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本发明提供了一种在g-C3N4表面原位生长TiO2纳米晶的方法与应用。本发明通过以下步骤获得表面具有TiO2纳米晶的g-C3N4:首先通过热聚合制备出石墨相氮化碳g-C3N4,然后以钛酸四丁酯(TBOT)为钛源、乙酸铵为结构导向剂,采用溶剂热生长的方法使TiO2在g-C3N4表面进行原位生长。其特点是生长出来的TiO2纳米晶在g-C3N4表面具有很高的分散性,而且所制备的TiO2纳米晶的粒径大约只。