减少辐射电磁干扰的等离子体显示装置 技术领域 根据本发明的方法和装置涉及减小电磁干扰 (EMI) 辐射的等离子体显示装置， 更 具体地， 涉及通过底架的结构来减少 EMI 辐射的等离子体显示装置。
背景技术 平面型显示装置已经被广泛地使用， 且主要应用于便携器件， 并由于技术的发展 而在大尺寸显示装置领域中日益取代阴极射线管 (CRT) 显示器。
在这些平面型显示装置中， 等离子体显示面板 ( 下文称为 “PDP” ) 利用由等离子体 发出的光显示文本和图形， 该等离子体在气体放电期间产生。 与其它平面型显示装置相比， PDP 具有高亮度和高发光效率以及宽视角的优点， 所以近几年 PDP 被广泛使用。
但是， PDP 的一个缺点是等离子体显示装置被驱动时产生电磁波噪声， 并引起电磁 干扰 (EMI)。也就是说， 由于大约 200V 的高电压和 2A 或更大的均方根 (RMS) 电流施加到 构成 PDP 的电极上， 所以引起气体放电的驱动波的能量导致该面板的该电极通过天线辐射 EMI。
EMI 产生电磁波噪声干扰， 该电磁波噪声干扰使期望的电磁信号的接收受阻并由 此导致电子器件的故障。同样， EMI 以电子能量的形式被活体吸收并增高了活体的温度， 从 而损坏了活体的组织 / 功能。
因此， 需要一种用于减小在 PDP 驱动期间所产生的 EMI 的方法。
发明内容 本发明的示范性实施方式克服了以上缺点和以上没有描述的其它缺点。同样， 本 发明不需要克服上述缺点， 本发明的示范性实施方式可以不克服上述的任何问题。
本发明提供了一种等离子体显示装置， 其具有用于减少 EMI 辐射的底架的结构。
根据本发明的方面， 等离子体显示装置包括 ： 面板 ； 驱动电路， 驱动面板 ； 和底架， 连接到驱动电路并具有至少一个狭缝， 该至少一个狭缝形成连接到驱动电路的部分周围。
至少一个狭缝可以形成使得底架被分为第一区和第二区， 该第一区包括驱动电路 连接到的部分， 该第二区不包括驱动电路连接到的该部分。
至少一个狭缝可以形成为具有在第一区与第二区之间的电通路。
由驱动电路产生的电流可以通过驱动电路连接到的部分传输到第一区。
可以设置多个狭缝， 传输到第一区的电流的一部分通过在多个狭缝之间形成的通 路从第一区传输到第二区， 传输到第一区的剩余电流可以在第一区中环绕， 从而消减 EMI。
消减 EMI 的程度可以基于每个狭缝的厚度和多个狭缝之间的间隙来确定。
驱动电路可以包括 X 电极驱动电路和 Y 电极驱动电路， 至少一个狭缝可以包括第 一狭缝和第二狭缝， 该第一狭缝形成在 X 电极驱动电路连接到的部分周围， 该第二狭缝形 成在 Y 电极驱动电路连接到的部分周围。
可以设置多个第一狭缝或多个第二狭缝， 底架可以形成为具有在多个第一狭缝之
间的电通路或在多个第二狭缝之间的电通路。
等离子体显示装置可进一步包括 ： 控制器， 控制驱动电路 ； 和隔离 IC， 电隔离控制 器与驱动电路之间的接地电势。
驱动电路和底架可以通过导电材料彼此连接。
根据本发明另一方面， 等离子体显示装置包括 ： 面板 ； 驱动电路， 驱动面板 ； 和底 架， 连接到驱动电路， 并形成为使得除了预定区域之外， 驱动电路连接到的区域与驱动电路 没有连接到的区域彼此分离。
本发明的其它方面和优点将在详细描述中阐述， 将通过详细描述而显而易见， 或 者可以通过实践本发明而习知。 附图说明 通过参考附图对本发明的示范性实施方式进行详细描述， 本发明的上述和 / 或其 它方面将变得更加明显， 附图中 ：
图 1 为示出根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置的侧截面图 ；
图 2 为示出涂覆有功能材料的上面板的视图 ；
图 3 为用于参考波长解释功能材料的作用的视图 ； 图 4 为示出上面板的制造工艺的视图 ； 图 5 为示出下面板的制造工艺的视图 ； 图 6 为涂覆功能材料的工艺的流程图 ； 图 7 为示出涂覆有功能材料的面板的视图 ； 图 8 为示出在 TSS 与底架之间的耦接结构的视图 ； 图 9 为用于解释利用衬垫屏蔽 EMI 的方法的视图 ； 图 10 为示出根据本发明示范性实施方式的底架的视图 ； 图 11 为用于解释等离子体显示装置的驱动方法的视图 ； 图 12 为示出根据本发明另一示范性实施方式的底架的视图 ； 图 13 为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架的视图 ； 图 14 为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架的视图 ； 图 15 为图 14 的底架的透视图 ； 图 16 为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架的视图 ； 以及 图 17 为示出增加了隔离 IC 的底架的视图。具体实施方式
以下， 将参考其中示出示范性实施方式的附图更加详细地描述本发明。
在后文的描述中， 当相同的附图标记在不同的附图中示出时， 它们被用于相同的 元件。 在说明书中定义的事物， 诸如， 详细的构造和元件， 被提供以帮助全面理解本发明。 因 此， 显然本发明的示范性实施方式能在没有这些特别定义的事物的情况下被实施。 同样， 不 再详细描述在相关技术中公知的功能或元件， 因为它们会以不必要的细节而使本发明不明 显。
图 1 为示出根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置 100 的侧截面图。等离子体显示装置 100 满足对于 EMI 适当的电磁波标准并提供了能够被使用者看到的图像。
等离子体显示装置 100 包括面板 110、 散热片 (thermal spread sheet， TSS)120、 衬垫 130、 底架 140、 驱动电路 150 和背盖 160。
面板 110 利用由内部气体放电导致的真空紫外线来激发荧光材料， 从而显示图 像。面板 110 包括上面板 111 和下面板 113。通过用密封材料 112 诸如玻璃料接合上面板 111 和下面板 113 的边缘， 上面板 111 和下面板 113 构成单个面板 110。在上面板 111 与下 面板 113 之间的内部空间中， 其中上面板 111 和下面板 113 的边缘用密封材料 112 密封， 布 置多个放电单元， 每个放电单元填充有 Ne 和 Xe 的混合物。
功能材料 114 直接涂覆在上面板 111 的上部分上以实现防止表面反射、 校正颜色 和吸收近红外线。这将参考图 2 至图 7 解释。
图 2 示出了涂覆有功能材料的上面板 111 的视图。在图 2 中， 为了便于解释， 下面 板 113 与上面板 111 和功能材料 114 一同示出， 但是没有示出密封材料 112。
如图 2 所示， 功能材料 114 涂覆在上面板 111 的上侧， 即， 在将被使用者看到的侧 面上， 上面板 111 与下面板 113 相对。功能材料 114 分为防止表面反射的材料①、 校正颜色 并提高色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③。
具有防止光学反射特性的 SiO2、 ZrO、 TiO2 被用作防止表面反射的材料①。通过涂 覆这种材料， 防止了对观看者的亮光以及表面上的刮痕和静电。
吸收 580nm 至 590nm 波长的光的颜料被用作校正颜色并提高色纯度的材料②。通 过涂覆这种材料， 防止 580nm 至 590nm 波长的光提供给使用者， 由此改善了颜色再现性和白 色偏差校正。
诱发多层膜的光干涉的 Ag 或者吸收具有近红外线带宽 ( 从 800nm 至 1200nm) 的 波长的光的颜料被用作吸收近红外线的材料③。通过涂覆这种材料， 防止 800nm 至 1200nm 波长的光提供给使用者， 并由此防止由与遥控器的波长带宽干扰而引起的等离子体显示装 置 100 的故障。
涂覆校正颜色并提高色纯度的功能材料的原因是 ： 如上所述， Ne 填充放电单元。 同样， 涂覆吸收近红外线的功能材料的原因是 ： 如上所述， Xe 填充放电单元。即， 在放电操 作期间， Ne 产生 580nm 至 590nm 波长的光， Xe 产生近红外线带宽的波长， 但是由 Ne 和 Xe 产 生的波长使得等离子体显示装置 100 的颜色品质恶化并且由于与远程控制器的干扰而造 成故障。
通过在上面板 111 的上部分上涂覆能够解决上述问题的功能材料， 等离子体显示 装置 100 过滤掉 580nm 至 590nm 波长的光和 800nm 至 1200nm 波长的光。图 3 为提供用于 参考波长解释功能材料的作用的视图。
因此， 使用者能看到高质量而没有故障的图像。
根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置 100 在上表面 111 的上部分上 ( 即， 在等离子体显示装置 100 的前表面上 ) 没有用于屏蔽 EMI 的额外构造或材料。这是因 为利用衬垫 130 和底架 140 的结构能屏蔽 EMI， 下文将提供其详细描述。
下文， 将参考图 4 至图 7 描述在上面板 111 上涂覆功能材料 114 的工艺。
图 4 为示出制造上面板 111 的工艺的视图。为了制造上面板 111， 提供上玻璃 400 且在上玻璃 400 的上部上图案化铟锡氧化物 (ITO) 电极 410。ITO 电极 410 是透明电极， 其用于防止在 X 电极与 Y 电极之间产生的光由于不透明的 X 和 Y 电极而变得不可见， 这将在 后文描述。
在图案化 ITO 电极 410 之后， 在 ITO 电极 410 的上部分上图案化汇流电极 (X 电极 和 Y 电极 )420。X 电极和 Y 电极交替地接收维持电压， 并且关于所选的像素进行维持放电。
在 图 案 化 汇 流 电 极 420 之 后， 在 上 玻 璃 400 的 上 部 分 上 图 案 化 黑 条 (black stripe)430。黑条 430 形成在像素之间并用于保持像素彼此间隔开。
在图案化黑条 430 之后， 涂覆电介质层 440 和 MgO 保护层 450。电介质层 440 和 MgO 保护层 450 保持将在后文描述的寻址电极与上文所述的汇流电极 420 之间的电绝缘， 从 而稳定地产生等离子体并防止电极被等离子体侵蚀。
上面板 111 在如上所述的工艺中制造。
图 5 为示出制造下面板 113 的工艺的视图。 为了制造下面板 113， 提供下玻璃 500， 且在下玻璃 500 的上部分上图案化寻址电极 510。寻址电极 510 用于传输数据信号以选择 即将显示的像素。
在图案化寻址电极 510 之后， 涂覆电介质层 520。 电介质层 520 用于通过保持寻址 电极 510 与汇流电极 420 之间的电绝缘而稳定地产生等离子体， 并用于防止电极被等离子 体侵蚀， 如上所述。 在电介质层 520 的上部分上形成分隔物 (partition)530。 分隔物 530 用于使后文 将描述的荧光材料彼此分隔， 由此区别 R 像素、 G 像素和 B 像素。
在形成分隔物 530 之后， 荧光材料 540 涂覆在分隔物 530 之间。
在上文所述的工艺中制造下面板 113。
如果完成了制造上面板 111 和下面板 113， 则通过诸如上面板 110 和下面板 113 的 组装、 密封、 气体注入、 时效 (aging) 和发光 (lighting) 测试的工艺来完成面板 110， 并开始 在面板 110 的上面板 111 的上部分上涂覆功能材料 114 的工艺。下文， 将参考图 6 描述涂 覆功能材料 114 的工艺。
图 6 为示出涂覆功能材料 114 的工艺的流程图。
为了涂覆功能材料 114， 制备面板 110(S160) 且面板 110 的上面板 111 经受表面清 洁 (S620)。
如果完成表面清洁 (S620)， 则在上面板 111 的已清洁的表面上 (S630) 涂覆功能材 料 114。更特别地， 在构成上面板 400 的上玻璃 400 上直接涂覆功能材料 114。
此后， 清洁在其上图案化汇流电极 420 和寻址电极 510 的端部 (terminal)(S640)。
如果完成了端部清洁 (S640)， 则确定功能材料 114 是否被适当地涂覆 (S650)。如 果在涂覆功能材料 114 中没有不正常 (S650-Y)， 则进行热处理 (S660) 和发光测试 (670)， 从而完成功能材料 114 的涂覆。
图 7 为示出涂覆有功能材料 114 的面板 110 的视图。上述功能材料 114( 防止表 面反射的材料①、 校正颜色并提高色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③ ) 被混合且 作为一种材料储存在存储罐 710 中。功能材料 114 以材料 114 通过喷射孔 720 被喷射的方 式涂覆在上面板 111 上。
通过以喷射方式涂覆功能材料 114， 可以解决由于附接功能膜而引起的气泡问题 以及由于对应于每种功能的膜应当分离地涂覆 / 干燥 / 切割而导致工艺变复杂的问题。
同样， 能够防止在等离子体显示装置 100 的前表面上产生 EMI， 而不对面板 110 增 加用于屏蔽 EMI 的额外的构造或材料。通过利用衬垫 130 和底架 140 的结构能够实现在前 表面上屏蔽 EMI。
同样， 通过在存储罐 710 中存储防止表面反射的材料、 校正颜色并提高色纯度的 材料以及吸收近红外线的材料并同时涂覆这些材料， 而不是分离地涂覆这些材料， 能够减 少上面板 111 上的界面， 且随着界面数量的减少， 光透过 (light permeability) 的损失减 小， 从而能改善等离子体显示装置 100 的效率。
当然， 每种功能材料可以分离地存储在每个存储罐中并分离地涂覆在面板 110 上 而不是混合并作为一种材料存储在存储罐 710 中。
再参考图 1， TSS 120 附接到面板 110 的后表面， 如上所述该面板 110 的前表面涂 覆有功能材料 114。
TSS 120 用于防止由在等离子体显示装置 100 中产生并仅传输到部分屏幕的热所 导致的图像品质恶化。即， 通过附接 TSS 120， 在等离子体显示装置 100 中产生的热变得稳 定并被均匀地传输到整个屏幕。
同样， TSS 120 通过用于屏蔽 EMI 的衬垫 130 而耦接到底架 140。这将参考图 8 和 图 9 详细描述。 图 8 是提供用于解释 TSS 120 与底架 140 之间的耦接结构的视图。如图 8 所示， TSS 120 和底架 140 彼此不直接连接而是通过衬垫 130 彼此耦接。
衬垫 130 由具有粘接性能的材料制成以耦接 TSS 120 和底架 140。同样， 衬垫 130 可以由导电材料诸如金属纤维制成， 从而通过衬垫 130 将在底架 140 中产生的电流传输到 TSS 120。
TSS 120 和底架 140 彼此不直接连接或附接， 因为它们通过衬垫 130 彼此耦接。 因 此， 更有效地减少或屏蔽在等离子体显示装置 100 的前表面上产生的 EMI。 这将参考图 9 描 述。
图 9 为提供用于解释利用衬垫 130 屏蔽 EMI 的方法的视图。 TSS 120 和底架 140 彼 此不直接连接而是通过衬垫 130 彼此耦接。即， 底架 140 通过衬垫 130 被接地到 TSS 120。
由于衬垫 130 附接到底架 140 的部分表面而不是整个表面， 所以来自底架 140 的 电流被分为第一电流和在底架 140 中环绕的第二电流， 该第一电流通过衬垫 130 附接到的 表面被引导到 TSS 120， TSS 120 接地。
第一电流通过衬垫 130 附接到的表面流入 TSS 120 并在 TSS 120 处接地， 在底架 140 中环绕的第二电流消减 EMI。
通过经由衬垫 130 耦接 TSS 120 和底架 140， 而不直接连接 TSS 120 和底架 140， 在底架 140 中发出的 EMI 能被消减， 从而与 TSS 120 和底架 140 彼此直接连接的情况相比， 能够进一步减小 EMI 辐射噪声。
在上述解释中， 在底架 140 中产生的电流被传输到 TSS 120。然而， 底架 140 自身 不产生电流， 电流由附接到底架 140 后表面的驱动电路产生并被传输到底架 140。即， 底架 140 可以被认为是地以使驱动电路产生的电流接地， 通过衬垫 130 耦接到底架 140 的 TSS 120 可以被认为是地以使驱动电路产生的电流接地。
另外， 根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置 100 采用双接地以实现去
除 EMI 辐射噪声的效果， 双接地在它们的局部部分而不是它们的整个部分彼此耦接， 使得 能够更有效地去除 EMI 辐射。
同样， 驱动电路 150 连接到底架 140 的后表面， 该后表面与衬垫 130 附接到的前表 面相反。因此， 为了将驱动电路 150 产生的电流更有效地接地， 衬垫 130 可以关于底架 140 位于与驱动电路 150 相应的表面上。即， 如果驱动电路 150 连接到底架 140 的特定部分， 则 衬垫 130 可以附接到底架 140 的与底架 140 的该特定部分相反的部分， 其中驱动电路 150 连接到底架 140 的该特定部分。结果， 驱动电路 150 产生的电流能通过底架 140 被更有效 地传输到衬垫 130。
虽然在此实施方式中等离子体显示装置 100 采用包括底架 140 和 TSS120 的双接 地， 但是底架 140 可以采用自身的双接地。下文， 将参考附图 10 至图 13 描述底架 140 采用 自身的双接地的方法。
图 10 为示出根据本发明示范性实施方式的底架 140 的视图。
如上所述， 衬垫 130 附接到底架 140 的一个侧表面， 而驱动电路 150 通过导电材料 的螺钉 (screw)1060 连接到底架 140 的另一个侧表面。
驱动电路 150 包括 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电路 1020、 寻址驱动电路 1030、 电源单 元 1040 和控制器 1050。 电源单元 1040 将电能供应到 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电路 1020、 寻址驱动电路 1030 和控制器 1050。
控制器 1050 将 X 电极驱动控制信号、 Y 电极驱动控制信号和寻址电极驱动控制信 号分别传输到 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电路 1020 和寻址驱动电路 1030， 使得 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电路 1020 和寻址驱动电路 1030 操作面板 110。
下文， 将参考图 11 描述等离子体显示装置 100 的利用 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电 路 1020 和寻址驱动电路 1030 的操作。
图 11 为用于操作等离子体显示装置 100 的方法的视图。
X 驱动电路 1010 连接到上述汇流电极 420 的 X 电极从而基于从控制器 1050 接收 的 X 电极驱动控制信号操作面板 110， Y 驱动电路 1020 连接到汇流电极 420 的 Y 电极从而 基于从控制器 1050 接收的 Y 电极驱动控制信号操作面板 110。
X 驱动电路 1010 从控制器 1050 接收 X 电极驱动控制信号并施加驱动电压到 X 电 极， Y 驱动电路 1020 从控制器 1050 接收 Y 电极驱动控制信号并施加驱动电压到 Y 电极。具 体地， X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 交替输入维持电压到 X 电极和 Y 电极以关于所 选的像素进行维持放电。
寻址驱动电路 1030 施加数字信号到寻址电极 510 以选择即将显示的像素。汇流 电极 (X 电极和 Y 电极 )420 和寻址电极 510 布置成十字形图案， X 电极和 Y 电极彼此面对， 放电空间在 X 电极和 Y 电极之间。在寻址电极 420、 X 电极和 Y 电极中形成为十字形部分的 放电空间形成了放电单元。
面板 110 包括布置成矩阵图案的多个像素。X 电极、 Y 电极和寻址电极 420 布置在 每个像素中。因此， 以寻址显示分离 (address display separate， ADS) 驱动方法操作面板 110， 在该 ADS 驱动方法中电压被施加到每个电极使得像素发光。ADS 驱动方法指其中面板 110 的每个子域 (sub-field) 由分离的复位部分、 寻址部分和维持放电部分驱动的方法。
复位部分用于去除壁电荷的先前状态并设置壁电荷以稳定地进行下一次寻址放 电。寻址部分选择在面板中发光的单元和不发光的单元， 并在发光单元 ( 被寻址的单元 ) 进行堆积壁电荷。维持放电部分交替施加维持电压到 X 电极和 Y 电极并在被寻址的单元进 行放电以显示实际图像。
如上所述， 面板 110 利用施加到 X 电极的电压与施加到 Y 电极的电压之间的差引 起放电， 并利用通过放电获得的等离子体发光。
返回参考图 10， 在底架 140 上安装 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电路 1020、 寻址驱动电 路 1030、 电源单元 1040 和控制器 1050， 并将由 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电路 1020、 寻址驱 动电路 1030、 电源单元 1040 和控制器 1050 产生的电流接地。
为了实现此目的， 底架 140 通过导电材料制成的螺钉 1060 连接到 X 驱动电路 1010、 Y 驱动电路 1020、 寻址驱动电路 1030、 电源单元 1040 和控制器 1050， 底架 140 也由导 电材料制成。
底架 140 具有第一狭缝 (slit)1070 和第二狭缝 1080， 以自身用作双接地。
通过在底架 140 的被 X 驱动电路 1010 连接到的部分周围切割， 形成长凹槽形式的 第一狭缝 1070。具体地， 第一狭缝 1070 分为两个分离的狭缝而不是一个狭缝， 并形成为提 供电通路以允许电流在两个狭缝之间流动。
因此， 由 X 驱动电路 1010 产生的电流通过连接 X 驱动电路 1010 与底架 140 的螺 钉 1060 而被传输到底架 140， 并被一次接地。具体地， 电流通过螺钉 1060 传输到由第一狭 缝 1070 划分的底架 140 的区域中底架 140 的位于 X 驱动电路 1010 下面的区域并接地。
已经被传输到底架 140 的位于 X 驱动电路 1010 下面的区域且在此接地的电流通 过在第一狭缝 1070 的两个分离的狭缝之间形成的通路被传输到底架 140 的另一区域并被 二次接地， 其中 Y 驱动电路 1020、 寻址驱动电路 1030、 电源单元 1040 和控制器 1050 位于底 架 140 的该另一区域。
由 X 驱动电路 1010 产生的电流在底架 140 的位于 X 驱动电路 1010 下面的区域被 一次接地， 在底架 140 的另一区域被二次接地， 从而能够去除 EMI 辐射噪声。同样， 通过经 由第一狭缝 1070 局部连接双接地， 能够更有效地去除 EMI 辐射噪声。
第二狭缝 1080 的作用与第一狭缝 1070 相同。即， 通过在底架 140 的被 Y 驱动电 路 1020 连接到的部分周围切割， 形成长凹槽形式的第二狭缝 1080， 第二狭缝 1080 分为两个 分离的狭缝以提供通路， 从而允许电流在两个狭缝之间流动。
因此， 由 Y 驱动电路 1020 产生的电流通过连接 Y 驱动电路 1020 和底架 140 的螺 钉 1060 被传输到底架 140， 并被一次接地。具体地， 电流通过螺钉 1060 被传输到底架 140 的被第二狭缝 180 划分的区域中底架 140 的位于 Y 驱动电路 1020 下面的区域， 并被接地。
同样， 传输到底架 140 的位于 Y 驱动电路 1020 下面的区域并在此接地的电流通过 在第二狭缝 1080 的两个分离的狭缝之间形成的通路被传输到底架 140 的另一区域， 并被二 次接地， 其中 X 驱动电路 1010、 寻址驱动电路 1030、 电源单元 1040 和控制器 1050 位于底架 140 的该另一区域。
如上所述， 由 Y 驱动电路 1020 产生的电流在底架 140 的位于 Y 驱动电路 1020 下面 的区域处被一次接地， 在底架 140 的另一区域处被二次接地， 从而能够去除 EMI 辐射噪声。 同样， 通过经由第二狭缝 1080 局部连接双接地， 能更有效地去除 EMI 辐射噪声。在上述解释中， 通过在底架 140 的被 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 连接到 的部分周围切割， 形成长凹槽形式的狭缝。然而， 这里仅是为了便于解释的实例， 狭缝可以 形成在 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 之一的周围， 或可以形成在其它电路周围， 即， 寻址驱动电路 1030、 电源单元 1040 和控制器 1050 周围。
同样， 在上述解释中， 第一狭缝 1070 和第二狭缝 1080 的每个具有两个狭缝， 使得 由该两个狭缝形成一个电通路。 电流通过单个电通路接地的方法被称为一点接地法。 然而， 形成一个电通路仅是为了便于解释的实例。
因此， 第一狭缝 1070 或第二狭缝 1080 可以具有两个或多个狭缝。例如， 如果第一 狭缝 1070 由三个狭缝构成， 用于传输电流的两个通路形成在一次接地与二次接地之间。
在形成两个电通路的情况下， 适当的理解是 ： 在两个地点采用一点接地法， 而不是 理解为不采用一点接地法。
同样， 图 10 示出的第一狭缝 1070 和第二狭缝 1080 的每个的形状仅是实例， 第一 狭缝 1070 和第二狭缝 1080 可以形成为不同于图 10 的狭缝的其它形状， 如图 12 所示。
图 12 为示出根据本发明另一示范性实施方式的底架 140 的视图。从图 12 可知， 为了便于解释， 省略了寻址驱动电路 1030、 电源单元 1040 和控制器 1050。 如果两个第一狭缝 1070 和两个第二狭缝 1080 形成如图 12 所示的通路， 则电流能 通过在一次接地和二次接地之间的通路传输， 使得能够更有效地去除 EMI。
在上述解释中， 虽然狭缝设置在底架 140 上且电流在底架 140 处以一点接地法接 地， 其中在该一点接地法中电流通过形成在两个狭缝之间的一个通路传输， 但本发明能应 用于电流在底架 140 处以一点接地法接地而不使用狭缝的情形。这将参考图 13 描述。
图 13 为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架 140 的视图。如图 13 所示， X 驱动电路 1010 通过单个螺钉 1060 而不是多个螺钉连接到底架 140， 并且还通过四个非导 电连接元件 1310 连接到底架 140。同样， Y 驱动电路 1020 通过单个螺钉 1060 而不是多个 螺钉连接到底架 140， 并且还通过四个非导电连接元件 1310 连接到底架 140。
在图 13 中， 由 ‘○’ 标识的部分表示用于连接 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 与底架 140 的螺钉 1060 所处的位置， 由◎标识的部分表示用于连接 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 与底架 140 的非导电连接元件 1310 所处的位置。
这里， 非导电连接元件 1310 与传输由 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 产生的 电流到底架 140 的目的无关， 并被简单地用于克服当 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 与 底架 140 仅通过螺钉 1060 彼此连接时 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 与底架 140 之 间的弱连接。因此， X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 的每个通过螺钉 1060 连接到底架 140， 其中螺钉 1060 是单个导电介质。
由于 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 以如上所述的一点接地法被接地到底架 140， 所以由 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 产生的电流被传输到底架 140 并仅在底架 140 的一点被接地。因此， 由 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 的每个产生的部分电流被 传输到底架 140， 剩余的电流在 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 中环绕并且消减 EMI。
当然， 采用四个非导电连接元件 1320 仅是为了便于解释的实例， 可以采用五个或 更多、 或者三个或更少的非导电连接元件。 同样， 如果仅通过螺钉 1060 连接 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 与底架 140 不存在问题， 那么可以不采用非导电连接元件 1310。
虽然在上述实施方式中一个螺钉 1060 被用作导电连接元件， 但是如果需要可以 采用两个或多个螺钉。然而， 随着螺钉 1060 的数量增大， 减少 EMI 的效果会降低。
在图 13 中， X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 以一点接地被接地到底架 140。 在图 13 中， 采用一点接地而没有采用双接地。然而， 本发明能够适用于同时采用一点接地 和双接地的情形。下文， 将参考图 14 至图 16 解释在双接地法中进行一点接地的方法。
在图 14 至图 16 的实施方式中， 可以采用必要数量的非导电连接元件 1310。 然而， 为了便于简明， 省略对非导电连接元件 1310 的图示和描述。
图 14 为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架 140 的视图。如图 14 所示， X 驱动电路 1010 通过多个螺钉 1060 连接到导电板 1410， 导电板 1410 通过单个螺钉 1430 连 接到底架 140。同样， Y 驱动电路 1020 通过多个螺钉 1060 连接到导电板 1420， 导电板 1420 通过单个螺钉 1430 连接到底架 140。
在图 14 中， 由 ‘○’ 标识的部分表示用于连接 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 与导电板 1410、 1420 的螺钉 1060 所处的位置， 由 ‘●’ 标识的部分表示用于连接导电板 1410、 1420 与底架 140 的螺钉 1430 所处的位置。
参考图 15 理解螺钉 1060、 1430 是如何定位的。 图 15 为示出图 14 的底架 140 的透视图。如图 15 所示， 由于 X 驱动电路 1010 通过 多个螺钉 1060 连接到导电板 1410， 所以由 X 驱动电路 1010 产生的电流通过多个螺钉 1060 传输到导电板 1410， 并且在导电板 1410 处一次接地。同样， 由于导电板 1410 通过单个螺 钉 1430 连接到底架 140， 所以在导电板 1410 处产生的电流通过单个螺钉 1430 传输到底架 140， 并且在底架 140 二次接地。
同样地， 由于 Y 驱动电路 1020 通过多个螺钉 1060 连接到导电板 1420， 所以由 Y 驱 动电路 1020 产生的电流通过多个螺钉 1060 传输到导电板 1420， 并在导电板 1420 处一次接 地。同样， 由于导电板 1420 通过单个螺钉 1430 连接到底架 140， 所以在导电板 1420 处产生 的电流通过单个螺钉 1430 传输到底架 140， 并且在底架 140 二次接地。
由于 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 以一点接地法被接地到底架 140， 所以 由 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 的每个产生的电流传输到底架 140 的一点， 并最终 在底架 140 接地， 因此， 最初传输到导电板 1410、 1420 的电流在导电板 1410、 1420 中环绕， 从而消减 EMI。
虽然在上述实施方式中连接到 X 驱动电路 1010 的导电板 1410 和连接到 Y 驱动电 路 1020 的导电板 1420 是分离设置的， 但是这仅是实例。本发明能适用于如图 16 所示的设 置单个导电板 1610 的情形。
图 16 为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架 140 的视图。如图 16 所示， X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 通过多个螺钉 1060 连接到单个导电板 1610。即， X驱 动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020 布置在单个导电板 1610 上。
导电板 1610 通过单个螺钉 1620 连接到底架 140。
因此， 由 X 驱动电路和 Y 驱动电路 1020 产生的电流传输到单个导电板 1610， 传输 到导电板 1610 的电流以一点接地法在底架 140 接地。因此， 由 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动 电路 1020 产生的电流被传输到底架 140 的一点并最终在底架 140 接地， 因而， 最初传输到 导电板 1610 的电流在导电板 1610 中环绕， 从而消减 EMI。
当然， 如果需要可以改变螺钉 1060、 1620 的数量。
在根据图 10、 图 12、 图 14 和图 15 的实施方式的底架 140 的结构中， 由于 X 驱动电 路 1010 和 Y 驱动电路 1020 接地到底架 140 的不同的一点， 所以 X 驱动电路 1010 的接地电 势电平与 Y 驱动电路 1020 的接地电势电平之间会存在差异。
如果在接地电势电平之间存在差异， 则等离子体显示装置 100 会因传输控制信号 的控制器 1050 没有考虑不同的接地电势电平而发生故障。
图 17 为示出隔离 IC 额外设置到底架 140 以解决上述问题的视图。在图 17 中， 隔 离耦合器 (I-coupler)1710、 1720 被用作隔离 IC 的实例。
隔离耦合器 1710、 1720 是数字绝缘元件 (digital insulation element) 并进行 DC-DC 转换。
因此， 隔离耦合器 1710 连接在 X 驱动电路 1010 与控制器 1050 之间， 隔离耦合器 1720 连接在 Y 驱动电路 1020 与控制器 1050 之间， 由此即使在 X 驱动电路 1010 的接地电势 电平与 Y 驱动电路 1020 的接地电势电平之间存在差异， 也能够操作等离子体显示装置而不 发生故障。
即， 隔离耦合器 1710、 1720 将控制器 1050 产生的控制信号转换为基于 X 驱动电 路 1010 的接地电势的控制信号， 将由控制器 1050 产生的控制信号转换为基于 Y 驱动电路 1020 的接地电势的控制信号， 从而根据 X 驱动电路 1010 的接地电势电平和 Y 驱动电路 1020 的接地电势电平的控制信号来控制 X 驱动电路 1010 和 Y 驱动电路 1020。 在上文中， 虽然描述了采用隔离耦合器 1710、 1720 校正接地电势电平之间的差异 的方法， 但是这仅是实例。本发明能够适用于采用隔离耦合器 1710、 1720 之外的元件来校 正接地电势电平或者通过改变底架 140 的形状而不采用额外的元件来校正接地电势电平 的情形。
此情形的实例如下。
在底架 140 上形成如图 10 和图 12 所示的狭缝的情形中， 通过调整狭缝的厚度或 狭缝之间的间隙来校正接地电势电平。例如， 通过扩大图 10 中示出的狭缝之间的间隙， 允 许电流从底架 140 的 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 所处的区域流到其它区域的通路 被扩大。
因此， 由 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 产生的电流能更平稳地流到底架 140 的没有设置 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 的其它区域中， 由此减小了底架 140 的设 置 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 的区域与底架 140 的其它区域之间的接地电势电平 差。
接着， 在如图 14 和图 15 所示的在底架 140 中实施采用单个螺钉的一点接地的情 形中， 通过调整螺钉的数量来校正接地电势电平。例如， 如果连接导电板 1410、 1420 与底架 140 的螺钉 (‘●’ ) 的数量增加， 则允许电流从导电板 1410、 1420 流到底架 140 的通路的 数量增加。
因此， 由 X 驱动电路 1010 或 Y 驱动电路 1020 产生的电流通过导电板 1410、 1420 更平稳地流入底架 140， 使得能够减小 X 驱动电路 1010 所处的导电板 1410 与 Y 驱动电路 1020 所处的导电板 1420 之间的电势电平差。
如上所述， 通过改变底架 140 的形状能够校正接地电势电平。
在上述解释中， 通过采用衬垫 130 耦接 TSS 120 与底架 140、 在底架 140 上形成狭 缝、 或者改变底架 140 与驱动电路 150 之间的连接条件， 能够减小从等离子体显示装置 100 的前表面发出的 EMI。
同样， 为了减小从等离子体显示装置 100 的前表面发出的 EMI， 仅涂覆防止表面反 射的材料①、 校正颜色并提高色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③， 而没有在上面 板 111 的上部分上设置额外的构造或材料来屏蔽 EMI。
返回参考图 1， 将描述用于减少从等离子体显示装置 100 的后表面发出的 EMI 的背 盖 160。
如上所述， 通过采用衬垫 130 耦接 TSS 120 与底架 140、 在底架 140 上形成狭缝、 或 者改变底架 140 与驱动电路 150 之间的连接条件来减少从等离子体显示装置 100 的前表面 发出的 EMI。
背盖 160 不覆盖面板 110 的前表面、 面板 110 的后表面和底架 140 的前表面。而 是， 背盖 160 直接连接到底架 140 的后表面以覆盖等离子体显示装置 100 的后表面， 并通过 连接到底架 140 来屏蔽 EMI 且防止对驱动电路 150 的损坏。为了实现此目的， 背盖 160 由 导电材料制成。
如上所述， 根据本发明不同示范性实施方式， 仅利用底架 140 的结构而不在等离 子体显示装置 100 的前表面上设置额外的过滤器就能够有效地减少 PDP 被驱动时产生的 EMI 辐射。
前述示范性实施方式和优点仅仅是示范性的且不应被理解限制本发明。 本发明的 教导能够容易地适用于其它类型的装置。同样， 对本发明示范性实施方式的描述旨在说明 而不限制权利要求的范围， 许多替换、 修改和变化对本领域技术人员是显而易见的。
本 申 请 要 求 于 2009 年 8 月 10 日 向 韩 国 专 利 局 提 交 的 韩 国 专 利 申 请 No.10-2009-73123 的优先权， 在此整个引入其公开的内容作为参考。