偏转线圈 本发明是关于在电视机及显示器装置等采用彩色显像管的图像显示装置中所使用的偏转线圈，特别是关于对鞍型水平偏转线圈进行改良的偏转线圈。
在使用三枪一字排列型彩色显像管的图像显示装置中，使三个电子枪发射的三个电子束很好地集中(会聚)在屏面(画面)上的方法之一是采用自会聚方式的偏转线圈的方法。自会聚方式的偏转线圈一般由上下一对鞍型水平偏转线圈、及左右一对鞍型垂直偏转线圈构成，这是一种可得到良好会聚特性的结构。
但是，一般批量生产的偏转线圈，由于水平偏转线圈及垂直偏转线圈特性的差异以及装配线圈时的位置偏差等原因，将产生会聚误差。从而，大多数偏转线圈是将磁性片安装在线圈的适当位置进行会聚调整，或通过校正电路对会聚进行校正。
图5表示水平偏转磁场处于左右不平衡状态的图，图6表示在图5所示的状态时产生会聚误差图形的图。图5是从画面一侧看彩色显像管的颈部100断面的图，由圆圈包围的R、G、B表示R(红)、G(绿)、B(兰)电子束的断面，虚线表示磁场、×表示画面的水平方向。在图6中，R、B表示由R、B电子束画出的辉线。
如图5(a)所示，水平偏转磁场的分布左右不平衡，即当对R电子束的磁场枕形失真强、而对B电子束的磁场枕形失真弱时，R电子束受到地磁场要比B电子束受到的磁场强，如图6(a)所示，在画面的水平方向两端上产生由实线表示的R辉线在由虚线表示的B辉线外侧的会聚误差。另外，如图5(b)所示，当对R电子束的磁场枕形失真弱，而对B电子束的磁场枕形失真强时，B电子束接受的磁场比R电子束的受到的磁场要强，如图6(b)所示，产生由虚线表示的B辉线在由实线表示的R辉线外侧的会聚误差。这些会聚误差称为H漂移会聚误差。
在偏转线圈中，为了对这样的会聚误差进行校正，如图7所示，将磁性片6配置在水平偏转线圈2、2的小口径一侧(颈部)凸缘2A、2A的后方(电子枪一侧)。磁性片6并不是直接贴在小口径一侧凸缘2A、2A上。一般来说，磁性片6安装在隔板上。如图5(a)所示，当R电子束受到的磁场很强时，如图7所示将磁性片6配置在从小口径一侧看去的左侧、或从大口径一侧(画面一侧)凸缘2B一侧看去的右侧。这样，磁性片6通过小口径一侧凸缘2A产生的磁场磁化，结果在对H漂移会聚误差校正的方向产生磁场。
利用图8再对磁性片6的作用进行说明。图8是从画面一侧看彩色显像管颈部100断面的图，由圆圈包围的R、G、B表示电子束的断面，虚线表示磁场，Y表示画面的垂直方向。例如向画面左侧偏转时，在水平偏转线圈2的小口径一侧凸缘2A中流过电流的方向为箭头21所示的方向。比小口径一侧凸缘2A更接近电子枪一侧配置的磁性片6通过在虚线22所示的范围内小口径一侧凸缘2A产生的磁场，在箭头23方向上磁化。
结果，由磁性片6产生的磁场作用于抵消水平偏转线圈2的主偏转磁场方向，即，使右侧的磁场减弱，消除左右磁场的不平衡。这样，磁性片6被小口径一侧凸缘2A产生的Y方向磁场磁化，通过从该被磁化的磁性片6产生的磁场，使H漂移会聚误差被校正。
但是，近些年来，随着显示器装置的画面越来越大，水平偏转线圈2的误差及装配水平偏转线圈2时的位置偏差对会聚特性影响的情况变得更大。另外为了使显示器装置节省功率，强烈要求降低对偏转线圈的偏转功率。为此，如特开平8-153477号公报中所记载的那样，有使水平偏转线圈2的小口径一侧凸缘2A小型化的倾向。这样，使磁性片6磁化的小口径一侧凸缘2A的磁场减小，并使H漂移会聚误差的校正效果减小。
为此，为了使H漂移会聚误差的校正效果更大，只要加大磁性片6的尺寸即可。但是由于磁性片6一般使用对铁氧体进行加工的部件，所以当加大该尺寸时，会提高成本。另外，由于在偏转线圈隔板的小口径一侧凸缘上安装慧形像差校正线圈，以及在小口径一侧凸缘上设置的圆筒状的颈部上，为了使该颈部紧固在彩色显像管的颈部100上以固定偏转线圈，要安装紧固带等其他部件，所以加大了磁性片6的尺寸，从装配结构及装配位置的制约看必然受到限制。
本发明是鉴于这些问题而提出的，其目的在于提供一种偏转线圈，不会使校正H漂移会聚误差的磁性片大型化，可以有效地校正H漂移会聚误差。
本发明为了解决上述现有技术的问题而提供了一种偏转线圈，其安装在彩色显像管颈部(100)上，使上述颈部一侧为小口径，而使上述彩色显像管的画面一侧为大口径，在上述小口径一侧装有带凸缘的一对水平偏转线圈(2、2)，其特征在于：使上述画面水平方向上的上述凸缘的宽度(b)是上述画面垂直方向的上述凸缘高度(a)的2.0倍以上。
图1是在本发明的偏转线圈中采用的水平偏转线圈的一实施例的透视图。
图2是表示本发明偏转线圈整体构成例的透视图。
图3是为了说明在本发明偏转线圈中采用的水平偏转线圈的平面图。
图4是为了说明在本发明偏转线圈中采用的水平偏转线圈的作用的图。
图5是表示水平偏转磁场分布处于左右不平衡状态的图。
图6是表示H漂移会聚误差图形的图。
图7是表示在现有的偏转线圈中所采用的水平偏转线圈一例的透视图。
图8是为了说明在现有的偏转线圈中所采用的水平偏转线圈作用的图。
下面参照附图对本发明的偏转线圈进行说明。
图1是表示在本发明偏转线圈中采用的水平偏转线圈的一实施例的透视图，图2是表示本发明的偏转线圈整体构成例的透视图，图3是为了说明在本发明的偏转线圈中采用的水平偏转线圈的平面图，图4是为了说明在本发明的偏转线圈中采用的水平偏转线圈的作用的图。
首先，利用图2对本发明的偏转线圈整体构成例进行说明。图2中所示的构成例包括与本发明没有直接关系的构成。本发明的偏转线圈并不限于图2中所示的情况。在图2中，该偏转线圈例如通过对一对环状进行组合的隔板1，形成使一方(图中的上侧)为小口径部，而另一方(图中下侧)为大口径部的漏斗状。小口径部是彩色显像管的颈部一侧，大口径部是画面一侧。
在该隔板1的内面上安装一对鞍型水平偏转线圈2、2，在外面安装一对鞍型垂直偏转线圈3、3，隔板1保持水平偏转线圈2、2和垂直偏转线圈3、3之间的电绝缘。在垂直偏转线圈3、3的外面安装由铁氧体等构成的铁心4。本发明在水平偏转线圈2的构成中具有特征。对于水平偏转线圈2的构成将在下面叙述。在本发明的偏转线圈中采用的水平偏转线圈2与图7中所示的现有技术的水平偏转线圈2形状不同，但是为了方便而标以相同标号。
水平偏转线圈2具有小口径侧(颈部一侧)凸缘2A(参照图1)和大口径侧(画面一侧)凸缘2B。小口径侧凸缘2A装放在隔板1的小口径侧设置的装放部(图中未画出)中，大口径侧凸缘2B装放在大口径侧凸缘1b上。垂直偏转线圈3也具有小口径侧凸缘(图中未画出)和大口径侧凸缘3B。
在这样构成的偏转线圈上通常需要对偏转特性进行校正的电路，装载这样的电路等的基板5安装在隔板1的侧面上。在隔板1的小口径侧设置有多片凸缘1a1、1a2、1a3构成的小口径侧凸缘1a。在小口径侧凸缘1a的最小口径侧的凸缘1a1上嵌装被称为一对4P线圈的4极校正线圈7。
在最大口径侧的凸缘1a3上，为了将基板5安装在隔板1上而设置了整体形成的钩爪8。在基板5上形成孔5a，在该孔5a上锁合在凸缘1a3上设置的钩爪8。另一方面，在大口径侧凸缘1b上设置整体成形的一对板状的肋条9。基板5通过一对肋条9夹持其下端。这样，基板5通过在凸缘1a3上设置的钩爪8及肋条9，安装在隔板1的侧面上。
在基板5上安装有作为连接引线的端子的多个插头10，在这些插头10上卷绕水平偏转线圈2的引线2a及垂直偏转线圈3的引线3a、校正线圈7的引线7a。另外，为了对该偏转线圈提供电流，在连接电源的连接器11上，连接有连接器线12，该连接器线12的引线12a也卷绕在基板5的插销10上。
在基板5的端部上为了使引线2a、3a、7a通过而在插销10的附近形成多个槽5b。向基板5方向卷绕的引线2a、3a、7a分别放入基板5的端部上形成的槽5b中，卷绕在插销10上进行焊接。此处的焊接在图中未画出。在颈部一侧凸缘1a的凸缘1a3上，设置有整体成形的大体为L形的肋条13，水平偏转线圈2的引线2a穿过由肋条13和凸缘1a3构成的大体为“コ”字形的凹部14放入槽5b中。
下面，对作为本发明要点的水平偏转线圈2的构成进行说明。在图1中，上下一对的水平偏转线圈2、2在与画面平行方向上具有弯曲的小口径侧凸缘2A和大口径侧凸缘2B。所谓上下是将偏转线圈安装在彩色显像管的颈部上时画面的上下方向(Y方向)。在小口径侧凸缘2A和大口径侧凸缘2B之间形成构成漏头状面的连接部2C。小口径侧凸缘2A形成大方圆弧形或山形，水平偏转线圈2、2的对接面附近的小口径侧凸缘2A的两端部与X方向大体平行，形成向内侧(管轴方向)弯曲的弯曲部2A1。而且，当设定一个小口径侧凸缘2A的高度方向(Y方向)的尺寸为a、宽度方向(X方向)的尺寸为b时，则b是a的2.0倍以上。
该水平偏转线圈2只要按图3所示那样形成即可。在形成水平偏转线圈2时，通过绕线机的绕线架对线圈(电线)绕线。这时，为了调整对线圈进行绕线的范围和位置，将分割销50插入绕线架中。通过使决定小口径侧凸缘2A的绕线范围的分割销50向左右方向展开，形成弯曲部2A1，使所形成的横向长形状的小口径一侧凸缘2A的宽度方向尺寸b是高度方向尺寸a的2.0倍以上。
这样，本发明的偏转线圈的特征是：通过使宽度方向的尺寸b为高度方向的尺寸a的2.0倍以上，使弯曲部2A1比现有技术的大。如图8所示，在现有技术的水平偏转线圈2的小口径侧凸缘2A中，虽然也有相当于弯曲部2A1的弯曲部，但是其长度很小。在图7中省略了弯曲部。
在此，参照图4对本发明的偏转线圈的作用进行说明。在图4中，例如向画面左侧偏转时，水平偏转线圈2的小口径一侧凸缘2A中流过的电流方向是由箭头210所示的方向。比小口径侧凸缘2A更接近电子枪一侧上配置的磁性片6，通过在虚线220所示的范围内小口径一侧凸缘2A产生的磁场，在箭头230方向磁化。磁性片6安装在隔板1的小口径侧凸缘1a上。
在本发明的偏转线圈中采用的水平偏转线圈2由于具有的横向长形状的小口径侧凸缘2A的宽度方向尺寸b是高度方向尺寸的2.0倍以上，具有比现有技术长的弯曲部2A1，从而小口径侧凸缘2A产生的由虚线220所示范围的磁场，将比图8的虚线22所示范围的磁场大。结果，箭头230方向的磁化也比图8箭头23方向的磁化大得多，由磁性片6产生的磁场也比图8时大。这样，即使磁性片6的尺寸与现有技术相同，H漂移会聚误差的校正量也会变大，可以更有效地校正H漂移会聚误差。
下面再对小口径一侧凸缘2A的形状与H漂移会聚误差校正量间的关系进行说明。在表1中，b/a是高度方向的尺寸a与宽度方向尺寸b之比，校正量是此时的H漂移会聚误差的校正量。校正量的单位为毫米(mm)。校正量是本发明者通过用17型显像管实验所确认的画面上的校正量。当考虑偏转线圈批量生产时的误差时，H漂移会聚误差的校正量至少也需要0.3mm。如果使b/a在2.0以上就可以满足该必要条件。并且最好是b/a在2.1以上。
[表1]b/a 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2校正量 0.20 0.28 0.34 0.39 0.42
通过加大b/a可以加大H漂移会聚误差的校正量，但是如果大到超过需要时，则小口径一侧凸缘2A的宽度变大，水平偏转线圈2将大型化。这将因偏转线圈的大型化及水平偏转线圈2用的电线使用量增加而产生使成本提高等问题。当b/a超过4.0时，这一问题的影响变大，所以在实用上b/a在4.0以下是适当的。因此b/a最好是2.0～4.0之间。
这样，在本发明的偏转线圈中，通过对水平偏转线圈2的形状进行设计，可以在不使磁性片6大型化的情况下，加大H漂移会聚误差的校正量，可以对H漂移会聚误差进行充分有效地校正。本发明并不限定以上说明的实施例，在不脱离本发明的要点的范围内可以进行种种变更。
本发明可得到以下效果。
如以上详细说明，本发明的偏转线圈由于使水平偏转线圈上的小口径一侧凸缘的宽度是高度的2.0倍以上，所以不会使校正H漂移会聚误差的磁性片大型化，可以有效地校正H漂移会聚误差。