一种光配向方法、液晶显示面板及其制作方法技术领域
本发明属于液晶显示面板制作技术领域，具体地说，尤其涉及一种光配向方法、液
晶显示面板及其制作方法。
背景技术
在TFT-LCD生产过程中，有摩擦配向和光配向两种液晶配向方法。摩擦配向会产生
静电和颗粒污染。光配向是一种非接触式的配向技术，利用线偏振光照射在光敏感的高分
子聚合物配向膜上，从而在高分子聚合物配向膜上形成倾角。
在传统像素设计中，光配向会在像素内部形成“卐字暗纹”或者“卍字暗纹”，统称
万字暗纹，如图1所示。万字暗纹严重影响着像素的开口率，尤其是随着面板每英寸具有的
像素数目的提高，穿透率成为光配向技术的瓶颈。
发明内容
为解决以上问题，本发明提供了一种光配向方法、液晶显示面板及其制作方法，用
以减少像素上的暗纹，提高显示面板的穿透率。
根据本发明的一个方面，提供了一种光配向方法，包括：
在光配向过程中，以矩形像素的一条边长为曝光宽度进行第一方向曝光，以矩形
像素的另一条边长的一半为曝光宽度进行第二方向曝光。
根据本发明的一个实施例，在进行曝光时进一步包括以下步骤：
S11、以矩形像素的短边边长为曝光宽度沿长边上下曝光配向；
S12、以矩形像素的长边边长的一半为曝光宽度左右曝光配向。
根据本发明的一个实施例，在进行曝光时进一步包括以下步骤：
S21、以矩形像素的长边边长的一半为曝光宽度左右曝光配向；
S22、以矩形像素的短边边长为曝光宽度沿长边上下曝光配向。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作液晶显示面板的方法，包括采
用以上所述的光配向方法来对液晶分子进行配向。
根据本发明的一个实施例，在形成所述液晶显示面板上的数据线时，使数据线对
应像素内部靠近长边边缘的暗纹的部分在水平方向上偏向该暗纹。
根据本发明的一个实施例，在形成所述液晶显示面板上的ITO薄膜时，将ITO薄膜
与数据线偏向像素内部长边边缘的暗纹的部分重叠设置。
根据本发明的一个实施例，在形成所述液晶显示面板上的扫描线时，使扫描线对
应像素内部靠近长边边缘的暗纹的部分在水平方向上偏向该暗纹。
根据本发明的一个实施例，在形成所述液晶显示面板上的ITO薄膜时，将ITO薄膜
与扫描线偏向像素内部长边边缘的暗纹的部分重叠设置。
根据本发明的再一个方面，还提供了一种采用以上所述方法制作的液晶显示面
板。
根据本发明的一个实施例，
使数据线对应像素内部靠近长边边缘的暗纹的部分在水平方向上偏向该暗纹时，
数据线上的偏向该暗纹部分沿扫描线镜像对称设置；使扫描线对应像素内部靠近长边边缘
的暗纹的部分在水平方向上偏向该暗纹时，扫描线上的偏向该暗纹部分沿数据线镜像对称
设置。
本发明的有益效果：
本发明通过采用一种新的光配向方法，可以减少像素上的暗纹，提高显示面板的
穿透率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变
得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利
要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的
附图做简单的介绍：
图1是现有技术中一种显示面板的像素万字暗纹示意图；
图2是现有技术中一个像素的俯视示意图；
图3是现有技术中一个像素的万字暗纹示意图；
图4是现有技术中的一种光配向流程示意图；
图5是根据本发明的一个实施例的光配向流程示意图；
图6是根据本发明的一个实施例的一个像素的暗纹示意图；
图7是根据本发明的一个实施例的液晶显示面板俯视示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用
技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明
的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，
所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
如图2所示为一个矩形像素的俯视示意图，其长边为b，宽边为a。在采用传统的光
配向模式对图2所示的像素进行配向时，TFT侧(即阵列基板侧)沿着像素的长边进行上下曝
光配向，曝光的宽度为对应的像素的宽边的一半，即1/2a；CF侧(即彩膜基板侧)沿着像素的
短边进行左右曝光配向，曝光的宽度为对应的子像素的长边的一半，即1/2b。其曝光过程如
图4所示，先进行上下方向的曝光(如图4中的a小图)，再经左右方向的曝光(如图4中的b小
图)，其总体曝光产生的倾角(如图4中的c小图)，产生的暗纹效果(如图4中的d小图)。这样
导致每个子像素的内部都会形成如图3所示的卐字暗纹，液晶显示面板最终会形成如图1所
示的卐字暗纹，万字暗纹会严重影响像素的穿透率。
因此，本发明提供了一种光配向方法，该方法用于对液晶分子进行光配向。其中，
在光配向过程中，以矩形像素的一条边长为曝光宽度进行第一方向曝光，以矩形像素的另
一条边长的一半为曝光宽度进行第二方向曝光。此处的第一方向和第二方向对应上下方向
或左右方向，对应关系基于制作流程设定。
在采用以上方法进行曝光时，以矩形像素的一条边长为曝光宽度进行曝光可以将
曝光产生的大部分暗纹移至像素的内部边沿。这样，在像素内部形成如图6所示的暗纹，该
暗纹相对于图1中的万字暗纹，面积减小，可以增大像素的穿透率。
根据本发明的一个实施例，在进行光配向曝光时进一步包括以下两个步骤：S11、
以矩形像素的短边边长为曝光宽度沿长边上下曝光配向；S12、以矩形像素的长边边长的一
半为曝光宽度左右曝光配向。对应的曝光过程如图5所示，先进行上下方向(此时对应第一
方向)的曝光(如图5中的a小图)，再经左右方向(此时对应第二方向)的曝光(如图5中的b小
图)，其总体曝光产生的倾角如图5中的c小图，产生的暗纹效果如图5中的d小图。
具体的，以图2所示的矩形像素为例进行说明。此处为有利于方案说明，以图2所示
矩阵像素为基准定位本文所述的上下左右四个方位。首先，以矩形像素的短边边长为曝光
宽度沿长边上下曝光配向。也就是以矩形像素的长边b为基准，以短边a为宽度，上下进行曝
光。在从上侧以A方向进行曝光时，产生11和12两条暗纹，在从下侧以B方向进行曝光时，产
生13和14两条暗纹，这四条暗纹形成如图6所示的暗纹。相对于图1和图3所示的万字暗纹，
本发明只在矩形像素的中间位置产生了一条暗纹13，其他暗纹位于矩形像素的内部边沿并
且靠近矩形像素周围的数据线15或扫描线16，不占据像素的中间透光区域，因此可以增加
像素面板的穿透率。
接着，以矩形像素的长边边长的一半为曝光宽度左右曝光配向。具体的，以矩形像
素的短边a为基准，以长边b的一半为宽度，左右进行曝光。在从左侧以C方向进行曝光时，产
生的两条暗纹分别与暗纹11和12重合，在从右侧以D方向进行曝光时，产生的两条暗纹分别
与暗纹13和14重合。最终产生的暗纹图案如图6所示。
根据本发明的一个实施例，在进行光配向曝光时进一步包括以下两个步骤：S21、
以矩形像素的长边边长的一半为曝光宽度左右曝光配向；S22、以矩形像素的短边边长为曝
光宽度沿长边进行上下曝光配向。也就是说，对应图6的暗纹图案，先沿左右方向进行曝光，
例如先沿C方向进行曝光，产生11和12两条暗纹，再沿D方向进行曝光，产生13和14两条暗
纹。接着，沿上下方向进行曝光，例如先沿A方向曝光，产生的暗纹与暗纹11和12重合，再沿B
方向曝光，产生的暗纹与暗纹13和14重合，最终产生的暗纹图案如图6所示。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作液晶显示面板的方法，其在进
行液晶分子光配向时，采用上文所述的任一种光配向方法。
根据本发明的一个实施例，在形成液晶显示面板上的数据线时，使数据线对应像
素内部靠近长边边缘的暗纹的部分在水平方向上偏向该暗纹。对应图6所示的暗纹，暗纹12
和14在矩形像素内部，靠近像素的边缘，并且不透光。而液晶显示面板上的数据线15和扫描
线16由金属材料沉积形成，为不透光结构。因此，可以改变数据线15和扫描线16的布线走
向，在形成液晶显示面板上的数据线或扫描线时，将数据线或扫描线偏向像素内部边缘的
暗纹设置。由于通常沿矩形像素的长边设置数据线，因此，对应图6中的矩形像素，可以将靠
近暗纹12和14处的数据线15向暗纹方向弯曲设计，此处的弯曲设置的前提是保证各层结构
不变。当然也可以沿矩形像素的长边设置扫描线，其设置方式与数据线相同，此处不加赘
述。
根据本发明的一个实施例，在形成液晶显示面板上的ITO薄膜时，将ITO薄膜与数
据线偏向像素内部长边边缘的暗纹的部分重叠设置。如图6所示，由于数据线15在靠近像素
内部边缘的暗纹处弯向暗纹设计，即按照正常的像素面积，数据线会进入像素区域。因此，
在形成ITO薄膜时，可以将ITO薄膜覆盖在数据线偏向至暗纹的上面，即在数据线与ITO薄膜
在数据线偏向暗纹部分重叠设置，而重叠设置的宽度可以根据需要设定。
当然，也可以将扫描线向偏向像素内部边缘的暗纹部分设计，将ITO薄膜覆盖在扫
描线弯曲至暗纹部分的上面，即在扫描线与ITO薄膜偏向扫描线的暗纹部分重叠设置，而重
叠设置的宽度可以根据需要设定。
根据本发明的再一个方面，还提供了一种采用以上所述的液晶显示面板制作方法
制作的液晶显示面板。该液晶显示面板中各矩形像素内部的暗纹如图6所示，相对于图1所
示面板中的万字暗纹，本发明的液晶显示面板有更高的穿透率。传统方式的光配向的穿透
率为100％时，本发明可以达到118.9％。
根据本发明的一个实施例，使数据线对应像素内部靠近长边边缘的暗纹的部分在
水平方向上偏向该暗纹时，数据线上的偏向该暗纹部分沿扫描线镜像对称设置，如图7所
示。当然，使扫描线对应像素内部靠近长边边缘的暗纹的部分在水平方向上偏向该暗纹时，
扫描线上的偏向该暗纹部分沿数据线镜像对称设置。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采
用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本
发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，
但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。