树脂组合物、填埋材料、绝缘层以及半导体装置.pdf

本发明的树脂组合物是在具有板厚方向上贯通且在内部设置有导体部的贯通孔的半导体基板中，用于至少填埋前述贯通孔的填埋材料中所使用的树脂组合物，其中，前述树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及具有碱溶性基和双键的树脂的组合物；包含环状烯烃系树脂的组合物；或者，它们的混合物。本发明的填埋材料由上述记载的树脂组合物的固化物构成。本发明的绝缘层由上述记载的树脂组合物的固化物构成，具有在前述半导体基板的与功能面相反侧的面上配置的层状的绝缘部、和与该绝缘部一体形成且填埋于前述贯通孔的填埋部。本发明的半导体装置具有上述记载的绝缘层。

1.  一种树脂组合物，其是在具有板厚方向上贯通并在内部设置有导体部的贯通孔的半导体基板中，用于至少填埋所述贯通孔的填埋材料中所使用的树脂组合物，其特征在于，
该树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与所述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的树脂组合物，或者是包含环状烯烃系树脂的树脂组合物。

2.  根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述半导体基板具有功能面和与该功能面相反侧的面，
所述树脂组合物形成填埋所述贯通孔并且覆盖所述相反侧的面的绝缘层。

3.  根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述半导体基板具有功能面和与该功能面相反侧的面，
所述树脂组合物形成填埋所述贯通孔并且覆盖所述相反侧的面的绝缘层，且通过光刻法能够对该绝缘层形成开口部。

4.  一种填埋材料，其为用于至少填埋所述贯通孔的填埋材料，其特征在于，由权利要求1所述的树脂组合物的固化物构成。

5.  一种绝缘层，其特征在于，所述半导体基板具有功能面和与该功能面相反侧的面，
所述绝缘层具有在所述相反侧的面上配置的层状的绝缘部和与该绝缘部一体形成且填埋于所述贯通孔的填埋部，
所述绝缘层由权利要求1所述的树脂组合物的固化物构成。

6.  一种半导体装置，其特征在于，具有权利要求4所述的填埋材料。

7.  一种半导体装置，其特征在于，具有权利要求5所述的绝缘层。

8.  一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体基板，形成有在板厚方向上贯通的贯通孔；
绝缘层，具有以覆盖所述贯通孔的内面和所述半导体基板的一个面的方式而形成的第一树脂层及与该第一树脂层接合的第二树脂层；以及
导体部，贯通所述第一树脂层和第二树脂层而设置在所述贯通孔内部，
所述第一树脂层的弹性模量比所述第二树脂层的弹性模量低。

9.  根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一树脂层的弹性模量为2500MPa以下。

10.  根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一树脂层由第一树脂组合物的固化物构成，
所述第一树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与所述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的树脂组合物，或者是包含环状烯烃系树脂的树脂组合物。

11.  根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述环状烯烃系树脂是具有环氧基的降冰片烯系树脂。

12.  根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一树脂层能够通过光照射形成图案。

13.  根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二树脂层的弹性模量为3500MPa以上。

14.  根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二树脂层在玻璃化转变温度以下的热膨胀系数为50ppm以下。

15.  根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述第二树脂层的与所述第一树脂层相反侧的面上形成有布线图案，所述布线图案与所述导体部电连接。

16.  根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述绝缘层还具有以覆盖所述导体部和所述布线图案的至少一部分而设置的第三树脂层，该第三树脂层由第三树脂组合物构成，
所述第三树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与所述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的树脂组合物，或者是包含环状烯烃系树脂的树脂组合物。

17.  根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述半导体基板的与所述绝缘层相反侧的面形成有布线图案，所述布线图案与所述导体部电连接。

树脂组合物、填埋材料、绝缘层以及半导体装置
技术领域
本发明涉及树脂组合物、填埋材料、绝缘层以及半导体装置。
背景技术
为了适应数码相机、手机等的电子部件等的小型化，半导体封装也需要小型化。
以往的半导体封装，在半导体元件的端子部和搭载该半导体元件的基板的布线间需要键合引线以及能够配置该键合引线的空间。因此，在半导体封装的半导体元件和基板之间需要空间，这成为妨碍小型化的重要原因。
作为使该半导体封装小型化的方法，可举出如下方法，即，通过在半导体元件具备的半导体基板上形成贯通电极，由此，对半导体基板的功能面和在与该功能面相反侧的面上设置的电路布线进行电连接(参照专利文献1)。
该专利文献1所记载的方法中，在半导体基板中设置贯通孔，通过例如层叠构成层叠板的积层来填埋贯通孔的内部后，再次形成通孔。然后，在该通孔的内面形成导体层而设置导体部件(导体部)，形成贯通电极。
但是，在使用通过这种积层来填埋贯通孔内部的方法的情况下，有时半导体元件的翘曲增大。
专利文献1：日本特开2005-216970号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种能减少半导体基板的翘曲等的发生，同时能确实并充分地填埋在该半导体基板上形成的贯通孔内部的树脂组合物。另外，本发明提供由所述树脂组合物构成的填埋材料以及绝缘层，还提供具有这些填埋材料和绝缘层的、小型且特性优良的半导体装置。
为实现上述目的，下述(1)～(17)中记载的本发明为，
(1)一种树脂组合物，其为用于至少填埋具有在板厚方向贯通并在内部设置有导体部的贯通孔的半导体基板的前述贯通孔的填埋材料中所使用的树脂组合物，其特征在于，
该树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的树脂组合物，或者是包含环状烯烃系树脂的树脂组合物。
(2)根据上述(1)所记载的树脂组合物，其中，前述半导体基板具有功能面和与该功能面相反侧的面，
前述树脂组合物形成填埋前述贯通孔并且覆盖前述相反侧的面的绝缘层。
(3)根据上述(1)所记载的树脂组合物，其中，前述半导体基板具有功能面和与该功能面相反侧的面，
前述树脂组合物形成填埋前述贯通孔并且覆盖前述相反侧的面的绝缘层，通过光刻法能够对该绝缘层形成开口部。
(4)一种填埋材料，其为用于至少填埋前述贯通孔的填埋材料，其特征在于，由上述(1)所记载的树脂组合物的固化物构成。
(5)一种绝缘层，其特征在于，前述半导体基板具有功能面和与该功能面相反侧的面，所述绝缘层具有在前述相反侧的面上配置的层状的绝缘部和与该绝缘部一体形成且填埋于前述贯通孔的填埋部，
所述绝缘层由上述(1)所记载的树脂组合物的固化物构成。
(6)一种半导体装置，其特征在于，具有上述(4)所记载的填埋材料。
(7)一种半导体装置，其特征在于，具有上述(5)所记载的绝缘层。
(8)一种半导体装置，其特征在于，具有：形成有在板厚方向上贯通的贯通孔的半导体基板；具备以覆盖前述贯通孔的内面和前述半导体基板的一个面的方式所形成的第一树脂层及与该第一树脂层接合的第二树脂层的绝缘层；以及贯通前述第一树脂层和第二树脂层来设置在前述贯通孔内部的导体部，
前述第一树脂层的弹性模量比前述第二树脂层的弹性模量低。
(9)根据上述(8)所记载的半导体装置，其中，前述第一树脂层的弹性模量为2500MPa以下。
(10)根据上述(8)所记载的半导体装置，其中，前述第一树脂层由第一树脂组合物的固化物构成，
前述第一树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的树脂组合物，或者是包含环状烯烃系树脂的树脂组合物。
(11)根据上述(10)所记载的半导体装置，其中，前述环状烯烃系树脂是具有环氧基的降冰片烯系树脂。
(12)根据上述(8)所记载的半导体装置，其中，前述第一树脂层能够通过光照射形成图案。
(13)根据上述(8)所记载的半导体装置，其中，前述第二树脂层的弹性模量为3500MPa以上。
(14)根据上述(8)所记载的半导体装置，其中，前述第二树脂层在玻璃化转变温度以下的热膨胀系数为50ppm以下。
(15)根据上述(8)所记载的半导体装置，其中，在前述第二树脂层的与前述第一树脂层相反侧的面上形成布线图案，前述布线图案与前述导体部电连接。
(16)根据上述(15)所记载的半导体装置，其中，前述绝缘层还具备至少覆盖前述导体部和前述布线图案的至少一部分而设置的的第三树脂层，该第三树脂层由第三树脂组合物构成，
前述第三树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的树脂组合物，或者是包含环状烯烃系树脂的树脂组合物。
(17)根据上述(8)所记载的半导体装置，其中，在前述半导体基板的与前述绝缘层相反侧的面形成布线图案，前述布线图案与前述导体部电连接。
附图说明
图1是具备具有导通孔的半导体基板的半导体元件的一个实例的剖面图；
图2是用导通孔填埋材料填埋导通孔的状态的半导体元件的剖面图；
图3是表示第一实施方式的半导体装置的一部分的纵向剖面图；
图4是表示第二实施方式的半导体装置的一部分的纵向剖面图。
具体实施方式
下面，对本发明的树脂组合物、填埋材料、绝缘层以及半导体装置进行说明。
本发明的树脂组合物是用于至少填埋具有在板厚方向贯通并在内部设置有导体部的贯通孔的半导体基板的前述贯通孔的填埋材料中所使用的树脂组合物，其特征在于，该树脂组合物是包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的树脂组合物、包含环状烯烃系树脂的树脂组合物、或者是它们的混合物。
本发明的填埋材料是用于至少填埋前述贯通孔的填埋材料，其特征在于，由上述记载的树脂组合物的固化物构成。
本发明的绝缘层具有层状的绝缘部和与该绝缘部一体形成且填埋前述贯通孔的填埋部，所述绝缘部配置在与前述半导体基板所具有的功能面相反侧的面，本发明的绝缘层的特征在于，由上述所记载的树脂组合物的固化物构成。
本发明的半导体装置的特征在于，具有上述所记载的绝缘层。
另外，本发明的半导体装置的特征在于，具有半导体基板、绝缘层和导体部，所述半导体基板形成有在板厚方向上贯通的贯通孔，所述绝缘层具备以覆盖前述贯通孔的内面以及前述半导体基板的一个面的方式所形成的第一树脂层和与该第一树脂层接合的第二树脂层，所述导体部贯通前述第一树脂层和第二树脂层来设置在前述贯通孔的内部，前述第一树脂层的弹性模量比前述第二树脂层的弹性模量低。
首先，对树脂组合物以及填埋材料进行说明。
前述树脂组合物用于至少填埋如图1所示的半导体元件100所具备的半导体基板10上所设置的导通孔(贯通孔)1。该导通孔1通过设置于导通孔1内部的导电部件(导体部)11，能够实现半导体基板10的功能面101的端子部2和相反侧的面102的电连接。由此，能够实现使用了半导体元件100的半导体装置(半导体封装件)500的小型化。
如上所述，本发明的树脂组合物是，A：包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂和与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基以及双键的树脂的组合物(A组成)，B：包含环状烯烃系树脂的组合物(B组成)，或者它们的混合物。
下面，对A组成的树脂组合物和B组成的树脂组合物分别进行说明。
I：A组成的树脂组合物
该树脂组合物包含具有自由基聚合性双键的树脂。由此，对光照射能选择性地产生固化反应。在此，作为具有自由基聚合性双键的树脂，可举出光固化性树脂(主要是通过光照射而固化的树脂)。
作为前述具有自由基聚合性双键的树脂，可举出如不饱和聚酯、在一分子中至少具有1个以上丙烯酰基或甲基丙烯酰基的丙烯酸系单体或低聚物等丙烯酸系化合物、苯乙烯等乙烯系化合物等，这些可以单独使用，还可以混合两种以上来使用。
其中，优选以丙烯酸系化合物为主成分的紫外线固化性树脂。这是因为，丙烯酸系化合物在照射光时的固化速度快，由此，能够以比较少量的曝光量对树脂形成图案。
作为前述丙烯酸系化合物，可举出丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的单体等，具体可举出二丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸1，6-环己二醇酯、二甲基丙烯酸1，6-环己二醇酯、二丙烯酸甘油酯、二甲基丙烯酸甘油酯、二丙烯酸1，10-癸二醇酯、二甲基丙烯酸1，10-癸二醇酯等2官能丙烯酸酯；三丙烯酸三羟甲基丙烷酯、三甲基丙烯酸三羟甲基丙烷酯、三丙烯酸季戊四醇酯、三甲基丙烯酸季戊四醇酯、六丙烯酸二季戊四醇酯、六甲基丙烯酸二季戊四醇酯等多官能丙烯酸酯等。
其中，优选为(甲基)丙烯酸酯，特别优选为酯部位的碳原子数为1～15的丙烯酸酯或甲基丙烯酸烷基酯。由此，能够提高反应性，灵敏度经此提高。
另外，前述具有自由基聚合性双键的树脂(光固化性树脂)并无特别限制，但优选常温下为液态。由此，能够提高对设置于半导体基板10的导通孔1的填埋性。另外，能够提高利用紫外线进行的固化反应性。另外，能够使与其他配合成分(例如热固性树脂)的混合操作变得容易。作为常温下为液态的具有自由基聚合性双键的树脂，可举出以前述丙烯酸系化合物为主成分的紫外线固化性树脂等。
前述具有自由基聚合性双键的树脂的重均分子量并无特别限制，但优选为5000以下，特别优选为150～3000。当重均分子量处于前述范围内时，填埋性特别优良。
这里，重均分子量例如可用G.P.C.进行评价，可通过预先采用苯乙烯标准物质制成的标准曲线算出重均分子量。
这里，前述具有自由基聚合性双键的树脂的含量并无特别限制，但优选为前述树脂组合物总量的5～60重量％，特别优选为8～30重量％。特别是，树脂组合物的树脂成分(除了无机填充材料的全部成分)中优选为9重量％以上，特别优选为13重量％以上。
当前述具有自由基聚合性双键的树脂的含量超过前述上限值时，有时会损害树脂组合物的耐热性。另外，当前述具有自由基聚合性双键的树脂的含量小于前述下限值时，有时会损害由树脂组合物构成的树脂层的挠性，而且有可能产生光(例如紫外线)照射不能使所述树脂层充分形成图案的情况。因而，通过使前述具有自由基聚合性双键的树脂的含量处于上述范围，能够提供一种两者的平衡性优良且剥离性良好的树脂组合物，例如不损害树脂组合物固化物的耐热性、由树脂组合物构成的树脂层挠性的平衡的情况下，将由树脂组合物构成的树脂层应用于粘接膜时对保护膜等的剥离性特别良好的树脂组合物。
前述树脂组合物包含热固性树脂。由此，能够提高树脂组合物的固化物的耐热性(具体而言，为240℃下的耐回流性)。
作为前述热固性树脂，可举出如苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂，甲阶酚醛树脂等酚醛树脂，双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂等双酚型环氧树脂，酚醛清漆环氧树脂、甲酚酚醛清漆环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂，联苯型环氧树脂、茋型环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、烷基改性三苯酚甲烷型环氧树脂、含三嗪核环氧树脂、二环戊二烯改性苯酚型环氧树脂、硅酮改性环氧树脂等环氧树脂、脲醛(尿素)树脂、三聚氰胺树脂等具有三嗪环的树脂、不饱和聚酯树脂、双马来酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、二烯丙基邻苯二甲酸酯树脂、硅酮树脂、具有苯并噁嗪环的树脂、氰酸酯树脂等，这些可以单独使用也可以混合使用。其中，特别优选环氧树脂。由此，能够更加提高树脂组合物的固化物的耐热性以及密合性。
这里，作为热固性树脂，可以将室温下为固态的环氧树脂例如双酚型环氧树脂，和挠性环氧树脂例如室温下为液态的环氧树脂、室温下为液态的硅酮改性环氧树脂进行并用。由此，能够提供一种在保持树脂组合物的固化物的耐热性的同时，由树脂组合物构成的树脂层的挠性、利用光刻技术形成图案时的分辨力和粘接性达到优良平衡的树脂组合物。
前述热固性树脂的含量并无特别限制，但优选为前述树脂组合物总量的10～40重量％，特别优选为15～35重量％。当热固性树脂的含量小于前述下限值时，提高树脂组合物的固化物的耐热性的效果有时降低，当超过前述上限值时，提高树脂组合物的固化物的韧性的效果有时降低。因而，通过使热固性树脂的含量处于上述范围内，能够提供一种两者平衡性优良的树脂组合物。
另外，并用室温下为液态的热固性树脂时，前述为液态的具有自由基聚合性双键的树脂和该液态热固性树脂的合计量优选为前述树脂组合物总量的60重量％以下，特别优选为50重量％以下。特别是在树脂组合物的树脂成分中(除了无机填充材料的全部成分)，优选为13重量％以上，进一步优选为14重量％以上，更加优选为18重量％以上。通过使液态的具有自由基聚合性双键的树脂和液态的热固性树脂的合计量处于上述范围内，树脂组合物对半导体基板10的导通孔1的填埋性特别优良，通过光刻技术形成图案时，由所述树脂组合物构成的树脂层(粘接层)的分辨力和粘接性达到优良平衡且挠性优良，另外，树脂组合物的固化物的耐热性优良。
前述树脂组合物包含与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的“具有碱溶性基以及双键的树脂”。由此，由树脂组合物构成的树脂层能够碱显影，能够通过光照射来形成图案。所说的与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同，是指树脂的结构不同。作为前述具有碱溶性基以及双键的树脂，可举出如通过光和热这两者能够固化的固化性树脂。
作为前述碱溶性基，可举出如羟基、羧基等。另外，碱溶性基也有助于热固化反应。作为这种树脂，可举出如具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基等光反应基的热固性树脂，具有酚羟基、醇羟基、羧基、酸酐基等热反应基的光固化性树脂等。而且，光固化性树脂还可以具有环氧基、氨基、氰酸酯基等热反应基。具体可举出(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂、含(甲基)丙烯酰基的丙烯酸聚合物等。其中，优选为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。通过使用含有碱溶性基的树脂，在显影处理时除去未反应树脂(树脂组合物)之际，尤其是碱溶性基具有双键部分的情况下，由于存在该双键部分，而能够应用对环境的负荷更少的碱水溶液，来代替通常用作显影液的有机溶剂。另外，这种情况下，在使树脂组合物固化时，双键部分有助于固化反应，结果，能够提高树脂组合物的固化物的耐热性。
还有，作为前述通过光和热这两者能够固化的固化性树脂，可以使用热固性树脂、光固化性树脂中提过的树脂，具有碱溶性基以及双键的树脂，通过在这些光固化性树脂中导入热反应基或者在热固性树脂中导入光反应基来制得。
这里，使用具有光反应基的热固性树脂的情况下，前述光反应基的改性率(取代率)并无特别限制，但优选为前述具有碱溶性基和双键的树脂的反应基总量的20～80％，特别优选为30～70％。通过使光反应基的改性量处于上述范围，能够提供一种分辨力特别优良的树脂组合物。
另一方面，使用具有热反应基的光固化性树脂的情况下，前述热反应基的改性率(取代率)并无特别限制，但优选为前述具有碱溶性基和双键的树脂的反应基总量的20～80％，特别优选为30～70％。通过使热反应基的改性量处于上述范围，能够提供一种分辨力特别优良的树脂组合物。
前述具有碱溶性基和双键的树脂的重均分子量并无特别限制，但优选为300000以下，特别优选为5000～150000。当重均分子量处于前述范围内时，能够使树脂组合物成为填埋性特别优良的树脂组合物。
这里，重均分子量例如采用G.P.C.进行评价，可通过预先使用苯乙烯标准物质制成的标准曲线来算出重均分子量。
这里，具有碱溶性基和双键的树脂的含量并无特别限制，但优选为前述树脂组合物总量的15～50重量％，特别优选为20～40重量％。尤其是在树脂组合物的树脂成分中(除了无机填充材料的全部成分)，可以是10～80重量％，优选为15～70重量％。当具有碱溶性基和双键的树脂的含量小于前述下限值时，提高光固化性树脂与热固性树脂的相溶性的效果有时会降低，当超过前述上限值时，由树脂组合物构成的树脂层的显影性或利用光刻技术形成图案时的分辨力有时会降低。通过使具有碱溶性基和双键的树脂的含量或树脂组合物中的液态成分量处于上述范围内，能够赋予如下功能，即，通过光刻法对由树脂组合物构成的树脂层形成图案后，能对所述树脂层进行热压接。
另外，虽未作特别限制，但优选树脂组合物进一步并用光聚合引发剂。由此，能通过光聚合使树脂有效地形成图案。
作为这种光聚合引发剂，可举出如二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻异丁醚、苯偶姻安息香酸甲酯、苯偶姻安息香酸、苯偶姻甲醚、苄基苯基硫醚、苯偶酰、二苯偶酰、双乙酰等。
该光聚合引发剂的含量并无特别限制，但优选为前述树脂组合物总量的0.5～5重量％，特别优选为0.8～2.5重量％。当光聚合引发剂的含量小于前述下限值时，有时引发光聚合的效果会降低，当超过前述上限值时，有时反应性过高，有时会降低使用前树脂组合物的保存性或降低由树脂组合物构成的树脂层在上述图案成形后的分辨力。因而，通过使光聚合引发剂处于上述范围内，能够提供一种两者的平衡性优良的树脂组合物。
另外，特别是要求树脂组合物的固化物具有耐热性、尺寸稳定性、耐湿性等特性的情况下，优选树脂组合物进一步含有无机填充材料。另外，通过使树脂组合物含有无机填充材料，能够提高将树脂组合物的树脂层用作粘接膜时对保护膜的剥离性。
作为这样的无机填充材料，可以举出如滑石、烧成粘土、未烧成粘土、云母、玻璃等硅酸盐，氧化钛、氧化铝、熔融二氧化硅(熔融球状二氧化硅、熔融破碎二氧化硅)、结晶二氧化硅等二氧化硅粉末等氧化物，碳酸钙、碳酸镁、水滑石等碳酸盐，氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙等氢氧化物，硫酸钡、硫酸钙、亚硫酸钙等硫酸盐或亚硫酸盐，硼酸锌、偏硼酸钡、硼酸铝、硼酸钙、硼酸钠等硼酸盐，氮化铝、氮化硼、氮化硅等氮化物等。这些无机填充材料既可单独使用也可混合使用。其中，优选熔融二氧化硅、结晶二氧化硅等二氧化硅粉末，特别优选球状熔融二氧化硅。
通过使树脂组合物含有无机填充材料，能够提高使树脂组合物固化后的耐热性、耐湿性、强度等，另外，能够提高将所述树脂组合物的树脂层用作粘接膜时对保护膜的剥离性。还有，对无机填充材料的形状并无特别限制，但优选为真球状，由此，能够提供一种适合作为特性中无各向异性的粘接膜的粘接层使用的树脂组合物。
另外，无机填充材料的平均粒径并无特别限制，但优选为0.05～30μm，特别优选为0.1～10μm。当该平均粒径小于前述下限值时，无机填充材料容易凝聚，结果，有时降低强度，当超过前述上限值时，就由树脂组合物构成的树脂层而言，有时通过曝光和光刻技术形成图案时的分辨力降低。
这里，无机填充材料的含量并无特别限制，但优选为前述树脂组合物总量的5～60重量％，特别优选为10～50重量％。当无机填充材料的含量小于前述下限值时，提高树脂组合物的固化物的耐热性、尺寸稳定性、吸湿性的效果有时会降低，若超过前述上限值，当通过光刻技术形成图案时，由树脂组合物构成的树脂层的分辨力有时会降低。
另外，该树脂组合物还可以进一步含有挠性环氧树脂。
通过进一步含有挠性环氧树脂，能够在保持树脂组合物的固化物的耐热性的同时，提高由树脂组合物构成的树脂层及其固化物的挠性，能够进一步提高树脂组合物作为半导体用材料的可靠性。
作为前述挠性环氧树脂，可举出如硅酮改性环氧树脂、聚乙二醇二缩水甘油基醚、聚丙二醇二缩水甘油基醚等。
前述挠性环氧树脂的含量并无特别限制，但优选为前述树脂组合物总量的3～10重量％，特别优选为4～8重量％。当挠性环氧树脂的含量小于前述下限值时，提高树脂组合物的半导体用材料的可靠性的效果有时会降低，当超过前述上限值时，有时由树脂组合物构成的树脂层的显影性、分辨力降低，有时产生渗出。
在不损害本发明目的的范围内，前述树脂组合物中可以添加紫外线吸收剂、流平剂等添加剂。
将这种树脂组合物在合适的有机溶剂(例如N-甲基-2-吡咯烷酮、苯甲醚、甲基乙基酮、甲苯、乙酸乙酯等)中进行混合，在例如支撑膜等上涂布并干燥，可得到导通孔填埋材料用的膜。
如此得到的导通孔填埋材料用的膜在从室温至180℃的温度区域下的最低熔融粘度并无特别限制，但优选为50000Pa·s以下，特别优选为3000Pa·s以下。当填埋温度下的粘度处于前述范围内时，导通孔填埋材料用膜的填埋性特别优异。此外，所述导通孔填埋材料用膜除了具有适度的流动性以外，与被粘体的密合性/润湿性也优良。
然后，将该导通孔填埋材料用的膜层叠于具有导通孔1的半导体元件100(半导体基板10)上，从而能够用导通孔填埋材料用的膜填埋前述导通孔1。然后，对导通孔填埋材料用的膜进行加热固化，能够得到导通孔填埋材料(本发明的填埋材料)。
根据该树脂组合物，在将作为粘接对象(被粘体)的半导体元件和作为基板等粘接对象(被粘体)的半导体用部件进行粘接时，对这些粘接对象的任一方应用树脂组合物后，进行使用掩模的光照射，由此，树脂组合物中的具有自由基聚合性双键的树脂产生固化反应，产生固化反应的部分的树脂组合物被固定化。接着，通过利用碱性溶液等显影液进行处理，未反应的具有碱溶性基和双键的树脂溶解，因此，未反应的树脂组合物溶解，在半导体元件或基板上形成粘接层的图案(固化后的树脂组合物的层)。将该光固化后的粘接层用作衬垫，将用于保护作为被粘体的半导体元件的玻璃板盖合(冠着)于粘接层后，进行热处理，由此进行后固化反应。由此，树脂组合物中的环氧树脂反应，粘接层在基板和玻璃板之间固化，同时，能够粘接两者。就是说，树脂组合物中的热固性树脂在形成图案后的阶段几乎不反应，因此，通过加压处理或加热加压处理，热固性树脂能够渗出于树脂表面与被粘体粘接。此外，对通过光照射而固化的光固化性树脂也在玻璃化转变温度以上的温度下进行压接，由此，光固化性树脂软化，有助于粘接层和被粘体的粘接性的提高。另外，未反应的热固性树脂部分也作为已经固化的光固化性树脂部分的增塑剂起作用，使粘接层和被粘体的粘接更加牢固。通过选择膜(粘接层)的厚度，如此地在两个被粘体之间形成的粘接层，也能够作为衬垫(spacer、スペ一サ)起作用。
II：B组成的树脂组合物
该树脂组合物包含环状烯烃系树脂。由此，能够提高半导体装置500的加工工艺中的树脂组合物固化物的耐热性、组装好的半导体装置500的耐热可靠性。
还有，也可以使用其它的热塑性树脂来代替环状烯烃树脂，或者，可将其它的热塑性树脂与环状烯烃树脂组合使用。作为所述热塑性树脂，可以举出如聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚苯砜、聚甲基戊烯等。
本发明中使用的环状烯烃系树脂的聚合方法使用无规聚合、嵌段聚合等公知的方法。作为具体例子，降冰片烯型单体的(共)聚合物、降冰片烯型单体和α-烯烃类等能够共聚的其它单体的共聚物以及这些共聚物的加氢产物等符合具体例子。这些环状烯烃系树脂能够通过公知的聚合法来制造，其聚合方法有加成聚合法和开环聚合法。其中，优选通过对降冰片烯单体进行加成(共)聚合来得到的聚合物，但本发明并不受限于此。
作为环状烯烃系树脂的加成聚合物，可举出如聚降冰片烯系树脂，即，可举出(1)使降冰片烯型单体加成(共)聚合而得到的降冰片烯型单体的加成(共)聚合物、(2)降冰片烯型单体和乙烯或α-烯烃类的加成共聚物、(3)降冰片烯型单体和非共轭二烯以及根据需要的其它单体的加成共聚物。这些树脂可以用公知的所有聚合方法来制得。
作为环状烯烃系树脂的开环聚合物，可举出如聚降冰片烯系树脂，即，可以举出(4)降冰片烯型单体的开环(共)共聚物以及根据需要对该(共)聚合物加氢的树脂、(5)降冰片烯型单体和乙烯或α-烯烃类的开环共聚物以及根据需要对该(共)聚合物加氢的树脂、(6)降冰片烯型单体和非共轭二烯或其它单体的开环共聚物以及根据需要对该(共)聚合物加氢的树脂。这些树脂可以用公知的所有聚合方法来制得。
上述之中，优选(1)使降冰片烯型单体加成(共)聚合而得到的加成(共)聚合物，但本发明并不受限于此。
在这种环状烯烃系树脂中，优选具有官能团的环状烯烃系树脂。由此，能够提高构成半导体装置500的各种有机材料或无机材料和树脂组合物的密合性。
作为前述官能团，可举出环氧基、酯基、酮基、醚基等。其中，优选具有环氧基的环状烯烃系树脂。由此，能够提高构成半导体装置500的各种有机材料或无机材料和树脂组合物的密合性，或者提高半导体装置500的加工工艺中的耐热性和组装好的半导体装置500的耐热可靠性。
前述具有环氧基的环状烯烃系树脂通常可以通过使分子内含有环氧基的单体直接聚合来得到，不过，通过聚合后利用改性反应对侧链导入环氧基的方法也能够得到同样的聚合物。作为改性反应，已知的公知方法有，使含环氧基的不饱和单体对上述聚合物进行接枝反应，使具有环氧基的化合物对上述聚合物的反应性官能团部位进行反应，采用过氧酸或氢过氧化物等环氧化剂使分子内具有碳-碳双键的上述聚合物直接环氧化等。
环状烯烃系树脂的加成聚合物通过利用金属催化剂的配位聚合或者自由基聚合来制得。其中，就配位聚合而言，通过在过渡金属催化剂存在下、在溶液中聚合单体来制得聚合物(NICOLE R.GROVE et al.Journal of PolymerScience：part B，Polymer Physics，Vol.37，3003-3010(1999))。
作为用于配位聚合的金属催化剂，代表性的镍和铂催化剂在PCT WO97/33198和PCT WO 00/20472中已有记载。作为配位聚合用金属催化剂的例子，可以举出(甲苯)双(全氟苯基)镍、(均三甲苯)双(全氟苯基)镍、(苯)双(全氟苯基)镍、双(四氢)双(全氟苯基)镍、双(乙酸乙酯)双(全氟苯基)镍、双(二噁烷)双(全氟苯基)镍等公知的金属催化剂。
关于自由基聚合技术，在Encyclopedia of Polymer Science，JohnWiley&Sons，13，708(1998)中已有记载。
通常，自由基聚合在自由基引发剂的存在下，将温度提高至50℃～150℃，使单体在溶液中反应。自由基引发剂是偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰、偶氮双异己腈(アゾビスイソカプトロニトリル)、偶氮双异戊腈(アゾビスイソレロニトリル)、叔丁基过氧化氢等。
环状烯烃系树脂的开环聚合物可如下制得，即，通过公知的开环聚合法，以钛或钨化合物作为催化剂，使至少一种以上的降冰片烯型单体进行开环(共)聚合，制造开环(共)聚合物，接着，根据需要，通过通常的加氢方法，对前述开环(共)聚合物中的碳-碳双键进行加氢，制造热塑性饱和降冰片烯系树脂。
作为上述聚合系的合适的聚合溶剂，包含烃或芳香族溶剂。作为烃溶剂的例子，可举出戊烷、己烷、庚烷和环己烷等，但并不限于此。作为芳香族溶剂的例子，可举出苯、甲苯、二甲苯和均三甲苯等，但并不限于此。也可以使用二乙醚、四氢呋喃、乙酸乙酯、酯、内酯、酮、酰胺。这些溶剂可单独或混合用作聚合溶剂。
本发明的环状烯烃系树脂的分子量，可通过改变引发剂和单体的比例或者改变聚合时间来进行控制。使用上述配位聚合用的情况下，如美国专利No.6,136,499所示，可通过使用链转移催化剂来控制分子量。在本发明中，乙烯、丙烯、1-己烷、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯等α-烯烃适合用于控制分子量。
本发明中，重均分子量为10000～500000，优选为30000～100000，进一步优选为50000～80000。重均分子量可以采用标准聚降冰片烯，使用凝胶渗透色谱(GPC)进行测定(依照ASTMDS3536-91)。
作为用于制造前述具有环氧基的环状烯烃系树脂的环状烯烃单体，优选以下式(1)表示的降冰片烯型单体。

式(1)中，X是O、CH₂、(CH₂)₂中的任一种，n是0～5的整数。R₁～R₄可以分别是氢、烷基、烯基、炔基、烯丙基、芳基、芳烷基或含酯基的官能团、含酮基的官能团、含醚基的官能团、含环氧基的官能团中的任一种。R₁～R₄在单体的重复单元中可以不同，但全部重复单元的R₁～R₄中，至少一个以上是具有环氧基的官能团。
作为烷基的具体例子，可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、环戊基、环己基、环辛基等，作为烯基的具体例子，可举出乙烯基、烯丙基、丁烯基、环己基等，作为炔基的具体例子，可举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基等，作为芳基的具体例子，可举出苯基、萘基、蒽基等，作为芳烷基的具体例子，可举出苄基、苯乙基等，但本发明并不限于这些。
就用于制造前述环状烯烃系树脂的环状烯烃单体而言，例如，作为具有烷基的环状烯烃单体，可举出5-甲基-2-降冰片烯、5-乙基-2-降冰片烯、5-丙基-2-降冰片烯、5-丁基-2-降冰片烯、5-戊基-2-降冰片烯、5-己基-2-降冰片烯、5-庚基-2-降冰片烯、5-辛基-2-降冰片烯、5-壬基-2-降冰片烯、5-癸基-2-降冰片烯等，作为具有烯基的环状烯烃单体，可举出5-烯丙基-2-降冰片烯、5-亚甲基-2-降冰片烯、5-亚乙基-2-降冰片烯、5-异亚丙基-2-降冰片烯、5-(2-丙烯基)-2-降冰片烯、5-(3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(1-甲基-2-丙烯基)-2-降冰片烯、5-(4-戊烯基)-2-降冰片烯、5-(1-甲基-3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(5-己烯基)-2-降冰片烯、5-(1-甲基-4-戊烯基)-2-降冰片烯、5-(2，3-二甲基-3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(2-乙基-3-丁烯基)-2-降冰片烯、5-(3，4-二甲基-4-戊烯基)-2-降冰片烯、5-(7-辛烯基)-2-降冰片烯、5-(2-甲基-6-庚烯基)-2-降冰片烯、5-(1，2-二甲基-5-己烯基)-2-降冰片烯、5-(5-乙基-5-己烯基)-2-降冰片烯、5-(1，2，3-三甲基-4-戊烯基)-2-降冰片烯等，作为具有炔基的环状烯烃单体，可举出5-乙炔基-2-降冰片烯等，作为具有甲硅烷基的环状烯烃单体，可举出1，1，3，3，5，5-六甲基-1，5-二甲基双((2-(5-降冰片烯-2-基)乙基)三硅氧烷等，作为具有芳基的环状烯烃单体，可举出5-苯基-2-降冰片烯、5-萘基-2-降冰片烯、5-五氟苯基-2-降冰片烯等，作为具有芳烷基的环状烯烃单体，可举出5-苄基-2-降冰片烯、5-苯乙基-2-降冰片烯、5-五氟苯基甲烷-2-降冰片烯、5-(2-五氟苯基乙基)-2-降冰片烯、5-(3-五氟苯基丙基)-2-降冰片烯等，作为具有烷氧基甲硅烷基的环状烯烃单体，可举出二甲基双((5-降冰片烯-2-基)甲氧基)硅烷、5-三甲氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、5-三乙氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、5-(2-三甲氧基甲硅烷基乙基)-2-降冰片烯、5-(2-三乙氧基甲硅烷基乙基)-2-降冰片烯、5-(3-三甲氧基丙基)-2-降冰片烯、5-(4-三甲氧基丁基)-2-降冰片烯、5-三甲基甲硅烷基甲基醚-2-降冰片烯等，作为具有羟基、醚基、羧基、酯基、丙烯酰基或甲基丙烯酰基的环状烯烃单体，可举出5-降冰片烯-2-甲醇及其烷基醚、乙酸5-降冰片烯-2-甲酯、丙酸5-降冰片烯-2-甲酯、丁酸5-降冰片烯-2-甲酯、戊酸5-降冰片烯-2-甲酯、己酸5-降冰片烯-2-甲酯、辛酸5-降冰片烯-2-甲酯、癸酸5-降冰片烯-2-甲酯、月桂酸5-降冰片烯-2-甲酯、硬脂酸5-降冰片烯-2-甲酯、油酸5-降冰片烯-2-甲酯、亚麻酸5-降冰片烯-2-甲酯、5-降冰片烯-2-羧酸、5-降冰片烯-2-羧酸甲酯、5-降冰片烯-2-羧酸乙酯、5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯、5-降冰片烯-2-羧酸异丁酯、5-降冰片烯-2-羧酸三甲基甲硅烷酯、5-降冰片烯-2-羧酸三乙基甲硅烷酯、5-降冰片烯-2-羧酸异冰片酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-羟乙基酯、5-降冰片烯-2-甲基-2-羧酸甲酯、肉桂酸5-降冰片烯-2-甲酯、5-降冰片烯-2-甲基乙基羧酸酯、5-降冰片烯-2-甲基正丁基羧酸酯、5-降冰片烯-2-甲基叔丁基羧酸酯、5-甲氧基-2-降冰片烯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-甲酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-乙酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-正丁酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-正丙酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-异丁酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-异丙酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-己酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-辛酯、(甲基)丙烯酸5-降冰片烯-2-癸酯等，作为具有环氧基的环状烯烃单体，可举出5-[(2，3-环氧丙氧基)甲基]-2-降冰片烯等，另外，作为由四环形成的环状烯烃单体，可举出8-甲氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-乙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-正丙基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-异丙基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-正丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-(2-甲基丙氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-(1-甲基丙氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-叔丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-环己氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-(4’-叔丁基环己氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-苯氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-四氢呋喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯、8-四氢吡喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-甲氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-乙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-正丙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-异丙氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-正丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-(2-甲基丙氧基(メチルポロポキシ))羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-(1-甲基丙氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-叔丁氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-环己氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-(4’-叔丁基环己氧基)羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-苯氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-四氢呋喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-四氢吡喃氧基羰基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯、8-甲基-8-乙酰氧基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(甲氧基羰基(メトキシカロボニル))四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(乙氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(正丙氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(异丙氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(正丁氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(叔丁氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(环己氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(苯氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8，9-二(四氢呋喃氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯、8，9-二(四氢吡喃氧基羰基)四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯、8，9-四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯-8-羧酸、8-甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯-8-羧酸、8-甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]十二碳-3-烯、8-甲基四环[4.4.0.12，5.01，6]十二碳-3-烯、8-亚乙基四环[4.4.0.12，5.17，12]十二碳-3-烯、8-亚乙基四环[4.4.0.12，5.17，1001，6]十二碳-3-烯等。
前述具有环氧基的环状烯烃系树脂，优选为通常用式(2)表示的降冰片烯型单体的加成(共)聚合物。

式(2)中，X是O、CH₂、(CH₂)₂中的任一种，n是0～5的整数。m是10～10000的整数。R₁～R₄可以分别是氢、烷基、烯基、炔基、烯丙基、芳基、芳烷基、或含有酯基的官能团、含有酮基的官能团、含有醚基的官能团、含有环氧基的官能团中的任一种。R₁～R₄在单体的重复单元中可以不同，但全部重复单元的R₁～R₄中，至少一个以上是具有环氧基的官能团。
作为前述具有环氧基的环状烯烃系树脂(A)，从固化后的聚合物特性(低弹性模量、高拉伸率、低吸水率等)的观点考虑，优选为式(3)和式(4)表示的聚合物。如式(4)所示，通过将具有芳烷基的降冰片烯单体导入聚合物，能够提高对作为负型显影液的溶剂而使用的环戊酮或庚酮等极性溶剂的溶解性，具有操作性优良的优点。

式(3)中，m、n是1以上的整数。R₁～R₇可以分别是氢、烷基、烯基、炔基、烯丙基、芳基、芳烷基、或含有酯基的官能团、含有酮基的官能团、含有醚基的官能团中的任一种。R₁～R₇在单体的重复单元中可以不同。

式(4)中，l、m、n是1以上的整数。p是0～5的整数。R₁～R₁₀可以分别是氢、烷基、烯基、炔基、烯丙基、芳基、芳烷基、或含有酯基的官能团、含有酮基的官能团、含有醚基的官能团中的任一种。R₁～R₁₀在单体的重复单元中可以不同。
作为前述具有环氧基的环状烯烃系树脂(A)，从固化后的聚合物特性的观点考虑，优选为式(5)表示的聚合物。通过导入具有癸基的单体，得到低弹性的膜，另外，通过导入具有苯乙基的单体，得到低吸水性、耐药品性、极性溶剂溶解性优良的膜。

式(5)中，l、m、n是1以上的整数。
作为共聚物中的具有环氧基的单体的含有率，可根据通过曝光交联，得到能耐受显影液的交联密度来确定。具有环氧基的单体含有率以在聚合物中的比率为5～95摩尔％，优选为20～80摩尔％，进一步优选为30～70摩尔％来使用。这样得到的聚合物显示出低吸水性(＜0.3wt％)、低介电常数(＜2.6)、低介电损耗(0.001)、玻璃化转变温度(170～400℃)等优良的物理特性。
由这种B组成的树脂组合物所构成的树脂层，优选为能够通过光照射形成图案的树脂层。由此，能够以高精度且低成本，将树脂层仅配置在必要的地方。
为了使前述树脂层能够通过光照射形成图案，优选在前述B组成的树脂组合物中添加光致产酸剂、敏感剂、酸捕捉剂等。
作为前述光致产酸剂，可以使用公知的全部化合物。光致产酸剂在进行环氧基的交联的同时，通过之后的固化提高与基板的密合性。作为优选的光致产酸剂，有鎓盐、卤化物、硫酸盐或其混合物。例如，作为鎓盐，重氮鎓盐、铵盐、碘鎓盐、锍鎓盐、磷酸盐、鉮盐、氧鎓盐等。对抗衡阴离子未作限定，只要是能够制造与前述鎓盐抗衡的抗衡阴离子的化合物即可。作为抗衡阴离子的例子，有硼酸、鉮酸、磷酸、锑酸、硫酸盐、羧酸及其氯化物，但并不限于此。作为鎓盐的光致产酸剂，有三苯基锍四氟硼酸盐、三苯基锍六氟硼酸盐、三苯基锍四氟砷酸盐、三苯基锍四氟磷酸盐、三苯基锍四氟磺酸盐、4-硫代苯氧基二苯基锍四氟硼酸盐、4-硫代苯氧基二苯基锍四氟锑酸盐、4-硫代苯氧基二苯基锍四氟砷酸盐、4-硫代苯氧基二苯基锍四氟磷酸盐、4-硫代苯氧基二苯基锍四氟磺酸盐、4-叔丁基苯基二苯基锍四氟硼酸盐、4-叔丁基苯基二苯基锍四氟磺酸盐、4-叔丁基苯基二苯基锍四氟锑酸盐、4-叔丁基苯基二苯基锍三氟磷酸盐、4-叔丁基苯基二苯基锍三氟磺酸盐、三(4-甲基苯基)锍三氟硼酸盐、三(4-甲基苯基)锍四氟硼酸盐、三(4-甲基苯基)锍六氟砷酸盐、三(4-甲基苯基)锍六氟磷酸盐、三(4-甲基苯基)锍六氟磺酸盐、三(4-甲氧基苯基)锍四氟硼酸盐、三(4-甲基苯基)锍六氟锑酸盐、三(4-甲基苯基)锍六氟磷酸盐、三(4-甲基苯基)锍三氟磺酸盐、三苯基碘鎓四氟硼酸盐、三苯基碘鎓六氟锑酸盐、三苯基碘鎓六氟砷酸盐、三苯基碘鎓六氟磷酸盐、三苯基碘鎓三氟磺酸盐、3，3-二硝基二苯基碘鎓四氟硼酸盐、3，3-二硝基二苯基碘鎓六氟锑酸盐、3，3-二硝基二苯基碘鎓六氟砷酸盐、3，3-二硝基二苯基碘鎓三氟磺酸盐、4，4-二硝基二苯基碘鎓四氟硼酸盐、4，4-二硝基二苯基碘鎓六氟锑酸盐、4，4-二硝基二苯基碘鎓六氟砷酸盐、4，4-二硝基二苯基碘鎓三氟磺酸盐，这些可以单独使用，也可以混合使用。
作为含有卤素的光致产酸剂的例子，有2，4，6-三(三氯甲基)三嗪、2-烯丙基-4，6-双(三氯甲基)三嗪、α，β，α-三溴甲基苯基砜、α，α-2，3，5，6-六氯二甲苯、2，2-双(3，5-二溴-4-羟基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟二甲苯、1，1，1-三(3，5-二溴-4-羟基苯基)乙烷和它们的混合物。
作为磺酸酯系的光致产酸剂，可举出2-硝基苄基甲苯磺酸酯、2，6-二硝基苄基甲苯磺酸酯、2，4-二硝基苄基甲苯磺酸酯、2-硝基苄基甲基磺酸酯、2-硝基苄基乙酸酯、9，10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯、1，2，3-三(甲磺酰氧基)苯、1，2，3-三(乙磺酰氧基)苯、1，2，3-三(丙磺酰氧基)苯等，但并不限于此。
作为优选的光致产酸剂，有4，4’-二-叔丁基碘鎓三氟甲磺酸盐、4，4’，4”-三(叔丁基苯基)锍三氟甲磺酸盐、二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、三苯基锍二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、4，4’-二叔丁基苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、三(叔丁基苯基)锍四(五氟苯基)硼酸盐、(4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐和它们的混合物。
作为本发明中的光致产酸剂的配合比例，相对于环状烯烃系树脂100重量份为0.1～100重量份，更优选为0.1～10重量份。
前述敏感剂在可以扩大能使光致产酸剂活化的波长、且不直接影响聚合物交联反应的范围内添加。作为最合适的敏感剂，是在所使用的光源附近有最大吸光系数，且能将所吸收的能量有效地转移至光致产酸剂的化合物。作为光致产酸剂的敏感剂，有蒽、芘、苝等多环芳香族化合物。例如，2-异丙基-9H-噻吨-9-烯、4-异丙基-9H-噻吨-9-酮、1-氯-4-丙氧基噻吨、吩噻嗪及它们的混合物。作为本发明中的光致产酸剂的配合比例，例如相对于环状烯烃系树脂100重量份，为0.1～10重量份，更优选为0.2～5重量份。在光源为g射线(436nm)和i射线(365nm)等长波长的情况下，敏感剂有效活化光致产酸剂。
前述酸捕捉剂具有提高由所述树脂组合物构成的树脂层的分辨力的效果。即，在光化学反应的过程中，酸捕捉剂吸收向未曝光部扩散的酸。作为酸捕捉剂，例如有吡啶、二甲基吡啶、吩噻嗪、三正丙胺与三乙胺等的仲、叔胺，但并不限于此。作为酸捕捉剂的配合比例，例如相对于环状烯烃系树脂100重量份为0.1～0.05重量份。
这种B组成的树脂组合物中，根据需要可以添加流平剂、抗氧化剂、阻燃剂、增塑剂、硅烷偶联剂等添加剂。
使用所述B组成的树脂组合物，通过与前述A组成的树脂组合物同样操作，可以制成导通孔填埋材料用的膜。将该导通孔填埋材料用的膜层叠在具有导通孔1的半导体元件100(半导体基板10)，由此能够用导通孔填埋材料用的膜填埋前述导通孔1。而且，使导通孔填埋材料用的膜加热固化，能够得到导通孔填埋材料(本发明的填埋材料)。
另外，上述各A组成和B组成的树脂组合物，也可以以清漆状态涂布在具有导通孔1的半导体元件100(半导体基板10)上，干燥后使其固化，得到导通孔填埋材料(本发明的填埋材料)。
接下来，对绝缘层进行说明。
如图2所示，将上述导通孔填埋材料用膜贴合于半导体基板10，并固化，以使其在填埋导通孔1的同时，对半导体基板10的与功能面101相反侧的面102进行覆盖。由此，形成具有在相反侧的面102上配置的层状的绝缘部3’、和与该绝缘部3’一体形成的填埋导通孔1的填埋部3的绝缘层(导通孔填埋材料)。通过设置所述绝缘层，可以保护存在于导通孔1中的导电部件11的同时，又能保护半导体基板10的与功能面101相反侧的面102上存在的再布线电路。
另外，由上述能通过光照射形成图案的树脂组合物(例如，包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂、具有碱溶性基及双键的树脂的A组成的树脂组合物)来构成导通孔填埋材料用的膜的情况下，能够通过光照射形成图案。因而，这种情况下，在使导通孔填埋材料用的膜固化之前，在不使用抗蚀材料的情况下，可通过形成任意的图案来形成任意的电路布线。例如，当使用光掩模等对导通孔填埋材料用的膜选择性地照射光时，被照射部分的构成导通孔填埋材料用膜的树脂组合物所含有的光固化性树脂进行光固化。因此，当用显影液例如碱水溶液、有机溶剂等对光照射(曝光)后的导通孔填埋用的膜进行显影时，仅被光照射的部分残留而不溶解于显影液，能够以目的形状，并以优良的位置对准精度，对导通孔填埋材料用的膜形成图案(残留)，由此，能够在所得到的绝缘层上形成后述的如图3所示的开口部31’。
这种绝缘部3’的厚度并无特别限制，但优选为10～60μm，特别优选为15～55μm。当绝缘部3’的厚度处于前述范围内时，尤其是半导体元件100的温度循环试验和耐回流试验的可靠性优良。
接下来，对半导体装置进行说明。
首先，对本发明的半导体装置的第一实施方式进行说明。
图3是表示第一实施方式的半导体装置一部分的纵向剖面图。
如图3所示，半导体装置500中，上述半导体元件100和透明基板4通过衬垫5进行接合。
在半导体元件100所具备的半导体基板10的功能面101侧的中央部，搭载有微透镜60，接收透过透明基板的光能量，并传送给半导体元件100。在设置有微透镜60的部分以外的半导体基板10的功能面101上形成有保护膜21。
由于用衬垫5接合半导体元件100和透明基板4的外周部，因此，微透镜60的上侧(透明基板侧)形成空隙8(成为中空结构)。由此，在半导体装置的生产工序中，能够防止尘埃等附着于微透镜60上。
如上所述，半导体基板10具有导通孔1，在其内部设置有导电部件11。在半导体基板10的与功能面101相反侧的面102上设置有电路布线12。并且，对导通孔1的内周面和半导体基板的面102，实施用于对导电部件11和电路布线12保持绝缘状态的绝缘处理。作为所述绝缘处理，例如可举出选择性地氧化半导体基板10表面的如热处理、氧等离子体处理等氧化处理，如后述的第二实施方式所示的用树脂材料形成绝缘层的处理等。
在导电部件11的内部填充有填埋部3。并且，与填埋部3一体化的层状的绝缘部3’覆盖电路布线12。在本实施方式中，由该填埋部3和绝缘部3’构成绝缘层。
还有，在本发明中，根据需要，也可以省略绝缘部3’，单独形成填埋导通孔1的填埋部。此时，填埋部成为本发明的填埋材料。
在本实施方式中，由于在绝缘层的形成中，使用由上述通过光照射能形成图案的树脂组合物所构成的导通孔填埋用的膜，因此，能够通过光刻法形成开口部。即，导通孔填埋材料用的膜在固化前被形成图案，在绝缘层的绝缘部3’上形成有开口部31’。而且，在开口部31’的内部和绝缘层的与半导体基板相反侧的面上设置有电路布线12。
另外，在电路布线12的下侧(图3中的下侧)上，进一步配置有绝缘层31。绝缘层31上形成有用于配置焊锡凸块71的开口部。
另外，构成衬垫5的树脂组合物和构成绝缘层(填埋部3和绝缘部3’)的树脂组合物可以相同也可以不同，但优选为相同的树脂组合物。由此，能够减少半导体装置500的翘曲。
因而，构成衬垫5的树脂组合物，优选为包含上述具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂、以及与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的A组成的树脂组合物，包含环状烯烃系树脂的B组成的树脂组合物，或者包含它们的混合物。
另外，绝缘层31也并无特别限制，但优选由与上述构成绝缘层(填埋部3和绝缘部3’)的树脂组合物同样的树脂组合物构成。由此，可以通过光刻法形成开口部。
接下来，对本发明半导体装置的第二实施方式进行说明。
图4是表示的第二实施方式的半导体装置一部分的纵向剖面图。
下面，对第二实施方式的半导体装置进行说明，不过，以与前述第一实施方式的半导体装置的不同点为主进行说明，对于同样的事项适当地省略。
如图4所示，半导体装置500，由具备半导体基板10的半导体元件100、透明基板(玻璃基板)4、和以在半导体基板10和透明基板4之间形成空隙(中空部)8而设置的衬垫(框部件)5构成。
半导体基板10中，形成有在板厚方向上贯通的导通孔(贯通孔)1，在该导通孔1的内部设置有贯通电极(导体部)6。
该贯通电极6以贯通第一树脂层31和与第一树脂层31接合的第二树脂层32而设置，所述第一树脂层31以覆盖设置于半导体基板10的导通孔1的内面和表面(与功能面101相反侧的面)102的方式来形成。并且，与设置于半导体基板10的功能面(另一面)101上的布线图案端子部2电连接。
另一方面，在第二树脂层32的与第一树脂层31相反侧的面(图4中的下侧的面)上形成有布线图案7，与贯通电极6电连接。另外，以覆盖贯通电极6和布线图案7的方式形成有第三树脂层(阻焊层)33，在布线图案7的一部分上以贯通第三树脂层的方式形成有焊锡凸块71。
在本实施方式中，由第一树脂层31、第二树脂层32和第三树脂层33构成绝缘层。
如前所述，第一树脂层31以覆盖导通孔1的内面和半导体基板10的一个面102(图4中下侧的面)的方式来形成。
另外，第二树脂层32设置成与第一树脂层31接合。
就这种半导体装置500而言，本发明的特征在于，第一树脂层31的弹性模量比第二树脂层32的弹性模量低。由此，第一树脂层31能够吸收第二树脂层32固化时所产生的应力，由此能够减少半导体装置500的翘曲。
这种第一树脂层31的弹性模量并无特别限制，但优选为2500MPa以下，特别优选为2000MPa以下，最优选为1000～1800MPa。当第一树脂层31的弹性模量处于前述范围内时，对第二树脂层32固化时所产生的应力进行吸收的作用特别优良。
对第一树脂层31并无特别限制，但优选能够通过光照射形成图案。由此，能够高精度且低成本地仅在需要的位点配置树脂层。
另外，第二树脂层32的弹性模量也并无特别限制，但优选为3500MPa以上，特别优选为4000MPa以上，最优选为4500～5500MPa。当第二树脂层32的弹性模量处于前述范围内时，能够得到绝缘性高且可靠性优良的半导体装置500。这是因为，作为具有前述范围内的弹性模量的第二树脂层32，最终会使用热膨胀系数小，且耐热性高的树脂，因此，能够减小用激光加工贯通孔时的孔侧壁的损伤(耐激光加工性)。
另外，对第二树脂层32在玻璃化转变温度以下的热膨胀系数并无特别限制，但优选为100ppm以下，特别优选为80ppm以下，最优选为20～60ppm。当第二树脂层32在玻璃化转变温度以下的热膨胀系数处于前述范围内时，制造半导体装置500的各工艺中因热引起的伸缩变小，因此，半导体基板10与第二树脂层32之间的伸缩之差变小，能够减少半导体装置500的翘曲。进而，能够提高后工序的成品率，同时能得到可靠性高的半导体装置500。
将前述第一树脂层31的弹性模量设为A，将第二树脂层32的弹性模量设为B时，对弹性模量之比(A/B)并无特别限制，但优选为0.2～0.8，特别优选为0.2～0.5。当弹性模量之比处于前述范围内时，能够在使用可靠性优良的第二树脂层32的同时减少半导体装置500的翘曲。此外，所述的第三树脂层32的耐激光加工性优良，由此，能够得到可靠性高的半导体装置500。
接下来，对这种第一树脂层31、第二树脂层32和第三树脂层33加以详细说明。
(第一树脂层31)
第一树脂层31由与上述树脂组合物同样的第一树脂组合物构成，所述树脂组合物即为：包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂以及与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的A组成；包含环状烯烃系树脂的B组成；或者，它们的混合物。
在具有导通孔1的半导体基板10上，通过1)以清漆的状态涂布并干燥的方法、2)以膜状态层叠的方法等，能够使上述第一树脂组合物覆盖导通孔1的内面和半导体基板10的一个面102。然后，例如通过光刻法等选择性地除去第一树脂层31，使端子部2从第一树脂层31中露出。
这里，第一树脂层31由耐热性比后述的第二树脂层32低的材料构成，但由于在使端子部2露出时可以使用光刻法，不需要像使用激光加工时那样加热第一树脂层31，因此，能够在使端子部2露出的附近第一树脂层31不产生变质和劣化的情况下，除去第一树脂层31。
(第二树脂层32)
第二树脂层32例如由包含固化性树脂和固化剂等的第二树脂组合物构成。
作为固化性树脂，可举出如苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂，未改性的甲阶酚醛树脂、用桐油、亚麻油、核桃油等改性的油改性甲阶酚醛树脂等甲阶型酚醛树脂等酚醛树脂，双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚M型环氧树脂、双酚P型环氧树脂、双酚Z型环氧树脂等双酚型环氧树脂，苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯基芳烷基型环氧树脂、芳基亚烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂、蒽型环氧树脂、苯氧型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、降冰片烯型环氧树脂、金刚烷型环氧树脂、芴型环氧树脂等环氧树脂，脲醛(尿素)树脂、三聚氰胺树脂等具有三嗪环的树脂、不饱和聚酯树脂、双马来酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、二烯丙基邻苯二甲酸树脂、硅酮树脂、具有苯并噁嗪环的树脂、异氰酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂等。可以单独使用其中的一种，也可以将具有不同重均分子量的两种以上并用，还可以将其中的一种或两种以上与它们的预聚物并用。
其中，特别优选氰酸酯树脂(包括氰酸酯树脂的预聚物)。由此，能够减小第二树脂层32的热膨胀系数。进而，第二树脂层32的电特性(低介电常数、低介电损耗角正切)等也优良。
前述氰酸酯树脂可通过例如使卤化氰化合物与酚类反应，根据需要用加热等方法预聚化来得到。具体可举出酚醛清漆型氰酸酯树脂、双酚A型氰酸酯树脂、双酚E型氰酸酯树脂、四甲基双酚F型氰酸酯树脂等双酚型氰酸酯树脂等。其中，优选酚醛清漆型氰酸酯树脂。由此，能够得到由交联密度增加所带来的耐热性提高以及第二树脂组合物等的阻燃性的提高。这是因为，酚醛清漆型氰酸酯树脂在固化反应后形成三嗪环。此外，认为是因为酚醛清漆型氰酸酯树脂在其结构上苯环的比例高，容易碳化。此外，即使使第二树脂层32薄膜化(厚度35μm以下)的情况下，也能够赋予第二树脂层32优良的刚性。特别是加热时的刚性优良，因此，半导体元件安装时的可靠性也特别优良。
作为前述酚醛清漆型氰酸酯树脂，可以使用例如式(6)表示的树脂。

n为任意的整数。
前述式(6)表示的酚醛清漆型氰酸酯树脂的平均重复单元n并无特别限制，但优选为1～10，特别优选为2～7。当平均重复单元n小于前述下限值时，有时酚醛清漆型氰酸酯树脂的耐热性降低，加热时低聚物脱离、挥发。另外，当平均重复单元n超过前述上限值时，有时熔融粘度过高，第二树脂层32的成型性降低。
前述氰酸酯树脂的重均分子量并无特别限制，但重均分子量优选为500～4500，特别优选为600～3000。若重均分子量小于前述下限值，则在制作第二树脂层32时产生胶粘性，从而第二树脂层32彼此接触时互相附着，或者产生树脂的转印。另外，当重均分子量超过前述上限值时，反应变得过快，制成基板(尤其是电路基板)时，有时产生成型不良，或者层间剥离强度降低等。
前述氰酸酯树脂等的重均分子量可通过例如GPC(凝胶渗透色谱，标准物质：聚苯乙烯换算)来测定。
另外，前述氰酸酯树脂可以单独使用一种，也可以将具有不同重均分子量的两种以上并用，或者将一种或两种以上与它们的预聚物并用，并无特别限制。
前述热固性树脂的含量并无特别限制，但优选为前述第二树脂组合物总量的5～50重量％，特别优选为20～40重量％。当含量小于前述下限值时，有时难以形成第二树脂层，当超过前述上限值时，有时第二树脂层32的强度降低。
另外，前述第二树脂组合物优选含有无机填充材料。由此，即使使最终得到的电路基板薄膜化(厚度0.5mm以下)，也能够有优良的强度。此外，也能够提高电路基板的低热膨胀化。
作为前述无机填充材料，可举出如滑石、烧成粘土、未烧成粘土、云母、玻璃等硅酸盐，氧化钛、氧化铝、二氧化硅、熔融二氧化硅等氧化物，碳酸钙、碳酸镁、水滑石等碳酸盐，氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙等氢氧化物，硫酸钡、硫酸钙、亚硫酸钙等硫酸盐或亚硫酸盐，硼酸锌、偏硼酸钡、硼酸铝、硼酸钙、硼酸钠等硼酸盐，氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化碳等氮化物，钛酸锶、钛酸钡等钛酸盐等。作为无机填充材料，可以单独使用其中的一种，也可以并用两种以上。其中，从低热膨胀性优良的角度考虑，特别优选二氧化硅、熔融二氧化硅(尤其是球状熔融二氧化硅)。其形状有破碎状、球状，根据其目的采用使用方法，如为了确保对纤维基材的浸渍性而降低第二树脂组合物的熔融粘度，使用球状二氧化硅等。
前述无机填充材料的平均粒径并无特别限制，但优选为0.01～5.0μm，特别优选为0.1～2.0μm。当无机填充材料的粒径小于前述下限值时，由于清漆的粘度变高，因此有时影响制作第二树脂层32时的操作性。另外，当超过前述上限值时，有时在清漆中产生无机填充剂的沉降等现象。
该平均粒径可通过例如粒度分布仪(LA-500，HORIBA制造)来测定。
另外，对前述无机填充材料并无特别限制，可以使用平均粒径单分散的无机填充材料，也可以使用平均粒径多分散的无机填充材料。此外，也可以将1种或2种以上的平均粒径单分散和/或多分散的无机填充材料并用等。
此外，优选平均粒径5.0μm以下的球状二氧化硅(尤其是球状熔融二氧化硅)，特别优选平均粒径0.01～2.0μm的球状熔融二氧化硅。由此，能够提高无机填充剂的填充性。
前述无机填充材料的含量并无特别限制，但优选为第二树脂组合物总量的20～80重量％，特别优选为30～70重量％。当含量处于前述范围内时，尤其能获得低热膨胀、低吸水的特性。
作为前述热固性树脂使用氰酸酯树脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯树脂)的情况下，优选使用环氧树脂(实质上不含卤素原子)。作为前述环氧树脂，可举出如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚M型环氧树脂、双酚P型环氧树脂、双酚Z型环氧树脂等双酚型环氧树脂，苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、亚二甲苯基型环氧树脂、联苯基芳烷基型环氧树脂等芳基亚烷基型环氧树脂，萘型环氧树脂、蒽型环氧树脂、苯氧型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、降冰片烯型环氧树脂、金刚烷型环氧树脂、芴型环氧树脂等。作为环氧树脂，可以单独使用其中的一种，也可以将具有不同重均分子量的两种以上并用，或者将其中的一种或两种以上与它们的预聚物并用。
这些环氧树脂中，特别优选芳基亚烷基型环氧树脂。由此，能够提高吸湿焊锡耐热性和阻燃性。
前述芳基亚烷基型环氧树脂是指重复单元中具有1个以上芳基亚烷基的环氧树脂。可举出如亚二甲苯基型环氧树脂、联苯基二亚甲基型环氧树脂等。其中，优选为联苯基二亚甲基型环氧树脂。联苯基二亚甲基型环氧树脂，例如可由式(7)所示。

前述式(7)表示的联苯基二亚甲基型环氧树脂的平均重复单元n并无特别限制，但优选为1～10，特别优选为2～5。当平均重复单元n小于前述下限值时，由于联苯基二亚甲基型环氧树脂容易结晶化，对通用溶剂的溶解性比较低，因此有时难以处理。另外，当平均重复单元n超过前述上限值时，有时树脂的流动性降低，成为成型不良等的原因。
前述环氧树脂的含量并无特别限制，但优选为第二树脂组合物总量的1～55重量％，特别优选为2～40重量％。当含量小于前述下限值时，有时与氰酸酯树脂的反应性降低，或者制得的半导体元件100(制品)的耐湿性降低等，当超过前述上限值时，有时第二树脂层32的耐热性降低。
前述环氧树脂的重均分子量并无特别限制，但重均分子量优选为500～20000，特别优选为800～15000。当重均分子量小于前述下限值时，有时第二树脂层32产生胶粘性，当超过前述上限值时，在制作第二树脂层32时，有时不能将第二树脂组合物充分地供给至导通孔1内，不能制得均匀的半导体元件100(制品)。
前述环氧树脂的重均分子量可通过如GPC来测定。
作为前述热固性树脂使用氰酸酯树脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯树脂)的情况下，优选使用酚醛树脂。作为前述酚醛树脂，可举出如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、芳基亚烷基型酚醛树脂等。作为酚醛树脂，可以单独使用其中的一种，也可以将具有不同重均分子量的两种以上并用，或者将其中的一种或两种以上与它们的预聚物并用。其中，特别优选芳基亚烷基型酚醛树脂。由此，能够进一步提高半导体元件100的吸湿焊锡耐热性。
作为前述芳基亚烷基型酚醛树脂，可举出如亚二甲苯基型酚醛树脂、联苯基二亚甲基型酚醛树脂等。联苯基二亚甲基型酚醛树脂，例如可由式(8)表示。

前述式(8)所示的联苯基二亚甲基型酚醛树脂的重复单元n并无特别限制，但优选为1～12，特别优选为2～8。当平均重复单元n小于前述下限值时，有时第二树脂层32的耐热性降低。另外，当超过前述上限值时，有时与其它树脂的相溶性降低，操作性降低。
通过组合前述氰酸酯树脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯树脂)和芳基亚烷基型酚醛树脂，可以控制交联密度，容易地控制反应性。
前述酚醛树脂的含量并无特别限制，但优选为第二树脂组合物总量的1～55重量％，特别优选为5～40重量％。当含量小于前述下限值时，有时第二树脂层32的耐热性降低，当超过前述上限值时，有时损害第二树脂层32的低热膨胀的特性。
前述酚醛树脂的重均分子量并无特别限制，但重均分子量优选为400～18000，特别优选为500～15000。当重均分子量小于前述下限值时，有时第二树脂层32产生胶粘性，若超过前述上限值，则在制作第二树脂层32时有时对板状基材的浸渍性降低，不能制得均匀的制品。
前述酚醛树脂的重均分子量可通过例如GPC来测定。
此外，当使用前述氰酸酯树脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯树脂)和前述酚醛树脂(芳基亚烷基型酚醛树脂，尤其是联苯基二亚甲基型酚醛树脂)和前述环氧树脂(芳基亚烷基型环氧树脂，尤其是联苯基二亚甲基型环氧树脂)的组合物，来制作第二树脂层32时，能够制得具有特别优良的尺寸稳定性的第二树脂层32。
虽无特别限制，但前述第二树脂组合物优选使用偶联剂。前述偶联剂，通过使前述热固性树脂和前述无机填充材料的界面的润湿性提高，由此，在得到的第二树脂层32中，能够使热固性树脂等和无机填充材料均匀地固定，因此，能够提高耐热性，尤其是吸湿后的耐热性。
作为前述偶联剂，只要是通常使用的偶联剂都可以使用，具体来讲，优选使用选自环氧硅烷偶联剂、阳离子硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂以及硅油型偶联剂中的一种以上的偶联剂。由此，能够提高与无机填充材料的界面的润湿性，从而更加提高耐热性。
前述偶联剂的添加量依赖于前述无机填充材料的比表面积，因此并无特别限制，但相对于无机填充材料100重量份，优选为0.05～3重量，特别优选为0.1～2重量份。当含量小于前述下限值时，在第二树脂层中不能充分覆盖无机填充材料，因此提高第二树脂层32的耐热性的效果有时会降低，当超过前述上限值时，有时对反应有影响，第二树脂层32的弯曲强度等降低。
前述第二树脂组合物中根据需要可以使用固化促进剂。作为前述固化促进剂，可以使用公知的物质。可举出如环烷酸锌、环烷酸钴、辛酸锡、辛酸钴、双乙酰丙酮合钴(II)、三乙酰丙酮合钴(III)等有机金属盐、三乙胺、三丁胺、二氮杂二环[2，2，2]辛烷等叔胺类、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基咪唑、2-苯基-4，5-二羟基咪唑等咪唑类、苯酚、双酚A、壬基苯酚等酚化合物，乙酸、安息香酸、水杨酸、对甲苯磺酸等有机酸等，或它们的混合物。作为固化促进剂，也可以包括这些促进剂的衍生物而单独使用一种，也可以包括这些促进剂的衍生物而并用两种以上等。
前述固化促进剂的含量并无特别限制，单优选为前述第二树脂组合物总量的0.05～5重量％，特别优选为0.2～2重量％。当含量小于前述下限值时，有时显现不出促进第二树脂组合物固化的效果，当超过前述上限值时，有时第二树脂层32的保存性降低。
在前述第二树脂组合物中，也可以并用苯氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚醚砜树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚苯乙烯树脂等热塑性树脂，苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物等聚苯乙烯系热塑性弹性体、聚烯烃系热塑性弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酯系弹性体等热塑性弹性体，聚丁二烯、环氧改性聚丁二烯、丙烯酸改性聚丁二烯、甲基丙烯酸改性聚丁二烯等二烯系弹性体。
另外，在前述第二树脂组合物中，根据需要还可以添加颜料、染料、消泡剂、流平剂、紫外线吸收剂、发泡剂、抗氧化剂、阻燃剂、离子捕捉剂等上述成分以外的添加物。
在第一树脂层31上，可通过1)以清漆的状态涂布并干燥的方法、2)以膜状态层叠的方法等，以填埋导通孔1的内部的方式将上述第二树脂组合物覆盖于半导体基板1的一个面102。然后，例如通过激光加工等选择性地除去第二树脂层32，使端子部2从第二树脂层32中露出。
这里，如上所述，如果是以端子部2从第一树脂层31中露出的状态下，选择性地除去第二树脂层32，再使端子部2露出而得到第二树脂层32时，通过激光加工应该除去的部分仅由第二树脂层32构成。由于第二树脂层32由耐热性优良的材料构成，因此，即使通过激光加工除去后，也能够确实地防止在露出端子部2附近的第二树脂层32变质或劣化。
(第三树脂层33)
第三树脂层33优选由与上述树脂组合物同样的第三树脂组合物构成，上述树脂组合物即为：包含具有自由基聚合性双键的树脂、热固性树脂、以及与前述具有自由基聚合性双键的树脂不同的具有碱溶性基和双键的树脂的A组成；包含环状烯烃系树脂的B组成；或者，它们的混合物。由此，能够确切地降低半导体基板10产生翘曲，同时确实并充分地填埋该半导体基板10中形成的导通孔(贯通孔)1的内部。
另外，第三树脂层33也能够与前述第一树脂层31同样地操作来形成。
如此地，就第二实施方式的半导体装置500而言，通过弹性模量不同的第一树脂层31和第二树脂层32填埋设置在半导体基板10的导通孔(贯通孔)1。由此，能够减少半导体基板10的翘曲。即，作为设置于半导体基板10侧的第一树脂层31，使用弹性模量低的树脂，作为赋予缓和对基板的应力的功能、且与第一树脂层31接合而设置的第二树脂层32，使用弹性模量高的树脂，其结果，使用热膨胀系数小且耐热性高的树脂，因此，在通过激光加工来加工导通孔1时，能够赋予减小孔侧壁的损伤(耐激光加工性)的功能。
实施例
下面，基于实施例和比较例来详细说明本发明，但本发明并不限于此。
(实施例1A)
1.具有碱溶性基和双键的树脂(可通过光和热这两者固化的固化性树脂：甲基丙烯酸改性双酚A型酚醛清漆树脂：MPN)的合成
将双酚A型酚醛清漆树脂(Phenolite LF-4871，大日本油墨化学社制造)的固体成分60％MEK溶液500g投入2L烧瓶中，在其中添加作为催化剂的三丁胺1.5g、以及作为阻聚剂的氢醌0.15g，加热至100℃。花30分钟向其中滴加甲基丙烯酸缩水甘油酯180.9g，在100℃下搅拌反应5小时，由此，得到不挥发物含量74％的甲基丙烯酸改性双酚A型酚醛清漆树脂(甲基丙烯酸改性率50％)。
2.树脂清漆的制备
称量作为具有碱溶性基和双键的树脂的上述甲基丙烯酸改性双酚A型酚醛清漆树脂(MPN)31.74重量％、作为光聚合性树脂的室温下为液态的丙烯酸树脂单体(NKエステル3G，新中村化学社制造)9.83重量％、作为热固性树脂的双酚A型酚醛清漆型环氧树脂(EPICLON N-865，大日本油墨化学工业社制造)19.84重量％、硅酮环氧树脂(BY16-115，东丽道康宁有机硅社制造)3.63重量％、作为粒状填充材料的二氧化硅(SO-E2，平均粒径0.5μm，最大粒径：2μm，Admatechs公司制造)33.71重量％，进一步添加甲基乙基酮(MEK，大伸化学社制造)，制备成树脂成分浓度为71％。然后，搅拌至双酚A型酚醛清漆型环氧树脂(N-865)溶解。
接下来，使用珠磨机(珠直径400μm，处理速度6g/s，5次通过)，使二氧化硅分散。
然后，进一步添加固化剂(感光剂)(Irgacure 651，Ciba SpecialtyChemicals Inc.制造)1.25重量％，用搅拌叶片(450rpm)搅拌1小时，由此得到树脂清漆。
3.导通孔填埋材料用膜的制造
利用逗点涂布机(コンマコ一タ一)，将上述树脂清漆涂布在支撑基材聚酯膜(T100G，厚度25μm，三菱化学聚酯薄膜公司制造)，在80℃下干燥10分钟来成膜化，得到膜厚50μm的导通孔填埋材料用的膜。
4.半导体装置的制造
准备具有导通孔的半导体元件，所述导通孔的内周面进行过镀覆处理。该半导体元件通过导通孔内面的镀覆，来导通半导体元件所具备的半导体基板的功能面与背面。在60℃下，将上述聚酯膜上的导通孔填埋材料用的膜真空层叠在该半导体元件(半导体基板)上，由此填埋导通孔，同时，使位于半导体基板的背面侧部分的厚度为50μm。
接下来，在导通孔填埋材料用的膜上设置规定形状的掩模，以200mJ/cm²的曝光量照射波长365nm的光，进行图案曝光。然后，采用3％TMAH，在喷压0.2MPa的条件下，显影120秒钟，形成开口部。接下来，通过在150℃下热处理90分钟，固化导通孔填埋材料用的膜。由此，得到由填埋导通孔的填埋部和覆盖半导体基板的背面的层状绝缘部构成的导通孔填埋材料(绝缘层)。接着，在开口部搭载焊锡球，得到半导体装置。
这里，导通孔填埋材料用膜在室温～180℃的最低熔融粘度是801Pa·s。
(实施例2A)
增加无机填充材料的配合量，如下所述制备树脂清漆，除此以外，与实施例1A同样地操作。
称量作为具有碱溶性基和双键的树脂的上述甲基丙烯酸改性双酚A型酚醛清漆树脂(MPN)23.94重量％、作为光聚合性树脂的室温下为液态的丙烯酸树脂单体(NKエステル3G，新中村化学社制造)7.41重量％、作为热固性树脂的双酚A型酚醛清漆型环氧树脂(EPICLON N-865，大日本油墨化学工业社制造)14.97重量％、硅酮环氧树脂(BY16-115，东丽道康宁有机硅社制造)2.74重量％、作为粒状填充材料的二氧化硅(SO-E2，平均粒径：0.5μm，最大粒径：2μm，Admatechs公司制造)50.00重量％，进一步添加甲基乙基酮(MEK，大伸化学社制造)，制备成树脂成分浓度为71％。然后，搅拌至双酚A型酚醛清漆型环氧树脂(N-865)溶解。
接下来，使用珠磨机(珠直径400μm，处理速度6g/s，5次通过)，使二氧化硅分散。
然后，进一步添加固化剂(感光剂)(Irgacure 651，Ciba SpecialtyChemicals Inc.制造)0.94重量％，用搅拌叶片(450rpm)搅拌1小时，由此得到树脂清漆。
这里，导通孔填埋材料用的膜在室温～180℃的最低熔融粘度是3106Pa·s。
(比较例1A)
不使用具有碱溶性基和双键的树脂，如下所述进行树脂清漆的配合，除此以外，与实施例1A同样地操作。
称量作为光聚合性树脂的室温下为液态的丙烯酸树脂单体(NKエステル3G，新中村化学社制造)14.40重量％、作为热固性树脂的双酚A型酚醛清漆型环氧树脂(EPICLON N-865，大日本油墨化学工业社制造)29.07重量％、硅酮环氧树脂(BY16-115，东丽道康宁有机硅社制造)5.32重量％、作为粒状填充材料的二氧化硅(SO-E2，平均粒径0.5μm，最大粒径2μm，Admatechs公司制造)49.38重量％，进一步添加甲基乙基酮(MEK，大伸化学社制造)，制备成树脂成分浓度为71％。然后，搅拌至双酚A型酚醛清漆型环氧树脂(N-865)溶解。
接下来，使用珠磨机(珠直径400μm，处理速度6g/s，5次通过)，使二氧化硅分散。
然后，进一步添加固化剂(感光剂)(Irgacure 651，Ciba SpecialtyChemicals Inc.制造)1.83重量％，用搅拌叶片(450rpm)搅拌1小时，由此得到树脂清漆。
使用该树脂清漆，制造导通孔填埋材料用膜，但是，膜中有龟裂，制膜性不充分。因此，不能进行其他的评价。
对各实施例和比较例中得到的导通孔填埋材料用的膜以及半导体装置进行如下评价。将评价项目与内容一起示出。得到的结果示于表1中。
1.导通孔填埋性
将得到的导通孔填埋材料用的膜，在60℃下层叠在具有导通孔的半导体元件所具备的半导体基板上，填埋导通孔后，在200mJ/cm²的条件下进行曝光，在150℃固化90分钟。接下来，研磨该半导体元件的导通孔部分的剖面，进行抛光。用显微镜观察得到的半导体元件，评价导通孔填埋材料相对于导通孔的深度填充至何种程度。各符号含义如下。
◎：导通孔填埋材料填充了导通孔的95％以上。
○：导通孔填埋材料填充了导通孔的80％以上并小于95％。
△：导通孔填埋材料填充了导通孔的50％以上并小于80％。
×：导通孔填埋材料只填充了小于导通孔50％的部分。
2.显影性
如下所述地判断所得导通孔填埋材料用的膜的显影性。即，在25℃下浸渍于3％的TMAH(四甲基氢氧化铵)，如果在3分钟内溶解树脂，在支撑基材聚酯膜上没有残留的话，则判断为“有显影性(可能)”，如果树脂残留的话，则判断为“无显影性(不可能)”。各符号含义如下。
○：有显影性
×：无显影性
3.分辨力(开口率)
关于导通孔填埋材料用膜的图案成形分辨力，则以下述的开口率来评价。
将得到的导通孔填埋材料用的膜，在60℃下层叠在聚酰亚胺膜上，使用能够开孔直径200μm通孔的负型的膜掩模，以200mJ/cm²照射波长365nm的光，进行图案曝光。
然后，使用3％TMAH，在喷压0.1MPa的条件下，显影90秒钟，用测长显微镜测定所形成的通孔(试验用的孔)的直径，并采用下述式算出开口率。
开口率(％)＝实测的开口部的直径(μm)/掩模的直径200(μm)×100
表1

从表1可以看出，实施例1A和2A的导通孔填埋材料具有优良的半导体元件导通孔的填埋性。
另外，实施例1A和2A的导通孔填埋材料用膜的显影性和分辨力也优良。
(实施例1B)
1.形成第一树脂层的第一树脂清漆的制备
作为具有光反应性官能团的环状烯烃系树脂，使用癸基降冰片烯/缩水甘油基甲基降冰片烯/苯乙基降冰片烯＝31/30/39的共聚物。该共聚物通过如下方法制得。将全部玻璃器具在60℃、0.1Torr下干燥18小时。然后，将玻璃器具配置于手套箱内。接下来，将乙酸乙酯(917g)、环己烷(917g)、癸基降冰片烯(73g，0.31mol)、缩水甘油基甲基醚降冰片烯(177g，0.30mol)、苯乙基降冰片烯(77.2g，0.39mol)加入反应烧瓶中。从手套箱中取出该反应烧瓶，在该溶液中通入氮气30分钟，进行脱气。接着，在手套箱中，将作为催化剂的双甲苯双全氟苯基镍9.36g(19.5mmol)溶解于甲苯15ml，吸入到25ml的注射器中，从手套箱中取出，加入到反应烧瓶中。然后，在20℃下搅拌5小时使其反应，进一步加入过氧乙酸溶液(975mmol)搅拌18小时。停止搅拌分离成水层和溶剂层后，除去水层。在残留的溶液中加入一升蒸馏水，搅拌20分钟后，除去分离的水层。进行3次该洗涤工序。将该洗涤后的反应溶液投入至甲醇中，过滤沉淀物，用水充分洗涤后，在真空下进行干燥。干燥后回收309g(收率92％)的聚合物(共聚物)。通过GPC分析的结果，得到的聚合物的分子量为Mw＝71000，Mn＝32000，Mw/Mn＝2.2。从H-NMR可知聚合物组成是，癸基降冰片烯为45摩尔％、环氧降冰片烯为30摩尔％、苯乙基降冰片烯为25摩尔％。
另外，使用上述树脂清漆制得的第一树脂层的弹性模量为1500MPa，热膨胀系数为140ppm(100～200℃)。
2.形成第二树脂层的第二树脂膜的制备
使氰酸酯树脂(酚醛清漆型氰酸酯树脂：プリマセツトPT-30，重均分子量700，龙沙公司制造)30重量份、环氧树脂(联苯基二亚甲基型环氧树脂：NC-3000，环氧当量275，重均分子量2000，日本化药社制造)15重量份、苯氧树脂(是联苯基环氧树脂和双酚S环氧树脂的共聚物，末端部具有环氧基：YX-8100H30，重均分子量30000，日本环氧树脂社(Japan EpoxyResins Co.Ltd)制造)15重量份、固化催化剂(咪唑化合物：Curezol 1B2PZ(1-苄基-2-苯基咪唑)，四国化成工业社制造)0.1重量份溶解、分散于甲基乙基酮中。进一步添加无机填充材料(球状熔融二氧化硅：SO-25H，平均粒径0.5μm，Admatechs公司制造)40重量份和偶联剂(环氧硅烷偶联剂：A-187，日本尤尼卡公司制造)0.2重量份，使用高速搅拌装置搅拌10分钟，制备固体成分50重量％的树脂清漆。
采用逗点涂布装置，将上述得到的树脂清漆涂布在厚度25μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的单表面上，使得干燥后的绝缘膜的厚度为40μm，将其在160℃的干燥装置中干燥10分钟，制造带基材的绝缘板。
另外，使用上述树脂清漆制得的第二树脂层的弹性模量为4000MPa，热膨胀系数为30ppm。
3.半导体装置的制造
对在板厚方向上具有导通孔(φ100μm)的半导体基板(φ200mm，厚度150μm)涂布上述第一树脂清漆，并使其干燥，从而在填埋贯通孔的同时覆盖半导体基板的下侧，形成厚度40μm的第一树脂层。
接下来，采用通常的曝光(i射线)/显影工艺对第一树脂层进行图案成形，使得仅在必要的位点且在贯通孔的壁面残留树脂层，进一步在烘箱中以160℃×1hr的条件使第一树脂层固化。
接下来，以覆盖上述第一树脂层的方式真空层叠第二树脂膜，从而在填埋贯通孔的同时，形成厚度40μm的第二树脂层。在该第二树脂层上，对相当于第一树脂层的导通孔部分的中央，采用UV(波长355nm)激光进行开孔，进一步在烘箱中以200℃×1.5hr的条件使第二树脂层固化，制得半导体装置。
(实施例2B)
除了将构成第一树脂层的树脂清漆的配合按下述进行以外，与实施例1B同样地操作。
将实施例1的癸基降冰片烯、缩水甘油基降冰片烯、苯乙基降冰片烯的加入量改成癸基降冰片烯(106g，0.45mol)、缩水甘油基甲基醚降冰片烯(177g，0.30mol)、苯乙基降冰片烯(49.5g，0.25mol)，除此以外，与实施例1同样地操作，得到癸基降冰片烯/缩水甘油基甲基降冰片烯/苯乙基降冰片烯＝45/30/25的共聚物。进行聚合、再沉淀，干燥后回收319g(收率95％)的聚合物。通过GPC分析的结果，得到的聚合物的分子量为Mw＝69000，Mn＝31000，Mw/Mn＝2.2。从H-NMR可知聚合物组成是，癸基降冰片烯为44摩尔％、环氧降冰片烯为31摩尔％、苯乙基降冰片烯为25摩尔％。
另外，使用上述树脂清漆制得的第一树脂层的弹性模量为900MPa，热膨胀系数为200ppm(100～200℃)。
(实施例3B)
除了将构成第二树脂层的树脂清漆的配合按下述进行以外，与实施例1B同样地操作。
使氰酸酯树脂(酚醛清漆型氰酸酯树脂：プリマセツトPT-30，重均分子量700，龙沙公司制造)40重量份、环氧树脂(联苯基二亚甲基型环氧树脂：NC-3000，环氧当量275，重均分子量2000，日本化药社制造)20重量份、苯氧树脂(是联苯基环氧树脂和双酚S环氧树脂的共聚物，末端部具有环氧基：YX-8100H30，重均分子量30000，日本环氧树脂社(Japan EpoxyResins Co.Ltd)制造)20重量份、固化催化剂(咪唑化合物：Curezol 1B2PZ(1-苄基-2-苯基咪唑)，四国化成工业社制造)0.1重量份溶解、分散于甲基乙基酮中。进一步添加无机填充材料(球状熔融二氧化硅：SO-25H，平均粒径0.5μm，Admatechs公司制造)20重量份和偶联剂(环氧硅烷偶联剂：A-187，日本尤尼卡公司制造)0.2重量份，使用高速搅拌装置搅拌10分钟，制备固体成分50重量％的树脂清漆。
采用逗点涂布装置，将上述得到的树脂清漆涂布在厚度25μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的单表面上，使得干燥后的绝缘膜的厚度为40μm，将其在160℃的干燥装置中干燥10分钟，制造带基材的绝缘板。
另外，使用上述树脂清漆制得的第二树脂层的弹性模量为3500MPa，热膨胀系数为42ppm。
(实施例4B)
作为第一树脂层，使用通过12-氨基十二烷酸的脱水缩聚得到的聚酰胺树脂(尼龙12)所得到的第一树脂层的弹性模量为1080MPa，热膨胀系数为12ppm(100～200℃)。
(实施例5B)
除了将构成第二树脂层的树脂清漆的配合按下述进行以外，与实施例1B同样地操作。
使酚醛树脂(酚醛清漆型酚醛树脂：PR-HF-3，羟基当量105，住友电木株式会社制造)15重量份、环氧树脂(双酚F型环氧树脂：830-S，环氧当量175，大日本油墨社制造)25重量份、苯氧树脂(是双酚F型环氧树脂的聚合物，末端部具有环氧基：4010P，环氧当量4400，日本环氧树脂社(JapanEpoxy Resins Co.Ltd)制造)20重量份、固化催化剂(咪唑化合物：Curezol2PHZ(2-苄基-4，5-二羟基甲基咪唑)，四国化成工业社制造)0.1重量份溶解、分散于甲基乙基酮中。进一步添加无机填充材料(球状熔融二氧化硅：SO-25H，平均粒径0.5μm，Admatechs公司制造)40重量份和偶联剂(环氧硅烷偶联剂：A-187，日本尤尼卡公司制造)0.2重量份，使用高速搅拌装置搅拌10分钟，制备固体成分50重量％的树脂清漆。
采用逗点涂布装置，将上述得到的树脂清漆涂布在厚度25μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的单表面上，使得干燥后的绝缘膜的厚度为40μm，将其在160℃的干燥装置中干燥10分钟，制造带基材的绝缘板。
另外，使用上述树脂清漆制得的第二树脂层的弹性模量为4800MPa，热膨胀系数为40ppm。
(比较例1B)
不使用第一树脂层，仅用第二树脂层填埋导通孔内部，除此以外，与实施例1B同样地操作。
(比较例2B)
构成第一树脂层的树脂清漆的配合按如下进行，形成第一树脂层时不用涂布而是进行层叠，除此以外，与实施例1B同样地操作。
使氰酸酯树脂(酚醛清漆型氰酸酯树脂：プリマセツトPT-30，重均分子量700，龙沙公司制造)20重量份、环氧树脂(联苯基二亚甲基型环氧树脂：NC-3000，环氧当量275，重均分子量2000，日本化药社制造)10重量份、苯氧树脂(是联苯基环氧树脂和双酚S环氧树脂的共聚物，末端部具有环氧基：YX-8100H30，重均分子量30000，日本环氧树脂社(Japan EpoxyResins Co.Ltd)制造)10重量份、固化催化剂(咪唑化合物：Curezol 1B2PZ(1-苄基-2-苯基咪唑)，四国化成工业社制造)0.1重量份溶解、分散于甲基乙基酮中。进一步添加无机填充材料(球状熔融二氧化硅：SO-25H，平均粒径0.5μm，Admatechs公司制造)60重量份和偶联剂(环氧硅烷偶联剂：A-187，日本尤尼卡公司制造)0.2重量份，使用高速搅拌装置搅拌10分钟，制备固体成分50重量％的树脂清漆。
采用逗点涂布装置，将上述得到的树脂清漆涂布在厚度25μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的单表面上，使得干燥后的绝缘膜的厚度为40μm，将其在160℃的干燥装置中干燥10分钟，制造带基材的绝缘板。
另外，使用上述树脂清漆制得的第一树脂层的弹性模量为5500MPa，热膨胀系数为20ppm。
对各实施例和比较例中得到的半导体装置，进行以下评价。评价项目与内容一同示出。得到的结果示于表2中。
1.翘曲
半导体装置的翘曲用接触式翘曲测定装置来进行评价。
2.可靠性
半导体装置的可靠性，是以180℃×5hr的热处理和260℃的IR回流×10次，评价有无树脂膨胀、剥离。这里，以n＝20来进行评价。各符号的含义如下。
◎：在18～20/20个半导体装置中，没有树脂膨胀、剥离。
○：在16～17/20个半导体装置中，没有树脂膨胀、剥离。
△：在13～15/20个的半导体装置中，有些许树脂膨胀、剥离。
×：在1～12/20个的半导体装置中，发生树脂膨胀、剥离。
3.激光加工性
采用UV(波长355nm)激光，对第一树脂层的相当于导通孔的部分的中央进行开孔，评价此时的加工性。各符号的含义如下。
○：观察/分析孔壁面的结果，未发现氧化/碳化。
×：观察/分析孔壁面的结果，发现氧化/碳化。
表2

从表2可知，实施例1B～5B中的翘曲量低。
另外，实施例1B～4B中的可靠性特别优良。
另外，实施例1B～5B中的激光加工性也优良。
工业实用性
通过本发明，能够提供一种减少半导体基板的翘曲等的产生，同时能够确实并充分地对该半导体基板上形成的贯通孔的内部填埋的树脂组合物。
另外，通过本发明，能够得到具有由所述树脂组合物构成的填埋材料和绝缘层且减少了翘曲的半导体装置。所述的半导体装置是小型且特性优良的装置。
另外，使用特定的第二树脂层的情况下，尤其能够提高激光加工性。因而，具有工业上的实用性。