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1、10申请公布号CN102338948A43申请公布日20120201CN102338948ACN102338948A21申请号201110325151022申请日20111024G02F1/133200601G02F1/1362200601G02F1/1368200601G06F3/04120060171申请人南京中电熊猫液晶显示科技有限公司地址210033江苏省南京市仙林大道科技南路南京液晶谷72发明人周刘飞74专利代理机构南京苏高专利商标事务所普通合伙32204代理人柏尚春54发明名称内嵌式液晶触控面板57摘要本发明公开了一种内嵌式液晶触控面板，其阵列基板包括检测电路，该检测电路包括触控电。
2、极、检测线和多个薄膜晶体管，其中触控电极，与所述凸起层相对设置；第二薄膜晶体管栅极连接第N条扫描线；漏极连接触控电极；第三薄膜晶体管栅极连接第N1条扫描线，源极连接触控电极，漏极连接检测线。本发明内嵌式液晶触控面板提升像素开口率，且提高灵敏度及可靠性。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图3页CN102338961A1/1页21一种内嵌式液晶触控面板，包括一彩膜基板；一阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；以及一液晶层，布置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间；所述彩膜基板包括由外到内依次设置的黑色矩阵层、凸起层和ITO层；所述阵列基板包括若干在水平。
3、方向形成的扫描线；若干在垂直方向形成的数据线，所述数据线与所述扫描线相交叉并与所述扫描线绝缘；像素电极，该像素电极形成于所述数据线与扫描线相交叉限定的像素区域中；第一薄膜晶体管栅极连接第N条扫描线，源极连接数据线，漏极连接像素电极，其中N为大于1的自然数；以及若干公共线；其特征在于所述阵列基板还包括检测电路，该检测电路包括触控电极、检测线和多个薄膜晶体管，其中触控电极，与所述凸起层相对设置；第二薄膜晶体管栅极连接第N条扫描线；漏极连接触控电极；第三薄膜晶体管栅极连接第N1条扫描线，源极连接触控电极，漏极连接检测线。2根据权利要求1所述内嵌式液晶触控面板，其特征在于所述第二薄膜晶体管的源极连接第。
4、N条扫描线或公共线。3根据权利要求1所述内嵌式液晶触控面板，其特征在于所述像素电极与公共线重叠的区域形成存储电容，所述第二薄膜晶体管的源极连接该存储电容。4根据权利要求3内嵌式所述液晶触控面板，其特征在于所述第二薄膜晶体管的漏极与所述检测线部分重叠，所述触控电极设置于第N条扫描线上。5根据权利要求1至4任一项所述内嵌式液晶触控面板，其特征在于所述检测电路设置于蓝色像素。权利要求书CN102338948ACN102338961A1/3页3内嵌式液晶触控面板技术领域0001本发明涉及一种液晶触控面板，特别涉及一种内嵌式INCELL液晶触控面板。背景技术0002现有的一种内嵌式液晶触控面板，其主要原。
5、理是在阵列基板上制作多个X感测线与Y感测线，并利用ITOINDIUMTINOXIDES，铟锡氧化物在感应线侧边分别形成多个感应电极；在彩膜基板与感应电极正对的位置，制作多个柱电极，该柱电极与彩膜基板的公共电极相连接。当触控时，触控位置的柱电极接触到感应电极，因此感应电极的电压变为公共电极电压，感应电极连接的感应线的电压也随之改变。再利用外部电路读取感应电压，即可得出触控位置。这种技术每个触控区域需要两个感应电极及两条感应线，大大降低了像素开口率，也增加了控制芯片的成本。发明内容0003发明目的针对上述现有存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种提升像素开口率的内嵌式液晶触控面板。0004技术方。
6、案为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为一种内嵌式液晶触控面板，包括0005一彩膜基板；0006一阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；以及0007一液晶层，布置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间；0008所述彩膜基板包括由外到内依次设置的黑色矩阵层、凸起层和ITO层；0009所述阵列基板包括0010若干在水平方向形成的扫描线；0011若干在垂直方向形成的数据线，所述数据线与所述扫描线相交叉并与所述扫描线绝缘；0012像素电极，该像素电极形成于所述数据线与扫描线相交叉限定的像素区域中；0013第一薄膜晶体管栅极连接第N条扫描线，源极连接数据线，漏极连接像素电极，因此第一薄膜晶体管为像素电极充电，。
7、其中N为大于1的自然数；以及若干公共线；0014所述阵列基板还包括检测电路，该检测电路包括触控电极、检测线和多个薄膜晶体管，其中0015触控电极，与所述凸起层相对设置且表面可导通；0016第二薄膜晶体管栅极连接第N条扫描线；漏极连接触控电极；0017第三薄膜晶体管栅极连接第N1条扫描线，源极连接触控电极，漏极连接检测线。0018所述第二薄膜晶体管的源极可连接第N条扫描线或公共线。0019所述像素电极与公共线重叠的区域形成存储电容，所述第二薄膜晶体管的源极可说明书CN102338948ACN102338961A2/3页4连接该存储电容。0020因此第二薄膜晶体管为触控电极充入初始电压，未触控时，。
8、触控电极保持该电压；触控时，触控电极与彩膜基板的ITO层短路，产生电压变化。0021所述第二薄膜晶体管的漏极与所述检测线可部分重叠，重叠区域形成电容CT，所述触控电极可设置于第N条扫描线上第二薄膜晶体管的顶部，可用ITO层的材料制作。当触控时，不管触控电极能否与彩膜基板的ITO层短路，第二薄膜晶体管的ASI非晶硅层均能产生感应电荷，从而第二薄膜晶体管打开。0022由于蓝色对人眼的亮度较暗相对于绿色和红色，所述检测电路可设置于蓝色像素，牺牲蓝色像素的部分开口率，对总体的影响最小。0023有益效果本发明INCELL液晶触控面板，在蓝色像素区域增加触控电极、触控开关即薄膜晶体管以及检测线等；当未触控。
9、时，触控电极为一给定稳定电压，而触控时，检测线通过触控开关等构成的电路，检测到电压变化。本发明INCELL液晶触控面板，结构简单，性能稳定，灵敏度高，且能有效提升开口率和光学特性，降低成本。附图说明0024图1为本发明内嵌式液晶触控面板实施例1的像素等效电路图；0025图2A为本发明内嵌式液晶触控面板实施例1的像素截面示意图未触控时；0026图2B为本发明内嵌式液晶触控面板实施例1的像素截面示意图触控时；0027图3为本发明内嵌式液晶触控面板实施例2的像素等效电路图；0028图4为本发明内嵌式液晶触控面板实施例3的像素等效电路图；0029图5为本发明内嵌式液晶触控面板实施例3的像素结构示意图；。
10、0030图6A为图5AA位置的截面示意图未触控时；0031图6B为图5AA位置的截面示意图触控时；0032图7为本发明内嵌式液晶触控面板实施例3的等效电路图。具体实施方式0033下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。0034实施例10035如图1所示，当第N条扫描线GN打开时，像素电极PIXELELECTRODE充入数据线DATALINE电压，触控电极TOUCHELECTRODE充入VGH电压，施加外力时，触控电极与彩膜基板的ITO。
11、层短路，触控电极的电压变为彩膜基板ITO层的公共电极电位VCOM；当下一帧第N1条扫描线GN1打开时，触控电极之VCOM电压即可通过TFT3图中的TFT1、TFT2和TFT3即为前面所述的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，下同传输给检测线DETECTLINE，设置在显示外围的检测器即可侦测线到检测线电压变化。0036如图2A和图2B所示，阵列基板侧依次为扫描线层、第一绝缘层，数据线层、第二绝缘层及最上的ITO层，对应的彩膜基板依次为黑色矩阵层、凸起层和ITO层。在未触控时，阵列基板的ITO层与彩膜基板的ITO层之间存在液晶层图中未示出，因此两个ITO说明书CN102338948A。
12、CN102338961A3/3页5层彼此绝缘；在触控时，彩膜基板受到压力作用，阵列基板的ITO层与彩膜基板的ITO层短路。彩膜基板的ITO层将VCOM电位传输给阵列基板的ITO层即触控电极。0037实施例20038如图3所示，本实施例二与实施例1的区别仅在于未触控时，触控电极电压为存储电容CST电压，而实施例1为VGH电压。0039实施例30040如图4所示，未触控时，当GN高电压时，TFT2打开，但由于TFT3关闭，所以CST电压不能传输到检测线。当GN1高电压时，TFT3打开，但TFT2关闭，因此CST电压同样不能传输到检测线。触控时，TFT2的半导体层产生感应电荷，TFT2长时间打开，C。
13、ST对CT充电，当下一帧，GN1高电压时，TFT3打开，CT放电，检测线侦测到电压变化。实施例3为优选的，因为触控电极设置于扫描线上，相对增加了像素开口率，另一方面，触控时，TFT2一直打开，并且即使触控力量很小，阵列基板的触控电极未能与彩膜基板的ITO层接触短路，TFT2的半导体层同样能产生感应电荷，TFT2打开。0041如图5所示，像素结构主要包括横向的扫描线GATELINE与公共线CSLINE、列向的数据线DATALINE、像素PIXEL、驱动像素充电的TFT1、及检测区域的检测线DETECTLINE，驱动检测电路的TFT2、TFT3。此外，还包括像素电极与公共线重叠区域形成的电容CST。
14、，TFT2漏极与检测线重叠区域形成的电容CT，触控电极TOUCHELECTRODE，其位于扫描线上TFT2顶部，用ITO层制作。0042如图6A和图6B所示，阵列基板侧依次为栅极，第一绝缘层，ASI层，源极、漏极，第二绝缘层，最后再形成最上层的ITO触控电极；因此该结构为TFT架构；对应的彩膜基板依次为黑色矩阵层，凸起层，ITO层。在未触控时，阵列基板的ITO层与彩膜基板的ITO层之间存在液晶层，彼此绝缘；在触控时，彩膜基板受到压力作用，阵列基板的ITO层与彩膜基板的ITO层短路或两者之间间距发生变化，ASI层产生感应电荷，TFT2即为打开状态。0043如图7所示，内嵌式液晶触控面板包括多条扫描线GATEN1GATENGATEN1这里的GATEN1GATEN即为上文的GNGN1与多条数据线，扫描线与数据线垂直交叉排列，并限定多个显示区域。此外，触控区域设置于蓝色像素，牺牲其部分开口率，以取得整体显示效果的最优化。说明书CN102338948ACN102338961A1/3页6图1图2A图2B说明书附图CN102338948ACN102338961A2/3页7图3图4图5说明书附图CN102338948ACN102338961A3/3页8图6A图6B图7说明书附图CN102338948A。