晶圆的清洗方法及去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法 技术领域 本发明涉及半导体制造工艺， 特别涉及晶圆的清洗方法及去除氮化硅层和氮氧化 硅层的方法。
背景技术 半导体器件中， 通常形成有隔离结构， 以使得不同元件之间相互隔离。其中， 所述 隔离结构包括浅沟槽隔离结构、 场氧隔离结构、 局域氧化隔离结构等。
在申请号 200410025635.3 的中国专利申请提供了一种形成浅沟槽隔离结构的 方法， 包括 ： 如图 1 所示， 首先， 在半导体衬底 100 上依次形成氧化层 101 与氮化硅层 102， 其中， 所述氧化层 101 作为中间粘接层， 为了解决半导体衬底 100 与后续形成的氮化硅 层 102 之间的应力问题， 所述氮化硅层 102 作为硬掩膜层 ； 通过光刻工艺定义出浅沟槽 隔离结构的图形后， 依序进行氮化硅层 102、 氧化层 101 的刻蚀， 以形成浅沟槽 ( 图中未 标示 )。所述浅沟槽的深度在 300nm ～ 700nm 之间 ； 接着， 以化学气相沉积法 (chemical vapor depositin， CVD) 沉积氧化物填充在浅沟槽内 ； 最后以化学机械研磨抛光 (chemical vapordepostion， CMP) 工艺去除表面多余的填充氧化物， 形成所述浅沟槽隔离结构 104。
上述浅沟槽隔离结构形成以后， 需要去除所述氮化硅层 102， 以进行后续制作步 骤。但是， 由于所述形成浅沟槽隔离结构过程是在高温下进行的， 因此在氮化硅层 102 表面 会因高温氧化形成有一层氮氧化硅层。如图 2 所示， 所述氮氧化硅层 103 覆盖在氮化硅层 102 的表面， 阻碍氮化硅层 102 的去除， 即阻碍去除氮化硅层 102 的试剂 ( 如磷酸 ) 和氮化 硅层 102 产生反应。因此在进行氮化硅层 102 去除前， 必须增加一去除氮氧化硅层 103 的 程序才能使氮化硅层 102 暴露在外并与磷酸等产生反应。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种晶圆的清洗方法及去除氮化硅层和氮氧化硅层的 方法， 增强清洗效果， 提高晶圆质量。
为解决上述问题， 本发明提供了一种晶圆的清洗方法， 所述方法包括 ：
提供晶圆， 所述晶圆中形成有隔离结构， 所述晶圆上形成有氮化硅层、 及位于所述 氮化硅层上的氮氧化硅层 ；
采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层 ；
其中， 所述氢氟酸溶液中， 氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 70 ～ 1 ∶ 110。
可选的， 所述采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层时为室温。
可选的， 所述氢氟酸溶液去除氮氧化硅层时的去除速率为每分钟 20 ～ 40 可选的， 所述隔离结构为浅沟槽隔离结构、 场氧隔离结构或局域氧化隔离结构。 可选的， 所述氮氧化硅层的厚度约为 200 ～ 300可选的， 还包括采用磷酸溶液去除氮化硅层， 所述磷酸溶液中， 磷酸与水的体积比 为 80 ∶ 100 ～ 90 ∶ 100。本发明还提供一种去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法， 所述方法包括 ： 提供结构， 所述结构包括氮化硅层， 及位于所述氮化硅层表面上的氮氧化硅层 ； 采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层 ； 。 其中， 所述氢氟酸溶液中， 氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 70 ～ 1 ∶ 110。 可选的， 所述采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层时的温度为室温。 可选的， 所述氢氟酸溶液去除氮氧化硅层时的去除速率为每分钟 20 ～ 40可选的， 还包括采用磷酸溶液去除氮化硅层， 所述磷酸溶液中的磷酸与水的体积 比为 80 ∶ 100 ～ 90 ∶ 100。
与现有技术相比， 上述方案具有以下优点 ： 本发明方法在晶圆清洗过程中， 首先采 用氢氟酸溶液去除氮化硅层上的氧化物， 即氮氧化硅， 使氮化硅层暴露在外， 然后再进行氮 化硅层的清洗。所述方法增强了清洗的效果， 提高晶圆质量。 附图说明
图 1 至图 2 是现有技术中形成有隔离结构的晶圆结构示意图 ；
图 3 是本发明一个实施例的晶圆的清洗方法流程示意图 ；
图 4 是形成有氮化硅层和氮氧化硅层的结构示意图 ；
图 5 是本发明一个实施例的去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法流程示意图。 具体实施方式
本发明提供一种晶圆清洗方法， 在晶圆清洗过程中， 首先采用氢氟酸溶液去除氮 化硅层上的氧化物， 即氮氧化硅， 使氮化硅层暴露在外， 然后再进行氮化硅层的清洗。所述 方法增强了清洗的效果， 提高晶圆质量。其中， 所述氢氟酸溶液中， 氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 70 ～ 1 ∶ 110。
为使本发明的上述目的、 特征和优点能够更为明显易懂， 下面结合附图对本发明 的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。 但是本发明能够以多种不 同于在此描述的其它方式来实施， 本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类 似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
图 3 为本发明一个实施例的晶圆的清洗方法流程示意图， 包括 ：
执行步骤 S101， 提供晶圆， 所述晶圆中形成有隔离结构， 所述晶圆上形成有氮化硅 层、 及位于所述氮化硅层上的氮氧化硅层 ；
执行步骤 S102， 采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层 ；
执行步骤 S103， 采用去离子水对所述晶圆进行清洗 ；
执行步骤 S104， 采用磷酸溶液去除氮化硅层 ；
执行步骤 S105， 采用去离子水对所述晶圆进行清洗 ；
执行步骤 S106， 对所述晶圆进行干燥。
其中， 所述氢氟酸溶液中， 氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 70 ～ 1 ∶ 110。
以下作为一个实施例， 对本发明晶圆清洗方法加以详细说明。
提供晶圆， 如图 2 所示的， 包括 ： 半导体衬底 100、 依次位于所述半导体衬底 100 上的氧化层 101 和氮化硅层 102， 及因高温氧化而在氮化硅层 102 表面上形成的氮氧化硅层 103。所述晶圆中还形成有隔离结构 104， 所述隔离结构 104 用于对待形成的半导体元件之 间的隔离。
其中， 所述氮氧化硅层 103 的厚度约为 200 ～ 300所述隔离结构 104 为浅沟槽隔离结构、 场氧隔离结构或局域氧化隔离结构。
将所述待清洗的晶圆置放于氢氟酸溶液槽中， 利用氢氟与氮氧化硅层的反应， 去 除氮氧化硅层。所述氢氟酸溶液中， 氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 70 ～ 1 ∶ 110。采用的氢 氟酸溶液槽的设备为全自动腐蚀设备， 浸泡时间为 10 ～ 20min， 浸泡温度为室温。具体的， 所述浸泡时间与氮氧化硅的厚度及氢氟酸的浓度有关， 所述氢氟酸的刻蚀速率为每分钟 20 ～ 40 作为一个实施例， 氢氟酸溶液槽中， 所述氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 80。
作为另一个实施例， 氢氟酸溶液槽中， 所述氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 90。
作为再一个实施例， 氢氟酸溶液槽中， 所述氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 100。
进行氢氟酸溶剂去除氮氧化硅层之后， 将所述晶圆放入去离子水中， 对所述晶圆 进行清洗。浸泡清洗时间为 10 ～ 18min。
去离子水清洗之后， 直接将所述晶圆放入磷酸溶液槽中， 进行氮化硅层的去除。 所 述磷酸溶液中， 磷酸与水的体积比为 80 ∶ 100 ～ 90 ∶ 100。
采用的磷酸溶液槽的设备为全自动腐蚀设备。浸泡时间为 40 ～ 80min， 浸泡温度 为 150 ～ 170℃。
进行磷酸溶剂去除氮化硅层之后， 将所述晶圆置放于去离子水中， 对所述晶圆进 行清洗， 浸泡时间为 10 ～ 18min。
最后， 对所述晶圆进行干燥。所述干燥设备为滚桶式甩干机， 干燥时间为 5 ～ 20min。
本发明还提供一种去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法， 如图 5 所示， 包括 ：
执行步骤 S201， 提供结构， 所述结构包括氮化硅层， 及位于所述氮化硅层表面上的 氮氧化硅层 ；
执行步骤 S202， 采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层 ；
执行步骤 S203， 采用去离子水对所述结构进行清洗 ；
执行步骤 S204， 采用磷酸溶液去除氮化硅层 ；
执行步骤 S205， 采用去离子水对所述结构进行清洗 ； 执行步骤 S206， 对所述结构进行干燥。 其中， 所述氢氟酸溶液中， 氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 70 ～ 1 ∶ 110。 以下作为一个实施例， 对本发明去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法加以详细说明。 提供结构， 如图 4 所示的， 包括 ： 半导体衬底 200、 依次位于所述半导体衬底 200 上 的氧化层 201、 氮化硅层 202， 氮氧化硅层 203。 其中， 所述氮氧化硅层 103 的厚度约为 200 ～
300 将所述结构置放于氢氟酸溶液槽中， 利用氢氟与氮氧化硅层的反应， 去除氮氧化 硅层 203。所述氢氟酸溶液中， 氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 70 ～ 1 ∶ 110。采用的氢氟酸
溶液槽的设备为全自动腐蚀设备， 浸泡时间为 10 ～ 20min， 浸泡温度为室温。具体地， 所述 浸泡时间与氮氧化硅的厚度及氢氟酸的浓度有关， 所述氢氟酸的刻蚀速率为每分钟 20 ～ 40
作为一个实施例， 氢氟酸溶液槽中， 所述氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 85。 作为另一个实施例， 氢氟酸溶液槽中， 所述氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 95。 作为再一个实施例， 氢氟酸溶液槽中， 所述氢氟酸与水的体积比为 1 ∶ 105。 进行氢氟酸溶剂去除氮氧化硅层之后， 将所述结构置放于去离子水中， 对所述结构进行清洗， 浸泡清洗时间为 10 ～ 18min， 所述氢氟酸的刻蚀速率为每分钟 20 ～ 40 去离子水清洗之后， 将所述结构放入磷酸溶液槽中， 进行氮化硅层的去除。 所述磷 酸溶液中， 磷酸与水的体积比为 80 ∶ 100 ～ 90 ∶ 100。
采用的磷酸溶液槽的设备为全自动腐蚀设备， 浸泡时间为 40 ～ 80min， 浸泡温度 为 150 ～ 170℃。
进行磷酸溶剂去除氮化硅层之后， 将所述结构置放于去离子水中， 对所述结构进 行清洗， 浸泡清洗时间为 10 ～ 18min。
最后， 对所述结构进行干燥。所述干燥设备为滚桶式甩干机， 干燥时间为 5 ～ 20min。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上， 但其并不是用来限定本发明， 任何本领域 技术人员在不脱离本发明的精神和范围内， 都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发 明技术方案做出可能的变动和修改， 因此， 凡是未脱离本发明技术方案的内容， 依据本发明 的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、 等同变化及修饰， 均属于本发明技术方案 的保护范围。