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一种非易失存储器(NVM)系统包括一组NVM单元,每个NVM单元包括:NVM晶体管;将NVM晶体管耦接到相应位线的存取晶体管;和将NVM晶体管耦接到公共源的源极选择晶体管。以包括擦除阶段和编程阶段的两阶段操作来写NVM单元。在擦除和编程阶段期间,给位线施加一组公共位线电压。在擦除和编程阶段期间,存取晶体管导通并且源极选择晶体管截止。在擦除阶段期间,将第一控制电压施加到NVM晶体管的控制栅极,并且在。