平板显示器以及其制造方法.pdf

本发明的发光显示器件包括具有其上形成薄膜晶体管的绝缘衬底。该薄膜晶体管包括源电极和/或漏电极。在薄膜晶体管的至少一部分上的绝缘衬底上形成钝化层，并且该钝化层具有形成于其中的导通孔，该导通孔电接触源电极或者漏电极。在导通孔中形成像素电极。在除了对应于像素电极的区域之外的钝化层的整个上表面上形成阻光层。在除了对应于像素电极的区域之外的阻光层的上表面上形成平坦化层。

1、  一种发光显示器件，包括：
其上形成有薄膜晶体管的绝缘衬底，所述薄膜晶体管具有至少一个源电极和漏电极；
在所述薄膜晶体管的至少一部分上的绝缘衬底上形成的钝化层，该钝化层具有形成于其中的导通孔，该导通孔将漏电极电耦合到像素电极；
在除了对应于像素电极的区域之外的钝化层的整个上表面上形成的阻光层；以及
在除了对应于像素电极的阻光层的区域之外的阻光层的上表面上形成的平坦化层。

2、  根据权利要求1的发光显示器件，其中平坦化层还包括阻光屏蔽，该阻光屏蔽被形成在导通孔的至少一侧上并且从平坦化层的下表面向下延伸进入其中形成的并且从阻光层的上侧延伸到该阻光层的下侧的至少一个凹槽中。

3、  根据权利要求2的发光显示器件，其中所述阻光屏蔽由形成平坦化层的材料组成。

4、  根据权利要求2的发光显示器件，其中所述阻光屏蔽还从阻光层的下侧向下延伸进入其中形成的并从钝化层的上侧延伸到该钝化层的下侧的至少一个凹槽中。

5、  根据权利要求1的发光显示器件，其中所述阻光层是薄膜金属绝缘体混合层，该金属绝缘体混合层具有金属材料的浓度梯度以及透明材料的浓度梯度。

6、  根据权利要求5的发光显示器件，其中金属材料的浓度梯度向钝化层增加，以及其中透明材料的浓度梯度向平坦化层增加。

7、  根据权利要求6的发光显示器件，其中透明材料是透明绝缘材料。

8、  根据权利要求6的发光显示器件，其中透明绝缘材料是氮化物层。

9、  根据权利要求6的发光显示器件，其中透明绝缘材料是氧化物层。

10、  根据权利要求6的发光显示器件，其中透明材料是透明导电材料。

11、  根据权利要求6的发光显示器件，其中透明导电材料是氧化铟锡或者氧化铟锌。

12、  根据权利要求1的发光显示器件，其中阻光层是薄膜金属绝缘体混合层，该金属绝缘体混合层具有有机绝缘材料的浓度梯度以及透明材料的浓度梯度。

13、  根据权利要求12的发光显示器件，其中有机绝缘材料是从Cr、CrOx、以及碳黑组成的组中选择出来的。

14、  根据权利要求12的发光显示器件，其中透明材料是透明导电材料。

15、  根据权利要求14的发光显示器件，其中透明导电材料是氧化铟锡或者氧化铟锌。

16、  根据权利要求1的发光显示器件，还包括：
在绝缘衬底的表面上形成的电极元件，该电极元件包括下电极、有机发射层以及覆盖有机发射层的上电极，其中有机发射层接触下电极，和其中下电极包括反射层并被连接到源或漏电极中的一个上。

17、  根据权利要求17的发光显示器件，其中平坦化层还包括在导通孔的至少一侧上形成的阻光屏蔽，并且该阻光屏蔽从平坦化层的下表面向下延伸进入其中形成的并从阻光层的上侧延伸到该阻光层的下侧的至少一个凹槽中。

18、  根据权利要求17的发光显示器件，其中阻光屏蔽由形成平坦化层的材料组成。

19、  根据权利要求17的发光显示器件，其中阻光屏蔽还从阻光层的下侧向下延伸进入其中形成的并从钝化层的上侧延伸到钝化层的下侧的至少一个凹槽中。

20、  根据权利要求16的发光显示器件，其中阻光层是薄膜金属绝缘体混合层，该薄膜金属绝缘体混合层具有金属材料的浓度梯度和透明材料的浓度梯度。

21、  根据权利要求20的发光显示器件，其中金属材料的浓度梯度向钝化层增加，以及其中透明材料的浓度梯度向平坦化层增加。

22、  根据权利要求21的发光显示器件，其中透明材料是透明绝缘材料。

23、  根据权利要求22的发光显示器件，其中透明绝缘材料是氮化物层。

24、  根据权利要求22的发光显示器件，其中透明绝缘材料是氧化物层。

25、  根据权利要求22的发光显示器件，其中透明材料是透明导电材料。

26、  根据权利要求22的发光显示器件，其中透明导电材料是氧化铟锡或者氧化铟锌。

27、  根据权利要求16的发光显示器件，其中阻光层是薄膜金属绝缘体混合层，该薄膜金属绝缘体混合层具有有机绝缘材料的浓度梯度和透明材料的浓度梯度。

28、  根据权利要求27的发光显示器件，其中有机绝缘材料选自Cr、CrOx、以及碳黑构成的组。

29、  根据权利要求27的发光显示器件，其中透明材料是透明导电材料。

30、  根据权利要求29的发光显示器件，其中透明导电材料是氧化铟锡或者氧化铟锌。

31、  一种发光显示器件，包括：
在其上形成具有源电极和漏电极的薄膜晶体管的绝缘衬底；
在衬底的整个表面上形成的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成的第二绝缘层；
在第一绝缘层和第二绝缘层上形成的用来暴露第一电极的导通孔；
具有形成在第二绝缘层上的下电极、有机薄膜层和上电极的电极元件，其中有机薄膜层接触下电极；
在下电极下形成的阻光屏蔽；以及
在第一绝缘层的整个表面上形成的，并通过阻光屏蔽与导通孔隔开的阻光层。

32、  根据权利要求31的发光显示器件，其中第一电极是源电极或者漏电极中的一个。

33、  根据权利要求31的发光显示器件，其中阻光屏蔽从阻光层的表面向外延伸。

34、  根据权利要求32的发光显示器件，其中阻光屏蔽接触一部分阻光层和一部分钝化层这两者。

35、  根据权利要求32的发光显示器件，其中阻光屏蔽具有将阻光层与在导通孔中形成的一部分下电极相隔开的沟槽图形。

36、  根据权利要求32的发光显示器件，其中在下电极下的沟槽图形中形成阻光屏蔽以封闭导通孔。

37、  根据权利要求31的发光显示器件，其中阻光层是薄膜金属绝缘体混合层，该薄膜金属绝缘体混合层具有金属材料的浓度梯度和透明材料的浓度梯度。

38、  根据权利要求37的发光显示器件，其中第一绝缘层是钝化层，以及其中第二绝缘层是平坦化层。

39、  根据权利要求38的有机发光显示器件，其中金属材料的浓度梯度向钝化层增加，以及其中透明材料的浓度梯度向平坦化层增加。

40、  根据权利要求39的发光显示器件，其中透明材料是透明绝缘材料。

41、  根据权利要求40的发光显示器件，其中透明绝缘材料是氮化物层。

42、  根据权利要求40的发光显示器件，其中透明绝缘材料是氧化物层。

43、  根据权利要求40的发光显示器件，其中透明材料是透明导电材料。

44、  根据权利要求43的发光显示器件，其中透明导电材料是氧化铟锡或者氧化铟锌。

45、  根据权利要求31的发光显示器件，其中阻光层是薄膜金属绝缘体混合层，该薄膜金属绝缘体混合层具有有机绝缘材料的浓度梯度和透明材料的浓度梯度。

46、  根据权利要求45的发光显示器件，其中有机绝缘材料选自Cr、CrOx、以及碳黑构成的组。

47、  根据权利要求45的发光显示器件，其中透明材料是透明导电材料。

48、  根据权利要求47的发光显示器件，其中透明导电材料是氧化铟锡或者氧化铟锌。

49、  一种制造平板显示器的方法，包括：
在衬底的整个表面上形成钝化层；
在钝化层的整个表面上形成阻光层；
在阻光层上形成掩模层，该掩模层具有对应于导通孔和阻光屏蔽凹槽的一个或多个区域；以及
蚀刻阻光层和钝化层，以便在其中形成第一导通孔和阻光屏蔽凹槽，其中导通孔和阻光屏蔽凹槽两者都暴露阻光层。

50、  根据权利要求9的方法，还包括：
在阻光层的整个表面上形成第二绝缘层，该第二绝缘层包括导通孔和阻光屏蔽凹槽；
在第二绝缘层上形成第二掩模层，该第二掩模层包括对应于导通孔的区域；以及
蚀刻对应于导通孔的区域。

51、  根据权利要求50的方法，还包括在导通孔中形成像素电极，通过导通孔将该像素电极连接到第一电极。

平板显示器以及其制造方法
技术领域
本发明通常涉及平板显示器，更具体涉及，一种有机发光显示(OLED)器件以及其制造方法，其通过在薄膜晶体管(TFT)和电极(EL)元件之间的整个表面上独立形成阻光层而改善了对比度。
背景技术
图1A是描述红(R)、绿(G)、蓝(B)单元像素的现有的有源矩阵有机发光显示器件(AMOLED)的一部分100的顶视图。图1B是在图1A所示的现有的AMOLED的一部分100中使用的单元像素140的顶视图。
为了简化图1A，应用于每个R、G、B单元像素的附图标记被只表示在R单元像素上。但是，应相同地配置R、G、B单元像素。
参考图1A和1B，由此描述的现有的AMOELD包括彼此绝缘并设置在一个方向上的多条栅线110；彼此绝缘并设置在交叉于栅线110的方向上的多条数据线120；彼此绝缘的、交叉于栅线110并与数据线120平行设置的多条电源线(power line)130；在由栅线110、数据线120、以及电源线130所围住的区域中形成的多个像素部分140；以及设置在每个像素部分140中并具有开口155的多个像素电极150。
在每个显示部分140中设置R、G和B单元像素，并且每个单元像素包括两个晶体管160和180、电容器170以及具有像素电极150的EL元件。此外，还提供用于将像素电极150与驱动晶体管180的漏电极185连接起来的导通孔189。
开关晶体管160包括具有源/漏区(图中未示出)的半导体层、连接到栅线110的栅电极163、以及通过接触孔164和166分别连接到半导体层的源/漏区的源电极167和漏电极165(未示出)。此外，也提供用于将TFT 160与漏电极165连接起来的导通孔179。驱动晶体管180包括具有源/漏区(图中未示出)的半导体层181、栅电极183、以及通过接触孔184和186分别连接到半导体层181的源/漏区的源电极187和漏电极185(未示出)。
电容器170包括下电极171和上电极173。将下电极171通过接触孔166连接到开关晶体管160的漏电极165，并且连接到驱动晶体管180的栅极183。将上电极173连接到同样也连接到驱动晶体管180的源极187的电源线130上。通过导通孔189将像素电极150连接到驱动晶体管180的漏电极185。
图2是对应于图1B中所示的驱动晶体管180、像素电极150以及电容器170的现有的有机发光OLED器件的部分剖视图。
参考图2，在绝缘衬底200上形成缓冲层210，并且在缓冲层210上形成具有源/漏区221和225的半导体层220。在栅绝缘层230上形成栅电极231和电容器的下电极237。通过接触孔(未示出)将源/漏电极251和255连接到源/漏区221和225，并且将电容器的上电极257连接到每个源/漏电极251和255。在该示例中，将上电极257连接到形成在层间绝缘层240上的源电极251。
在衬底的整个表面上形成钝化层260和平坦化层(planarization layer)265。将EL元件的下电极270(例如，像素电极)连接到源电极/漏电极251和255中的一个上。在该例中，通过形成在平坦化层265上的导通孔269将下电极270连接到漏电极255。像素定义(defining)层275具有暴露部分下电极270的开口279。在开口279中形成有机发射层280并且该有机发射层280接触下电极270。在衬底的整个表面上形成上电极285。
具有上述结构的现有的有机发光OLED器件一般使用多晶硅薄膜TFT，并且当EL元件发光时对比度降低。这种对比度的降低是由于离开OLED中的金属材料(诸如，晶体管、电容器、引线等)的反射光所引起。特别在大面积暴露于外部光的移动显示情况下，由于外部光的内反射而导致的对比度急剧下降是严重的问题。
为了防止由于外部光的反射所引起的对比度降低，通常地将昂贵的偏光镜附着到显示器件的前表面。这又导致了由于添加昂贵的偏光镜而增加了制造成本的其它问题。而且，偏光镜自身屏蔽了从有机发射层发出的光以致降低了透光度，从而导致急剧降低的亮度。
另一种现有的方法是形成在形成TFT和电容器地区域上的黑色矩阵，该黑色矩阵由铬(Cr)/氧化铬(CrOx)、或有机层等构成。该方法明显的缺陷在于形成黑色矩阵需要单独的掩模处理，从而导致了复杂的制造处理。
关于AMOLED器件，韩国专利申请第2002-0005435和2001-0075075号中公开了使用转变(transform)透明导电层的透光度的方法来形成黑色矩阵的方法。尽管在此公开的技术在底发射(bottom-emitting)AMOLED器件中增强了对比度并降低了外部光的反射，但是在顶发射(top-emitting)AMOLED器件中仍不能解决由外部光的反射所引起的问题。同样，形成电容器的上电极的、用作源或漏电极的金属层是高反射性的，并容易反射外部光。
但是，在顶发射AMOLED中使用金属绝缘体混合层(MIHL，metal insulatorhybridlayer)形成黑色矩阵的另一情况下，由于MIHL中的金属材料，不得不在像素之间单独形成黑色矩阵。该方法显著的缺陷是黑色矩阵不能完全屏蔽外部光，并且需要额外的掩模处理来在像素之间分隔黑色矩阵。
发明内容
本发明提供一种顶发射有机发光显示器件(OLED)及其制造方法，该器件和方法能通过最小化外部光的反射改善对比度。
本发明公开了一种有机发光显示器件以及用于制造该器件的方法。在一个实施例中，该器件包括具有其上形成薄膜晶体管的绝缘衬底。该薄膜晶体管包括源电极和/或漏电极。钝化层被形成在薄膜晶体管的至少一部分上的绝缘衬底上，并且具有形成在其中的导通孔，该导通孔能电接触源电极或漏电极。在导通孔中形成像素电极。在除了其对应于像素电极的区域之外的钝化层的整个上表面上形成阻光层。在除了其对应于像素电极的区域之外的阻光层的上表面上形成平坦化层。
附图说明
图1A是现有的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)器件的一部分的顶视图。
图1B是在图1A中所示的AMOLED器件的部分中所使用的单元像素的顶视图。
图2是现有的单元像素的剖面图。
图3是根据本发明的一个实施例构造的AMOLED器件的顶视图。
图4A是根据本发明的一个实施例构造的AMOLED器件的剖面图。
图4B是根据本发明的另一个实施例构造的AMOLED器件的剖面图。
图5A、5B、5C和5D是描述根据本发明一个实施例的用于制造有机发光显示器件的方法的连续剖面图。
图6A、6B、6C和6D是描述根据本发明另一个实施例的用于制造有机发光显示器件的方法的连续剖面图。
图7A和7B是描述根据本发明构造的、在ALOMED器件中形成阻光层的示例附图。
在附图中，为清楚而放大了层的厚度和区域。
具体实施方式
图3是根据本发明的一个实施例构造的、一种ALOMED有机发光器件的一部分300的顶视图，该图描述了红(R)、绿(G)、和蓝(B)单元像素的配置。
如图3所示，将彼此绝缘的多条栅线310设置在一个方向上；将彼此绝缘的多条数据线320设置在交叉于栅线310的方向上；将同样彼此绝缘的并交叉于栅线310的多条电源线330设置为与数据线320平行，在由栅线310、数据线320以及电源线330界定(bind)的区域中形成多个像素部分340；以及多个像素电极350被设置在每个像素部分340中并具有开口355。为了简化图3A，应用于每个R、G、B单元像素的附图标记只在R单元像素上被表示。而且，应相同地配置R、G、B单位像素。
每个像素部分340具有R、G或B单元像素。如图1B中所示，每个单元像素可以具有包括像素电极350、电容器、以及两个晶体管的EL元件，或者将每个单元像素以各种其它方式来实现。在示例性的实施例中，像素电极350是包括反射层和如氧化铟锡(ITO)的透明导电层的叠层(stacked layer)，其中所述反射层由高反射性的诸如铝(AL)或钛(Ti)的金属或金属合金构成。在该实施例中，附图标记389表示用于将驱动晶体管(未示出)与像素电极350连接起来的导通孔。
在本发明的实施例中，提供了一种还包括阻光层360的有机发光显示器件，其中在除了其对应于像素电极的部分之外的衬底的整个表面上形成该阻光层360。由于在除了对应于像素电极350的区域之外的衬底的整个表面上形成该阻光层360，所以阻光层360可完全屏蔽(shield)外部光。换句话说，因为阻光层360形成在平坦化层下的整个衬底表面上并与形成在平坦化层上的导通孔389隔离，而且因为在平坦化层上形成具有反射层的像素电极350，因此阻光层360可完全屏蔽外部光。
图4A显示根据本发明的一个实施例构造的AMOLED器件的剖视图并描述该AMOLED器件的具有电容器、晶体管以及连接到晶体管的EL元件的部分。
参考图4A，在绝缘衬底400上形成缓冲层410。在缓冲层410上形成具有源/漏区421和425的半导体层420，并且在栅绝缘层430上形成栅电极431和电容器的下电极437。在层间绝缘层440上，形成源/漏电极451和455，该源/漏电极451和455通过导通孔(未示出)连接到源/漏区421和425。将电容器的上电极457连接到源/漏电极451和455中的一个上。在该示例中，将上电极457连接到源电极451。
在衬底的整个表面上形成钝化层460，在钝化层460上形成阻光层490，以及在阻光层490上形成平坦化层465。贯穿阻光层490和平坦化层465形成导通孔469，以便暴露与钝化层460相接触形成的漏电极455。并且，形成阻光屏蔽467，该阻光屏蔽467从平坦化层465经过阻光层490和钝化层460基本环形地并垂直向下地延伸，以便封入(enclose)导通孔469，由此将导通孔469与阻光层490和钝化层460分隔开。在该方式中，通过定义图形467将阻光层490与导通孔469分隔开并与下电极470绝缘。另外，在一个实施例中，在EL元件和TFT之间的整个表面(层)上形成阻光层490。
通过贯穿平坦化层465形成的导通孔469将作为EL元件的像素电极的下电极470连接到漏电极455。形成其中具有用来暴露下电极470的一部分的开口479的像素定义层475。在开口479中形成有机发射层480以接触下电极470。在衬底的整个表面上形成上电极485。
在一个示例性实施例中，阻光层490是由金属绝缘体混合层(MIHL)构成的薄膜层，该金属绝缘体混合层具有金属材料的浓度梯度和透明绝缘材料的浓度梯度，诸如氮化物层或氧化物层。该MIHL可具有金属材料的浓度梯度，诸如氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)，以及透明导电材料的浓度梯度，如氧化铟锡(ITO)。或者，阻光层490可具有有机绝缘层的浓度梯度，诸如，但不限于Cr、CrOx、或者碳黑。形成薄膜，以便金属材料的浓度向钝化层460逐渐增加而透明材料的浓度向平坦化层465逐渐增加。
利用形成平坦化层465的绝缘材料来填充贯穿阻光层490和钝化层460的以闭合沟槽形状形成的阻光屏蔽467，以便，如果阻光层490由导电材料构成，则将阻光层490与导通孔469分隔开。以这种方式，由于通过阻光屏蔽467将阻光层490与形成在导通孔469中的像素电极(例如，下电极470)分隔开，因此防止了像素电极470的短路。
由于在除了其对应于导通孔469的并被其围绕的区域之外的衬底的整个表面上形成阻光层490，以及由于具有反射层的像素电极是阻光屏蔽467，因此通过衬底的整个表面可屏蔽所有的外部光。
图4B是根据本发明的另一个实施例构造的、包括电容器、TFT、以及连接到TFT的EL元件的AMOLED有机发光器件的一部分的剖视图。
除了只贯穿阻光层490形成用于将导通孔与阻光层490隔开的阻光屏蔽467之外，图4B的AMOLED器件的部分反映图4A中描述的AMOLED的部分。在该实施例中，在衬底的整个表面上形成阻光层490的效果与参考图4A描述的实施例的情况相同。
图5A、5B、5C和5D是描述根据本发明实施例的用于制造AMOLED器件的方法的连续剖视图。由于在此描述的所有方法中制造源/漏电极的工艺与那些用于形成现有的源/漏电极的工艺相同，因此下面的描述将从制造钝化层的工艺开始。
参考图5A，在绝缘衬底500的层间绝缘层510上形成源/漏电极520之后，在绝缘衬底500上连续形成钝化层530和阻光层540。此后，形成光敏层图形550以便可以暴露其上形成导通孔和阻光屏蔽的阻光层540的一部分。
参考图5B，通过使用作为掩模的光敏层图形550(图5A)蚀刻暴露的阻光层540，首先形成用来暴露源/漏电极520的导通孔561。以相同形式，形成与阻光层540和钝化层530接触的阻光屏蔽565。此后除去光敏层图形550。
参考图5C，在衬底的整个表面上形成平坦化层570。然后形成光敏层图形555以暴露对应于先前形成的导通孔561的平坦化层570的区域。
参考图5D，通过使用作为掩模的光敏层图形555蚀刻暴露的平坦化层570，贯穿钝化层530、阻光层540以及平坦化层570形成用来暴露源/漏电极520的导通孔571。在除去光敏层图形555后，在平坦化层570上形成下电极580并通过导通孔571将该下电极580连接到源/漏电极520。
当如上所述在衬底的整个表面上形成阻光层540并且不提供阻光屏蔽时，通过导通孔571将下电极580电连接到阻光层540而发生短路。但是，在本发明中，通过用平坦化材料(planarization layer)570填充的阻光屏蔽565将导通孔571与阻光层490隔开，从而在下电极580和阻光层540之间不发生短路。
而且，在本发明的实施例中，当在钝化层530和平坦化层570中形成导通孔571时，通过几乎同时形成阻光屏蔽565而省略额外的掩模工艺。在现有的AMOLED使用平坦化层的情况下，在钝化层530上形成平坦化层以便克服其上形成TFT的衬底500(此后称作TFT衬底)的级梯差异(step difference)。为了增强在TFT衬底和密封衬底(图中未示出)之间的粘着性，除去一部分平坦化层以便TFT衬底与密封衬底密封。因此在钝化层上形成平坦化层的现有的结构中，需要两种掩模处理。一种是形成导通孔的处理，另一种是将平坦化层密封到密封衬底所使用的用于除去平坦化层区域的工艺。
然而，在本发明的实施例中，通过蚀刻阻光层和钝化层首先形成导通孔和阻光屏蔽之后，在用于形成钝化层中的导通孔的处理期间蚀刻平坦化层。结果，不需要用于形成阻光屏蔽的额外掩模工艺。
图6A、6B、6C和6D是描述根据本发明的另一个实施例的用于制造AMOLED器件的方法的连续剖面图。
参考图6A，在绝缘衬底600的层间绝缘层610上形成源/漏电极620后，连续形成钝化层630和阻光层640。此后，在阻光层640上形成光敏层图形650。在这种情况下，构造光敏层650以便暴露将形成导通孔的阻光层640的第一部分位于将形成阻光屏蔽的第二部分之内。使用半色调掩模(halftonemask)690完成该结构，在该网线掩模中在对应导通孔的部分上形成透明图形695，在对应阻光屏蔽的部分上形成半透明图形693，并在剩余部分上形成屏蔽图形691。
参考图6B，通过使用作为掩模的光敏层图形650来蚀刻暴露的阻光层640贯穿接触阻光层640和钝化层630首先形成用于暴露源/漏电极520的导通孔661，而几乎同时在阻光层640上形成阻光屏蔽665。然后除去光敏层图形650。
参考图6C，在衬底的整个表面上形成平坦化层670之后，形成光敏层图形655以暴露对应起先形成的导通孔661的平坦化层670的一部分。
参考图6D，通过使用作为掩模的光敏层图形655来蚀刻暴露的平坦化层670接触贯穿钝化层630、阻光层640以及平坦化层670而最终形成用于暴露源/漏电极620的导通孔671。在除去光敏层图形655后，通过导通孔671形成连接到源/漏电极620的下电极680。
根据本发明的另一实施例，通过在阻光层640上形成的阻光屏蔽565将导通孔671与阻光层690隔开，以便防止下电极和阻光层之间的短路。而且，当形成导通孔671时，通过形成阻光屏蔽可省略额外的掩模工艺。
图7A和7B表示根据本发明的实施例的阻光层和阻光屏蔽之间的关系的附图。
参考图7A和7B，在除了导通孔789外的衬底的整个表面(像素部分740)上形成阻光屏蔽760。另外，在沟槽形周围和封闭的导通孔789中形成光屏蔽。除了在此描述的阻光屏蔽，将导通孔与阻光层隔开的任何图形都在本发明权利要求的精神和范围中。
虽然使用示例性实施例解释在此描述的本发明，但是在不脱离本发明的权利要求的精神和范围下可改进发明。
本申请要求以下优先权：韩国专利申请第2003-54795号，申请日：2003年8月7日，这里引用其公开内容作为参考。