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1、10申请公布号CN101989017A43申请公布日20110323CN101989017ACN101989017A21申请号200910165097022申请日20090730G02F1/1362200601G02F1/13320060171申请人瀚宇彩晶股份有限公司地址中国台湾台北市72发明人高翎志郑惠芳林松君李昆政游家华74专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人李树明54发明名称阵列基板及扭转向列型液晶显示面板57摘要一种阵列基板包含数个闸极线、共同线、资料线及像素电极。每一共同线包含一共同电极，该共同电极与该闸极线互相垂直，且具有一第一宽度。该资料线具有一第二宽度，该资料。
2、线与该闸极线互相垂直，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素。该些像素电极分别位于该些像素内，其中该共同电极与该资料线及部分像素电极重叠，且该共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙。本发明的共同电极与该资料线及部分像素电极重叠，且该共同电极为非透光金属材料所形成，用以遮蔽从该资料线附近所漏出的光线，并改善液晶受到边际电场的影响。因此，只须较小宽度的黑色矩阵则可防止漏光，进而本发明的像素可具有较大的开口率。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书5页附图4页CN101989017A1/2页21一种阵列基板，包含数个闸极线；数个共同线，每一共同线。
3、包含至少一第一共同电极，该第一共同电极是与该闸极线互相垂直，且具有一第一宽度；数个资料线，具有一第二宽度，该资料线是与该闸极线互相垂直，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素；以及数个像素电极，分别位于该些像素内，其中该第一共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，且该第一共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙。2如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于另包含一透明基板，其中该些闸极线是横向配置于该透明基板上，且该些第一共同电极纵向配置于该透明基板上；一闸极绝缘层，配置于该透明基板上，并覆盖该些闸极线及共同线，其中该些资料线是纵向配置于该闸极绝缘层上；以及一护层，配置于该闸极绝缘层上，并。
4、覆盖该些资料线，其中该些像素电极是配置于该护层上。3如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于该像素电极与该资料线的间隙为一横向距离，且该第一宽度须大于该第二宽度与2倍的该横向距离的和。4如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于该闸极绝缘层的厚度是大于2000埃A。5如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于每一共同线另包含一第二共同电极，其横向配置于该透明基板上，用以连接该两个第一共同电极。6如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于该第一共同电极、闸极绝缘层、护层及部分像素电极形成一储存电容。7如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于该第一共同电极为非透光材料所制。8如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于。
5、该非透光材料为金属。9如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于该些共同线与该些闸极线位于同一层。10如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于该些共同线与该些闸极线为同一金属材料所制。11一种阵列基板制造方法，包含下列步骤提供一基板；将数个闸极线横向形成于该基板上；将数个共同线形成于该基板上，其中每一共同线包含至少一共同电极，其纵向配置于该透明基板上，且具有一第一宽度；将一闸极绝缘层形成于该基板上，并覆盖该些闸极线及共同线；将数个资料线纵向形成该闸极绝缘层上，且该些资料线具有一第二宽度，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素；将一护层形成于该闸极绝缘层上，并覆盖该些资料线；以及将数个像素电极形。
6、成于该护层上，且该些像素电极分别位于该些像素内，其中该共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，该共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间权利要求书CN101989017A2/2页3隙亦即一横向距离，且该第一宽度须大于该第二宽度与2倍的该横向距离的和。12如权利要求11所述的阵列基板制造方法，其特征在于该些共同线与该些闸极线是借由同一微影蚀刻制程而形成。13一种扭转向列型液晶显示面板，包含一阵列基板，包含数个闸极线；数个共同线，每一共同线包含至少一第一共同电极，该第一共同电极是与该些闸极线互相垂直，且具有一第一宽度；数个资料线，具有一第二宽度，该资料线是与该闸极线互相垂直，其中相邻的两个闸极线及。
7、两个资料线定义了一像素；以及数个像素电极，分别位于该些像素内，其中该第一共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，该第一共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙；以及一彩色滤光片基板，包含数个黑色矩阵，用以遮蔽从该像素电极周围所漏出的光线。14如权利要求12所述的扭转向列型液晶显示面板，其特征在于该阵列基板另包含一透明基板，其中该些闸极线是横向配置于该透明基板上，且该些第一共同电极纵向配置于该透明基板上；一闸极绝缘层，配置于该透明基板上，并覆盖该些闸极线及共同线，其中该些资料线是纵向配置于该闸极绝缘层上；以及一护层，配置于该闸极绝缘层上，并覆盖该些资料线，其中该些像素电极是配置于该护层上。15。
8、如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于该像素电极与该资料线的间隙为一横向距离，且该第一宽度须大于该第二宽度与2倍的该横向距离的和。16如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于该闸极绝缘层的厚度是大于2000埃A。17如权利要求14所述的扭转向列型液晶显示面板，其特征在于每一共同线另包含一第二共同电极，其纵向配置于该透明基板上，用以连接该两个第一共同电极。18如权利要求14所述的扭转向列型液晶显示面板，其特征在于该第一共同电极、闸极绝缘层、护层及部分像素电极形成一储存电容。19如权利要求14所述的扭转向列型液晶显示面板，其特征在于该第一共同电极为非透光材料所制。20如权利要求19所述的。
9、扭转向列型液晶显示面板，其特征在于该非透光材料为金属。21如权利要求14所述的扭转向列型液晶显示面板，其特征在于该些共同线与该些闸极线位于同一层。22如权利要求21所述的液晶显示面板，其特征在于该些共同线与该些闸极线为同一金属材料所制。权利要求书CN101989017A1/5页4阵列基板及扭转向列型液晶显示面板【技术领域】0001本发明是有关于一种扭转向列型液晶显示面板，特别是有关于一种阵列基板，其共同电极是与资料线及部分像素电极重叠，且完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙。【背景技术】0002随着高科技的发展，视讯产品，诸如数位化的视讯或影像装置，是已经成为在一般日常生活中所常见的产品。该数位。
10、化的视讯或影像装置中，其液晶显示面板为一重要元件，以显示相关资讯。使用者是可由该液晶显示面板读取所需的资讯。0003参考图1，一种现有扭转向列型液晶TWISTEDNEMATICLIQUIDCRYSTAL显示面板10包含一阵列基板20、一彩色滤光片基板40及一扭转向列型液晶层12。该扭转向列型液晶层12位于该阵列基板20与彩色滤光片基板40之间。该阵列基板20包含数个薄膜电晶体21。每一薄膜电晶体21是包含一闸极22GATEELECTRODE、一闸极绝缘层24、一半导体层ASILAYER25、一源极SOURCEELECTRODE26、一汲极DRAINELECTRODE28、一护层30诸如无机绝缘。
11、层及一像素电极32。该阵列基板20另包含数个共同电极COMMONELECTRODE33A，其中该共同电极33A与该像素电极32的重叠区可形成一储存电容STORAGECAPACITOR。0004该彩色滤光片基板40包含一黑色矩阵48、一彩色滤光层42及一透明电极层44，依序形成于一基板46上。该黑色矩阵48是用以遮蔽从该像素电极32周围所漏出的光线。0005参考图2、3，数个闸极线52及共同电极33A是配置于该玻璃基板34上。该共同电极33A具有一宽度W1。该闸极绝缘层24覆盖该些闸极线52及共同电极33A。数个资料线54是配置该闸极绝缘层24上，且该些资料线54具有一宽度W2。相邻的两个闸极线。
12、52及两个资料线54定义了一像素PIXEL56，该共同电极33A是位于像素56的一侧。该护层30诸如无机绝缘层覆盖该些资料线54。数个像素电极32是配置于该护层30上，并分别位于该些像素56内。0006再参考图3，虽然该些共同电极33A与资料线54皆可作为遮光用，但是该些共同电极33A与资料线54并未彼此重叠，亦即该些共同电极33A与资料线54间具有一间隙G，背光源产生的光会由该间隙G漏光。因此，须较大宽度的黑色矩阵48以防止其漏光。然而，较大宽度W3的黑色矩阵48将会减少该像素56的开口率。0007因此，便有需要提供一种阵列基板，能够解决前述的问题。【发明内容】0008为了解决上述现有技术的。
13、技术问题，本发明提供一种阵列基板及扭转向列型液晶显示面板。0009本发明提供一种阵列基板，包含0010数个闸极线；0011数个共同线，每一共同线包含至少一第一共同电极，该第一共同电极是与该闸极说明书CN101989017A2/5页5线互相垂直，且具有一第一宽度；0012数个资料线，具有一第二宽度，该资料线是与该闸极线互相垂直，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素；以及0013数个像素电极，分别位于该些像素内，其中该第一共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，且该第一共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙。0014本发明还提供一种阵列基板制造方法，包含下列步骤0015提供一基板；00。
14、16将数个闸极线横向形成于该基板上；0017将数个共同线形成于该基板上，其中每一共同线包含至少一共同电极，其纵向配置于该透明基板上，且具有一第一宽度；0018将一闸极绝缘层形成于该基板上，并覆盖该些闸极线及共同线；0019将数个资料线纵向形成该闸极绝缘层上，且该些资料线具有一第二宽度，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素；0020将一护层形成于该闸极绝缘层上，并覆盖该些资料线；以及0021将数个像素电极形成于该护层上，且该些像素电极分别位于该些像素内，其中该共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，该共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙亦即一横向距离，且该第一宽度须大于该第二宽度与。
15、2倍的该横向距离的和。0022本发明还提供一种扭转向列型液晶显示面板，包含0023一阵列基板，包含0024数个闸极线；0025数个共同线，每一共同线包含至少一第一共同电极，该第一共同电极是与该些闸极线互相垂直，且具有一第一宽度；0026数个资料线，具有一第二宽度，该资料线是与该闸极线互相垂直，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素；以及0027数个像素电极，分别位于该些像素内，其中该第一共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，该第一共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙；以及0028一彩色滤光片基板，包含数个黑色矩阵，用以遮蔽从该像素电极周围所漏出的光线。0029本发明提供一种阵列基。
16、板，包含数个闸极线、共同线、资料线及像素电极。每一共同线包含一共同电极，该共同电极是与该闸极线互相垂直，且具有一第一宽度。该资料线具有一第二宽度，该资料线是与该闸极线互相垂直，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素。该些像素电极分别位于该些像素内，其中该共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，且该共同电极完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙。0030本发明的共同电极是与该资料线及部分像素电极重叠，亦即该共同电极可完全遮蔽该像素电极与该资料线的间隙，且该共同电极为非透光金属材料所形成，用以有效地遮蔽从该资料线附近所漏出的光线，并改善液晶受到边际电场的影响。因此，只须较小宽度的黑色矩阵则可防止。
17、漏光，进而本发明的像素可具有较大的开口率。0031为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显，下文将配合所附图示，作详细说明如下。说明书CN101989017A3/5页6【附图说明】0032图1为先前技术的扭转向列型液晶显示面板的剖面示意图。0033图2为先前技术的阵列基板的平面示意图。0034图3为沿图2的剖线33的层阵列基板的部分剖面示意图。0035图4为本发明的一实施例的扭转向列型液晶显示面板的剖面示意图。0036图5为本发明的一实施例的阵列基板的平面示意图。0037图6为沿图5的剖线66的阵列基板的部分剖面示意图。003810液晶显示面板12扭转向列型液晶层003920层阵列基。
18、板21薄膜电晶体004022闸极24闸极绝缘层004125半导体层004226源极28汲极004330护层32像素电极004433A共同电极004534基板40彩色滤光片基板004642彩色滤光层44透明电极层004746基板48黑色矩阵004852闸极线54资料线004956像素0050110液晶显示面板112扭转向列型液晶层0051120阵列基板121薄膜电晶体0052124闸极绝缘层130护层0053132像素电极133共同线0054133A共同电极133B共同电极0055134基板140彩色滤光片基板0056142彩色滤光层144透明电极层0057146基板148黑色矩阵0058152。
19、闸极线154资料线0059156像素0060D距离G间隙0061W1宽度W2宽度0062W3宽度【具体实施方式】0063参考图4，其显示本发明的一实施例的扭转向列型液晶显示面板。该液晶显示面板110包含一阵列基板120、一彩色滤光片基板140及一扭转向列型液晶层112。该阵列基板120包含数个薄膜电晶体121、一闸极绝缘层124、一护层130诸如无机绝缘层及数个像素电极132，其分别形成于一透明基板134诸如玻璃基板上。该护层130是用以保护该说明书CN101989017A4/5页7薄膜电晶体121，并隔离该像素电极132与闸极线GATELINE或资料线DATALINE，用以降低该像素电极13。
20、2与闸极线或资料线的重叠处的电容效应。该阵列基板120另包含数个共同线COMMONLINE133，其中该共同线133与该闸极绝缘层124、该护层130、部分像素电极132的重叠区可形成一储存电容STORAGECAPACITOR。该彩色滤光片基板140包含一黑色矩阵148、一彩色滤光层142及一透明电极层144，依序形成于另一透明基板146上。该些黑色矩阵148用以遮蔽从该像素电极132周围所漏出的光线。0064参考图5、图6，数个闸极线152可横向配置于该透明基板134上，且该些闸极线152与共同线133可位于同一层。该些共同线133与该些闸极线152可为同一金属材料所制。每一共同线133包含。
21、至少一共同电极133A，其纵向配置于该透明基板134上，且该共同电极133A具有一宽度W1。该共同电极133A是与该些闸极线152互相垂直。每一共同线133另包含一共同电极133B，其横向配置于该透明基板134上，用以连接该两个共同电极133A。该闸极绝缘层124是配置于该透明基板134上，并覆盖该些闸极线152及共同线133。数个资料线154是纵向配置于该闸极绝缘层124上，且该些资料线154具有一宽度W2。该资料线154是与该闸极线152互相垂直。为了避免该资料线154与共同电极133A之间发生讯号干扰现象，诸如串音CROSSTALK现象，因此该闸极绝缘层124的厚度须大于2000埃A。0。
22、065相邻的两个闸极线152及两个资料线154定义了一像素PIXEL156，该纵向配置的两个共同电极133A分别位于每一像素156的两侧，该共同电极133A是与该资料线154及部分像素电极132重叠，亦即该共同电极133A可完全遮蔽该像素电极132与该资料线154的间隙亦即横向距离D，如图6所示。本发明的共同电极133A为非透光金属材料所形成，用以有效地遮蔽从该资料线154附近所漏出的光线，并改善液晶受到边际电场的影响。因此，只须较小宽度W3的黑色矩阵148则可防止漏光，进而本发明的像素156可具有较大的开口率。0066在本实施例中，该横向配置的共同电极133B可设于每一像素156的边缘。在另。
23、一实施例中，该横向配置的共同电极133B亦可视需求而设于每一像素156的中间或其他位置。该护层130是配置于该闸极绝缘层124上，并覆盖该些资料线154。该些像素电极132是配置于该护层130上，并分别位于该些像素156内。位在两个相邻的像素156上的该像素电极132与该资料线154之间皆具有一横向距离D。0067再参考图6，该共同电极133A的宽度W1须大于该资料线的宽度W2及2倍的该像素电极132与该资料线154之间的横向距离D的和亦即W1W22D，如此使该共同电极133A、闸极绝缘层124、护层130及像素电极132重叠区形成一储存电容STORAGECAPACITOR。0068根据先前技。
24、术与本发明的实验例，以8寸液晶显示面板的像素为例，先前技术的8寸液晶显示面板的像素的共同电极33A、资料线54及像素电极32的相关宽度及距离，如图3所示，诸如该共同电极33A的宽度W1为675M，且该资料线54的宽度W2为6M。而本发明的I0805像素的共同电极133A、资料线154及像素电极132的相关宽度及距离，如图6所示，诸如该共同电极133A的宽度W1为10M，该资料线154的宽度W2为6M、及该横向距离D为3M。重要的是，先前技术的8寸液晶显示面板的像素的黑色矩阵48的宽度W3须为25M利用液晶模拟软体2DIMMOS所电性模拟的开口率为4340，且利用光学显说明书CN10198901。
25、7A5/5页8微镜OM机台所量测的实际开口率为3899，而本发明的8寸液晶显示面板的像素的黑色矩阵148的宽度W3只须为21M利用液晶模拟软体2DIMMOS所电性模拟的开口率为4778，且利用光学显微镜OM机台所量测的实际开口率为4182，因此本发明的像素确实具有较大的开口率。0069另外，本发明提供一种阵列基板制造方法包含下列步骤提供一透明基板。将数个闸极线横向形成于该透明基板上。将数个共同线形成于该透明基板上，其中每一共同线包含两个共同电极，其纵向配置该透明基板上，且具有一第一宽度。该些共同线与该些闸极线是可借由同一微影蚀刻制程而形成。将一闸极绝缘层形成于该透明基板上，并覆盖该些闸极线及共。
26、同线。将数个资料线纵向形成该闸极绝缘层上，且该些资料线具有一第二宽度，其中相邻的两个闸极线及两个资料线定义了一像素，该两个共同电极分别位于每一像素的两侧，且位在两个相邻的像素上的共同电极是彼此连接。将一护层形成于该闸极绝缘层上，并覆盖该些资料线。将数个像素电极形成于该护层上，且该些像素电极分别位于该些像素内，其中位在两个相邻的像素上的像素电极与该资料线之间皆具有一横向距离，且该第一宽度须大于该第二宽度与2倍的该横向距离的和。0070虽然本发明已以前述实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改。因此本发明的保护范围当视申请专利范围所界定者为准。说明书CN101989017A1/4页9图1说明书附图CN101989017A2/4页10图2图3说明书附图CN101989017A3/4页11图4说明书附图CN101989017A4/4页12图5图6说明书附图。