四苄基类铪及其合成方法和应用.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201010598838.7

申请日:

20101222

公开号:

CN102093401A

公开日:

20110615

当前法律状态:

有效性:

有效

法律详情:

IPC分类号:

C07F7/00,H01L29/51

主分类号:

C07F7/00,H01L29/51

申请人:

南京大学

发明人:

潘毅,曹季,梅海波

地址:

210093 江苏省南京市汉口路22号

优先权:

CN201010598838A

专利代理机构:

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人:

李纪昌

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内容摘要

四苄基类铪及其合成方法和应用,其结构通式如下:其中,R是氢、烷基或卤素。四苄基类铪可用于高k材料的前驱体材料。

权利要求书

1.四苄基类铪,其结构为:LHf,其中L是苄基及其衍生物,其结构通式如下: 其中,R是氢、烷基或卤素。 2. 制备权利要求1所述四苄基类铪的方法,其特征在于制备步骤为:首先由镁和苄氯在乙醚中,制得苄基氯化镁的乙醚溶液;然后将其冷却到-40度,氮气气氛下,按照和格式试剂摩尔比为1.05:1的比例向上述格式试剂溶液中分批加入 HfCl的固体,得到的混合物,在避光处反应,自然升温至室温,真空下除去挥发物,加入二氯甲烷,搅拌,过滤,得到的滤液经浓缩得到四苄基铪产物。 3. 权利要求1所述四苄基类铪作为前驱体用于高K材料的制备。

说明书



 

一、技术领域

本发明涉及化学领域中的一种金属有机配合物,尤其涉及一种四苄基类铪及其合成方法和应用。

 

二、背景技术

英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层,是半导体行业近40年来的重要创新。

通过使用包括高K门电介质和金属栅极在内的新材料组合,英特尔 45 纳米技术成为整个行业在减少晶体管电流泄漏(对芯片制造商而言,随着晶体管体积越来越小,这个问题将日益突出)征途中的一个重要里程碑。 

这一晶体管技术的新突破将推动着英特尔在台式机、笔记本电脑及服务器的处理器速度方面不断开创新高。它还将确保摩尔定律(一项高科技行业公理,指出晶体管数量每两年就会增加一倍,从而实现在成本不断降低的同时带来更高性能、更多功能)在未来十年内继续发挥效力。

高K材料基于一种名为铪的元素,而不是以往的二氧化硅;而晶体管栅极则由两种金属元素组成,取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料,是英特尔提升处理器性能的独特手段。

   另外,由于高k材料的功函数通常与传统的多晶硅栅材料不匹配,所以必须用金属栅电极来替代,因此高k及金属栅材料的组合,己成为45纳米制程新的CMOS结构的分水岭。 

英特尔公司此次在全球首次推出45纳米高k金属栅结构的处理器芯片其意义十分深远。首先显示英特尔公司的非凡勇气,可以比喻为”第一个敢吃磅蟹的人” ,因为由此可能直接打开通向32纳米及22纳米的通路,扫清工艺技术中的一大障碍。

 研制四苄基类铪化合物主要是针对以上高K前驱体的用途而进行的。目前报道的合成方法主要有两种:第一种是用苄基氯化镁和四氯化铪在-78℃反应而制得。反应需要在温度很低的条件下进行,给操作带来了一定的麻烦。而且反应时间较长,降低了反应的效率。另一种主要是采用混和溶剂进行反应,反应后处理需要用热的正庚烷,这些都给反应带来了一定的麻烦。所以关于苄基铪的合成,需要进一步的改善。

 

三、发明内容

发明目的:本发明提供一种四苄基类铪化合物及其合成方法和应用,四苄基类铪可用于高k材料的前驱体材料。该方法是将稍稍过量四氯化铪加入到苄氯的格式试剂中进行反应,首先保证了反应可以完全进行,从而提高生成的四苄基铪的产率,而且给后处理带来方便。同时反应用苄氯进行反应,降低了反应的成本。

技术方案:四苄基类铪,其结构为:L4Hf,其中L是苄基及其衍生物,其结构通式如下:

 其中,R是氢、烷基或卤素。

制备四苄基类铪的方法,制备步骤为:首先由镁和苄氯在乙醚中,制得苄基氯化镁的乙醚溶液;然后将其冷却到-40度,氮气气氛下,按照和格式试剂摩尔比为1.05:1的比例向上述格式试剂溶液中分批加入 HfCl4的固体,得到的混合物,在避光处反应,自然升温至室温,真空下除去挥发物,加入二氯甲烷,搅拌,过滤,得到的滤液经浓缩得到四苄基铪产物。

    

四苄基类铪作为前驱体用于高K材料的制备。

 

有益效果:

(1)合成了一系列新的四苄基类铪的化合物。

(2)提供了上述化合物的合成方法。

(3)反应中使用苄氯为原料,降低了反应的成本。

(4)反应中使用乙醚为单一的溶剂,同时在后处理中,在室温下,使用卤代烃类为溶剂,简化了反应操作的同时,也降低了反应的成本。

(5)反应采用将过量的四氯化铪加入到格式试剂的溶液中的方法,这就保证了格式试剂可以反应完全,简化了反应的条件及操作。 

(4)反应无需在很低温度下进行,而且反应让其自然升至室温,这就大大简化了反应的操作。同时反应在2小时内及完成,提高了反应的效率。

四、具体实施方式

实施例1 四苄基铪(Hf(CH2Ph)4)的合成

首先由1.2克镁和5.9克苄氯在50mL乙醚中,制的苄基氯化镁的乙醚溶液。然后将其冷却到-40℃,氮气气氛下,将HfCl4 (4.2 g)固体在5分钟内分批加入到上述的格式试剂溶液中,得到的混合物,在避光出反应,2小时自然升温至常温。真空下除去乙醚等挥发物,加入30mL二氯甲烷,搅拌,过滤,除去不溶物,得到的滤液,浓缩,得到四苄基铪产物,为淡黄色固体,产率为85-90%。1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 7.25-7.35 (m, 8H), 7.12-7.17 (m, 4H), 6.55-6.63 (m, 8H), 1.41 (s, 8H)。

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1、(10)申请公布号 CN 102093401 A (43)申请公布日 2011.06.15 CN 102093401 A *CN102093401A* (21)申请号 201010598838.7 (22)申请日 2010.12.22 C07F 7/00(2006.01) H01L 29/51(2006.01) (71)申请人 南京大学 地址 210093 江苏省南京市汉口路 22 号 (72)发明人 潘毅 曹季 梅海波 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 代理人 李纪昌 (54) 发明名称 四苄基类铪及其合成方法和应用 (57) 摘要 四苄基类铪及其合成方法和应。

2、用, 其结构通 式如下 :其中, R 是氢、 烷基 或卤素。四苄基类铪可用于高 k 材料的前驱体材 料。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 CN 102093408 A1/1 页 2 1. 四苄基类铪, 其结构为 : L4Hf, 其中 L 是苄基及其衍生物, 其结构通式如下 : 其中, R 是氢、 烷基或卤素。 2. 制备权利要求 1 所述四苄基类铪的方法, 其特征在于制备步骤为 : 首先由镁和苄氯 在乙醚中, 制得苄基氯化镁的乙醚溶液 ; 然后将其冷却到 40 度, 氮气气氛下, 按照和格式 试剂摩尔比为 。

3、1.05:1 的比例向上述格式试剂溶液中分批加入 HfCl4的固体, 得到的混合 物, 在避光处反应, 自然升温至室温, 真空下除去挥发物, 加入二氯甲烷, 搅拌, 过滤, 得到的 滤液经浓缩得到四苄基铪产物。 3. 权利要求 1 所述四苄基类铪作为前驱体用于高 K 材料的制备。 权 利 要 求 书 CN 102093401 A CN 102093408 A1/2 页 3 四苄基类铪及其合成方法和应用 0001 一、 技术领域 本发明涉及化学领域中的一种金属有机配合物, 尤其涉及一种四苄基类铪及其合成方 法和应用。 0002 二、 背景技术 英特尔 45 纳米高 K 半导体制程技术全称为英特尔。

4、 45 纳米高 K 金属栅硅制程技术。该 技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层, 是半导体行业近40年来的重要 创新。 0003 通过使用包括高 K 门电介质和金属栅极在内的新材料组合, 英特尔 45 纳米技术 成为整个行业在减少晶体管电流泄漏 (对芯片制造商而言, 随着晶体管体积越来越小, 这个 问题将日益突出) 征途中的一个重要里程碑。 0004 这一晶体管技术的新突破将推动着英特尔在台式机、 笔记本电脑及服务器的处理 器速度方面不断开创新高。 它还将确保摩尔定律 (一项高科技行业公理, 指出晶体管数量每 两年就会增加一倍, 从而实现在成本不断降低的同时带来更高性能、 更多功。

5、能) 在未来十年 内继续发挥效力。 0005 高 K 材料基于一种名为铪的元素, 而不是以往的二氧化硅 ; 而晶体管栅极则由两 种金属元素组成, 取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新 的方案中结合了所有这些新材料, 是英特尔提升处理器性能的独特手段。 0006 另外, 由于高 k 材料的功函数通常与传统的多晶硅栅材料不匹配, 所以必须 用金属栅电极来替代, 因此高 k 及金属栅材料的组合, 己成为 45 纳米制程新的 CMOS 结构的 分水岭。 0007 英特尔公司此次在全球首次推出 45 纳米高 k 金属栅结构的处理器芯片其意义十 分深远。首先显示英特尔公司的非凡勇。

6、气, 可以比喻为” 第一个敢吃磅蟹的人” , 因为由此 可能直接打开通向 32 纳米及 22 纳米的通路, 扫清工艺技术中的一大障碍。 0008 研制四苄基类铪化合物主要是针对以上高 K 前驱体的用途而进行的。目前报道 的合成方法主要有两种 : 第一种是用苄基氯化镁和四氯化铪在 -78反应而制得。反应需 要在温度很低的条件下进行, 给操作带来了一定的麻烦。 而且反应时间较长, 降低了反应的 效率。 另一种主要是采用混和溶剂进行反应, 反应后处理需要用热的正庚烷, 这些都给反应 带来了一定的麻烦。所以关于苄基铪的合成, 需要进一步的改善。 0009 三、 发明内容 发明目的 : 本发明提供一种四。

7、苄基类铪化合物及其合成方法和应用, 四苄基类铪可用 于高 k 材料的前驱体材料。该方法是将稍稍过量四氯化铪加入到苄氯的格式试剂中进行反 应, 首先保证了反应可以完全进行, 从而提高生成的四苄基铪的产率, 而且给后处理带来方 便。同时反应用苄氯进行反应, 降低了反应的成本。 说 明 书 CN 102093401 A CN 102093408 A2/2 页 4 0010 技术方案 : 四苄基类铪, 其结构为 : L4Hf, 其中 L 是苄基及其衍生物, 其结构通式如 下 : 其中, R 是氢、 烷基或卤素。 0011 制备四苄基类铪的方法, 制备步骤为 : 首先由镁和苄氯在乙醚中, 制得苄基氯化镁。

8、 的乙醚溶液 ; 然后将其冷却到 40 度, 氮气气氛下, 按照和格式试剂摩尔比为 1.05:1 的比 例向上述格式试剂溶液中分批加入 HfCl4的固体, 得到的混合物, 在避光处反应, 自然升温 至室温, 真空下除去挥发物, 加入二氯甲烷, 搅拌, 过滤, 得到的滤液经浓缩得到四苄基铪产 物。 0012 四苄基类铪作为前驱体用于高 K 材料的制备。 0013 有益效果 : (1) 合成了一系列新的四苄基类铪的化合物。 0014 (2) 提供了上述化合物的合成方法。 0015 (3) 反应中使用苄氯为原料, 降低了反应的成本。 0016 (4) 反应中使用乙醚为单一的溶剂, 同时在后处理中, 。

9、在室温下, 使用卤代烃类为 溶剂, 简化了反应操作的同时, 也降低了反应的成本。 0017 (5) 反应采用将过量的四氯化铪加入到格式试剂的溶液中的方法, 这就保证了格 式试剂可以反应完全, 简化了反应的条件及操作。 0018 (4) 反应无需在很低温度下进行, 而且反应让其自然升至室温, 这就大大简化了反 应的操作。同时反应在 2 小时内及完成, 提高了反应的效率。 0019 四、 具体实施方式 实施例 1 四苄基铪 (Hf(CH2Ph)4) 的合成 首先由 1.2 克镁和 5.9 克苄氯在 50mL 乙醚中, 制的苄基氯化镁的乙醚溶液。然后将其 冷却到40, 氮气气氛下, 将HfCl4 (4.2 g)固体在5分钟内分批加入到上述的格式试剂 溶液中, 得到的混合物, 在避光出反应, 2 小时自然升温至常温。真空下除去乙醚等挥发物, 加入 30mL 二氯甲烷, 搅拌, 过滤, 除去不溶物, 得到的滤液, 浓缩, 得到四苄基铪产物, 为淡 黄色固体, 产率为 85 90%。1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 7.25-7.35 (m, 8H), 7.12-7.17 (m, 4H), 6.55-6.63 (m, 8H), 1.41 (s, 8H)。 说 明 书 CN 102093401 A 。

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