具体实施方式
本发明主要利用了多孔氧化铝的自组装性能，在玻璃基底表面生成高度有序的多孔氧化铝膜层。由于基底是玻璃，增强了整个试样的机械强度，在一定程度上保留透射性，而不引入其他的复杂工艺，可以作为其他光学、光电、生物芯片等器件的基板，或者制备纳米线、纳米棒、纳米点阵等低维纳米材料的模板。为去掉膜层中多余的金属铝，采用高温热处理，可以保证生成的氧化铝膜的纯度，若用其他化学反应(如用HgCl置换)则会引入其他的杂质，会影响到器件后续的性能。
高透射性玻璃基多孔氧化铝基板的制备方法是：先以玻璃为基板，采用真空热蒸发法制备高纯铝膜；然后采用一次或二次阳极氧化法生成多孔氧化铝层；接着采用扩孔工艺优化多孔氧化铝层的孔径；最后采用高温退火处理，提高整个玻璃基多孔氧化铝基板的透射性。
制备方法具体包含以下步骤：
1)真空热蒸发法制备高纯铝膜：
通过真空电阻加热或者电子束加热法加热高纯铝料，在玻璃基板上沉积厚度可控的高纯铝膜；
2)对步骤1)所得玻璃基铝膜进行高温热处理：
随炉加热到480℃，然后保温1h，再随炉冷却，提高膜层的结晶性；
3)对步骤2)所得玻璃基铝膜进行阳极氧化：
对真空电阻蒸发制备的高纯铝膜，进行一次阳极氧化至试样透明，然后直接进行扩孔处理；对电子束蒸发制备的高纯铝膜，在进行一次阳极氧化之后，去除一次阳极氧化的氧化膜，在一次氧化相同工艺下进行二次阳极氧化，直至试样透明；
进行完本步的处理之后，形成表面为多孔氧化铝、底层为致密氧化铝的透明多孔阳极氧化铝基板；
4)在步骤3)处理后的玻璃基多孔氧化铝基板进行高温热处理：
随炉加热到480℃，保温1h，再随炉冷却，以减小模板内部应力，提高膜层的结晶性和基板的透射性；
步骤1)真空热蒸发法制备高纯铝膜具体包括以下步骤：
11)高纯铝料的预处理：
采用纯度为99.999％的铝料，用去离子水、无水乙醇粗略清洗；然后放置在0.2mol/L的NaOH溶液中浸泡5min，去掉铝片表面的自然氧化膜；
12)高纯铝膜的沉积：
采用真空电阻加热法时，将预处理过的高纯铝料放在导电陶瓷舟内预熔，采用电子束加热法时，则将预处理过的高纯铝料放在石墨坩埚内预熔；然后将清洗干净的玻璃基板放置在真空室内的基片架上，通过晶振仪控制制备不同厚度的高纯铝膜。
步骤2)玻璃基铝膜进行高温热处理具体包括以下步骤：
随炉升温至480℃，然后保温1h，再随炉冷却至室温，以改善铝层的结晶性能，可提高后续多孔氧化铝膜层孔的有序性。
步骤3)电子束蒸发制备的的高纯铝膜的阳极氧化具体包括以下步骤：
31)一次阳极氧化：
氧化前将在步骤2)已处理的玻璃基铝膜放入0.2mol/l的氢氧化钠溶液中处理5min，再将分析纯的草酸及去离子水配制成0.3mol/l的草酸溶液，作为一次阳极氧化的电解液，阳极为步骤2)已处理过的玻璃基铝膜，阴极为清洗干净的普通铝片，将阳极和阴极固定在氧化支架上，电极之间的距离为7cm，采用恒压稳流模式，氧化时间10min，草酸电解液氧化电压为15～30V，氧化反应期间采用水浴，将反应槽内的温度控制在0℃到10℃的区间范围内，氧化时间达到后，此时取出试样，用去离子水清洗干净；
32)去除一次氧化膜：
将分析纯的磷酸和铬酸及去离子水，分别配制成6wt％的磷酸溶液和1.8wt％的铬酸溶液，将两种溶液混合，然后将混合溶液加热到80℃，最后将一次氧化之后的试样置于其中浸泡10或15min；
33)二次阳极氧化：
二次阳极氧化的参数与第一步阳极氧化的各参数相同，氧化时直至试样透明，用去离子水清洗干净。
34)将分析纯磷酸及去离子水配制成0.5mol/l的磷酸溶液，制得扩孔处理用的溶液，将步骤33)所得玻璃基多孔氧化铝基板浸泡在扩孔溶液中，进行扩孔处理20或60min，时间达到后取出试样，用去离子水清洗干净。
对真空电阻蒸发制备的高纯铝膜的阳极氧化，仅包括上述步骤31)和34)，其中步骤31)的氧化反应直至试样透明，步骤34)的扩孔处理时间为100或120min。
步骤4)玻璃基多孔氧化铝模板高温热处理具体包括：
随炉升温至480℃，然后保温1小时，随炉冷却至室温，将氧化铝膜层和膜/基界面剩余的金属铝氧化成氧化铝。
按上述方法制备本发明的高透射性玻璃基多孔氧化铝基板。
下面结合以实施例的对形式本发明作进一步说明，但不限定本发明。本发明结合物理气相沉积和阳极氧化两种工艺，即保持了氧化铝的有序多孔性及其结构可控性，又选取玻璃做基板，增强了其机械强度，同时有较高的透射性，拓宽了其潜在的应用领域。
实施例1：技术方案
1)采用纯度为99.999％的铝料，用去离子水、无水乙醇粗略清洗；然后放置在0.2mol/L的NaOH溶液中浸泡5min，去掉铝片表面的自然氧化膜；
2)采用真空电阻加热法，将预处理过的高纯铝料放在导电陶瓷舟内预熔，然后将清洗干净的玻璃基板放置在真空室内的基片架上，通过晶振仪控制制备不同厚度的高纯铝膜。
3)将电阻蒸镀后的试样，随炉升温至480℃，然后保温1h，再随炉冷却至室温；
4)氧化前将在步骤3)已处理的玻璃基铝膜放入0.2mol/l的氢氧化钠溶液中处理5min，再将分析纯的草酸及去离子水配制成0.3mol/l的草酸溶液，作为一次阳极氧化的电解液，阳极为步骤3)已处理过的玻璃基铝膜，阴极为清洗干净的普通铝片，将阳极和阴极固定在氧化支架上，电极之间的距离为7cm，采用恒压稳流模式，氧化电压为15V，氧化反应期间采用水浴，氧化反应温度控制在0℃到10℃的区间范围内，试样透明后取出试样，用去离子水清洗干净；
5)将分析纯磷酸及去离子水配制成0.5mol/l的磷酸溶液，制得扩孔处理用的溶液，将步骤4)所得玻璃基多孔氧化铝基板浸泡在扩孔溶液中，在14℃下扩孔处理100min，时间达到后取出试样，用去离子水清洗干净；
6)随炉升温至480℃，然后保温1小时，再随炉冷却至室温，将氧化铝膜层和膜/基界面剩余的金属铝氧化成氧化铝。
实施例1制备的玻璃基多孔氧化铝基板的微观结构及透射性能：
平均孔径约37nm；如图4所示，可见光波段透射率大于60％，最大可达70％。
实施例2：技术方案
步骤5)扩孔处理时间为120min，其余同实施例1。
实施例2制备的玻璃基多孔氧化铝基板的透射性：
平均孔径约47nm；如图4所示，可见光波段透射率大于60％，最大可达70％。
实施例3：技术方案
1)采用纯度为99.999％的铝料，用去离子水、无水乙醇粗略清洗；然后放置在0.2mol/L的NaOH溶液中浸泡5min，去掉铝片表面的自然氧化膜；
2)采用电子束加热法，将预处理过的高纯铝料放在石墨坩埚内预熔，然后将清洗干净的玻璃基板放置在真空室内的基片架上，通过晶振仪控制制备不同厚度的高纯铝膜(本实例蒸镀时间为40s)。
3)将电子束蒸镀后的试样，随炉升温至480℃，然后保温1h，再随炉冷却至室温；
4)氧化前将在步骤2)已处理的玻璃基铝膜放入0.2mol/l的氢氧化钠溶液中处理5min，再将分析纯的草酸及去离子水配制成0.3mol/l的草酸溶液，作为一次阳极氧化的电解液，阳极为步骤3)已处理过的玻璃基铝膜，阴极为清洗干净的普通铝片，将阳极和阴极固定在氧化支架上，电极之间的距离为7cm，采用恒压稳流模式，氧化电压为30V，氧化反应期间采用水浴，氧化反应温度控制在0℃到10℃的区间范围内，氧化时间10min，取出试样用去离子水清洗干净；
5)将分析纯的磷酸和铬酸及去离子水，分别配制成6wt％的磷酸溶液和1.8wt％的铬酸溶液，将两种溶液混合，然后将混合溶液加热到80℃，最后将一次氧化之后的试样置于其中浸泡15min；
6)二次阳极氧化：二次阳极氧化的参数与第一步阳极氧化的各参数相同，氧化时间根据实际需要调整，氧化试样透明后取出试样，用去离子水清洗干净；
7)将分析纯磷酸及去离子水配制成0.5mol/l的磷酸溶液，制得扩孔处理用的溶液，将步骤6)所得玻璃基多孔氧化铝基板浸泡在扩孔溶液中，在室温下扩孔处理20min，时间达到后取出试样，用去离子水清洗干净；
8)随炉升温至480℃，然后保温1小时，再随炉冷却至室温，将氧化铝膜层和膜/基界面剩余的金属铝氧化成氧化铝。
实施例3制备的玻璃基多孔氧化铝基板的透射性：
平均孔径约40nm；如图4所示，见光波段透射率大于65％，最大可达74％。
实施例4：技术方案
步骤2)电子束蒸镀的时间为60s；步骤4)的氧化电压为20V，氧化反应温度控制在0℃到10℃的区间范围内；其余同实施例3。
实施例4制备的玻璃基多孔氧化铝基板的透射性：
平均孔径约24nm；如图4所示，可见光波段透射率大于65％，最大可达73％。
实施例5：技术方案
步骤2)电子束蒸镀的时间为20s；步骤4)的氧化电压为20V，氧化反应温度控制在3℃到10℃的区间范围内；步骤5)的浸泡时间为10min；其余同实施例3。
实施例5制备的玻璃基多孔氧化铝基板的透射性：
平均孔径约23nm；如图4所示，可见光波段透射率大于65％，最大可达75％。
实施例6：技术方案
步骤2)电子束蒸镀的时间为20s；步骤4)的氧化电压为15V；步骤5)的浸泡时间为10min；步骤7)的扩孔处理时间为60min；其余同实施例3。
实施例6制备的玻璃基多孔氧化铝基板的透射性：
平均孔径约18nm；如图4所示，可见光波段透射率大于67％，最大可达72％。