发光装置技术领域
本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种以发光二极管作为光源的发
光装置。
背景技术
随着发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的技术发展，发光二极管已逐渐地
取代传统灯泡而被应用于照明领域。由于现有的发光二极管采用直流电驱动，所以只能应
用于直流电驱动的环境；或者，需要使用交流-直流电源转换器以及变压器将市用交流电转
换成低压直流电，才能够提供给发光二极管使用。
然而，一般的市售用电均为110V/220V的交流电，因此，现有采用直流电的发光二
极管存在着使用不方便的问题。承上述，有研究者发明了交流发光二极管(AC LED)或是高
压发光二极管(HV LED)，交流发光二极管无需额外的变压器、整流器或驱动电路，直接使用
交流电就可对交流发光二极管进行驱动，而高压发光二极管，则无须转换成低压直流电，可
使用一般直流电进行驱动，藉此减少变压器所产生的能量损耗。
目前的交流/高压发光二极管都是在尺寸相当微小的单晶片上形成发光二极管单
元矩阵以及内连线线路，利用内连线线路串联或并联多个发光二极管单元，以使交流/高压
发光二极管具备可调整电压及电流的特性。一般来说，内连线线路通常是采用透明导导电
材料，如铟锡氧化物(ITO)所组成。由于此内连线线路仅可提供电性连接的功效，因此在相
邻两发光二极管单元的桥接处的发光效率较低。
发明内容
本发明提供一种发光装置，可增进相邻两发光二极管的桥接处的光反射效果，以
提升整体发光装置的发光效率。
本发明提出一种发光装置，其包括一基板、多个发光单元、一绝缘层、一电流分布
层及一反射层。基板具有一上表面。发光单元配置在基板的上表面上。发光单元包括至少一
第一发光二极管以及至少一第二发光二极管。第一发光二极管的一第一侧壁与第二发光二
极管的一第二侧壁彼此相邻且定义出一凹部，且凹部暴露出基板的部分上表面。绝缘层至
少覆盖第一发光二极管的第一侧壁与第二发光二极管的第二侧壁上。电流分布层覆盖凹
部，且至少覆盖部分第二发光二极管。反射层覆盖电流分布层，且电性连接第一发光二极管
与第二发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的发光装置还包括一阻障层，配置在反射层上。
在本发明的一实施例中，上述的阻障层的材质包括钨、钨化钛或钨化钛/铂。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘层还覆盖被凹部所暴露出的基板的部分上表
面，且电流分布层延伸覆盖部分第一发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的电流分布层并未覆盖第一发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘层还覆盖被凹部所暴露出的基板的部分上表
面。在本发明的一实施例中，上述的基板的上表面具有一凹陷，凹陷对应凹部设置，且绝缘
层还延伸至凹陷内且覆盖凹陷。
在本发明的一实施例中，上述的基板的上表面具有一凹陷，凹陷对应凹部设置，而
绝缘层还延伸至凹陷内且未覆盖凹陷的一底部，电流分布层还覆盖凹陷的底部。
在本发明的一实施例中，上述的第一发光二极管包括一第一半导体元件层、一第
一电极以及一第二电极，第一半导体元件层包括一第一半导体层、一第一发光层以及一第
二半导体层。第一发光层配置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一电极位于第一半
导体层上，且第二电极位于第二半导体层上。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘层还覆盖部分第一半导体层，而电流分布层
还覆盖部分第一电极。
在本发明的一实施例中，上述的发光装置还包括一阻障层，其中阻障层配置在反
射层上以及第一发光二极管的第二电极与第二半导体层之间。
在本发明的一实施例中，上述的第二发光二极管包括一第二半导体元件层以及一
第三电极，第二半导体元件层包括一第三半导体层、一第二发光层以及一第四半导体层。第
二发光层配置在第三半导体层与第四半导体层之间，第三电极位于第三半导体层上。绝缘
层还覆盖部分第四半导体层。电流分布层覆盖部分第四半导体层，且电流分布层与第四半
导体层形成欧姆接触。
在本发明的一实施例中，上述的第一发光二极管的第一侧壁与第二发光二极管的
第二侧壁分别为一倾斜侧壁或一垂直侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘层的材质包括氧化硅或氧化钛。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘层是由两种以上不同折射率材料所组成。
在本发明的一实施例中，上述的电流分布层的材质包括镍/金、氧化铟锡、氧化镉
锡、氧化锑锡、氧化锌或上述的组合。
在本发明的一实施例中，上述的反射层的材质包括银、钛、铝、金、铬、镍、铂或其合
金。
在本发明的一实施例中，上述的反射层是由多层具有不同反射率材料的金属或金
属合金所组成。
在本发明的一实施例中，上述的第一发光二极管与第二发光二极管以串联或并联
的方式电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一发光二极管与第二发光二极管可为一覆晶式
发光二极管。
基于上述，本发明的反射层除了可具有电性效能以电性连接相邻两发光二极管之
外，也具有高反射效率可反射从发光二极管的发光层所发出的光线。因此，相较于现有的高
压发光二极管而言，本发明的发光装置可具有较佳的发光效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图
作详细说明如下。
附图说明
图1示出为本发明的一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；
图2示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；
图3示出为本发明的又一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；
图4示出为本发明的再一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；
图5示出为本发明的更一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。
附图标记说明：
100a、100b、100c、100d、100e：发光装置；
110a、110b：基板；
112a、112b：上表面；
113b：凹陷；
115b：底部；
120：发光单元；
120a：第一发光二极管；
120b：第二发光二极管；
121a：第一半导体层；
121b：第三半导体层；
122a：第一半导体元件层；
122b：第二半导体元件层；
123a：第二半导体层；
123b：第四半导体层；
124a：第一电极；
124b：第三电极；
125a：第一发光层；
125b：第二发光层；
126a：第二电极；
127a：第一侧壁；
127b：第二侧壁；
130a、130b、130c、130d、130e：绝缘层；
140a、140b、140c、140d、140e：电流分布层；
150a、150b：反射层；
160：阻障层；
C：凹部。
具体实施方式
图1示出为本发明的一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。请参考图1，在本
实施例中，发光装置100a包括一基板110a、多个发光单元120、一绝缘层130a、一电流分布层
140a及一反射层150a。基板110a具有一上表面112a。发光单元120a配置在基板110a的上表
面112a上。发光单元120包括至少一第一发光二极管120a(图1中仅示意地示出一个)以及至
少一第二发光二极管120b(图1中仅示意地示出一个)。第一发光二极管120a的一第一侧壁
127a与第二发光二极管120b的一第二侧壁127b彼此相邻且定义出一凹部C，且凹部C暴露出
基板110a的部分上表面112a。绝缘层130a至少覆盖第一发光二极管120a的第一侧壁127a与
第二发光二极管120b的第二侧壁127b上。电流分布层140a覆盖凹部C，且至少覆盖部分第二
发光二极管120b。反射层150a覆盖电流分布层140a，且电性连接第一发光二极管120a与第
二发光二极管120b。
更具体来说，本实施例的第一发光二极管120a包括一第一半导体元件层122a、一
第一电极124a以及一第二电极126a。第一发光二极管120a的第一半导体元件层122a是由一
第一半导体层121a、一第一发光层125a以及一第二半导体层123a所组成。第一发光层125a
配置在第一半导体层121a与第二半导体层123a之间。第一电极124a位于第一半导体层121a
上且绝缘层130a还覆盖部分第一半导体层121a。第二发光二极管120b包括一第二半导体元
件层122b以及一第三电极124b。第二发光二极管120b的第二半导体元件层122b是由一第三
半导体层121b、一第二发光层125b以及一第四半导体层123b所组成。第二发光层125b配置
在第三半导体层121b与第四半导体层123b之间。第三电极124b位于第三半导体层121b上。
绝缘层130a还覆盖部分第四半导体层123b以及被凹部C所暴露出的基板110a的部分上表面
112a。也就是说，绝缘层130a为一连续的膜层以覆盖第一侧壁127a、第二侧壁127b以及被凹
部C所暴露出的基板110a的部分上表面112a。电流分布层140a覆盖部分第一电极124a与第
二半导体层123a以及第二发光二极管120b的第二半导体元件层122b。特别是，电流分布层
140a覆盖部分第四半导体层123b，且电流分布层140a与第四半导体层123b形成欧姆接触。
反射层150a还覆盖位于第二半导体层123a上的电流分布层140a，且第二电极126a位于反射
层150a上。特别是，反射层150a电性连接第一发光二极管120a的第一电极124a与第二发光
二极管120b的第二半导体元件层122b。此处，第一发光二极管120a与第二发光二极管120b
分别为一覆晶式发光二极管。在本实施例中，第一发光二极管120a的第一侧壁127a与第二
发光二极管120b的第二侧壁127b分别为一垂直侧壁。也就是说，第一侧壁127a与第二侧壁
127b相互平行设置。当然，在其他未示出的实施例中，第一发光二极管120a的第一侧壁127a
与第二发光二极管120b的第二侧壁127b也可分别为一倾斜侧壁，在此并不加以限制。再者，
本实施例的绝缘层130a例如是一单层材料结构层，其中绝缘层130的材质例如是氧化硅或
氮化钛。当然，在其他未示出的实施例中，绝缘层130a也可是由两种以上不同折射率材料所
组成，在此并不加以限制。此外，本实施例的电流分布层140a的材质例如是镍/金、氧化铟
锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌或上述的组合，其中电流分布层140a具有良好电流分散功
能。此处，电流分布层140a也具有电性连接第一发光二极管120a的第一电极124a与第二发
光二极管120b的第二半导体元件层122b。
特别是，在本实施例中，反射层150a除了具有高反射效率外，也具有电性效能可电
性连接第一发光二极管120a与第二发光二极管120b。也就是说，本实施例的第一发光二极
管120a与第二发光二极管120b可通过反射层150a以串联或并联的方式来彼此电性连接。此
处，反射层150a可为一单一金属层，其中反射层150a的材质例如是银、钛、铝、金、铬、镍、铂
或其合金。当然，在其他未示出的实施例中，反射层150a也可由多层具有不同反射率材料的
金属或金属合金所组成，在此并不加以限制。
另外，为了防止金属扩散，以更进一步提高整体发光装置100a的发光效率，本实施
例的发光装置100a可还包括一阻障层160，其中阻障层160配置在反射层150a上。也就是说，
阻障层160也跨接第一发光二极管120a的第一电极124a与第二发光二极管120b的第四半导
体层123b，以及配置在第一发光二极管120a的第二电极126a与第一半导体元件层122a的第
二半导体层123a之间。此处，阻障层160的材质例如是钨、钨化钛或钨化钛/铂，其中上述的
阻障层160所采用的材质除了可作为扩散障碍外，也是良好的反射金属。
由于本实施例的反射层150a除了可具有电性效能，以电性连接相邻的第一发光二
极管120a与第二发光二极管120b之外，也具有高反射效率，可反射从第一发光二极管120a
与第二发光二极管120b的第一发光层123a与第二发光层123b所发出的光线。因此，相较于
现有采用透明导电材料作为内连线线路的高压发光二极管而言，本实施例在相邻两第一发
光二极管120a与第二发光二极管120b的桥接处可具有较佳的反射效率。如此一来，本实施
例的发光装置100a可具有较佳的发光效率。此外，本实施例的配置在反射层150a上的阻障
层160除了可作为扩散障碍外，也具有良好的反射效果。故，阻障层160的设置也有助于提升
整体发光装置100a的发光效率。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采
用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分
的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。请参考图2，本
实施例的发光装置100b与图1的发光装置100a相似，其不同之处在于：本实施例的发光装置
100b的电流分布层140b覆盖被凹部C所暴露出的基板110a的部分上表面112a，但并未覆盖
第一发光二极管120a的第一电极124a。也就是说，电流分布层140b接触反射层150b、第二发
光二极管120b的第四半导体层123b、绝缘层130b以及被凹部C所暴露出的基板110a的部分
上表面112a。此处，绝缘层130b为一非连续的膜层，其仅覆盖第一侧壁127a与第二侧壁
127b。
图3示出为本发明的又一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。请参考图3，本
实施例的发光装置100c与图2的发光装置100b相似，其不同之处在于：本实施例的发光装置
100c的绝缘层130c还覆盖被凹部C所暴露出的基板110a的部分上表面112a。也就是说，绝缘
层130c为一连续的膜层以覆盖第一侧壁127a、第二侧壁127b以及被凹部C所暴露出的基板
110a的部分上表面112a。电流分布层140c仅接触反射层150b、第二发光二极管120b的第四
半导体层123b以及绝缘层130c。
图4示出为本发明的再一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。请参考图4，本
实施例的发光装置100d与图2的发光装置100b相似，其不同之处在于：本实施例的发光装置
100d的基板110b的上表面112b具有一凹陷113b，其中凹陷113b对应凹部C设置，且绝缘层
130d还延伸至凹陷113b内且覆盖凹陷113b。也就是说，绝缘层130d为一连续的膜层以覆盖
第一侧壁127a与第二侧壁127b并延伸凹陷113b内且至且覆盖凹陷113b。电流分布层140d仅
接触反射层150b、第二发光二极管120b的第四半导体层123b以及绝缘层130d。
图5示出为本发明的更一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。请参考图5，本
实施例的发光装置100e与图4的发光装置100d相似，其不同之处在于：本实施例的发光装置
100e的绝缘层130e还延伸至凹陷113b内且未覆盖凹陷113b的一底部115b。也就是说，绝缘
层130e为一非连续的膜层，其仅覆盖第一侧壁127a与第二侧壁127b并延伸至凹陷113b内。
电流分布层140e接触反射层150b、第二发光二极管120b的第四半导体层123b、绝缘层130e
以及凹陷113b的底部115b。
值得一提的是，本发明并不限定发光装置100b、100c、100d、100e中电流分布层
140b、140c、140d、140e的电性传导状态，虽然此处所提及的电流分布层140b、140c、140d、
140e具体化为不具有电性传导的功能，意即第一发光二极管120a的第一电极124a与第二发
光二极管120b的第二半导体元件层122b不通过电流分布层140b、140c、140d、140e来电性连
接，而是通过反射层150b来达到电性传导的功效。但，在其他未示出的实施例中，也可选用
于如前述实施例所提及的具有电性传导功能的电流分布层140a，本领域的技术人员当可参
照前述实施例的说明，依据实际需求，而选用前述构件，以达到所需的技术效果。
综上所述，本发明的反射层除了可具有电性效能以电性连接相邻两发光二极管之
外，也具有高反射效率可反射从发光二极管的发光层所发出的光线。因此，相较于现有的高
压发光二极管而言，本发明的发光装置可具有较佳的发光效率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽
管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术
方案的范围。