一种集成电路芯片的引线框架的电镀方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN201010209693.7	申请日：	2010.06.25
公开号：	CN101864586A	公开日：	2010.10.20
当前法律状态：	授权	有效性：	有权
法律详情：	授权\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):C25D 5/02申请日:20100625\|\|\|公开
IPC分类号：	C25D5/02; C25D3/46	主分类号：	C25D5/02
申请人：	厦门永红科技有限公司
发明人：	李南生; 苏月来
地址：	361100 福建省厦门市翔安区马巷镇下坂路口鸿翔楼北侧
优先权：
专利代理机构：	厦门市诚得知识产权代理事务所 35209	代理人：	方惠春
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内容摘要

本发明涉及集成电路芯片的加工方法。本发明的集成电路芯片的引线框架的电镀方法是：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口的分为交错排列的2组，分别进行电镀银层。所述的交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，将第2组单元窗口进行遮挡；所述的交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，将第1组电镀过的单元窗口进行遮挡。本发明实现了正整版引线框架拼版的单元窗口更多，密集度更高，提高制造作业效率。

权利要求书

1.一种集成电路芯片的引线框架的电镀方法，其特征在于：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口的分为交错排列的2组，分别进行电镀银层。2.根据权利要求1所述的集成电路芯片的引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，将第2组单元窗口进行遮挡；所述的交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，将第1组电镀过的单元窗口进行遮挡。3.根据权利要求1所述的集成电路芯片的引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的引线框架拼版连接电镀阴极，电镀液连接电镀阳极。4.根据权利要求3所述的集成电路芯片的引线框架的电镀方法，其特征在于：所述的电镀液以一定压力不断冲击引线框架拼版没有遮挡的单元窗口，并通电进行电镀。

说明书

一种集成电路芯片的引线框架的电镀方法

技术领域

本发明涉及集成电路芯片的加工方法，尤其涉及一种微小型集成电路芯片的加工制造中的一个工艺步骤，是关于引线框架的电镀的方法，微小型集成电路芯片尤其涉及四侧无引脚扁平封装的IC（集成电路芯片）,这种封装结构由日本电子机械工业会规定的名称是QFN(quadflatnon-leadedpackage)，亦可称之为LCC封装、PCLC封装、P－LCC封装等。

背景技术

一种微小型集成电路芯片的封装结构，例如QFN(quadflatnon-leadedpackage)封装，即四侧无引脚扁平封装，是表面贴装型封装之一。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP封装小，高度比QFP封装低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP封装的引脚那样多，一般从14到100左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。

而引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。

和其他IC封装结构一样，QFP封装的引线框架在进行金丝焊接和封装前的一个必要步骤就是在引线框架的铜箔表层电镀一层金属银，以增加其电气导电率。在现有技术中，由于QFP封装微小，电极触点很接近，因此在整个拼版的设计中，必须将单元窗口间隔加大，因此整版的单元窗口少，间隔大，都是对称性分布的，整体生产效率低。

发明内容

因此，本发明针对已有技术的不足，提出一种利用跳镀原理，在两次电镀工艺中完成，不仅避免了多次在渡液中产生不必要的化学置换反应等，其电镀区域有极其精密的要求，达到正负0.025mm误差值内。并且解决了已有技术中整版的单元窗口少，间隔大的不足，实现了电镀版的窗口多，密集度高，提高制造效率。

本发明的技术方案是：

本发明的集成电路芯片的引线框架的电镀方法是：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口的分为交错排列的2组，分别进行电镀银层。类似于国际象棋的棋盘，将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口分成黑色和白色格子2组，先将黑色格子的单元窗口电镀后，再将白色格子的单元窗口电镀。

进一步的，所述的交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，将第2组单元窗口进行遮挡；所述的交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，将第1组电镀过的单元窗口进行遮挡。即电镀黑色格子的单元窗口前，须将白色格子的单元窗口进行遮挡；同时，电镀白色格子的单元窗口前，须将已经电镀过的白色格子的单元窗口进行遮挡。

进一步的，所述的引线框架拼版连接电镀阴极，电镀液连接电镀阳极。

更进一步的，所述的电镀液以一定压力不断冲击引线框架拼版没有遮挡的单元窗口，并通电进行电镀。

本发明的技术方案是采用交错电镀法将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口的分为交错排列的2组，分别进行电镀银层。这样，引线框架拼版的单元窗口就可以阵列紧密的排列，而不用担心影响到间隔的单元窗口的电镀银作业。从而实现了正整版引线框架拼版的单元窗口更多，密集度更高，提高制造作业效率。

附图说明

图1是本发明的流程示意图。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

参阅图1所示，本发明的集成电路芯片的引线框架的电镀方法包括如下步骤：

步骤101：遮挡第2组单元窗口交错排列的引线框架拼版的铜板；引线框架铜板的单元窗口阵列排列形成一个整体的拼版。引线框架铜板上的各单元窗口阵列排列就类似于国际象棋的棋盘具有阵列排列的黑白格子，将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口分成黑色和白色格子2组，假设白色格子的单元窗口为第1组，黑色格子为第2组。将国际象棋的棋盘上的所有黑色格子进行遮挡，以防止电镀液浸润。

步骤102：将第1组未遮挡单元窗口的引线框架铜板进行电镀银处理。即，将国际象棋的棋盘上未遮挡的所有第1组白色格子进行电镀银作业处理。优选的电镀银处理可以采用通电进行化学法镀银。

步骤103：遮挡第1组已镀银处理过的单元窗口。即，将国际象棋的棋盘上已经镀银处理过的所有第1组白色格子进行遮挡，留下第2组黑色格子。

步骤104：将引线框架铜板中第2组未镀银的单元窗口进行电镀银处理。即，将国际象棋的棋盘上所有第2组黑色格子进行电镀银作业处理。同样是采用通电进行化学法镀银。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。