TFT-LCD阵列基板及其制造方法 【技术领域】
本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。为了有效地降低TFT-LCD的价格、提高成品率，TFT-LCD阵列基板的制造工艺逐步得到简化，从开始的七次构图(7mask)工艺已经发展到基于狭缝光刻技术的四次构图(4mask)工艺。
目前，TFT-LCD阵列基板的制造是通过一组构图工艺形成薄膜图形来完成，一次构图工艺形成一层薄膜图形。现在技术采用的四次构图工艺技术是利用半色调或灰色调掩模板技术，通过一次构图工艺完成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形的制作。由于每次构图工艺均需要把掩模板的图形转移到薄膜图形上，而每一层薄膜图形都需要精确地罩在另一层薄膜图形上，因此在TFT-LCD阵列基板制作过程中，所用掩模板的数量越少，生产时间越少，生产效率越高，生产成本就越低。
【发明内容】
本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，采用三次构图工艺实现TFT-LCD阵列基板的制造，缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。
为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极、位于栅电极上方的半导体层、位于半导体层上的源电极和漏电极，所述半导体层与源电极和漏电极接触的表面为经过表面处理的欧姆接触区域，所述源电极和漏电极之间的半导体层上覆盖有阻挡层。
所述表面处理为采用PH3气体的P化处理，所述P化处理的射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。
所述像素电极与数据线、源电极和漏电极在同一次构图工艺中形成。
所述阻挡层与半导体层在同一次构图工艺中形成。
在上述技术方案基础上，所述像素电极形成在栅绝缘层上，并与漏电极直接连接。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：
步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；
步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层，通过第二次构图工艺形成半导体层图形和阻挡层图形，所述阻挡层图形位于所述半导体层图形之上，对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理，形成欧姆接触区域；
步骤3、在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过第三次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像素电极的图形，所述源电极和漏电极通过透明导电薄膜与所述半导体层的欧姆接触区域连接，所述阻挡层覆盖在所述TFT沟道区域的半导体层上，所述像素电极与源电极直接连接。
所述步骤2包括：
步骤21、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层；
步骤22、在所述阻挡层上涂敷一层光刻胶；
步骤23、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于阻挡层图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于半导体图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
步骤24、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的阻挡层和半导体层，暴露出该区域的栅绝缘层，形成半导体图形；
步骤25、通过灰化工艺，完全去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的阻挡层；
步骤26、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的阻挡层，暴露出半导体层，形成阻挡层图形；
步骤27、对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理，使暴露出的半导体层表面形成欧姆接触区域；
步骤28、剥离剩余的光刻胶。
所述表面处理为采用PH3气体的P化处理，所述P化处理的射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。
所述步骤3包括：
步骤31、在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜；
步骤32、在所述源漏金属薄膜上涂敷一层光刻胶；
步骤33、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极所在区域，光刻胶半保留区域对应于像素电极图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
步骤34、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜和透明导电薄膜，形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，所述源电极和漏电极通过透明导电薄膜与所述半导体层的欧姆接触区域连接，所述阻挡层覆盖在所述TFT沟道区域的半导体层上；
步骤35、通过灰化工艺，完全去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；
步骤36、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜，形成像素电极图形，所述像素电极与源电极直接连接；
步骤37、剥离剩余的光刻胶。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，首先通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极图形，然后使用半色调或灰色调掩模板通过第二次构图工艺形成半导体图形，并通过对半导体层进行表面处理形成欧姆接触区域，最后使用半色调或灰色调掩模板通过第三次构图工艺形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像素电极图形。本发明不仅通过三次构图工艺完成TFT-LCD阵列基板地制备，而且采用了对半导体层进行表面处理形成欧姆接触区域的技术方案，既没有使用掺杂半导体层，也减少了沉积掺杂半导体层的工艺，因此本发明技术方案既减小了生产设备投入，节约了生产材料，又降低了生产成本，缩短了生产时间，提高了生产效率。此外，本发明像素电极直接与漏电极连接提高了电接触，提高了良品率，具有广泛的应用前景。
【附图说明】
图1为本发明TFT-LCD阵列基板的平面图；
图2为图1中A1-A1向的剖面图；
图3为本发明TFT-LCD阵列基板第一次构图工艺后的平面图；
图4为图3中A2-A2向剖面图；
图5为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺后的平面图；
图6为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中沉积各层薄膜后A3-A3向的剖面图；
图7为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中光刻胶曝光显影后A3-A3向的剖面图；
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中第一次刻蚀后A3-A3向的剖面图；
图9为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中灰化工艺后A3-A3向的剖面图；
图10为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中第二次刻蚀后A3-A3向的剖面图；
图11为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中表面处理后A3-A3向的剖面图；
图12为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺后A3-A3向的剖面图；
图13为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺后的平面图；
图14为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中沉积各层薄膜后A4-A4向的剖面图；
图15为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中光刻胶曝光显影后A4-A4向的剖面图；
图16为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中第一次刻蚀后A4-A4向的剖面图；
图17为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中灰化工艺后A4-A4向的剖面图；
图18为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中第二次刻蚀后A4-A4向的剖面图；
图19为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺后A4-A4向的剖面图；
图20为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图；
图21为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法中形成半导体层图形的流程图；
图22为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法中形成数据线、源电极、漏电极和像素电极图形的流程图。
附图标记说明：
1-基板； 2-栅电极； 3-栅绝缘层；
4-半导体层； 5-阻挡层； 6-源电极；
7-漏电极； 8-钝化层； 9-像素电极；
10-栅线； 11-数据线； 21-透明导电薄膜；
22-源漏金属薄膜； 30-光刻胶； 41-欧姆接触区域。
【具体实施方式】
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明TFT-LCD阵列基板的平面图，图2为图1中A1-A1向的剖面图。如图1和图2所示，本发明TFT-LCD阵列基板的主体结构包括栅线10、数据线11、像素电极9和薄膜晶体管，相互垂直的栅线10和数据线11定义了像素区域，薄膜晶体管和像素电极9形成在像素区域内，栅线10用于向薄膜晶体管提供开启信号，数据线11用于向像素电极9提供数据信号。具体地，本发明TFT-LCD阵列基板包括形成在基板1上的栅线10和栅电极2，栅电极2与栅线10连接；栅绝缘层3形成在栅电极2和栅线10上并覆盖整个基板1，半导体层4形成在栅绝缘层3上并位于栅电极2的上方；像素电极9形成在栅绝缘层3上并位于像素区域内；源电极6的一端形成在半导体层上，另一端与数据线11连接，漏电极7的一端形成在半导体层上，另一端与位于漏电极7下方的像素电极9直接连接，源电极6和漏电极7之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的半导体层4上覆盖有保护TFT沟道区域的阻挡层5。
本发明上述技术方案中，半导体层与源电极和漏电极接触的表面为经过表面处理的欧姆接触区域41，该表面处理为采用PH3气体的P化处理，射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。由于通过P化处理使半导体层表面形成欧姆接触区域，保证了半导体层与源电极和漏电极的电连接，因此可以不使用现有技术通常采用的掺杂半导体层，同时也减少了沉积掺杂半导体层的工艺，既减小了生产设备投入，节约了生产材料，又降低了生产成本，缩短了生产时间，提高了生产效率。
图3～图19为本发明TFT-LCD阵列基板制造过程的示意图，可以进一步说明本发明的技术方案，在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀、剥离等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例。
图3为本发明TFT-LCD阵列基板第一次构图工艺后的平面图，图4为图3中A2-A2向剖面图。首先采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层厚度为的栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料可以使用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，或以上金属组成的多层薄膜。使用普通掩模板通过第一次构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在基板上形成栅线10和栅电极2图形，如图3、图4所示。实际应用中，该构图工艺中还可以同时形成公共电极线图形。
图5为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺后的平面图，图6为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中沉积各层薄膜后A3-A 3向的剖面图。在完成上述图形的基板上，首先采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或其它成膜方法，依次沉积厚度为的栅绝缘层3、厚度为的半导体层4和厚度为的阻挡层5。其中栅绝缘层3和阻挡层5可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体，半导体层对应的反应气体可以是SiH4、H2的混合气体或SiH2Cl2、H2的混合气体。
图7为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中光刻胶曝光显影后A3-A3向的剖面图。在阻挡层5上涂敷一层光刻胶30，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成完全曝光区域A、未曝光区域B和半曝光区域C，其中未曝光区域B对应于阻挡层图形所在区域，半曝光区域C对应于半导体图形所在区域，完全曝光区域A对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域B的光刻胶厚度没有变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域A的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除区域，半曝光区域C的光刻胶厚度变薄，形成光刻胶半保留区域，如图7所示。
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中第一次刻蚀后A3-A3向的剖面图。通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域A的阻挡层5和半导体层4，暴露出该区域的栅绝缘层3，形成半导体图形，如图8所示。
图9为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中灰化工艺后A3-A3向的剖面图。通过灰化工艺，减少光刻胶30的厚度，完全去除半曝光区域C的光刻胶，暴露出该区域的阻挡层5，如图9所示。由于未曝光区域B光刻胶的厚度大于半曝光区域C光刻胶的厚度，因此本次工艺后，未曝光区域B还覆盖有部分厚度的光刻胶30。
图10为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中第二次刻蚀后A3-A3向的剖面图。通过第二次刻蚀工艺刻蚀半曝光区域的阻挡层5，完全刻蚀掉该区域的阻挡层5，暴露出半导体层4，形成阻挡层图形，如图10所示。
图11为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺中表面处理后A3-A3向的剖面图。对暴露出的半导体层4进行表面处理，使半导体层4表面形成欧姆接触区域41，如图11所示。本发明的表面处理为采用PH3气体的P化处理，射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。
图12为本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺后A3-A3向的剖面图。最后剥离剩余的光刻胶，完成本发明TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺，如图5和图11所示。本发明第二次构图工艺后，半导体图形位于栅电极2的上方，阻挡层图形位于半导体图形上，其位置正好覆盖住TFT沟道区域。
图13为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺后的平面图，图14为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中沉积各层薄膜后A4-A4向的剖面图。在完成上述图形的基板上，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，依次沉积厚度为的透明导电薄膜21和厚度为的源漏金属薄膜22，透明导电薄膜21可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料，也可以采用其它金属及金属氧化物，源漏金属薄膜22的材料可以使用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，或以上金属组成的多层薄膜，如图14所示。
图15为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中光刻胶曝光显影后A4-A4向的剖面图。在源漏金属薄膜22上涂敷一层(正性)光刻胶30，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成完全曝光区域A、未曝光区域B和半曝光区域C，其中未曝光区域B对应于数据线、源电极和漏电极图形所在区域，半曝光区域C对应于像素电极图形所在区域，完全曝光区域A对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域B的光刻胶厚度没有变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域A的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除区域，半曝光区域C的光刻胶厚度变薄，形成光刻胶半保留区域，如图15所示。
图16为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中第一次刻蚀后A4-A4向的剖面图。通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域A的源漏金属薄膜22和透明导电薄膜21，形成数据线、源电极和漏电极图形，其中，源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的半导体层4上覆盖着阻挡层5，如图16所示。
图17为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中灰化工艺后A4-A4向的剖面图。通过灰化工艺，减少光刻胶30的厚度，完全去除半曝光区域C的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜22，如图17所示。由于未曝光区域B光刻胶的厚度大于半曝光区域C光刻胶的厚度，因此本次工艺后，未曝光区域B还覆盖有部分厚度的光刻胶。
图18为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺中第二次刻蚀后A4-A4向的剖面图。通过第二次刻蚀工艺对半曝光区域C的源漏金属薄膜22进行刻蚀，完全刻蚀掉该区域的源漏金属薄膜22，暴露出透明导电薄膜，形成像素电极9，如图18所示。
图19为本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺后A4-A4向的剖面图。最后剥离剩余的光刻胶，完成本发明TFT-LCD阵列基板第三次构图工艺，如图13和图19所示。本发明第三次构图工艺后，源电极6通过透明导电薄膜21与半导体层4上形成的欧姆接触区域41接触，其一端位于阻挡层5上，另一端与数据线11连接，漏电极7通过透明导电薄膜21与半导体层4上形成的欧姆接触区域41连接，其一端位于阻挡层5上，并通过透明导电薄膜21与形成在像素区域内的像素电极9直接连接，源电极6与漏电极7之间形成的TFT沟道区域，TFT沟道区域的半导体层4上覆盖有阻挡层5。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，首先通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极图形，然后使用半色调或灰色调掩模板通过第二次构图工艺形成半导体图形，并通过对半导体层进行表面处理形成欧姆接触区域，最后使用半色调或灰色调掩模板通过第三次构图工艺形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像素电极图形。本发明不仅通过三次构图工艺完成TFT-LCD阵列基板的制备，而且采用了对半导体层进行表面处理形成欧姆接触区域的技术方案，既没有使用掺杂半导体层，也减少了沉积掺杂半导体层的工艺，因此本发明技术方案既减小了生产设备投入，节约了生产材料，又降低了生产成本，缩短了生产时间，提高了生产效率。此外，本发明像素电极直接与漏电极连接提高了电接触，提高了良品率，具有广泛的应用前景。
图20为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图，包括：
步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；
步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层，通过第二次构图工艺形成半导体层图形和阻挡层图形，所述阻挡层图形位于所述半导体层图形之上，对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理，形成欧姆接触区域；
步骤3、在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过第三次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像素电极的图形，所述源电极和漏电极通过透明导电薄膜与所述半导体层的欧姆接触区域连接，所述阻挡层覆盖在所述TFT沟道区域的半导体层上，所述像素电极与源电极直接连接。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，首先通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极图形，然后通过第二次构图工艺形成半导体图形和阻挡层图形，并通过对半导体层进行表面处理形成欧姆接触区域，最后通过第三次构图工艺形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像素电极图形。本发明不仅通过三次构图工艺完成TFT-LCD阵列基板的制备，且由于采用了对半导体层进行表面处理形成欧姆接触区域的技术方案，既没有使用掺杂半导体层，也减少了沉积掺杂半导体层的工艺，因此本发明技术方案既减小了生产设备投入，节约了生产材料，又降低了生产成本，缩短了生产时间，提高了生产效率。此外，本发明像素电极直接与漏电极连接提高了电接触，提高了良品率，具有广泛的应用前景。
图21为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法中形成半导体层图形的流程图，在图20所示技术方案基础上，所述步骤2包括：
步骤21、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层和阻挡层；
步骤22、在所述阻挡层上涂敷一层光刻胶；
步骤23、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于阻挡层图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于半导体图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
步骤24、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的阻挡层和半导体层，暴露出该区域的栅绝缘层，形成半导体图形；
步骤25、通过灰化工艺，完全去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的阻挡层；
步骤26、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的阻挡层，暴露出半导体层，形成阻挡层图形；
步骤27、对所述阻挡层图形以外的半导体层进行表面处理，使暴露出的半导体层表面形成欧姆接触区域；
步骤28、剥离剩余的光刻胶。
图21所示技术方案是一种采用多步刻蚀工艺通过一次构图工艺同时形成半导体图形和阻挡层图形并进行表面处理的技术方案，表面处理为采用PH3气体的P化处理。进一步地，本发明P化处理的射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。图21所示技术方案的制备过程已在前述图5～图12所示技术方案中详细介绍，这里不再赘述。
图22为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法中形成数据线、源电极、漏电极和像素电极图形的流程图，在图20所示技术方案基础上，所述步骤3包括：
步骤31、在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜；
步骤32、在所述源漏金属薄膜上涂敷一层光刻胶；
步骤33、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极所在区域，光刻胶半保留区域对应于像素电极图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
步骤34、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜和透明导电薄膜，形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，所述源电极和漏电极通过透明导电薄膜与所述半导体层的欧姆接触区域连接，所述阻挡层覆盖在所述TFT沟道区域的半导体层上；
步骤35、通过灰化工艺，完全去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；
步骤36、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜，形成像素电极图形，所述像素电极与源电极直接连接；
步骤37、剥离剩余的光刻胶。
图22所示技术方案是一种采用多步刻蚀工艺通过一次构图工艺同时形成数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和像素电极图形的技术方案，其制备过程已在前述图13～图19所示技术方案中详细介绍，这里不再赘述。
本发明步骤1中，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层厚度为的栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料可以使用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，或以上金属组成的多层薄膜。使用普通掩模板通过构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形。实际应用中，该构图工艺中还可以同时形成公共电极线图形。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。