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本公开涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。衬底中的结型场效应晶体管(JFET)包括第一导电类型的沟道区域和源极区域以及第二导电类型的第一至第四栅极区域。第一和第二栅极区域被设置在沿着衬底的表面的方向上。第三和第四栅极区域被设置在该方向上。第一和第三栅极区域被设置在深度方向上。第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间。第二和第四栅极区域被设置在深度方向上。第二栅极区域被设置在所述表面与。