光刻装置和器件制造方法 【技术领域】
本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。
背景技术
光刻装置是一种将所需图案应用于基底靶部上的装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，如掩模可用于产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。一般地，单一的晶片将包含相继曝光的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓扫描器，通过在投射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。
已经提议将基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在液体中具有更短的波长，从而使得能够对更小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA和增加了焦深。)
但是，将基底或基底和基底台浸没在液体浴槽(例如参见US4,509,853，将该文献整体在此引入作为参考)中表示在扫描曝光过程中必须加速大量的液体。这需要附加的或功率更大的电动机，且液体中的紊流可能导致不期望的和不可预料的结果。
提出的一种用于供液系统的技术方案是仅在基底的局部区域上以及投影系统的最后一个元件和使用液体限制系统(通常基底具有比投影系统的最后一个元件更大的表面区域)地基底之间提供液体。在WO99/49504中公开了已经提出的一种布置成用于该方案的方式，在此将该文献整体引入作为参考。如图6和7所示，通过至少一个入口IN将液体提供到基底上，优选地沿基底相对于最后一个元件的移动方向，以及在通过投影系统下方之后通过至少一个出口OUT去除液体。也就是说，沿-X方向扫描在该元件下方的基底，并在元件的+X方向提供液体，在-X方向回收。图6示出了示意性的布置，其中通过入口IN提供液体，和通过与低压源相连接的出口OUT在元件的另一侧回收。在图6的说明中，沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，尽管可以不必这样。定位成围绕最后一个元件的入口和出口的各种定向和数量都是可能的，一个实例如图7所示，其中在围绕最后一个元件的规则图案中提供了四组入口以及在另一侧的出口。
已经提出的另一种技术方案是使用密封元件提供供液系统，该密封元件沿投影系统的最后一个元件和基底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。该密封元件在XY平面中基本上相对于投影系统静止，但是在Z方向(光轴方向)可以有一些相对移动。在密封元件和基底表面之间形成密封。优选地该密封是非接触密封，如气密封，例如在欧洲专利申请No.03252955.4中公开的系统，在此将该文献整体引入作为参考。
显然，在湿浸式光刻投影装置中存在液体会增加在常规光刻装置中存在的难题。例如，诸如用于测量支撑基底的基底台的位置的干涉仪IF的传感器可能由于浸液受到存在的湿气影响。此外，不是用于供液系统的所有上述方案在包含所有的浸液的情况都很完美，还可能发生渗漏或泄漏。
【发明内容】
本发明的一个目的是减少在光刻投影装置中存在浸液相关的问题。
根据本发明的一个方面，提供一种光刻投影装置，包括：
照射系统，用于提供辐射投射光束；
支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于给投影光束在其截面赋予图案；
基底台，用于保持基底；
投影系统，用于将带图案的光束投影到基底的靶部上；
供液系统，用于把浸液至少部分填充在投影系统和定位在基底台上的目标之间的空间；
其特征在于还包括一个主动干燥站，用于主动地去除来自目标、基底台或者这两者的液体。
通过这种方式，主动去除浸液(优选地基本上可以不用加热基底实现这个)确保浸液与基底(如果基底是目标)上的光致抗蚀剂接触的时间尽可能地短。这是重要的，因为浸液能够与光致抗蚀剂反应，使得基底上的图像质量会随着光致抗蚀剂与浸液接触的时间变化。此外，如果主动干燥站从传感器去除了液体，则可加强这些传感器的性能。从目标和基底台上去除液体可减小在具有浸液蒸汽的装置中的气体环境污染。这可能增强装置中的任何光学传感器的性能。在目标和/或基底台从投影系统下方移动和/或从供液系统移动之后进行该主动去除，即在将浸液供给到目标和/或基底台之后被停止。
优选地，基底台将目标输送到主动干燥站，并在使用主动干燥站将浸液从目标主动去除的过程中支撑目标。这确保了在从投影系统(或从供液系统)下方去除之后，尽可能快地进行浸液的主动去除，由此减小浸液暴露于装置的气体环境和基底上的光致抗蚀剂中的时间；基底不需要在其被干燥之前从基底台移开。
主动干燥站可以定位在投影系统和基底后曝光处理模块之间，使得可以在曝光位置和后曝光处理模块之间，或在安装了传感器的基底台的情况下在使用传感器测量之前，进行浸液的去除。也就是说主动干燥站位于投影装置中和/或是投影装置的一部分，而不是后曝光处理模块的一部分。
优选地干燥站包括气体流动部件，用于在所述目标或所述基底台上形成气体流动。优选地该气体流动部件能够形成至少每分钟50公升的气体流动。这就确保光刻装置内部的湿度保持较低，并且在温度波动时能够有助于保持装置稳定。该主动干燥站可以包括至少一个气体入口，用于将气体提供到所述基底的目标上，和/或至少一个气体出口，用于将气体和/或液体从目标表面去除。在气体入口的情况下，至少一个气体入口可以包括一个具有至少十个入口的气刀或气体喷头。已经发现这些方案在将液体从目标或基底台去除浸液时都特别有效。
主动干燥站可以包括一个使目标旋转的旋转器。该旋转器利用离心力将浸液从目标上去除。当目标是基底时该方案是特别合适的，在这种情况下基底在绕其中心的主平面被旋转。
另一种可以自身或附加地应用在上述的任何一种其它方法的可替换方案包括用于提供溶解浸液的液体给目标表面的浸液溶解供液部件。通过这种方式，浸液能够溶解在浸液溶解液体中。浸液溶解液体本身可选择成容易从基底去除。例如通过选择一种液体就可以实现，该液体具有促进干燥的目标表面的润湿特性。或者浸液溶解液体可以选择成比浸液更加易挥发，使得它可以从目标表面蒸发掉。优选地浸液溶解液体是酮或乙醇。
根据本发明的另一个方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤：
提供由基底台支撑的基底；
使用照射系统提供辐射投射光束；
使用构图部件给投影光束在其截面赋予图案；
将在投影系统和目标之间的浸液提供到基底台上；
使用投影系统将带图案的辐射光束投影到目标的靶部；
其特征在于主动地去除来自目标、基底台或者这两者的液体。
尽管在本申请中，本发明的光刻装置具体用于制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨道(通常将抗蚀剂层作用于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)或者计量工具或检验工具对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指的是已经包含多个已处理的层的基底。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，如离子束或电子束。
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给投射光束赋予带图案的截面的装置，从而在基底的靶部中形成图案。应该注意，赋予给投射光束的图案可以不与基底靶部中的所需图案精确一致。一般地，赋予给投射光束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的示例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而以与入射的辐射束不同的方向反射；按照这种方式，对反射的光束进行构图。在构图部件的每个示例中，支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的，并且可以确保构图部件例如相对于投影系统位于所需的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。
这里所用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如使用浸液或使用真空。这里任何术语“透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
照射系统还可以包括各种类型的光学部件，包括用于引导、整形或者控制辐射投射光束的折射，反射和反折射光学部件，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。
光刻装置可以具有两个(双台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
【附图说明】
现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个具体实施方案，附图中相应的参考标记表示相应的部件，其中：
图1示出了根据本发明一个实施方案的光刻装置；
图2示出了其中使用了气刀的主动干燥站的一个实施方案；
图3示出了其中使用了气体喷头的主动干燥站的一个实施方案；
图4示意性地示出了在主动干燥站的实施方案中使用的旋转器的原理；
图5以截面的形式示出了气刀的一个示例性实施方案；
图6以截面的形式示出了根据本发明的供液部件；
图7以平面的形式示出了图6的供液系统；
图8示出了根据本发明的一个实施例的供液系统。
【具体实施方式】
图1示意性地表示了本发明一个具体实施方案的光刻装置。该装置包括：
照射系统(照射器)IL，用于提供辐射投射光束PB(例如UV辐射)。
第一支撑结构(例如掩模台)MT，用于支撑构图部件(例如掩模)MA，并与用于将该构图部件相对于物体PL精确定位的第一定位装置连接；
基底台(例如晶片台)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置连接；以及
投影系统(例如折射投影透镜)PL，用于将通过构图部件MA赋予给投射光束PB的图案成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
如这里指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。另外，该装置可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列)。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源是构成光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照射器IL，所述输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要的话连同光束输送系统BD可以被称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节装置AM，用于调节光束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器提供经调节的辐射光束，称为投射光束PB，该光束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。
投射光束PB入射到保持在掩模台MT上的掩模MA上。横穿过掩模MA后，投射光束PB通过透镜PL，该透镜将光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置和位置传感器IF(例如干涉测量器件)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，用于例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置和另一个位置传感器(图1中未明确示出)将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT和WT的移动，其中长行程模块和短行程模块构成定位装置的一部分。然而，在步进器(与扫描装置相对)的情况中，掩模台MT只与短行程致动装置连接，或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA与基底W。
所示的装置可以按照下面优选的模式使用：
在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，赋予投射光束的整个图案被一次投射到靶部C上(即单次静态曝光)。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，从而可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
在扫描模式中，当赋予投射光束的图案被投射到靶部C时(即单次动态曝光)，同步扫描掩模台MT和基底台WT。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PL的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
在其他模式中，当赋予投射光束的图案投射到靶部C上时，掩模台MT基本保持不动，支撑可编程构图部件，且基底台WT被移动或扫描。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在基底台WT每次移动之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件是如上面提到的可编程反射镜阵列型。
还可以采用上述所用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的模式。
该装置具有至少一个主动干燥站ADS。优选地该主动干燥站ADS定位成尽可能地靠近投影系统PL和定位在投影系统PL下方的供液系统LSS。利用主动干燥，这表示采取了积极的手段将液体从目标去除，而不是仅仅在目标上进行通常的操作，在通常操作过程中液体可能自然蒸发或流掉，并且不以干燥目标的特定目标为目的采取任何手段。供液系统LSS可以是包括一个局部区域供液系统的任何类型，该局部区域供液系统可将液体提供到基底的局部区域和其中浸没了整个基底的浴槽等等。
当基底W第一次从投影系统PL下方被移动远离供液系统LSS时(例如当其以浴槽的形式移出供液系统或当从浴槽排出水时)，使基底处于主动干燥站ADS中。在主动干燥站ADS中，利用下面描述的一种或多种手段的组合主动去除保留在基底W上的浸液。使用主动干燥站ADS不会影响或去除抗蚀剂(在基底上的辐射敏感涂层)。
虽然将描述涉及从基底W去除液体的主动干燥站ADS，但是主动干燥站也可以用于从传感器(可能位于基底台WT上，并且通过去除液体可以提高其性能)去除浸液，以及从基底台本身去除浸液。它也可以用来从其它目标去除液体。在传感器的情况下，可以在测量之前即在基底W曝光之前有利地去除液体。
在已经将浸液供给基底之后，不可能在处理之前将所有残余的浸液从基底表面去除。遗憾的是浸液能够溶解到基底上的光致抗蚀剂中，同时光致抗蚀剂可溶解到浸液中。因此期望的是，均匀显影基底以便尽可能地去除残余的浸液。这都是在主动干燥站ADS中完成的。优选地主动干燥站ADS如此定位使得在曝光基底之后能够在预定时间内干燥基底。该预定时间优选地小于5秒，更加优选地小于2秒，最优选地是小于1秒。此外，装置中的湿度很高是不利的，从而有利的是尽可能地去除残余在基底台以及传感器等上的浸液。利用主动干燥站ADS能够实现所有这些功能，优选地其位于光刻投影装置中和/或构成光刻投影装置的一部分。从传感器去除残余的液体意味着液体不会干扰随后的基底的正确水准测量，这在以前是一个问题。
尽管在图1中没有示出，主动干燥站ADS可以具有一个挡板或其它合适的部件，从而当干燥目标时完全封闭目标。例如，使用在主动干燥站ADS中的隔板或挡板封闭整个基底台WT的顶面，从而基本上防止浸液绕装置扩散。可以使用一个托盘来捕捉任何水滴。
尽管在图1中已经示出了主动干燥站ADS作为光刻装置的一部分，但是也可以不是这种情况，主动干燥站ADS可以位于基底暴露在投射光束PB的位置和在基底后曝光处理模块之前的位置(在该位置可以进行各处处理步骤例如光致抗蚀剂的烘烤、显影、蚀刻和淀积)之间的任何位置。因此主动干燥站可以在光刻投影装置的外部。
主动干燥站ADS可以使用任何部件从基底W去除液体。优选地基本上不加热基底来实现干燥，因为由于热梯度的产生这可能使装置不平衡。下面描述几个主动干燥站ADS从基底W去除液体的方式的实例。可以单一或组合使用这些方法，如果合适同时或者一个接一个地使用这些方法。
优选地主动干燥ADS位于光刻投影装置中，基底台将待干燥的基底(或其它目标)输送到主动干燥站ADS，并在使用主动干燥站ADS从目标主动去除浸液的过程中支撑基底/目标。可以有多个主动干燥站，例如一个用于基底W，一个用于基底台WT上的一个(多个)传感器。
按照其最简单的形式，主动干燥站ADS包括主动干燥站ADS包括一个气体流动部件10，用于在基底W的表面上产生气体流动。气体流动越快，从基底W去除浸液的效果和速度越快。优选地气体流动速率为至少每分钟50公升是可实现的，更优选地是至少每分钟100公升。优选地气体在被吹入到基底上之前被过滤和/或干燥，以便避免基底W的表面污染，如果气体与抗蚀剂相容(对于一些248nm的辐射的抗蚀剂不是这种情况)。
在图2示出的实施方案中，气体流动部件包括一个入口50和一个出口60。通过入口50提供带压力的气体和通过在出口60中的以负压将其去除。图2中示出的布置是一种所谓的气刀，其中入口50是一个使气体朝基底W加速的喷嘴，从而气体以高的流率和高的速度冲击到基底上。优选地气体射流沿着朝出口60的方向和基底W成一角度冲击到基底上。在从基底W的表面去除液体时这种布置特别有效。气体流动部件10可以仅包括一个单一的入口50或一个单一的出口60，也可以包括多个入口和出口50、60。基底W可以在如箭头15表示的静止的入口和出口50、60的下方移动。这些入口和出口50、60还可以是连续的凹槽及分立的入口和出口。这些入口和出口50、60也可以是可移动的。
对于气体流动部件还可能的是仅包括与负压部件连接的出口60，在这种情况下，气体和在基底W顶部的浸液将通过出口60吸取。
图3中示出了另一个实施方案，其中气体流动部件10包括多个入口50，而基底上没有出口，但是可以在其它地方提供所需出口以便排出过多的气体。这就是所谓的喷头。优选地喷头包括至少十个入口50。喷头可以具有足够大的截面积，从而覆盖整个基底W的表面或者基底W在其干燥时可以在喷头10下方移动。
优选地主动干燥站尺寸为与基底台一样长，使得能够一次干燥在基底台WT上的所有目标(包括基底和一个(或多个)传感器)。
此外优选地在喷头60中使用滤过的气体。
图5示出了一种用于将液体从基底W或一个(或多个)传感器去除液体的特别有效的气刀形式。浸液5被吸取到与负压部件连接的中心通道110。优选地该通道110是狭槽(从页面延伸进和延伸出)的形式。从中心通道的任何一侧的外部通道120提供气体。这些外部通道120也可以是狭槽。因此，在基底W的表面上有气体流动，这有助于使气体和浸液5向上吸引到中心通道110中。该外部通道可以定向成其出口和基底表面成一定角度地而不垂直，并指向中心通道110的入口。其中形成了通道110、120的入口和出口的气刀底面可以如此形成，使得从外部通道120到中心通道110的气流是平稳的，例如通过使入口的边缘圆滑(即使边缘具有一定半径)过渡到中心通道110和可选择地过渡到外部通道120的出口。
优选地主动干燥站ADS如此定位且基底台WT的路径如此选择，使得在曝光之前或之后的基底台的正常移动过程中(即不需要使路径偏移)，基底台WT在主动干燥站下方移动。这样，使生产量损失最小化。
另一种可以在主动干燥站ADS中使用的系统是旋转器，其用于使基底在基底W的平面中绕其中心点旋转。当基底W在旋转(如图4所示)时，离心力作用在基底W表面上的液体上，就使其向外甩向收集有浸液的地方。
优选地主动干燥站ADS包括一个液体补偿部件，用于恢复从被干燥的目标去除的浸液。如果浸液不是水这就特别有利。
通过在前述实施例之前或之后设置，另一种可以结合任何一个前述实施例使用的实施例是使用干燥液体，其中浸液可溶解在基底W的表面上。如果其中溶解有浸液的干燥液体是比浸液更加容易从基底表面去除的类型，这就加快了干燥过程。此外，通过溶解浸液，可能的是减小了光致抗蚀剂的溶解作用或通过小心地选择所使用的干燥液体减小了向光致抗蚀剂中的扩散。因此，提供了一种能够将其中溶解有浸液的干燥液体提供给基底W表面的浸液溶解供液部件。优选地为此而选择的干燥液体比浸液更加易挥发，使得能够比浸液更加容易地被去除(即被蒸发)。可替换地或者附加地可以如此选择液体使得其具有与基底W的大接触角度，从而比基底W上的浸液更容易形成液珠，并因此被去除。合适的液体是酮或乙醇，特别是IPA(异丙醇)。
应该理解，已经就使用主动干燥站ADS干燥同时处于基底台WT上合适位置的基底描述了本发明。也可以不必这样，可以使用主动干燥站干燥其它目标，例如基底台WT本身或在基底台WT上的传感器。干燥浸没在浸液(例如偶然或为了照射)中的基底上的传感器是特别有利的。通过在测量和/或去除干燥掩模的过程中去除液体可改进传感器的性能。此外，可能必要的是在使用主动干燥站ADS干燥之前从基底台WT移去基底W，如上所述该主动干燥站可位于光刻装置的外部。实际上，即使主动干燥站位于光刻装置中，为了工程学问题也有必要从基底台移去基底/目标，用以使用主动干燥站ADS进行干燥。
已经提出的另一种湿浸式光刻要提供一个密封元件给供液系统，该密封元件沿着在投影系统的最后一个元件和基底台之间的空间边界的至少一部分延伸。密封元件基本上相对于投影系统在XY平面中静止，但是它们可以在Z方向(光轴方向)具有一些相对移动。在密封元件和基底表面之间形成密封。在一种实施过程中，该密封是非接触密封，如气密封。例如在欧洲专利申请No.US10/705,783中公开的系统，将该文献整体在此引入作为参考。
图8示出了另一种具有局部供液系统的湿浸式光刻。利用在投影系统PL任何一侧上的两个凹槽入口IN可提供液体，和利用在入口IN外部多个径向布置的分立出口OUT可去除液体。这些入口IN和OUT可以布置在其中心具有一个小孔的平板上，通过该小孔可投影投射光束。利用在投影系统PL一侧上的一个凹槽入口IN可提供液体，和利用在投影系统PL另一侧上的多个分立出口OUT可去除液体，从而形成投影系统PL和基底W之间的液体薄膜流。选择哪种入口IN和出口OUT的组合来使用取决于基底W的移动方向(其它的入口IN和出口OUT的组合都没有起作用)。
在欧洲专利申请No.03257072.3中公开了一种两台或双台湿浸式光刻装置，在此将该申请整体引入作为参考。这种装置具有两个支撑基底的基底台。在第一位置在没有浸液的情况下使用一个基底台进行水准测量，在第二位置使用一个基底台进行曝光，在该位置存在浸液。或者，装置仅具有一个可在第一和第二位置之间移动的基底台。
本发明的实施方案可以应用于任何湿浸式光刻装置和任何供液系统(包括其相关部件)，特别地，但不是唯一的，可应用于那些上面提到的供液系统和上面描述的液体浴槽。
虽然上面已经描述了本发明的具体实施方案，可以理解可以不同于上面所描述的实施本发明。说明书不是要限制本发明。