。
此处，如上所述，RAM信号利用从ROM信号得到的时钟进行写入控制。另外，如图14、图15说明的那样，在采用根据激光照射的磁场调制记录方式的情况下，则成为图17的时序图所示的关系。即，RAM信号记录用磁场反转信号(图17A)、半导体激光二极管LD的脉冲发光(图17B)与ROM信号(图17C)的时序同步。
但是，实际上，如图18所示，脉冲发光产生的影响在ROM信号中表现出来、使ROM信号的振幅发生变动(图18，振幅波形A)。所以，为了防止其发生，在如图10所示的主控制器15中，设有低通滤波器160。由此，可以抑制有脉冲发光而产生的影响，减小ROM信号的振幅的变化而成为图18中的振幅波形B的形状。
接着，对再现时的动作进行说明。前面已经对根据相位凹坑信号、即被读出的ROM信号的光强度调制，对于RAM信号成为干扰的情况进行了说明。
所以，根据相位信号、即被读出的ROM信号的光强度调制，相对于RAM信号成为干扰的情况前面已经进行了说明。所以，与前面以往的技术所示的方法相同，通过将来自加法放大器29的第一ROM信号(ROM1)经过LD驱动器31，负反馈到半导体激光二极管LD，控制发光，可降低第一ROM信号(ROM1)，使其平坦化。
在这种方式中，可以有效地抑制对被读出的RAM信号的串扰。但是，在ROM和RAM信号同时读出的情况下，由于ROM1信号通过上述的负反馈控制而变得平坦，所以很难得到ROM信号。
所以，必须根据别的方法来检测ROM信号。本发明提出了针对该点的解决方法。
此处，如图8所示，在再现时，由第一ROM信号(ROM1)对流入到半导体激光二极管LD中的电流进行负反馈调制。即，以与ROM信号相同的模型被实施光强度调制。
另外，该光强度调制可以由APC用光探测器13检测出来。在MPF环路动作时，由于通过切断APC环路而使频段比ROM信号的频段低得多，所以可以不受其影响而得到作为第二ROM信号(ROM2)的相位凹坑信号。
所以，在本发明中，在图10所示的主控制器15中，通过同步检测电路154进行时钟再现，利用解调器155进行EFM磁场调制所对应的解调，可以从第二ROM信号(ROM2)中得到ROM信息。解调后的ROM信息进一步通过解密器156进行与加密器151中的加密相对应的解密，作为再现数据被输出。
同时再现ROM信息和RAM信息时，根据由上述同步检测电路154得到的第二ROM信号(ROM2)所再现的时钟，经过马达控制器159，由马达驱动器36作为查找动作的一部分，控制马达18的旋转。
另一方面，由于通过包含对半导体激光二极管LD进行驱动的LD驱动器31的ROM信号负反馈单元，使ROM信号被平坦化，所以，RAM信号可以不受该ROM信号的干扰，作为差动放大器30的输出被检测出来。
差动放大器30的输出在主控制器15中，由同步检测电路157被同步检测出来，然后利用解调器158进行与NRZI调制相对应的解调，由解密器156解密，然后被作为RAM信号输出。
此处，与记录时的情况相同，作为再现时钟可以使用利用了由同步检测电路154检测的第二ROM信号(ROM2)的嵌入时钟。由此，由于自动地改变信号检测窗口，所以可以稳定地再现根据旋转变动或者寻轨偏心所导致的离开规定线速度的偏移。
另外，在图10的主控制器15中，具有延迟电路159。该延迟电路159用于调整读出RAM信息的时序。它为了在再现RAM信号时降低作为ROM信息的相位凹坑边缘产生的偏振光干扰的影响，在将RAM信息记录在ROM信息上时，用于调整与对记录RAM信息的时间进行了稍微错开的处理相对应的时间。
即，本发明人发现：在光信息记录介质中，在将RAM信息记录在ROM信息上的情况下，通过稍微错开记录RAM信号的时间，能够降低再现RAM信息时所产生的、作为ROM信息的相位凹坑边缘产生的偏振光干扰的影响。到此为止，对将RAM信号设为NRZI的情况进行了说明，例如，可以获得与EFM调制的情况同样的效果。
特别是在高密度化的有效的标记边缘(mark edge)记录的情况下，效果极其明显。例如，在采用记录编码为标记边缘记录的CD(小型磁盘)的、将8比特的数据转换成14比特的长比特编码进行记录的EFM(Eightto Fourteen Modulation：8-14调制)编码的情况下，如果把数据位长度设为T，则最短标记为3T，最长标记为11T，因此，在用T的整数倍来错开时间时，由于具有9种标记长度，所以，即使是随机的，任意一个相位凹坑的边缘和光磁记录标记的边缘相一致的情况也是存在的。
所以，应该错开的时间量的基本值为0T＜ΔT＜1T，在考虑一般性时，如果使用上述ΔT来表现，则只要错开nT+ΔT(n是包含0的整数)就可以了。
再现时，由于稍微错开ROM信息和RAM信息的记录位置，所以，如上所述，在光记录装置的读出控制部中，只要与延迟电路的时间相一致就可以了。
在只再现ROM信号时，由于不必考虑对RAM信号的影响，所以，和记录时一样，使用作为LD反馈信号的第二RAM信号(RAM2)，ROM信息解调再现第一ROM信号(ROM1)。
在本发明的实施例中，记录及再现时的线速度采用磁盘整体一定的CLV(Constant Linear Velocity：恒定线速度)方式，将来自与ROM信号对应的马达控制器159的指令发送到马达驱动器36中，进行马达18的旋转控制。但是，本发明不限于此，即使在采用CAV、ZCAV、ZCLV的情况下也能获得同样的效果。
在如上所述的本发明的实施例中，对于记录、再现(ROM再现、ROM和RAM同时再现)的任意一个，都能够根据作为相位凹坑信息的ROM信号进行时钟的生成以及马达驱动器36的控制。
尤其是，在RAM的再现时，不再现自己的时钟，即使在RAM信号的品质低下的情况下，由于再现时钟由成为用户使用的内容(音乐、文章、图像)的、作为相位凹坑信息的ROM信号生成，所以，再现时钟不受RAM信号的品质好坏的影响而保持稳定。
此处，如上所述，图8所示的本发明所涉及的记录装置的结构为：从APC光探测器13接受的调制光中检测ROM信号。因此，对LD驱动器(驱动电路)31的特性没有影响，能够正确地检测ROM信号以及RAM信号。
图19是表示在LD驱动电流相同的条件下，将在前面说明的图6结构的以往例记录装置与本发明所的实施例记录装置进行比较的图。在比较过程中如果检测到了LD驱动电流，则不能了解对LD驱动电路电流的影响。因此，即使在以往例中，也对由偏振光光束分离器11反射的光量进行监控。
在图19中，很明显，与以往例I比较，本发明的实施例II在相同的条件下，其LD驱动电流量的调制成分变大。并可看出，在以往例中，如果为了增大LD驱动电流的调制成分而进一步提高电路的放大率时，则会产生谐振。
这样，像以往例那样，在直接监控LD驱动电流的方法中，能够抑制LD反馈特性。为了与以往例进行比较，实际上，对ROM信号以及RAM信号的CNR以及信噪比进行比较的结果如图20所示。此时的记录装置以及信息记录介质的条件如下设定。
LD波长                      λ＝785nm
物镜数值孔径                NA＝0.55
再现光照射功率              Pr＝1.5mW
RAM记录时照射功率           Pr＝7.0mW
RAM记录时施加磁场           Hex＝±2000e
介质线速度                  L＝5m/sec
轨道间距                    1.6μm
ROM凹坑长度                 0.83μm(单一标记反复)
ROM凹坑深度                 43nm
ROM凹坑宽度                 0.38μm
RAM凹坑长度                 0.83μm
在实施例中，可以明白：与以往例相比，改善了ROM信号以及RAM信号的CNR以及信噪比，可以根据本发明可靠地再现ROM信号以及RAM信号。
以下，对可以同时再现ROM以及RAM信息的本发明的光信息记录介质的优越性、尤其是安全性和记录容量的方面进行考察。
在图10所示的主控制器15的结构中，具有加密电路151、解密电路156。由此，在本发明人提出的光信息记录介质的ROM信息是机密信息(原始图像的第一数字图像、私人文档、公文文档)的情况下，通过利用本发明的光信息记录介质和如图8所示的本发明的记录装置，作为硬件结构，可以容易且低成本地确保数据的安全性。
即，将不可以改写的重要信息作为ROM信息以相位凹坑来进行记录。另外，根据上述ROM信息，通过加密器151，将RAM信息转换为例如tripleDes等的加密数据。并且，在设在与记录该ROM信息的区域相同的物理区域上的RAM部上，对该生成的加密数据进行光磁记录。
由此，可以同时访问重要的ROM数据和该加密数据，可以最大限度地利用一张光信息记录介质的容量。
另外，如果将加密信息作为电子水印来利用，则可以瞬间判定ROM部的信息是否是认定的信息。
图21是为了研究对上述图8所示的记录装置中的光信息记录介质的激光照射方法而示出的光学系统的图。图21A是到目前为止所使用的方法，是从光信息记录介质17的透明基板170侧来照射激光的方法。在该方法中，到达记录层171的激光必须透过透明基板170。
在该方法的情况下，为了经过透明基板170而再现，相对于附着在透明基板170上的尘埃和疤痕，读取特性的劣化小。但是，存在着由于基板倾斜而导致的光学像差大，不能增大物镜的数值孔径的问题。
所以，在图8所示的记录装置中，本发明人提出并采用了图21B所示的读取方法。即，将来自半导体激光二极管LD的激光直接照射到记录层171上，进行信息的检测。所以，对于透明基板170的倾斜具有宽容性，可以增加物镜16的数值孔径来进行高密度记录再现。
此处，本发明人对适合于由如上述图8所示的作为一实施例的本发明的记录装置进行记录再现的盘状光信息记录介质进行了研究。
图22是沿着半径方向切断记录在由本发明人提出的光信息记录介质中的作为ROM信息的相位凹坑PP而形成的剖面图。
上述的光信息记录介质，作为实施例，在直径约为30mm～120mm的磁盘状的聚碳酸酯基板A上成膜SiN等绝缘体层B，接着，按顺序地成膜TbFeCo等的光磁记录膜C、电介体膜D、Al反射膜E，最后，在施加了由UV固化树脂构成的保护层F的光信息记录介质上形成相位凹坑PP列。
另外，光磁记录膜C上不必要形成与图5所示的相同的纹沟，但在记录装置中，为了使寻轨控制更加可靠，形成如图2所示的纹沟，当然也可以在其间形成的纹面上进行光磁记录。或者，如图3所示，将纹沟的宽度扩展为与纹面的宽度相同，即使在纹沟内也可以进行光磁记录。
图23是表示作为用于理解本发明的光学信息记录介质的特征的前提的相位凹坑的形状的图。在图22及图23中，参照记号Pd是指相位凹坑的深度、即光学深度。轨道间距Tp是指半径方向的相位凹坑之间的间隔，凹坑宽度Pw是指半径方向的相位凹坑的宽度。
此处，根据本发明人进一步的研究，确认了根据凹坑形状的光强度调制以及寻轨错误信号(TES)，对凹坑深度Pd以及凹坑宽度Pw具有相关性。
为了进行该确认，所使用的样本的构造如下所述。即，作为样本，通过注塑成型的方法，用聚碳酸酯材料做成厚度约为1.2mm的具有不同的多个相位凹坑的多个基板。在该基板上形成的层构造是基板/SiN/TbFeCo/GdFeCo/SiN/Al。GdFeCo层是为了增大克尔旋转角而插入的。
图24是表示本发明人对上述样本进行仿真测定的调制度、寻轨错误信号(TES)的凹坑深度Pd、以及凹坑宽度Pw的相关性的坐标图。横轴表示将信息的检测(读出)光的波长设为λ时的凹坑深度Pd，即光学深度。左侧纵轴表示光强度调制度的大小。
在图24中，寻轨错误信号是根据图7所说明的推挽法而求得的。此处，没有达到读取误差的寻轨错误信号TES通常大于等于0.5。
所以，在图24中，AGC后的寻轨错误信号(参照右纵轴)大于等于0.5时的凹坑深度Pd为λ/10～λ/4，凹坑宽度Pw为大于等于0.29。
另一方面，本发明人通过各种各样的研究、评价，发现了相位凹坑的调制度对ROM信号以及RAM信号抖动的影响。即，发现了并行ROM-RAM特有的问题、即同时检测ROM信号和RAM信号时所存在的问题。如果是只检测ROM信号或者只检测RAM信号的方式，则只要研究适合各种情况的调制度就可以了，但必须使其成为与两方信号检测相应的调制度。
图25的图表是在将光信息记录介质的格式设为CD格式、将最短标记长度3T设为0.833μm、将轨道间距设为1.6μm、另外将物镜数值孔径NA设为0.50、将激光波长设为785nm的条件下的测定值。
此处，规定了以下必要条件：关于抖动，在CD-MO(光磁记录介质)中被设为小于40ns，在CD-WO(可写入的光磁记录介质)中被设为小于30ns。所以，对于作为具有这些双功能的本发明对象的并行ROM-RAM光磁记录介质，要求抖动小于35ns，由此，寻轨错误率可以小于3％。
即，将数据对数据(data to data)中的抖动设为σ，如果用与窗口宽度、即时钟周期(T＝231ns)相对应的时钟对数据(clock to data)的抖动比率来表示，则被表示成众所周知，该抖动比率如果小于15％，则在一般情况下是没有问题的标准的值。顺便说一下，可以明白：对于上述的并行ROM-RAM光磁记录介质，在要求抖动σ小于35ns的情况下，如果求出上述抖动比率，则10.7％在实际应用中是不会产生问题的。
所以，图25的表中所允许的抖动小于35ns的相位凹坑调制度，理论上被评价为大致在15％～25％的范围。根据该评价，如果参照图21，则在相位凹坑调制度(参照左纵轴)为15％～25％的范围内，凹坑宽度Pw约为0.25μm～0.37μm，凹坑深度Pd约为λ/10～λ/8的范围。
所以，如果作为对装置、介质特性、量产性所必需的值来进行考虑，则可以明白：满足AGC后的寻轨错误信号为大于等于0.5，并且，相位凹坑调制度在15％～25％的范围内这两个条件的凹坑深度Pd约为λ/10～λ/8，凹坑宽度Pw约为寻轨宽度的18％～24％。
通过以满足由本发明人提出的上述的凹坑深度Pd以及凹坑宽度Pw的条件的方式来记录ROM信息，在同时读出ROM信息和RAM信息时，在对用于降低光强度调制影响的以往的技术中的半导体激光器的发光进行负反馈控制的方法中，可以解决不充分的问题。
另外，关于上述凹坑宽度Pw，也相关于轨道间距Tp、检测光波长λ以及光学系统的构造，但上述凹坑深度Pd在λ/10～λ/8的范围内，相对于轨道间距Tp的凹坑宽度Pw的比率约为18％～24％，由此，可以满足寻轨信号振幅以及调制度被设定的规定范围的条件。
此处，利用样本具体地求出调制度。作为调制度的测定方法，将样本放置在实验装置上，并使其旋转，在图5所示的相位凹坑PP中进行寻轨，使相位凹坑PP的ROM信号再现。此时，如图26所示，相对于接地电平GND，使用ROM再现信号的空间部反射电平a和标记部反射电平b的比，根据下面的式子来定义调制度。
调制度＝b/a×100(％)
根据该调制度的定义，将上述样本装配到实验装置上，进行ROM抖动和RAM抖动的测定。
图27是表示利用下述的实验装置条件、记录条件和再现条件所测定的ROM抖动和RAM抖动的调制度相关性的坐标图。
实验装置条件：激光波长为650nm、NA为0.55、线速为4.8m/s、磁场调制记录、作为实验装置使用芝测LM530C。
记录条件：记录激光能量Pw＝6.5mW、DC发光、记录EFM随机图案、最短标记为0.832μm
再现条件：再现能量Pr＝1.5mW、没有再现磁场、偏振光方向相对于寻轨方向为垂直方向
从上述图27中可以看出：要想得到比一般作为最大容许值15％小的抖动比率，只要把调制度设为10％～37％就可以了。另外，可以只考虑ROM信号再现时的变动，但RAM要加上再现以及光磁记录时的变动原因。因此，必须估计实际使用时的各种变动的原因，以及由于记录磁场变动或者记录能量变动而导致的抖动降低。由此，例如，抖动比率在小于10％的情况下，优选调制度为15％～25％。
对上述的调制度以及凹坑形状进行进一步的考察。在作为检测光的光束强度形状和凹坑形状的切线方向剖面图的图28中，盘状光记录介质的检测系统根据物镜OBL的数值孔径NA和检测光DL的波长λ，在光记录介质上形成通常由以下式(1)所表示的光腰(beam waist)W的亮点。光腰W是从强度最大的位置到强度变为1/2的位置的1/e²的宽度。
W＝2λ/πNA…(1)
其中，NA＝sinθ
实际的光腰W根据透过物镜OBL的光强度分布、光学部件的面精度等发生若干变化。由此，相对于本发明规定的光信息记录介质的凹坑形状，通过光学系统改变调制度、寻轨错误信号量。
一般情况下，对于凹坑形状，在图29所示的配置中，用下述式(2)的关系近似地表示调制度Im。
1-Im＝(A²+B²+2Abcos(Δ))/(A+B)²…(2)
其中，Δ＝4πdn/λ，A＝凹坑宽度，B＝纹面宽度
此处，假设由凹坑部PI和纹面LI反射的光量近似相等，但是，实际中，根据光束点的形状，纹面LI和凹坑部PI的光量是不同的。另外，一般情况下，在图30所示的配置中，对于凹坑形状，根据被规格化的推挽法的寻轨信号DPP用式(3)近似地表示。
DPP＝4ABsin(Δ)/(A+B)²…(3)
其中，Δ＝4πdn/λ，A＝凹坑宽度，B＝纹面宽度
如从这些近似式所理解的那样，为了使调制度变大，只要使凹坑的深度Pd接近于λ/4，凹坑宽度A和纹面宽度B接近于1∶1就可以了。
即使仅指定凹坑形状，在实际中，也不能通过光学系统得到所期望的调制度。图31示出了相对于本发明规定的光信息记录介质的同心圆方向，根据光学系统的不同而不同的亮点形状的状态。在光束形状2、光束形状3之类的光束点中，很明显不能获得期望的调制度、推挽信号。光束形状1表示在本发明的应用中，使用希望的光学系统的光束点形状。在实际的光学系统中，根据光源的强度分布、物镜的数值孔径、使用光的波长来大致规定光束点形状，根据本发明，提出了将用于光信息记录介质的记录再现的光腰W的直径作为标准，形成与轨道间距相同的能级的组合。
凹坑的形状是相对于凹坑宽度的轨道间距的比率，在本发明的应用中，只要规定凹坑的深度就可以了。
此处，作为可以同时读出ROM-RAM的光信息记录介质的记录装置，进行了说明，但是，本发明的记录装置的应用不限于此，可以具备兼容一般的CD、CD-R等的记录介质的兼容性。在该情况下，在光磁记录介质的内周或外周、或者在希望的位置上设置控制轨迹，其可以在装置上识别并行ROM-RAM。另外，根据是否可以同步确认控制轨迹上的ROM信号和RAM信号，可以判断出是并行ROM-RAM的光信息记录介质或还是一般的CD、CD-R等的记录介质。
如以上附图说明的那样，根据本发明，提供了一种与在同时读出ROM-RAM信息时可以稳定地再现RAM信息的光信息记录介质相对应的至少可以进行记录或者再现的记录装置。
另外，根据本发明，提供一种与在同时读出ROM-RAM信息时可以降低作为ROM信息的相位凹坑边缘所产生的偏振光干扰的光信息记录介质对应的至少可以进行记录或再现的记录装置。