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1、(10)申请公布号 CN 103150272 A(43)申请公布日 2013.06.12CN103150272A*CN103150272A*(21)申请号 201310092360.4(22)申请日 2013.03.21G06F 13/14(2006.01)G11C 11/413(2006.01)(71)申请人珠海市杰理科技有限公司地址 519015 广东省珠海市香洲区吉大九州大道中2069号2楼(72)发明人张锦华 张启明(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司 44224代理人王茹 胡杰(54) 发明名称SDRAM的数据存取电路及SDRAM的数据存取系统(57) 摘要本发明提供。
2、一种SDRAM的数据存取电路以及一种SDRAM的数据存取系统。所述SDRAM的数据存取电路包括控制电路、控制信号接口和数据地址接口，所述控制电路与所述控制信号接口连接，并通过所述控制信号接口与SDRAM的控制接口连接；所述控制电路与所述数据地址接口连接，并通过所述数据地址接口同时与SDRAM的地址接口和数据接口连接。通过所述数据地址接口分别传输地址信号和数据信号至SDRAM，因此数据存取电路只需要设置一种数据地址接口，就可以实现对SDRAM的数据存取操作。因此可以减少数据存取电路的接口个数，简化电路的硬件结构，满足电路小面积、低成本的要求，特别适用于小容量、小封装的电子产品。(51)Int.C。
3、l.权利要求书2页 说明书5页 附图5页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书5页 附图5页(10)申请公布号 CN 103150272 ACN 103150272 A1/2页21.一种SDRAM的数据存取电路，包括：控制电路和控制信号接口，所述控制电路与所述控制信号接口连接，并通过所述控制信号接口与SDRAM的控制接口连接；其特征在于，还包括数据地址接口，所述控制电路与所述数据地址接口连接，并通过所述数据地址接口同时与SDRAM的地址接口和数据接口连接。2.如权利要求1所述的SDRAM的数据存取电路，其特征在于，所述控制电路先通过所述数据地址接口发送地。
4、址信号，通过所述控制信号接口发送读/写命令，然后通过所述数据地址接口输出数据信号或者接收数据信号。3.如权利要求2所述的SDRAM的数据存取电路，其特征在于，执行写SDRAM操作时，所述控制电路通过所述控制信号接口输出激活命令，通过所述数据地址接口输出行地址信号；经过至少一个时钟后，所述控制电路通过所述控制信号接口输出写命令，通过所述数据地址接口输出列地址信号；然后通过所述数据地址接口输出数据信号。4.如权利要求2所述的SDRAM的数据存取电路，其特征在于，执行读SDRAM操作时，所述控制电路通过所述控制信号接口输出激活命令，通过所述数据地址接口输出行地址信号；经过至少一个时钟后，所述控制电路。
5、通过所述控制信号接口输出读命令，通过所述数据地址接口输出列地址信号；然后通过所述数据地址接口接收数据信号。5.如权利要求1至4任意一项所述的SDRAM的数据存取电路，其特征在于，进一步包括掩码信号产生电路和掩码信号接口，所述掩码信号产生电路连接所述掩码信号接口，并且通过所述掩码信号接口与SDRAM的掩码接口连接。6.如权利要求5所述的SDRAM的数据存取电路，其特征在于，执行写SDRAM操作时，所述控制电路通过所述控制信号接口输出激活命令，通过所述数据地址接口输出行地址信号；经过至少一个时钟后，所述控制电路通过所述控制信号接口输出写命令，通过所述数据地址接口输出列地址信号，同时，所述掩码信号产。
6、生电路通过所述掩码信号接口输出写数据无效的掩码信号；在所述写数据无效的掩码信号结束后，所述控制电路通过所述数据地址接口输出数据信号。7.如权利要求5所述的SDRAM的数据存取电路，其特征在于，执行读SDRAM操作时，所述控制电路从所述SDRAM开始传输数据之后的至少第二个时钟开始接收数据信号；或者，所述控制电路从所述SDRAM开始传输数据之后的第一个时钟开始接收数据信号，并判断所述SDRAM开始传输数据之后的至少第二个时钟开始接收数据信号为有效的数据信号。8.一种SDRAM的数据存取系统，包括：SDRAM和所述SDRAM的数据存取电路；所述数据存取电路包括控制电路和控制信号接口，所述控制电路与。
7、所述控制信号接口连接；所述SDRAM包括控制接口，地址接口和数据接口；所述数据存取电路的控制信号接口与所述SDRAM的控制接口连接；其特征在于，所述数据存取电路还包括数据地址接口，所述控制电路与所述数据地址接口连接，所述数据地址接口同时连接所述SDRAM的地址接口和数据接口。9.如权利要求8所述的SDRAM的数据存取系统，其特征在于，所述数据存取电路进一步包括掩码信号产生电路和掩码信号接口，所述SDRAM进一步包括掩码接口，所述掩码信号产生电路连接所述掩码信号接口，所述掩码信号接口与所述SDRAM的掩码接口连接。10.如权利要求8或者9所述的SDRAM的数据存取系统，其特征在于，所述控制电路权。
8、 利 要 求 书CN 103150272 A2/2页3先通过所述数据地址接口发送地址信号至所述SDRAM，通过所述控制信号接口发送读/写命令至所述SDRAM，然后通过所述数据地址接口输出数据信号至所述SDRAM或者接收所述SDRAM输出的数据信号。权 利 要 求 书CN 103150272 A1/5页4SDRAM 的数据存取电路及 SDRAM 的数据存取系统技术领域0001 本发明涉及SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器）的数据存取的技术领域，尤其是涉及一种SDRAM的数据存取电路及一种SDRAM的数据存取系统。背。
9、景技术0002 请参阅图1所示，是一种现有的SDRAM的数据存取电路的架构方框图。现有的SDRAM的数据存取电路100，具有控制接口，例如/CS、/RAS、/CAS、/WE等，并通过数条控制线110，将数据存取电路100的控制信号传送至SDRAM102。另外，原有的数据交换电路100还具有地址接口和数据接口，分别通过地址线120将数据存取电路100的地址信号传送至SDRAM102，通过数据线130将数据存取电路100的数据接口和数据传送至SDRAM102。一般来说，现有的数据存取电路100的数据线130，是一一对应连接至SDRAM102的数据引脚(Q0Qn)上，而数据存取电路100的地址接口和。
10、地址线120，是一一对应地连接至SDRAM102的地址引脚(A0Am)上。0003 在目前的技术上，SDRAM的尺寸包括了X1、X2、X4、X8、X16和X32。然而因为市场供需状况不同，往往受限于某些既定的宽度选择，在小容量电子产品（如视频录制、播放装置）的市场尤其明显。以16Mb的颗粒为例，目前最通用的应该是4M X16的包装，也就是说需要提供X16的数据总线宽度、还有13个地址总线宽度。这样，对于需要面积小、成本低的数据存取电路，集成过多的接口引脚会变得难以实现。发明内容0004 针对上述背景技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种可以简化接口的SDRAM的数据存取电路，能够使用较少的。
11、接口实现数据、地址以及控制信号的传输。0005 一种SDRAM的数据存取电路，包括：控制电路、控制信号接口和数据地址接口，所述控制电路与所述控制信号接口连接，并通过所述控制信号接口与SDRAM的控制接口连接；所述控制电路与所述数据地址接口连接，并通过所述数据地址接口同时与SDRAM的地址接口和数据接口连接。0006 本发明的目的还在于提供一种可以简化数据存取电路接口的SDRAM的数据存取系统，能够使用较少的接口实现数据、地址以及控制信号的传输。0007 一种SDRAM的数据存取系统，包括：数据存取电路和SDRAM；所述数据存取电路包括控制电路、控制信号接口和数据地址接口，所述控制电路与所述控制。
12、信号接口连接，所述控制电路与所述数据地址接口连接；所述SDRAM包括控制接口，地址接口和数据接口；所述数据存取电路的控制信号接口与所述SDRAM的控制接口连接；所述数据地址接口同时连接所述SDRAM的地址接口和数据接口。0008 本发明的SDRAM的数据存取电路及SDRAM的数据存取系统中，所述数据地址接口同时连接所述SDRAM的地址接口和数据接口，因此可以通过所述数据地址接口分别传输地说 明 书CN 103150272 A2/5页5址信号和数据信号，所述数据存取电路无需分别设置地址接口和数据接口，而只需要设置一种数据地址接口，就可以实现对SDRAM的数据存取操作。因此可以减少SDRAM的数据。
13、存取电路的接口个数，简化数据存取电路的硬件结构，满足数据存取电路小面积、低成本的要求，特别适用于小容量、小封装的电子产品，使其更具有适用性。附图说明0009 图1是一种现有的SDRAM的数据存取电路的结构示意图；0010 图2是本发明SDRAM的数据存取电路的结构示意图；0011 图3是本发明SDRAM的数据存取系统的结构示意图；0012 图4是本发明SDRAM的数据存取系统一个优选实施方式的结构示意图；0013 图5是本发明SDRAM的数据存取系统在一个实施例中执行读/写SDRAM操作的流程示意图；0014 图6是本发明SDRAM的数据存取系统在一个实施例中执行SDRAM读操作的信号时序图；。
14、0015 图7是本发明SDRAM的数据存取系统在一个实施例中执行SDRAM写操作的信号时序图。具体实施方式0016 请参阅图2，图2是本发明SDRAM的数据存取电路的结构示意图。0017 所述SDRAM的数据存取电路包括：控制电路11、控制信号接口12和数据地址接口13，所述控制电路11与所述控制信号接口12连接，并通过所述控制信号接口12与SDRAM的控制接口连接；所述控制电路11与所述数据地址接口连接13，并通过所述数据地址接口13同时与SDRAM的地址接口和数据接口连接。0018 请参阅图3，图3是本发明SDRAM的数据存取系统的结构示意图。0019 所述SDRAM的数据存取系统包括SD。
15、RAM和所述SDRAM的数据存取电路，所述数据存取电路包括：控制电路11、控制信号接口12和数据地址接口13，所述控制电路11与所述控制信号接口12、所述数据地址接口13连接；所述SDRAM包括控制接口22，地址接口23和数据接口24；所述数据存取电路的控制信号接口12与所述SDRAM的控制接口22连接，所述数据地址接口13同时连接所述SDRAM的地址接口23和数据接口24。0020 在所述数据存取电路中，所述控制信号接口12包括/CS、/RAS、/CAS、/WE等。所述数据地址接口13的个数大于或者等于所述SDRAM的数据接口个数和地址接口个数中较大的一个。一般来说所述SDRAM的数据接口大。
16、于或等于其地址接口个数，因此，所述数据地址接口13的个数一般与所述SDRAM的数据接口24个数相等，与所述SDRAM的数据接口24一一对应地连接，所述SDRAM的每一所述地址接口23也一一对应地连接一个所述数据地址接口13。0021 亦即，假设所述数据存取电路包括p个所述数据地址接口13，所述SDRAM包括n个所述数据接口24(DQ0DQn)和m个所述地址接口23(A0Am)；其中，p、m、n为自然数，p=max(n,m)；则n个所述数据接口24分别一一对应地连接其中的n个所述数据地址接口，并且，m个所述地址接口分别一一对应地连接其中的m个所述数据地址接口。说 明 书CN 103150272 。
17、A3/5页60022 所述数据地址接口13与所述SDRAM的地址接口23和数据接口24可以用数据线连接，在一个实施例中，所述SDRAM的数据存取系统还包括地址线201和数据线202，所述地址线连接所述SDRAM的地址接口23和所述数据地址接口13，所述数据线连接所述SDRAM的数据接口24和所述数据地址接口13。0023 在执行SDRAM数据存取时，所述数据存取电路的控制电路11先通过所述数据地址接口13发送地址信号至所述SDRAM，通过所述控制信号接口13发送读/写命令至所述SDRAM，然后通过所述数据地址接口13输出数据信号至所述SDRAM或者接收所述SDRAM输出的数据信号。0024 所。
18、述SDRAM分别从控制接口22和地址接口23接收所述读/写命令和所述地址信号之后对相应地址上的数据执行读/写操作，通过所述数据接口24输入数据储存或者输出数据。从而实现复用所述数据地址接口13传输地址信号和数据信号，减少所述数据存取电路的接口个数。0025 下面具体说明本发明的SDRAM的数据存取电路执行读/写SDRAM操作的控制流程：0026 在执行写SDRAM操作时，所述控制电路11通过所述控制信号接口12输出激活命令，通过所述数据地址接口13输出行地址信号；经过至少一个时钟后，所述控制电路11通过所述控制信号接口12输出写命令，通过所述数据地址接口13输出列地址信号；然后通过所述数据地址。
19、接口13输出数据信号至SDRAM的数据接口24。0027 所述SDRAM接收所述激活命令后激活，接收并保存所述行地址信号，在接到写命令和所述列地址信号之后，根据所述行地址信号和列地址信号确定写入数据的储存地址，然后对从数据接口24输入的信号执行写入储存操作，完成数据写入操作。0028 执行读SDRAM操作时，所述控制电路11通过所述控制信号接口12输出激活命令，通过所述数据地址接口13输出行地址信号；经过至少一个时钟后，所述控制电路11通过所述控制信号接口12输出读命令，通过所述数据地址接口13输出列地址信号；然后通过所述数据地址接口13接收数据信号。0029 所述SDRAM接收所述激活命令后。
20、激活，接收并保存所述行地址信号，在接到读命令和所述列地址信号之后，根据所述行地址信号和列地址信号确定输出数据的储存地址，然后从对应的储存地址读取数据并对从所述数据接口24输出数据信号至所述数据存取电路的数据地址接口13。所述数据存取电路的控制电路11通过所述数据地址接口13接收所述数据信号，完成数据读取操作。0030 本发明的DRAM的数据存取电路及DRAM的数据存取系统中，所述数据地址接口同时连接所述SDRAM的地址接口和数据接口，因此可以通过所述数据地址接口分别传输地址信号和数据信号，所述数据存取电路无需分别设置地址接口和数据接口，而只需要设置一种数据地址接口，就可以实现对SDRAM的数据。
21、存取操作。因此可以减少SDRAM的数据存取电路的接口个数，简化数据存取电路的硬件结构，满足数据存取电路小面积、低成本的要求，特别适用于小容量、小封装的电子产品，使其更具有适用性。0031 请参阅图4，图4是本发明SDRAM的数据存取系统一个优选实施方式的结构示意图。0032 在本实施方式中，所述SDRAM的数据存取电路进一步包括掩码信号产生电路14和说 明 书CN 103150272 A4/5页7掩码信号接口15，所述SDRAM进一步包括掩码接口25，所述掩码信号产生电路14连接所述掩码信号接口15，并且通过所述掩码信号接口15与SDRAM的掩码接口25连接。0033 本实施方式中，在执行写S。
22、DRAM操作时，所述控制电路11通过所述控制信号接口12输出激活命令，通过所述数据地址接口13输出行地址信号；经过至少一个时钟后，所述控制电路11通过所述控制信号接口12输出写命令，通过所述数据地址接口13输出列地址信号，同时，所述掩码信号产生电路14通过所述掩码信号接口15输出写数据无效的掩码信号；在所述写数据无效的掩码信号结束后，所述控制电路11通过所述数据地址接口13输出数据信号。0034 所述SDRAM接收所述激活命令后激活，接收并保存所述行地址信号，在接到写命令和所述列地址信号之后，根据所述行地址信号和列地址信号确定写入数据的储存地址，并且由于同时接收到所述写数据无效的掩码信号，所以。
23、同时传输到地址接口23和数据接口24的列地址信号不会被当做是写入数据信号，在所述写数据无效的掩码信号结束后，对从数据接口24输入的信号执行写入储存操作，完成数据写入操作。0035 通过所述掩码信号产生电路14和所述掩码信号接口15，在输出写命令和列地址信号的同时输出写数据无效的掩码信号，防止所述SDRAM接收到写命令和列地址信号后，将同时传输到地址接口23和数据接口24的列地址信号当做是写入数据信号而引起数据误写入，可以保证对SDRAM数据读/写的准确性。0036 对应地，执行读SDRAM操作时，所述控制电路11从所述SDRAM开始传输数据之后的至少第二个时钟开始从所述数据地址接口13接收数据。
24、信号；或者，所述控制电路11从所述SDRAM开始传输数据之后的第一个时钟开始从所述数据地址接口13接收数据信号，并判断所述SDRAM开始传输数据之后的至少第二个时钟开始接收数据信号为有效的数据信号。0037 因为执行数据写入时的第一个时钟输入的数据是无效数据，即所述写数据无效的掩码信号所在的时钟输入的数据是无效数据，因此，在执行读操作时，对应地从至少第二个时钟开始获取有效的数据信号，保证对SDRAM数据读/写的准确性。0038 其中，所述掩码信号接口15可包括低掩码引脚(DQML)和高掩码引脚(DQMH)，分别连接所述SDRAM的低掩码引脚和高掩码引脚。并且定义：所述掩码信号产生电路14通过所。
25、述低掩码引脚(DQML)输出低掩码信号时，写数据有效；所述掩码信号产生电路14通过所述高掩码引脚(DQMH)输出高掩码信号时，写数据无效。0039 下面以具体的实施例说明本发明的SDRAM的数据存取电路及SDRAM的数据存取系统。请参阅图5，图5是本发明SDRAM的数据存取系统执行读/写SDRAM操作的一个实施例的流程示意图。0040 在本实施例中，所述数据存取电路通过的数据地址接口13通过数据/地址合线211分别连接所述SDRAM的地址接口23和数据接口24。0041 首先，执行步骤S400，判断数据存取电路是要由SDRAM接收数据（即执行SDRAM读操作），或是要输出数据到SDRAM（即执。
26、行SDRAM写操作）。当要从SDRAM接收数据时，则所述控制电路11执行步骤S421，先通过控制信号接口12输出“行”使能信号（激活信号），通过所述数据地址接口13和所述数据/地址合线211发送“行”地址至SDRAM；经过一定的时钟后，执行步骤S422，通过控制信号接口12输出“列”使能（读命令），通过所述数据地址接口13和所述数据/地址合线211发送“列”地址至SDRAM；经过一定的时钟后，执行步骤S423说 明 书CN 103150272 A5/5页8通过数据/地址合线211和所述数据地址接口13开始接收从SDRAM发出的数据。在步骤S424中，判断数据接收是否完成，如果没有完成就继续执行。
27、步骤S423，继续接收从SDRAM发出的数据；当数据接收已经完成，“接收”流程结束。执行SDRAM读操作的信号时序图如图6所示。0042 相对地，当数据存取电路要输出数据至SDRAM时，则所述控制电路11执行步骤S411，先通过控制信号接口12输出“行”使能信号（激活信号），通过所述数据地址接口13和所述数据/地址合线211发送“行”地址至SDRAM；经过一定的时钟后，执行步骤S412所述，通过控制信号接口12输出“列”使能（写命令），通过所述数据地址接口13和所述数据/地址合线211发送“列”地址至SDRAM；与此同时，为了避免将第一个错误的列地址数据写入到SDRAM，在“列”地址有效的同时。
28、，将掩码DQML/DQMH拉高，在下一个时钟到来前，将掩码DQML/DQMH重新拉低，确保之后的数据都能正常输出至SDRAM；经过一定的时钟后，执行步骤S413，通过所述数据地址接口13和数据/地址合线211开始输出数据至SDRAM。步骤S414判断数据输出是否完成，如果没有完成就继续执行步骤S413继续输出数据至SDRAM；当数据输出已经完成，“输出”流程结束。执行SDRAM写操作的信号时序图如图7所示。0043 本发明的SDRAM的数据存取系统中的数据存取电路能够设置较少的接口引脚而完成对SDRAM的读/写数据操作，因此能够减少数据存取电路设置的额接口引脚的数量，降低成本和体积，特别适用于。
29、小容量、小封装的电子产品，从而更加适于实用。通过设置所述掩码信号产生电路和所述掩码信号接口，可以避免数据误输入，保证对SDRAM数据读/写的准确性。0044 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。说 明 书CN 103150272 A1/5页9图1图2说 明 书 附 图CN 103150272 A2/5页10图3说 明 书 附 图CN 103150272 A10。