用于有机光电装置的材料和包括该材料的有机光电装置.pdf

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1、10申请公布号CN102089288A43申请公布日20110608CN102089288ACN102089288A21申请号200980126983022申请日20090825102008008290520080825KR102009005058020090608KRC07D239/26200601C07D403/1020060171申请人第一毛织株式会社地址韩国庆尚北道72发明人金南洙姜明淳郑镐国姜义洙朴永盛蔡美荣朴镇盛74专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司11018代理人陈万青王珍仙54发明名称用于有机光电装置的材料和包括该材料的有机光电装置57摘要本发明公开了包括化学通式1的不对。

2、称化合物的用于有机光电装置的材料和包括该材料的有机光电装置。所述用于有机光电装置的材料在诸如有机发光二极管等有机光电装置中能够作为空穴注入、空穴传输、发光或电子注入和/或传输材料，还能够作为与适合的掺杂剂一起使用的发光主体。当该材料用于诸如有机发光二极管等有机光电装置时，可得到具有优异的寿命、效率、驱动电压、电化学稳定性和热稳定性的有机光电装置。30优先权数据85PCT申请进入国家阶段日2011011086PCT申请的申请数据PCT/KR2009/0047302009082587PCT申请的公布数据WO2010/024572EN2010030451INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12。

3、发明专利申请权利要求书9页说明书20页附图3页CN102089293A1/9页21一种用于有机光电装置的材料，包括由以下化学通式1表示的不对称化合物化学通式1其中，在以上化学通式1中，AR1选自由氢和取代或未取代的芳基组成的组中，前提是当AR1为取代的芳基时，AR1的取代基与AR2不同，AR2和AR3独立地选自由取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的C2至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30芳基胺和取代或未取代的C2至C30杂芳基胺组成的组中，L1和L2独立地选自由取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基和取代或未取代的亚蒽基组成的组中，且M和N为1至4的整数。2根据权利要求1所述的材料，。

4、其中AR1选自由苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基和基组成的组中。3根据权利要求1所述的材料，其中AR1被选自由C1至C30烷基、C1至C10杂烷基、C3至C30环烷基、C6至C30芳基、C1至C30烷氧基、氟和氰基组成的组中的取代基取代。4根据权利要求1所述的材料，其中AR2和AR3独立地选自由咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、二苯胺、二萘胺、二联苯胺、苯基萘胺、苯基二苯胺、二甲苯胺、苯基甲苯胺、咔唑基、三苯胺和二吡啶胺组成的组中。5根据权利要求1所述的材料，其中L1和L2为亚苯基。6根据权利要求1所述的材料，其中。

5、由以上化学通式1表示的化合物包括以下化合物1至90，或它们的组合权利要求书CN102089288ACN102089293A2/9页3权利要求书CN102089288ACN102089293A3/9页4权利要求书CN102089288ACN102089293A4/9页5权利要求书CN102089288ACN102089293A5/9页6权利要求书CN102089288ACN102089293A6/9页7权利要求书CN102089288ACN102089293A7/9页8权利要求书CN102089288ACN102089293A8/9页97一种有机光电装置，包括阳极、阴极和布置在所述阳极和阴极之间。

6、的至少一层有机薄层，其中至少一层所述有机薄层包括权利要求1至6之一所述的用于有机光电装置的材料。权利要求书CN102089288ACN102089293A9/9页108根据权利要求7所述的有机光电装置，其中所述有机薄层包括发光层；和选自由空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、电子注入层EIL、空穴阻挡层和它们的组合组成的组中的至少一层。9根据权利要求7所述的有机光电装置，其中所述用于有机光电装置的材料包含在电子传输层ETL或电子注入层EIL中。10根据权利要求7所述的有机光电装置，其中所述用于有机光电装置的材料包含在发光层中。11根据权利要求7所述的有机光电装置，其中所述用于有机光电装置的材料包。

7、含在发光层中作为磷光或荧光主体。12根据权利要求7所述的有机光电装置，其中所述用于有机光电装置的材料包含在发光层中作为荧光蓝色掺杂剂。13根据权利要求7所述的有机光电装置，其中所述有机光电装置选自由有机发光二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机光导鼓和有机存储装置组成的组中。14一种显示器装置，包括权利要求7所述的有机光电装置。权利要求书CN102089288ACN102089293A1/20页11用于有机光电装置的材料和包括该材料的有机光电装置技术领域0001本发明涉及用于有机光电装置的材料和包括该材料的有机光电装置。更具体地，本发明涉及能够改善寿命、效率、驱动电压、电化学稳定性和热稳定性。

8、的有机光电装置用材料和包括该材料的有机光电装置。背景技术0002有机光电装置为需要通过利用空穴或电子在电极和有机材料之间进行电荷交换的装置。0003有机光电装置依照其驱动原理可分类如下。第一有机光电装置为进行如下驱动的电子装置由来自外部光源的光子在有机材料层内产生激子；激子分成电子和空穴；以及电子和空穴传输到彼此不同的电极上作为电流源电压源。0004第二有机光电装置为进行如下驱动的电子装置对至少两个电极施加电压或电流以将空穴和/或电子注入位于这些电极界面的有机半导体中；然后由注入的电子和空穴驱动该装置。0005例如，有机光电装置包括有机发光二极管OLED、有机太阳能电池、有机光导鼓、有机晶体管。

9、、有机存储装置等，且其需要空穴注入或传输材料、电子注入或传输材料或发光材料。0006尽管在以下的说明中主要描述有机发光二极管，但空穴注入或传输材料、电子注入或传输材料以及发光材料在有机光电装置中以相似原理进行反应。0007有机发光二极管OLED最近由于对平板显示器的需求增长而引起人们注意。通常，有机发光是指电能转化为光能。0008有机发光二极管通过对有机发光材料施加电流来将电能转化为光。它具有功能性有机材料层布置在阳极和阴极之间的结构。为了改善有机发光二极管的效率和稳定性，有机材料层包括多层，例如空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层、电子传输层ETL、电子注入层EIL，所述多层包括彼此不。

10、同的材料。0009在此有机发光二极管中，当在阳极和阴极之间施加电压时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入到有机材料层。产生的激子在转变为基态时产生具有特定波长的光。00101987年，EASTMANKODAK公司首先开发了包括低分子芳族二胺和铝络合物作为发光层形成材料的有机发光二极管APPLIEDPHYSICSLETTERS51，913，1987。CWTANG等人首先在1987年公开了作为有机发光二极管可实施的装置APPLIEDPHYSICSLETTERS，5112，913915，1987。0011根据参考资料，有机层具有堆叠二胺衍生物的薄膜空穴传输层HTL和三8羟基喹啉铝ALQ3的薄膜的结构。

11、。0012最近，周知的是，除了荧光发光材料，磷光发光材料也可用于有机发光二极管的发光材料DFOBRIENETAL，APPLIEDPHYSICSLETTERS，743，442444，1999；MABALDOETAL，APPLIEDPHYSICSLETTERS，75L，46，1999。这种磷光材料通过将电子由基态转变说明书CN102089288ACN102089293A2/20页12为激发态，通过系统间过渡由单线态激子非辐射转化为三线态激子，并将三线态激子转化为基态而发光。0013如上所述，在有机发光二极管中，有机材料层包括发光材料和电荷传输材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子。

12、注入材料等。0014发光材料根据发出的颜色可分为蓝色、绿色和红色发光材料，以及黄色和橙色发光材料以发出近似自然色的颜色。0015当使用一种材料作为发光材料时，最大发光波长向长波移动，或者色纯度因分子间的相互作用而降低，或者装置效率因发光淬灭效应而降低。因此，包含主体/掺杂剂系统作为发光材料以改善色纯度并通过能量传输提高发光效率和稳定性。0016为了实现有机发光二极管的以上优异性能，构成有机材料层的材料如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料和诸如主体和/或掺杂剂的发光材料应为稳定的，并具有良好的效率。然而，用于有机发光二极管的有机材料层形成材料的开发到目前为止仍不能够。

13、令人满意，因而存在对新材料的需求。其他有机光电装置也需要此类材料的开发。发明内容0017本发明的示例性实施方式提供一种能够作为空穴注入、空穴传输、发光或电子注入和/或传输材料，还能够作为与适合的掺杂剂一起使用的发光主体的新材料。0018本发明的另一个实施方式提供一种包括用于有机光电装置的材料，并具有改善的寿命、效率、驱动电压、电化学稳定性和热稳定性的有机光电装置。0019本发明的实施方式不限于以上技术目的，且本领域普通技术人员能够理解其他技术目的。0020根据本发明的一个实施方式，提供一种包括由以下化学通式1表示的不对称化合物的用于有机光电装置的材料0021化学通式100220023其中，在以。

14、上化学通式1中，0024AR1选自由氢和取代或未取代的芳基组成的组中，前提是当AR1为取代的芳基时，AR1的取代基与AR2不同，0025AR2和AR3独立地选自由取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的C2至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30芳基胺和取代或未取代的C2至C30杂芳基胺组成的组中，0026L1和L2独立地选自由取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基和取代或未取代的亚蒽基组成的组中，且说明书CN102089288ACN102089293A3/20页130027M和N为1至4的整数。0028根据本发明另一个实施方式，提供一种有机光电装置，包括阳极、阴极和布置在所述阳极和阴极之间。

15、的有机薄层。所述有机薄层包括用于所述有机光电装置的材料。0029根据本发明的又一个实施方式，提供一种包括所述有机光电装置的显示器装置。0030以下，将详细描述本发明的其他实施方式。0031根据一个实施方式的用于有机光电装置的材料相对于嘧啶核具有不对称结构。这种包括嘧啶核的不对称结构增强了无定形特性，从而抑制结晶，从而在驱动有机光电装置时改善有机光电装置的寿命特性。因此，提供一种具有优异的效率、驱动电压、电化学稳定性和热稳定性的有机光电装置。0032根据本发明一个实施方式的新材料能够在有机光电装置如有机发光二极管中作为空穴注入、空穴传输、发光或者电子注入和/或传输材料，还能够作为与适合的掺杂剂一。

16、起使用的发光主体。附图说明0033图1至5为表示根据本发明各实施方式的包括各化合物的有机发光二极管的截面图。0034图6为表示根据合成例1的化合物的差示扫描量热法DSC测量结果的曲线图。00350036100有机光电装置110阴极0037120阳极105有机薄层0038130发光层140空穴传输层HTL0039150电子传输层ETL160电子注入层EIL0040170空穴注入层EIL0041230发光层电子传输层ETL具体实施方式0042以下将详细说明本发明的示例性实施方式。0043然而，这些实施方式仅为示例性的，且本发明不限于此。0044在未提供具体定义时，在此使用的术语“取代的”是指被选自。

17、由C1至C30烷基、C1至C10杂烷基、C3至C30环烷基、C6至C30芳基、C1至C30烷氧基、氟和氰基组成的组中的至少一种取代基取代。0045在未提供具体定义时，在此使用的术语“杂”是指在一个环中包括1至3个包括N、O、S、P或SI的元素，且其余为碳。0046根据本发明的一个实施方式，提供一种包括由以下化学通式1表示的不对称化合物的用于有机光电装置的材料0047化学通式10048说明书CN102089288ACN102089293A4/20页140049其中，在以上化学通式1中，0050AR1选自由氢和取代或未取代的芳基组成的组中，前提是当AR1为取代的芳基时，AR1的取代基与AR2不同，。

18、0051AR2和AR3独立地选自由取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的C2至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30芳基胺和取代或未取代的C2至C30杂芳基胺组成的组中，L1和L2各自独立地选自由取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、和取代或未取代的亚蒽基组成的组中，且0052M和N为1至4的整数。0053在以上化学通式1中，优选AR1为芳基或芳基取代的芳基。芳基的实例为苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基等。0054AR1被选自由C1至C30烷基、C1至C10杂烷基、C3至C30环烷基、C6至C30芳基、C1至C30烷氧基、氟和氰基组成的组中的一种取代基取代。芳基的实例包括选自由苯基。

19、、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基和基组成的组中的一种。杂烷基的实例包括烷基甲硅烷基。然而，芳基和杂烷基不限于以上说明。当AR1为取代的芳基时，AR1的取代基与AR2不同。当AR1为取代的芳基且AR1的取代基与AR2不同时，可得到相对于嘧啶核的不对称结构。具有此不对称结构的用于有机光电装置的材料抑制结晶，因而改善有机光电装置的寿命特性。0055在以上化学通式1中，由AR2和AR3表示的杂芳基包括咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基等。0056在以上化学通式1中，由AR2和AR3表示的杂芳基胺包括二苯胺、二萘胺、二联苯胺、苯基。

20、萘胺、苯基二苯胺、二甲苯胺、苯基甲苯胺、咔唑基、三苯胺、二吡啶胺等。0057在以上化学通式1中由AR2和AR3表示的各取代基可为取代或未取代的。当AR2和AR3为取代的时，它们可被选自由C1至C30烷基、C1至C10杂烷基、C3至C30环烷基、C6至C30芳基、C1至C30烷氧基、氟和氰基组成的组中的一种取代。芳基的实例包括选自由苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基和基组成的组中的一种。杂烷基的实例包括烷基甲硅烷基。然而，芳基和杂烷基不限于以上说明。0058在以上化学通式1中，L1和L2优选为亚苯基。0059根据本发明的以上化学通式1的化合物包括嘧啶核和AR1至AR3的取代基。嘧啶为芳族化合物并。

21、具有诸如苯的电子结构。嘧啶具有热稳定性或相对较高的抗氧化性，但它能够通过2、4和6位的反应性差异合成不对称化合物。0060根据一个实施方式，嘧啶核被彼此不同的取代基取代，并形成不对称结构。在具有不对称取代基的嘧啶核结构中，能够增强无定形特性，并抑制结晶以在驱动有机光电装置说明书CN102089288ACN102089293A5/20页15时改善寿命特性。另一方面，具有相同取代基的不对称化合物容易结晶，因而会导致有机发光二极管的寿命变短。0061向具有上述特性的嘧啶引入各种取代基AR1至AR3以提供具有所需特性的有机光电装置。0062例如，通过向AR2和AR3引入具有P型性能的取代基，例如吡啶基。

22、、喹啉基和异喹啉基，可合成热电稳定的N型材料，并且通过引入具有P型性能的取代基可合成P型材料。还可同时引入N型取代基和P型取代基以提供同时具有N型和P型性能的两性材料。0063N型性能是指导电特性取决于LUMO能级的性能，因此因电子形成而具有阴离子特性。P型性能是指导电特性取决于HOMO能级的性能，因此因空穴形成而具有阳离子特性。0064由化学通式1表示的化合物被引入各种取代基，因而其总的分子性能可进一步改性为N型或P型。换言之，当对化学通式1的取代部分引入某一取代基以使由化学通式1表示的化合物性能改性为上述两种类型中的一种，由化学通式1表示的化合物可变为进一步满足用于空穴注入、空穴传输、发光。

23、、电子注入或电子传输的材料的条件的化合物。0065例如，当AR2和AR3被杂芳胺基取代时，由化学通式1表示的化合物具有更广的应用领域，例如用于空穴注入层HIL和空穴传输层HTL的材料。0066另一方面，当AR2和AR3被具有优异的电子亲和性的材料，例如杂芳基取代时，由化学通式1表示的化合物可用于电子注入层或电子传输层ETL的材料。0067而且，当AR1被诸如苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基等取代基取代时，可提高热稳定性或抗氧化性；且当AR2和AR3同时分别被杂芳胺基和杂芳基的取代基取代时，可提供两性材料以用于发光层材料。0068如上所述，通过在化学通式1的AR1至AR3位置上引入不同的取。

24、代基可合成具有各种能带隙的化合物。0069因此，由化学通式1表示的化合物可变为满足空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层、电子注入层和传输层所需条件的化合物。0070通过选择具有取决于化合物1的取代基的适宜能级的化合物，并将其应用于有机电子装置，可实现具有低驱动电压和高光效率的装置。0071由以上化学通式1表示的化合物的具体实例包括以下化合物1至90或它们的组合，但不限于此。0072说明书CN102089288ACN102089293A6/20页160073说明书CN102089288ACN102089293A7/20页170074说明书CN102089288ACN102089293A8/。

25、20页180075说明书CN102089288ACN102089293A9/20页190076说明书CN102089288ACN102089293A10/20页200077说明书CN102089288ACN102089293A11/20页210078包括以上化合物的用于有机光电装置的材料能够起到空穴注入、空穴传输、发光或者电子注入和/或传输的作用，还可作为与适合的掺杂剂一起使用的发光主体。根据本发明的实施方式，当用于有机光电装置的化合物包含在有机薄层内时，能够改善有机光电装置的寿命以及电化学和热稳定性，并降低用于改善寿命和效率特性的驱动电压。0079根据本发明的另一个实施方式，提供一种包括用于。

26、有机光电装置的材料的有机光说明书CN102089288ACN102089293A12/20页22电装置。有机光电装置包括有机发光二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机光导鼓、有机存储装置等。0080对于有机太阳能电池，本发明的新化合物包含在电极或电极缓冲层内，因而能够改善量子效率。对于有机晶体管，它可用作栅极、源漏极等中的电极材料。0081以下，更详细地解释有机发光二极管。根据本发明的另一个实施方式，提供一种包括阳极、阴极和布置在阳极和阴极之间的有机薄层的有机发光二极管。有机薄层包括用于有机光电装置的材料。0082有机薄层选自由发光层，以及空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、电子传输层ETL。

27、、电子注入层EIL、空穴阻挡层和它们的组合组成的组中。至少一层包括根据本发明用于有机光电装置的材料。0083图1至5为表示根据本发明的一个实施方式的包括用于有机光电装置的材料的有机发光二极管的截面图。0084参照图1至5，根据各实施方式的有机发光二极管100、200、300、400和500包括放入阳极120和阴极110之间的至少一层有机薄层105。0085阳极120包括具有大功函的阳极材料以帮助空穴注入到有机薄层。阳极材料包括金属，例如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金，或者它们的合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO；结合的金属和氧化物，例如ZNOAL或SNO2SB；或。

28、者导电聚合物，例如聚3甲基噻吩、聚3，4亚乙基1，2二氧代噻吩PEDT、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括透明电极作为阳极，该透明电极包括ITO氧化铟锡。0086阴极110包括具有小功函的阴极材料以帮助电子注入到有机薄层内。阴极材料包括金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、镱、锂、钆、铝、银、锡和铅，或者它们的合金；或者多层材料，例如LIF/AL、LIQ/AL、LIO2/AL、LIF/CA，LIF/AL和BAF2/CA，但不限于此。优选包括金属电极作为阴极，该金属电极包括铝。0087参照图1，有机光电装置100包括仅包含发光层130的有机薄层105。0088参照图2，双层有机光电装置200包括有。

29、机薄层105，有机薄层105包括发光层230和空穴传输层HTL140，发光层230包括电子传输层ETL。发光层130还用作电子传输层ETL，且空穴传输层HTL140具有与诸如ITO的透明电极的优异的粘结性能或优异的空穴传输性能。0089参照图3，三层有机光电装置300包括有机薄层105，有机薄层105包括电子传输层ETL150、发光层130和空穴传输层HTL140。发光层130独立安装，且分别堆叠具有优异的电子传输性能或优异的空穴传输性能的各个层。0090如图4所示，四层有机光电装置400包括有机薄层105，有机薄层105包括电子注入层EIL160、发光层130、空穴传输层HTL140和用于与。

30、ITO阴极粘合的空穴注入层HIL170。0091如图5所示，五层有机光电装置500包括有机薄层105，且进一步包括电子注入层EIL160以实现低电压，有机薄层105包括电子传输层ETL150、发光层130、空穴传输层HTL140和空穴注入层HIL170。0092在图1至图5中，包括选自由电子传输层ETL150、电子注入层EIL160和发光层130和230、空穴传输层HTL140、空穴注入层HIL170和它们的组合组成的组中的至说明书CN102089288ACN102089293A13/20页23少一种的有机薄层105包括用于有机光电装置的材料。该用于有机光电装置的材料可用于包括电子传输层ETL。

31、150或电子注入层EIL160的电子传输层ETL150。当它用于电子传输层ETL时，因为不需要另外的空穴阻挡层未示出，所以可提供具有更简单的结构的有机光电装置。0093而且，当用于有机光电装置的材料包含在发光层130和230中时，可包括用于有机光电装置的材料作为磷光或荧光主体、或荧光蓝色掺杂剂。0094通过在基板上形成阳极；用诸如沉积、溅射、等离子镀和离子镀的干涂法或诸如旋涂、浸涂和浇涂的湿涂法形成有机薄层；和在其上提供阴极可制造有机发光二极管。0095本发明的又一个实施方式提供一种根据以上实施方式包括上述有机光电装置的显示器装置。0096以下实施例将更详细地说明本发明。但应理解的是，本发明不。

32、受这些实施例的限制。0097制备用于有机光电装置的材料0098合成例1化合物1的合成0099对于有机光电装置用材料的具体实例，根据以下反应式1以两步合成化合物1。0100反应式101010102第一步合成中间产物A0103将750G409MMOL的2，4，6三氯嘧啶、548G450MMOL的苯基硼酸和118G10MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在450ML四氢呋喃和300ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到1130G818MMOL碳酸钾溶解在300ML水的溶液中，并将制得的混合物加热并回流9小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0104在减压。

33、下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离所得的晶体并用甲苯洗涤以得到647G产率703的中间产物A。0105第二步合成化合物10106将23G10MMOL的中间产物A、63G22MMOL的244，4，5，5四甲基1，3，说明书CN102089288ACN102089293A14/20页242二杂氧戊硼烷2基苯基吡啶B和06G05MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在70ML四氢呋喃和50ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到57G41MMOL碳酸钾溶解在50ML水的溶液中。将制得的混合物加热并回流12小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干。

34、燥。0107在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离所得的晶体并用甲苯洗涤以得到39G产率679的化合物1。01081HNMR300MHZ，CDCL3885D，2H，875D，2H，845D，2H，834D，2H，821M，4H，808S，1H，780M，4H，760M，3H，727M，2H；MSM14630109合成例2化合物2的合成0110对于有机光电装置用材料的具体实例，根据以下反应式2以两步合成化合物2。0111反应式201120113第一步合成中间产物C0114将750G409MMOL的2，4，6三氯嘧啶、773G450MMOL的萘基硼酸和118G10MMOL的四。

35、三苯基膦合钯悬浮在450ML四氢呋喃和300ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到1130G818MMOL碳酸钾溶解在300ML水的溶液中，并将制得的混合物加热并回流9小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0115在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离所得的晶体并用甲苯洗涤以得到800G产率711的中间产物C。0116第二步合成化合物20117将32G12MMOL的中间产物C、72G26MMOL的244，4，5，5四甲基1，3，2二杂氧戊硼烷2基苯基吡啶B和07G06MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在100ML四氢呋喃和6。

36、5ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到64G47MMOL碳酸钾溶解在65ML水的溶液中。将制得的混合物加热并回流12小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0118在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离萃取的晶体说明书CN102089288ACN102089293A15/20页25并用甲苯洗涤以得到41G产率690的化合物2。01191HNMR300MHZ，CDCL3885D，2H，876D，2H，845M，3H，820M，4H，801M，3H，780M，5H，761M，3H，727M，2H；MSM15130120合成。

37、例3化合物10的合成0121对于有机光电装置用材料的具体实例，根据以下反应式3合成化合物10。0122反应式301230124将23G10MMOL的中间产物A、75G22MMOL的144，4，5，5四甲基1，3，2二杂氧戊硼烷2基苯基异喹啉D和06G05MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在70ML四氢呋喃和50ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到57G41MMOL碳酸钾溶解在50ML水的溶液中。将制得的混合物加热并回流12小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0125在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离萃取的晶体并用甲苯。

38、洗涤以得到39G产率680的化合物10。01261HNMR300MHZ，CDCL3894D，2H，868D，2H，852D，2H，839D，2H，821D，2H，816S，1H，794M，6H，772M，4H，761M，5H；MSM15630127合成例4化合物11的合成0128对于有机光电装置用材料的具体实例，根据以下反应式4合成化合物11。0129反应式401300131将27G10MMOL的中间产物C、72G22MMOL的144，4，5，5四甲基1，3，2二杂氧戊硼烷2基苯基异喹啉D和06G05MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在80ML四氢呋喃和55ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮。

39、液加入到54G391MMOL碳酸钾溶解在55ML水的溶液中。将制得的混合物加热并回流12小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0132在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离萃取的晶体并用甲苯洗涤以得到45G产率650的化合物11。说明书CN102089288ACN102089293A16/20页2601331HNMR300MHZ，CDCL3893D，2H，867D，2H，853D，2H，845D，1H，821D，2H，796M，10H，772M，5H，764M，4H；MSM16130134合成例5化合物19的合成0135对于有机光。

40、电装置用材料的具体实例，根据以下反应式5合成化合物19。0136反应式501370138将40G18MMOL的中间产物A、130G39MMOL的344，4，5，5四甲基1，3，2二杂氧戊硼烷2基苯基喹啉E和10G09MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在120ML四氢呋喃和80ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到98G71MMOL碳酸钾溶解在80ML水的溶液中。将制得的混合物加热并回流12小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0139在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离萃取的晶体并用甲苯洗涤以得到65G产率647的化合物1。

41、9。01401HNMR300MHZ，CDCL3931D，2H，889D，2H，840M，6H，817D，2H，809S，1H，792M，6H，775M，2H，759M，5H；MSM15630141合成例6化合物63的合成0142对于有机光电装置用材料的具体实例，根据以下反应式6合成化合物63。0143反应式60144说明书CN102089288ACN102089293A17/20页270145第一步合成中间产物F0146将508G304MMOL的咔唑、716G304MMOL的1，4二溴苯、376G38MMOL的氯化亚铜和839G607MMOL的碳酸钾悬浮在322ML的二甲亚砜中，并在氮气氛下加。

42、热的同时回流8小时。将制得的反应液体冷却至室温，并用甲醇重结晶。0147过滤分离所得的晶体，并用硅胶柱色谱法提纯所得制品以得到559G产率613的中间产物F。0148第二步合成中间产物G0149将378G117MMOL的中间产物F溶解在378ML的四氢呋喃中，在70的氩气氛下加入1005ML161MMOL的16M正丁基锂己烷溶液，然后将制得的溶液在70至40搅拌1小时。将反应液体冷却至70并逐滴加入479ML235MMOL的异丙基四甲基二杂氧戊硼烷。在70下搅拌所得溶液1小时后，将温度升至室温并搅拌6小时。对所得溶液加入200ML水，然后搅拌20分钟。0150在反应液体分离成两层后，用饱和氯化。

43、钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0151在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离制得的晶体并用甲苯洗涤以得到289G产率667的中间产物G。0152第三步合成中间产物H0153将268G73MMOL的中间产物G、200G73MMOL的化合物C和21G18MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在600ML四氢呋喃和400ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到201G154MMOL碳酸钾溶解在400ML水的溶液中。将制得的混合物加热并回流8小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0154在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结。

44、晶残留物。过滤分离制得的晶体并用甲苯洗涤以得到230G产率654的中间产物H。说明书CN102089288ACN102089293A18/20页280155第四步合成化合物630156将60G12MMOL的中间产物H、45G14MMOL的化合物E和036G03MMOL的四三苯基膦合钯悬浮在180ML四氢呋喃和120ML甲苯的混合溶剂中以提供悬浮液。将该悬浮液加入到34G25MMOL碳酸钾溶解在120ML水的溶液中。将制得的混合物加热并回流12小时。在反应液体分离成两层后，用饱和氯化钠水溶液洗涤有机层，并用无水硫酸钠干燥。0157在减压下蒸馏并除去有机溶剂，然后用甲苯重结晶残留物。过滤分离制得的。

45、晶体并用甲苯洗涤以得到72G产率883的化合物63。01581HNMR300MHZ，CDCL3931S，1H，892D，2H，862D，2H，845M，2H，819D，3H，771M，20H；MSM16510159用差示扫描量热法DSC和热重分析法TGA测量合成的化合物以确定玻璃化转变温度和热分解温度。根据合成例1的化合物1的结果示于图6中。0160制造有机光电装置0161实施例10162提供具有50MM50MM07MM尺寸的15/CM2ITO玻璃基板康宁公司，并在异丙醇和纯水中分别清洗5分钟，然后用UV和臭氧洗涤30分钟。0163依次在玻璃基板的表面上热沉积N，N二苯基N，N双4苯基间甲苯基。

46、氨基苯基联苯基4，4二胺N，N二苯基N，N双4苯基间甲苯基氨基苯基联苯基4，4二胺DNTPD40NM、N，N二1萘基N，N二苯基联苯胺NPB10NM、EB46荧光蓝色掺杂剂，由ERAYOPTOELECTRONICSTECHNOLOGY有限公司制造EB512荧光蓝色主体，由ERAYOPTOELECTRONICSTECHNOLOGY有限公司制造640NM和由合成例1制得的化合物110NM以提供空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层和电子传输层ETL。0164作为电子注入层EIL，在ETL上沉积05NM厚度的LIF，并沉积100NM厚度的AL以提供LIF/AL电极。制得的有机光电装置的结构示于图。

47、5中。0165实施例20166根据与实施例1相同的过程制造有机光电装置，区别在于用合成例2得到的化合物210NM代替化合物1。0167实施例30168根据与实施例1相同的过程制造有机光电装置，区别在于用合成例3得到的化合物1010NM代替化合物1。0169实施例40170根据与实施例1相同的过程制造有机光电装置，区别在于用合成例4得到的化合物1110NM代替化合物1。0171实施例50172根据与实施例1相同的过程制造有机光电装置，区别在于用合成例5得到的化合物1910NM代替化合物1。0173实施例60174根据与实施例1相同的过程制造有机光电装置，区别在于用合成例6得到的化合说明书CN10。

48、2089288ACN102089293A19/20页29物6310NM代替化合物1。0175对比例10176根据与实施例1相同的过程制造有机光电装置，区别在于用化学式2表示的化合物ALQ310NM代替化合物1。0177化学式201780179有机光电装置的性能测定0180对根据实施例1至6和对比例1的各有机光电装置测定发光效率随电压的变化。01811电流密度随电压变化而变化的测定0182将根据实施例1至6和对比例1制得的各有机光电装置的电压从0V增加至14V，并用伏安装置KEITHLEY2400测定单元装置内的电流值。然后，用电流值除以面积测定它们的电流密度。01832亮度随电压变化而变化的测。

49、定0184将根据实施例1至6和对比例1的各有机光电装置的电压从0V增加至14V，并用亮度计MINOLTACS1000A测定亮度。01853电功效率发光效率的测定0186由1电流密度随电压变化而变化的测定和2亮度随电压变化而变化的测定中测定的电流密度和亮度以及电压V计算电功效率。结果示于以下表1中。0187表101880189参照表1，可确认，与根据对比例1使用ALQ3的电子传输层的情形相比，根据实施说明书CN102089288ACN102089293A20/20页30例1至6用本发明的有机光电装置用材料形成电子传输层的各有机光电装置具有优异的电功效率LM/W性能以及低驱动电压。因此，如各有机光电装置的性能结果所示，根据本发明一个实施方式的有机化合物具有高热稳定性、低驱动电压和高发光效率，因而可以预料它能够改善有机光电装置的寿命。可认为，有机光电装置用材料的不对称浓缩了无定形特性，因而抑制了结晶，从而使装置的寿命改善。01904热特性的测定0191用差示扫描量热法DSC对由合成例1至6得到的化合物进行第一分析，然后对这些化合物进行第二分析，从而完成第一分析。对于根据合成例1的化合物的分析结果示于图6中。参照图6，根据合成例1的化合物在第一分析中显示出熔点峰，但在第二分析中未显示出熔点峰。由该结果可确认，根据合成例1的化合物以稳。