一种液晶显示面板、 阵列基板及其制备方法 技术领域 本发明实施例涉及液晶显示器, 尤其涉及一种液晶显示器的液晶显示面板、 阵列 基板及其制备方法。
背景技术 薄膜晶体管液晶显示装置 (Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay, 简 称 TFT-LCD) 是一种主要的平板显示装置 (Flat Panel Display, 简称为 FPD), 由液晶面板 及背光模组构成。
图 1 为现有的薄膜晶体管液晶显示器的液晶面板沿阵列基板的栅线的剖面图。如 图 1 所示, 液晶面板按功能可分为面板区域 100 和压接区域 200, 面板区域 100 的四个边上 具有粘合区域 300。其中, 面板区域为液晶显示面板的工作区域 ; 粘合区域为用于粘合阵列 基板和彩膜基板的区域 ; 压接区域为将阵列基板与外部驱动电路板压接的区域。
另外, 按结构, 液晶面板包括 : 阵列基板、 彩膜基板 20、 粘合部 30、 保护部 40、 导电 胶层 50、 阵列基板侧取向膜 14、 彩膜基板侧取向膜 24 及驱动电路板 60 等。
其中, 阵列基板包括 : 透明基板 10、 栅线 11、 栅绝缘层 12、 钝化层 13、 透明导电层 15、 薄膜晶体管 ( 未图示 )、 数据线 ( 未图示 )、 公共电极线 ( 未图示 )、 公共电极及像素电极 ( 未图示 ) 等。其中, 透明导电层仅设置于压接区域, 像素电极和薄膜晶体管 (TFT) 通常仅 设置在面板区域, 其他结构皆横跨面板区域和压接区域。由于图 1 为沿栅线 11 的剖面图, 因此未图示与栅线平行的公共电极线, 与栅线垂直的数据线。沿公共电极线的剖面图与沿 栅线的剖面图一致。而沿数据线的剖面图中, 数据线位于栅绝缘层和钝化层之间。
粘合部 30 设置在粘合区域 300 内, 用于粘合阵列基板和彩膜基板 20。粘合阵列 基板和彩膜基板的工艺叫做对盒工艺。保护部 40 一般为硅胶, 涂覆在面板区域 100 和压接 区域 200 之间的钝化层 13 上。导电胶层 50 为各项异性导电胶 (Anisotropic Conductive Film, 简称 ACF), 用于将驱动电路板 60 与透明导电层 15 连接。驱动电路板 60 一般采用覆 晶薄膜 (Chip On Film, 简称 COF)。
现有的液晶显示器阵列基板及彩膜基板的制造工艺, 为了节省成本, 一般制造出 设计有多个阵列基板或彩膜基板结构的大型的基板, 然后将大型的阵列基板和大型的彩膜 基板进行对盒工艺粘合在一起。对盒工艺后, 需要用切割工具将阵列基板和彩膜基板分别 进行切割。切割工艺后, 为了保护切割部分, 涂覆一层硅胶形成保护部, 并将驱动电路板压 接在阵列基板的压接区域。如此便得到图 1 中所示的面板结构。
现有的液晶面板经常出现如下三种不良 :
(1) 钝化层和栅绝缘层等绝缘层涂覆不良, 导致压接区域和面板区域之间的栅线、 数据线或公共电极线等信号线暴露于空气中。此时一些导电异物 ( 粉尘 ) 会导致信号线短 路, 或一些清洗液等液体会腐蚀信号线使其断线。此处, 不论是否有完整的保护部覆盖, 也 需要返工修复。
(2) 切割工艺中, 切割彩膜基板时, 彩膜基板的碎片落到压接区域和面板区域之间
的钝化层上, 划破钝化层和栅绝缘层, 使信号线断线或导电碎片使信号线之间短路等。 此时 无论保护部覆盖完整与否, 皆需要返工修复。
(3) 上述两种情形中, 如果还发生保护部不能完全覆盖压接区域和面板区域之间 的不良时, 信号线的将处于更加危险的境地, 几乎不可避免地需要进行返工修复。 发明内容
本发明实施例提供一种液晶显示面板、 阵列基板及其制备方法, 用以减少上述现 有技术中的缺陷的发生, 提高液晶显示面板的制作良品率, 减少返工, 降低成本。
本发明实施例提供一种阵列基板, 包括压接区域及粘合区域, 所述压接区域及粘 合区域之间的第一绝缘层上, 围绕粘合区域设置有第二绝缘层。
上述的阵列基板, 其中所述第二绝缘层还设置于部分粘合区域内。
上述的阵列基板, 其中所述第二绝缘层为取向膜。
上述的阵列基板, 其中所述第一绝缘层为设置在栅线或公共电极线上方的栅绝缘 层及钝化层。
上述的阵列基板, 其中所述第一绝缘层为设置于数据线上方的钝化层。 本发明实施例还提供一种包括上述的阵列基板的液晶显示面板。
上述的液晶显示面板, 其中所述第二绝缘层还设置于部分粘合区域内。
上述的液晶显示面板, 其中所述第二绝缘层为取向膜。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法, 包括 :
步骤 1、 在形成有包括信号线、 TFT 及像素电极的图形的阵列基板上形成取向膜 ;
步骤 2、 去除全部或部分形成在阵列基板的粘合区域内的取向膜, 并去除压接区域 的透明导电层上方的取向膜。
本发明实施例的液晶显示面板、 阵列基板及其制备方法, 通过在压接区域及粘合 区域之间设置第二绝缘层, 可以可靠地保护彩膜基板的碎片或第一绝缘层涂覆不良导致的 信号线断线或短路, 提高液晶显示器的良品率, 减少返工, 降低成本。
附图说明 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案, 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍, 显而易见地, 下面描述中的附图是本发 明的一些实施例, 对于本领域普通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动性的前提下, 还可以 根据这些附图获得其他的附图。
图 1 为现有的薄膜晶体管液晶显示器的液晶面板沿阵列基板的栅线的剖面图 ;
图 2 为本发明阵列基板的平面示意图 ;
图 3 为本发明液晶显示面板第一实施例的沿栅线的剖面图 ;
图 4 为本发明阵列基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
本发明的阵列基板, 包括压接区域及粘合区域, 压接区域及粘合区域之间的第一 绝缘层上, 围绕粘合区域设置有第二绝缘层。本发明实施例的液晶显示面板、 阵列基板及其制备方法, 通过在压接区域及粘合 区域之间设置第二绝缘层, 可以可靠地保护彩膜基板的碎片或第一绝缘层涂覆不良导致的 信号线断线或短路, 提高液晶显示器的良品率, 减少返工, 降低成本。
第二绝缘层还可以设置于部分粘合区域内, 只要不影响粘接部对阵列基板和彩膜 基板的粘接力度即可。 第二绝缘层可以采用取向膜材料形成, 在阵列基板上形成取向膜时, 同时形成第二绝缘层。
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚, 下面将结合本发明实施例 中的附图, 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描述, 显然, 所描述的实施例是 本发明一部分实施例, 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例, 本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例, 都属于本发明保护的范围。
图 2 为本发明阵列基板的平面示意图。图 3 为本发明液晶显示面板第一实施例的 沿栅线的剖面图, 图示出了保护部出现涂覆不良时的情形。如图 2 及图 3 所示, 本发明的液 晶面板按功能可分为面板区域 100 和压接区域 200, 面板区域 100 的四个边上具有粘合区域 300。其中, 面板区域 100 为液晶显示面板的工作区域, 用于显示图像 ; 粘合区域 300 为用于 粘合阵列基板和彩膜基板 20 的区域 ; 压接区域为将阵列基板与外部驱动电路板 60 连接的 区域。
按结构, 液晶面板包括 : 阵列基板、 彩膜基板 20、 粘合部 30、 保护部 40、 导电胶层 50、 阵列基板侧取向膜 14、 彩膜基板侧取向膜 24 及驱动电路板 60 等。
其中, 阵列基板包括 : 透明基板 10、 栅线 11、 栅绝缘层 12、 钝化层 13、 透明导电层 15、 薄膜晶体管 18、 数据线 16、 公共电极线 17、 公共电极 ( 未图示 ) 及像素电极 ( 未图示 ) 等。 其中, 透明导电层 15 仅设置于压接区域 200, 公共电极、 像素电极和薄膜晶体管 18 通常 仅设置在面板区域 100, 其他结构皆横跨面板区域 100 和压接区域 200。
粘合部 30 设置在粘合区域 300 内, 用于粘合阵列基板和彩膜基板 20。导电胶层 50 为 ACF, 用于将驱动电路板 60 与透明导电层 15 连接。驱动电路板 60 一般采用 COF, COF 上设有栅驱动芯片或数据驱动芯片。
本发明中, 粘合部 30 和导电胶层 50 之间设置有第二绝缘层 19。第二绝缘层 19 围 绕粘合部 30 设置。第二绝缘层 19 也可以部分设置在粘合区域 300 内, 位于粘合部 30 的下 方, 只要不影响粘合部 30 的粘合力度即可。为了节省工艺, 第二绝缘层 19 可以采用取向膜 的材料, 形成取向膜的同时制作完成。
保护部 40 一般为硅胶, 涂覆在面板区域 100 和压接区域 200 之间的第二绝缘层 19 上。
值得一提的是, 沿公共电极线的剖面图与沿栅线的剖面图一致, 因此省略 ; 而沿数 据线的剖面图中, 与图 1 不同之处在于数据线位于栅绝缘层和钝化层之间, 由于数据线上 方只有钝化层, 因此比栅线更加容易出现断线或短路的问题, 即本发明的第二绝缘层对于 数据线有更大的保护作用。
本发明实施例, 通过在压接区域及粘合区域之间设置第二绝缘层, 即时保护部出 现涂覆不良, 也可以可靠地保护彩膜基板的碎片或第一绝缘层涂覆不良导致的信号线断线 或短路, 提高液晶显示器的良品率, 减少返工, 降低成本。
图 4 为本发明阵列基板的制备方法的流程图。如图 4 所示, 本发明阵列基板的制备方法, 包括如下步骤 :
步骤 1、 在形成有信号线、 TFT 及像素电极等的图形的阵列基板上形成取向膜 ;
步骤 2、 去除全部或部分形成在阵列基板的粘合区域内的取向膜, 并去除压接区域 的透明导电层上方的取向膜。
去除取向膜, 可以采用现有的刻蚀法等常规手段。
本发明阵列基板的制备方法, 在形成取向膜的同时, 形成了第二绝缘层, 无需单独 的工艺, 即可得到第二绝缘层, 简化了工艺, 节省了时间和费用。
最后应说明的是 : 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案, 而非对其限制 ; 尽 管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明, 本领域的普通技术人员应当理解 : 其依然 可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改, 或者对其中部分技术特征进行等同替 换; 而这些修改或者替换, 并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精 神和范围。