晶圆上的校正符号的清洁方法以及化学机械研磨制程后续再清 洁制程的方法 【技术领域】
本发明是有关于一种半导体技术，特别是有关于一种清除晶圆的校正符号(alignment mark)上的附着物质(residue)的方法以及化学机械研磨制程后续再清洁制程的方法。
背景技术
众所周知，在半导体制程中，各个步骤需以准确的定位在晶圆上进行，才能制造出优良的产品，而晶圆定位的确认，一般是利用半导体基底上的光学校正符号来达成。光学校正符号是形成在半导体基底地特定图案。当光线照射在光学校正符号上，其图案中的高低差会造成光线不同程度的折射，根据这些光线折射的情况，即可将晶圆调整至正确的位置。然而，半导体制程中常使用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)，在以上述CMP步骤处理后，容易有残留物质附着于校正符号上。
参阅图2-图5所示，图2是显示校正符号上残留物质的SEM图；图3是显示图2中校正符号上残留物质的SEM再放大图；图4是显示图3中校正符号上残留物质的SEM再放大图；图5是显示图4中校正符号上残留物质的SEM再放大图。如上述SEM图中黑点所示，其中有机物卡在晶圆中校正符号的凹槽上，而导致后续黄光制程无法正确判读而对准错误，因此必须移除覆盖于校正符号的物质，使得后续的制程得以顺利进行。
传统方式是在CMP后，以氢氟酸(HF)或过氧化氢氨水(NH4OH)混合液(Ammonium Hydrogen Peroxide Mixture；AMP)进行清洗，但并无法移除有机残留物，且容易对金属产生影响，而损坏晶圆，造成不必要的损失。
【发明内容】
本发明的主要目的是提供一种晶圆上的校正符号的清洁方法，通过强酸或氧电浆，将附着于晶圆的校正符号的有机残留物清除，使在执行化学机械研磨制程后，能够使得校正符号的位置更清楚且容易判断，使后续制程的对准不致发生错误，达到有效解决有机残留物覆盖住校正符号的问题，并降低黄光再加工的频率的目的。
本发明的目的是这样实现的：一种晶圆上的校正符号的清洁方法，主要是利用强酸或氧电浆与附着于晶圆的校正符号上的残留物质产生化学反应，进而移除残留物质。
本发明的晶圆上的校正符号的清洁方法，适用于清除依附于晶圆上的校正符号的附着物质，包括将该晶圆与一含有强酸的试液接触，而移除该晶圆上的校正符号的附着物质；或者对该晶圆施加氧电浆，而移除该晶图上的校正符号的附着物质。由于上述附着物质为有机质含碳氢，因此会与氧电浆反应生成CO2，而被移除。
本发明使用的含有强酸的试液较佳为选自硫酸、硝酸或盐酸等的强酸。而本发明所欲处理校正符号上残留物质的晶圆是指经化学机械研磨的晶圆。上述本发明的方法中使用氧电浆的步骤是于蚀刻制程的干蚀刻机台上进行。
本发明的晶圆上的校正符号的清洁方法，亦可作为化学机械研磨制程后续再清洁的制程方法，适用于清洁位于校正符号上的残留物质，其包括经过化学机械研磨后的晶圆与强酸或氧电浆接触产生化学反应，进而移除其上的残留物质。
下面结合较佳实施例配合附图详细说明。
【附图说明】
图1是化学机械研磨机台的示意图。
图2是校正符号上残留物质的SEM示意图。
图3是图2中校正符号上残留物质的SEM放大示意图。
图4是图3中校正符号上残留物质的SEM再放大示意图。
图5是图4中校正符号上残留物质的SEM再放大示意图。
图6是本发明的清除校正符号上残留物质的流程示意图。
图7是本发明的清除校正符号的方法处理后晶圆的SEM示意图。
【具体实施方式】
实施例1
本发明的晶圆上的校正符号的清洁方法是针对经化学机械研磨(CMP)的芯片，做为化学机械研磨后，再清洁制程(post CPM cleaning)的方法，用以移除附着于校正符号上的残留物质。一般化学机械研磨是利用研磨垫(polishing pad)配合适当的研磨剂(slurry)于晶圆表面磨平的一个平坦化技术，其研磨的方式可以分为旋转式(rotary)或线性式(linear)。本发明的晶圆上的校正符号的清洁方法的应用，并不限于特定一种CMP。
参阅图1所示，本发明所使用的化学机械研磨(CMP)机台如图1所示，1代表化学机械研磨机，11为转动平台，13为研磨垫，15为研浆供料，16为研磨浆，18为晶圆承载器，20为晶圆。上述CMP的操作是以真空吸盘吸住晶圆20，以转轴使转动平台10如22所示的旋转般转动，研磨浆同时由研浆供料15处释出，并通过上述转动，使晶圆20与研磨浆16及研磨垫12相对摩擦，而达到研磨的效果。CMP常使用的材料包括微细研磨粉体，例如SiO2、Al2O3、CeO2、ZrO2等；化学助剂pH值缓冲剂，例如KOH、NH4OH、HNO3或有机酸；氧化剂例如有双氧水、硝酸铁、碘酸钾；以及界面活性剂等等。
实施例2
参阅图6所示，本发明的清除校正符号上残留物质的流程包括如下步骤：
步骤1、提供一经由上述化学机械研磨CMP处理后，在校正符号上有残留物质的晶圆；
接着，如步骤2所示，将强酸试液，在本实施例是使用含有硫酸的试液浓度为18M与上述经化学机械研磨CMP后的残留在晶圆上的附着物质产生化学反应；
步骤3、移除该附着物质。
上述强酸不限于硫酸，亦可使用硝酸或盐酸。
实施例3
本发明的清除校正符号上残留物质的流程与实施例2同样地，取经过上述化学机械研磨后的晶圆置放于干蚀刻机台中，对该晶圆如步骤2施加氧电浆，上述施加氧电浆制程可使用传统所使用的条件，例如压力1-5Torr；流量为2500-3500sccm，使氧电浆与该晶圆上的附着物质(含碳、氢的有机质)起化学反应而形成CO2，因而轻易移除上述在校正符号上的附着物质。
根据本发明的晶圆上的校正符号的清洁方法，所得到的校正符号的SEM图如图7所示，可明显看出原本存在于图2所示的校正符号上的残留物质，已充分被移除，因而达成本发明的目的。
本发明的晶圆上的校正符号的清洁方法，主要通过强酸或氧电浆与附着于校正符号上的残留物质接触，产生化学反应，进而移除该残留物质。不仅可有效解决有机残留物覆盖住校正符号影响后续对准晶圆的问题，并可避免影响到晶圆品质，进而改善传统技术使用氢氟酸HF或过氧化氢氨水混合液所造成晶粒受损的问题。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，所作些许的更动与润饰，都属于本发明的保护范围之内。