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MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法
    【技术领域】

    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种MOS晶体管器件栅氧化层完整性(GOI)测试的方法。

    背景技术

    MOS晶体管中的栅氧化层是由硅衬底在高温下氧化形成的，这层SiO₂膜是一种具有10¹⁵Ω·cm左右的高电阻率的绝缘膜，当外加电场大于6mV/cm时，会产生F‑N(Flowler‑Nordheim)型隧道电流。

    随着技术的不断发展，集成电路的栅氧化层的厚度也由20‑30nm降至1nm以下。栅氧化层不断向薄膜方向发展，而电源电压却不宜降低，在较高的电场强度下。势必使栅氧化层的性能成为一个突出的问题。栅氧抗电性能不好将引起MOS器件电参数不稳定，如：阐值电压漂移，跨导下降、漏电流增加等，进一步可引起栅氧的击穿，导致器件的失效，使整个集成电路陷入瘫痪状态。因此，栅氧化膜的击穿，包括时间相关电介质击穿(TDDB Time‑Dependent DielectricBreakdown)和瞬时击穿(TZDB Time‑Zero Dielectric Breakdown)，多年来一直是超大规模集成电路可靠性研究领域关注的热点，也是限制集成度提高的重要原因。

    特别是TDDB测试属于一种加速测试，它通过实测击穿电量Q_BD、击穿时间t_BD等大量数据的统计分布来表征氧化膜的质量，并可通过它来预测栅氧化层的寿命。通常可采取在大于7mV/cm的高电场下进行。根据实验时MOS上外加电场的方式，常用的TDDB寿命评价方法可分为恒定电压法、恒定电流法、斜坡电压法和斜坡电流法。

    而工艺的发展，对栅氧化层完整性(GOI)的测试技术也提出了新的挑战。随着栅氧化层厚度的变化，新材料的引入，传统的GOI测试方法已经远远不能满足工艺的进步。

    例如虽然TDDB参数及其失效分布很好地反映了栅氧化层的质量，这种方法被广泛应用于集成电路制造业中，但是对于栅极氧化层的TDDB测试，主要集中在寿命的快速评估方面，特别是并行的栅极氧化层的TDDB测试，其并没有反映栅极氧化层上失效点的具体情况，从而无法对待测器件进行更进一步的失效分析。

    【发明内容】

    本发明旨在解决现有技术中，在对MOS晶体管器件进行栅氧化层完整性(GOI)的测试时，以及采用并行时间相关电介质击穿(TDDB)测试时，无法同步且及时而精确反映栅极氧化层上失效点的具体情况，导致需要花费额外的时间或者无法对器件进行更进一步失效分析的技术问题。

    有鉴于此，本发明提供一种MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法，包括以下步骤：

    提供一测试电源；

    将多个待测MOS晶体管器件分别连接于所述测试电源；

    检测此时所述MOS晶体管器件漏电流；

    当所述漏电流突然变化时，开启侦测装置，检测所述MOS晶体管器件上的失效点。

    进一步的，所述测试电源为斜坡电压源。

    进一步的，所述的MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法，还包括：

    当所述斜坡电压源提供的测试电压超过所述MOS晶体管器件栅氧化层的击穿电压时便停止进行测试。

    进一步的，所述多个待测MOS晶体管器件分别通过电可编程电熔丝连接于所述测试电源。

    进一步的，所述侦测装置包括光学显微镜。

    进一步的，所述侦测装置包括红外热感应模块。

    进一步的，所述侦测装置包括微光显微镜。

    综上所述，本发明提供的MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法，可以在对MOS晶体管器件进行栅氧化层完整性(GOI)的测试时，特别是采用并行时间相关电介质击穿(TDDB)测试时，不仅可以评估待测器件的寿命，而且可以同步且及时而精确反映待测MOS晶体管器件栅极氧化层上失效点的具体情况，从而对器件进行进一步的失效分析。

    【附图说明】

    图1所示为本发明一实施例提供MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的系统示意图；

    图2所示为本发明一实施例提供的MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法流程图。

    【具体实施方式】

    为使本发明的技术特征更明显易懂，下面结合附图，给出具体实施例，对本发明做进一步的描述。

    请参见图1，其所示为本发明一实施例所提供的MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的系统示意图，该测试系统包括：

    测试电源110，多个待测MOS晶体管器件120分别连接于所述测试电源110，在本实施例中，待测MOS晶体管器件120是分别通过电可编程电熔丝(eFUSEelectrically programmable fuse device)130连接于测试电源110，以形成并行的栅氧化层完整性(GOI)测试系统。侦测装置140，检测所述MOS晶体管器件120上的失效点情况。

    请参见图2，所示为本发明一实施例提供的MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法流程图。

    请结合参见图1，该方法包括以下步骤：

    步骤S210：提供一测试电源110，在本实施例中测试电源110为斜坡电压源。

    步骤S220：将多个待测MOS晶体管器件120分别连接于所述测试电源110。在本实施例中，待测MOS晶体管器件120是分别通过电可编程电熔丝(eFUSEelectrically programmable fuse device)130连接于测试电源110，以形成并行的栅氧化层完整性(GOI)测试系统。

    步骤S230：通过仪器检测此时MOS晶体管器件120的漏电流。

    步骤S240：当所述漏电流突然变化时，进行下一步骤S250开启侦测装置140，检测所述MOS晶体管器件120上的失效点。

    在本实施例中，所述侦测装置140包括光学显微镜，用以检测MOS晶体管器件栅氧化层上可见的击穿烧灼的失效点。

    在本发明的另一实施例中，所述侦测装置140包括红外热感应模块，用以感测由于所述MOS晶体管器件120漏电流突变，高电流通过MOS晶体管器件120栅氧化层121或电可编程电熔丝130发出的热量，确定缺陷(defects)的位置，从而确认失效的情形。

    在本发明的另一实施例中，所述侦测装置140所述侦测装置包括微光显微镜，用以感测所述MOS晶体管器件120的大漏电流通过MOS晶体管器件120栅氧化层121或电可编程电熔丝130所放出的光子，确定缺陷(defects)的位置，从而确认失效的情形。

    步骤S260：比较测试电压与MOS晶体管器件栅氧化层的击穿电压，当测试电压源提供的测试电压超过所述MOS晶体管器件栅氧化层的击穿电压时，进入下一步骤S270停止进行测试。

    综上所述，利用本发明实施例提供的MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法，可以在对MOS晶体管器件进行栅氧化层完整性(GOI)的测试时，特别是采用并行时间相关电介质击穿(TDDB)测试时，不仅可以评估待测器件的寿命，而且可以同步且及时而精确反映待测MOS晶体管器件栅极氧化层上失效点的具体情况，从而对器件进行进一步的失效分析。

    虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。