热成型机重结晶碳化硅加热平台的制作工艺 技术领域 ：
本发明创造用重结晶碳化硅制作加热平台是用在起塑成型机上。 背景技术 ：
目前， 用重结晶碳化硅制作的加热平台其厚度小于 50mm， 很难满足起塑成型机对 重结晶碳化硅制作的加热平台要求， 需要厚度达 120mm 的平台， 目前的工艺有不足之处 ： 1、 粗粉和细粉的粒度一致性不够， 造成在烧制过程中热胀 / 热缩不一致， 产生局部开裂 ； 2、 降 温过程中温度下降速度较快， 造成内部热胀大于外表面产生热应力而开裂 ； 3、 在 2000℃～ 2400℃这个重结晶反应区时间跨度较短， 造成内部重结晶不充分， 影响材料的性能。 发明内容 ：
本发明创造的目的是提供一种能满足厚度达 120mm 加热平台的热成型机重结晶 碳化硅加热平台的制作工艺 ； 本发明创造的目的是通过下述的技术方案实现的 ： 热成型机 重结晶碳化硅加热平台的制作工艺， 其步骤如下 ：
1)、 选用碳化硅粉料 ： 选用纯度 99.9％， 1500 目细粉和选用纯度 99.9％， 150 目粗 粉；
2)、 筛分 ： 用 1800 目的筛子对 1500 目细粉料筛选， 取用筛上料用 1000 目的筛子筛 选， 取出筛下料作为细粉 ；
用 200 目的筛子对 150 目粗粉料筛选， 取用筛上料用 120 目的筛子筛选， 取出筛下 料作为粗粉 ；
3)、 将上一步骤筛分出的细粉和粗粉碳化硅粉料按 1 ∶ 1 配比混合， 加入粉料总质 量的 20％的水及每 50kg 泥浆加入 70ml 结合剂， 在搅拌机中搅拌 30 小时后， 检验重结晶碳 化硅粉料混合密度， 检验碳化硅粉料混合后流速， 流速为 25s ；
4)、 制作石膏模具， 石膏模具预留加热管和热电偶位置 ；
5)、 浇注碳化硅粉料混合浆 ： 浇注速度控制在每公斤 40 秒， 混合浆在模具中经 20 小时自然固化 ；
6)、 放入烘干箱内烘干 ： 将自然固化后的碳化硅粉料混合浆脱模， 放入 80℃烘干 箱内烘干， 每隔 8 小时检测水分蒸发后碳化硅粉料混合的总质量， 总质量减少量低于 1‰时 为加热平台毛坯 ；
7)、 继续烘干 ： 将加热平台毛坯放入感应加热炉中， 加温时间 8 小时， 温度达 1100 ℃ ； 继续加温， 时间达 20 小时， 温度达 2000 ℃ ； 继续加温， 时间达 37 小时， 温度达 2400℃ ； 保温 4 小时， 降温 2 小时温度至 2000℃， 继续降温 9 小时， 温度至 1400℃， 保温 14 小时， 继续降温， 经 23 小时， 温度至 200℃出炉 ；
8)、 打磨烘干后重结晶碳化硅加热平台平面。
本发明创造的优点 ： 由于工艺步骤中将选用碳化硅粗、 细粉料又进行了筛选， 合粗 粉和细粉的粒度分别一致， 使烧制过程中热胀 / 热缩一致， 不产生局部开裂 ； 将 2000℃～2400 ℃这个重结晶反应区时间跨度延长 1 小时， 在 2400 ℃保温延长 1 小时至 4 小时， 从 2400℃降至 2000℃用了 4 个小时， 较原工艺多出了 2 个小时， 使内部重结晶更充分， 不易开 裂， 因而能实现厚度达 120mm 的平台。 具体实施方式 ：
热成型机重结晶碳化硅加热平台的制作工艺， 其步骤如下 ：
1)、 选用碳化硅粉料 ： 选用纯度 99.9％， 1500 目细粉和选用纯度 99.9％， 150 目粗 粉；
2)、 筛分 ： 用 1800 目的筛子对 1500 目细粉料筛选， 取用筛上料用 1000 目的筛子筛 选， 取出筛下料作为细粉 ；
用 200 目的筛子对 150 目粗粉料筛选， 取用筛上料用 120 目的筛子筛选， 取出筛下 料作为粗粉 ；
3)、 将上一步骤筛分出的细粉和粗粉碳化硅粉料按 1 ∶ 1 配比混合， 加入粉料总 质量的 20％的水及每 50kg 泥浆加入 70ml 结合剂， 在搅拌机中搅拌 30 小时后， 检验重结晶 3 3 碳化硅粉料混合密度， 密度为 2.4 ～ 2.5×10 kg/m ， 检验碳化硅粉料混合后流速， 流速为 25s ； 4)、 制作石膏模具， 石膏模具预留加热管和热电偶位置 ；
5)、 浇注碳化硅粉料混合浆 ： 浇注速度控制在每公斤 40 秒， 混合浆在模具中经 20 小时自然固化 ；
6)、 放入烘干箱内烘干 ： 将自然固化后的碳化硅粉料混合浆脱模， 放入 80℃烘干 箱内烘干， 每隔 8 小时检测水分蒸发后碳化硅粉料混合的总质量， 总质量减少量低于 1‰时 为加热平台毛坯 ；
7)、 继续烘干 ： 将加热平台毛坯放入感应加热炉中， 加温时间 8 小时， 温度达 1100 ℃ ； 继续加温， 时间达 20 小时， 温度达 2000 ℃ ； 继续加温， 时间达 37 小时， 温度达 2400℃ ； 保温 4 小时， 降温 2 小时温度至 2000℃， 继续降温 9 小时， 温度至 1400℃， 保温 14 小时， 继续降温， 经 23 小时， 温度至 200℃出炉 ；
8)、 打磨烘干后重结晶碳化硅加热平台平面。
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